專利名稱：一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及防靜電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜。
背景技術(shù)：
潔凈防靜電屏蔽膜廣泛應(yīng)用于電子半導(dǎo)體行業(yè)、國防エ業(yè)、記錄磁盤行業(yè)、纖維光學(xué)器件制造業(yè)、電信無線電通訊業(yè)、醫(yī)藥業(yè)、汽車制造業(yè)等涉及敏感電子元器件加工、包裝和封裝等領(lǐng)域，用于保護(hù)敏感電子元件內(nèi)部和表面不受微顆粒、濕氣、靜電釋放和電磁干擾等傷害。目前市場(chǎng)上通用的防靜電屏蔽膜，在微顆?？刂埔约半x子含量控制方面技術(shù)水平較低或者不作為控制項(xiàng)目，無法滿足潔凈條件的使用要求。 發(fā)明內(nèi)容針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本實(shí)用新型的目的是提供ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，它具有潔凈度高，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，能有效保護(hù)電子元器件。為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層、聚こ烯層與內(nèi)表面靜電耗散層。進(jìn)ー步地，所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層分別由涂布在所述聚酯層與聚こ烯層外表面的防靜電液經(jīng)干燥后形成。進(jìn)ー步地，所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層的電阻小于IXlO11歐姆，金屬招層表面電阻小于100歐姆,靜電屏蔽小于50V。進(jìn)ー步地，材料厚度為0. 075mm,拉伸強(qiáng)度大于15N(TD&MD)，撕裂強(qiáng)度大于8N(TD&MD)，穿刺強(qiáng)度大于5N。所述外表面靜電耗散層與內(nèi)表面靜電耗散層主要作用是阻止屏蔽膜內(nèi)外表面靜電的產(chǎn)生，提供釋放外部電荷的途徑；所述聚酯層(PET)經(jīng)過特殊處理，提供材料的物理性能；所述金屬鋁(AL)提供法拉第籠原理的靜電屏蔽保護(hù)；所述聚こ烯層(PE)，提供薄膜的熱封面以及物理性能。本實(shí)用新型的各項(xiàng)性能符合ANSI/ESD S541，MIL-1686A，MIL-PRF-81705Rev D,Type III，GB-13022-91的相關(guān)要求。通過特定的抗靜電配方，使包裝袋潔凈度能夠滿足記錄磁盤行業(yè)的高標(biāo)準(zhǔn)要求，而且不含氨基化合物、硅油和酸ニ辛酯(DOP)，IC陰離子含量較低，氟離子(F_)小于0. 001 u g/cm2，氯離子(CF)小于0. 005 u g/cm2，亞硝酸根離子(NO2O小于0. 001 V- g/cm2,溴離子(Brつ小于0. 001 u g/cm2，硝酸根離子(NO3O小于0. 031 u g/cm2,磷酸根離子(P0/_)小于0. 001 ii g/cm2，硫酸根離子(S042_)小于0. 001 ii g/cm2,總的陰離子含量小于0.036 y g/cm2。與市場(chǎng)上普通的防靜電屏蔽膜相比，本實(shí)用新型的陰離子含量僅為幾十分之一，氯離子僅是二分之一，硝酸根離子僅是四分之一，氟離子、亞硝酸根離子、溴離子、磷酸根離子、硫酸根離子僅為十分之一，總的離子含量也僅為四分之一。同時(shí)，本實(shí)用新型也符合FTIR、RoHS, REACH、Halogen Free、PFOS, PFOA和PVC等有害物質(zhì)的限量要求。本實(shí)用新型具有較高的潔凈度，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，有效保護(hù)電子器件。所具有的物理性能和防靜電性能，可以按包裝物的要求制作成各種形狀及尺寸，并且能夠達(dá)到抽真空包裝的要求。半透明性能可以查看包裝內(nèi)部電子元器件的外觀狀況，通過濕度指示卡觀察包裝袋內(nèi)的濕度變化情況。本實(shí)用新型適用于環(huán)境有無塵要求的生產(chǎn)、包裝和測(cè)試等場(chǎng)合，符合磁頭、硬盤等對(duì)潔凈度有苛刻要求的高科技行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。
以下結(jié)合附圖
和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)ー步說明。圖I是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；圖中1、外表面靜電耗散層；2、聚酯層；3、金屬鋁層；4、聚こ烯層；5、內(nèi)表面靜電耗散層。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行詳細(xì)描述，本部分的描述僅是示范性和解釋性的，不應(yīng)對(duì)本實(shí)用新型的保護(hù)范圍有任何的限制作用。實(shí)施例，見圖I所示本實(shí)用新型是ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層I、聚酯層2、金屬鋁層3、聚こ烯層4與內(nèi)表面靜電耗散層5 ;所述外表面靜電耗散層I與內(nèi)表面靜電耗散層5分別由涂布在所述聚酯層2與聚こ烯層4外表面的防靜電液經(jīng)干燥后形成。首先采用常規(guī)流延法或吹膜法將聚酯和聚こ烯拉伸至所需厚度的薄膜，分別制成聚酯層2與聚こ烯層4 ;再利用真空鍍鋁技術(shù)在聚酯層2內(nèi)側(cè)表面鍍上金屬鋁層3，制成鍍鋁聚酯，其金屬鋁層3的厚度為150埃左右；然后將鍍鋁聚酯的金屬鋁層3和聚こ烯層4利用干式復(fù)合法均勻地復(fù)合在一起，最后在復(fù)合材料兩外表面分別涂布ー層防靜電液，充分干燥。防靜電液采用原液與異丙醇或酒精配制獲得，原液與溶劑的比例是I : 350 I 500，干燥溫度35°C 55°C，干燥運(yùn)行線速度40 80m/min。以上所述僅是本實(shí)用新型的較佳實(shí)施方式，故凡依本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍所述的構(gòu)造、特征及原理所做的等效變化或修飾，均包括于本實(shí)用新型專利申請(qǐng)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜,其特征在于包括順序排列的外表面靜電耗散層(I)、聚酯層(2)、金屬鋁層(3)、聚こ烯層(4)與內(nèi)表面靜電耗散層(5)。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層(I)與內(nèi)表面靜電耗散層(5)分別由涂布在所述聚酯層(2)與聚こ烯層(4)外表面的防靜電液經(jīng)干燥后形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于所述外表面靜電耗散層⑴與內(nèi)表面靜電耗散層⑷的電阻小于I X IO11歐姆；所述金屬招層(3)表面電阻小于100歐姆，靜電屏蔽小于50V。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的ー種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，其特征在于材料厚度為O.075mm,拉伸強(qiáng)度大于15N,撕裂強(qiáng)度大于8N,穿刺強(qiáng)度大于5N。
專利摘要本實(shí)用新型涉及防靜電技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種半透明潔凈防靜電屏蔽膜，包括順序排列的外表面靜電耗散層、聚酯層、金屬鋁層、聚乙烯層與內(nèi)表面靜電耗散層，分別由涂布在所述聚酯層與聚乙烯層外表面的防靜電液經(jīng)干燥后形成。本實(shí)用新型的半透明潔凈防靜電屏蔽膜，具有潔凈度高，陰離子含量低，可以有效防止陰離子與水分子結(jié)合而產(chǎn)生的具有強(qiáng)烈腐蝕作用的酸性物質(zhì)，能有效保護(hù)電子元器件。
文檔編號(hào)B65D65/40GK202642436SQ201220180928
公開日2013年1月2日 申請(qǐng)日期2012年4月25日 優(yōu)先權(quán)日2012年4月25日
發(fā)明者郭先正 申請(qǐng)人:衛(wèi)利凈化產(chǎn)品(上海)有限公司