專利名稱：一種具有雙信息表面的光盤的制作方法
本申請是95121149.8號申請的分案申請。
本發(fā)明涉及一種光盤，其中光束在該光盤上聚焦并通過檢測從該光盤反射的光再現(xiàn)信息。確切地說，本發(fā)明涉及具有雙信息表面的光盤。
近年來，光盤作為存貯聲信息數(shù)據(jù)、圖象信息數(shù)據(jù)和各種信息設(shè)備信息的裝置變得日趨重要，原因在于它們能存貯和再現(xiàn)大量的數(shù)據(jù)。另一種需求是，進(jìn)一步提高光盤的容量并減小光盤的尺寸。為了滿足這些要求，需進(jìn)一步提高光盤的存貯容量。
例如，具有一個(gè)信息表面的小型光盤(CD)作為只讀光盤是公知的。CD包括螺旋形的信息軌道，該軌道由在厚度為1.2mm的盤形樹脂基片表面上形成的凸、凹部分(凹坑)組成。通過濺射和類似方法在最終得到基片的信息表面上形成由鋁或類似物制成的反射膜以及保護(hù)膜。然后在保護(hù)膜上印制一個(gè)識別標(biāo)志。
因?yàn)檫@樣的CD只有一個(gè)信息表面，所以CD的存容量很小。為了提高存貯容量，在市場上可以購到將兩個(gè)光盤粘結(jié)在一起的光盤，如5″磁光盤(Mo盤)。5″Mo盤分為兩類只有一個(gè)信息表面的光盤(單面光盤)和具有兩個(gè)信息表面的光盤(雙面光盤)。單面光盤包括一個(gè)螺旋形的導(dǎo)向槽，它由在厚度為1.2mm的盤形樹脂基片上形成的凸、凹部分構(gòu)成。通過濺射和類似方法在最終得到的基片信息表面上依次形成電介質(zhì)膜、磁光記錄材料膜、另一個(gè)電介質(zhì)膜、以及由鋁和類似材料組成的反射膜。然后，將另一個(gè)厚度為1.2mm的樹脂基片粘結(jié)到反射膜上。雙面光盤包括一個(gè)螺旋形的導(dǎo)引槽，該導(dǎo)引槽由在厚度為1.2mm的盤形樹脂基片上形成的凸、凹部分構(gòu)成。通過濺射和類似技術(shù)在最終得到的信息表面上依次形成電介質(zhì)膜、磁光記錄材料膜、另一個(gè)電介質(zhì)膜、以及由鋁及類似材料構(gòu)成的反射膜。將這樣制成的盤與另一個(gè)按同樣方式制成的盤粘結(jié)到一起。對常規(guī)的5″Mo盤的記錄/再現(xiàn)設(shè)備進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其既能接納單面盤又能接納雙面盤，都能完成記錄和再現(xiàn)操作。當(dāng)記錄的信息很少時(shí)用戶可選擇單面盤，當(dāng)信息量大時(shí)可選擇雙面盤。5″Mo光盤設(shè)備一般只設(shè)有一個(gè)光頭。因此，當(dāng)使用雙面光盤時(shí)，需要將光盤取出，反轉(zhuǎn)過來再繼續(xù)記錄或再現(xiàn)。
一般來說，光盤的信息密度是由信息軌道的螺距和跟蹤方向的信息密度(即信息線密度)決定的。為了提高光盤的信息密度，應(yīng)使軌道螺距很小并使線密度很大。近年來一直在進(jìn)行研究，例如將基片厚度減小到0.6mm，借此提高光盤的信息密度，減小因光盤傾斜引起的光束穿過基片的光行差。
然而，上述的常規(guī)技術(shù)存在著下述問題。在常規(guī)的雙面光盤的情況下，如果用光束照射光盤的上表面和下表面來記錄信息或再現(xiàn)記錄的信息，那么在光盤的表面上就不會(huì)留下多少空間來印制識別標(biāo)志。這對處理光盤來說是很不方便的。還有，當(dāng)將常規(guī)的雙面光盤用于只有一個(gè)光頭的光再現(xiàn)設(shè)備時(shí)，需要將光盤從設(shè)備中取出，翻個(gè)面才能繼續(xù)再現(xiàn)。若想能自動(dòng)繼續(xù)再現(xiàn)，需要在光盤的上方和下方設(shè)置兩個(gè)光頭。具有兩個(gè)光頭的設(shè)備的尺寸變大、成本變高。
另一個(gè)問題是，當(dāng)為了提高光盤的密度在市場上購來比常規(guī)光盤更薄的新的光盤時(shí)，這種新的光盤與常規(guī)的記錄/再現(xiàn)設(shè)備是不兼容的。
本發(fā)明的光盤包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜；以及，粘結(jié)第一基片和第二基片使第一信息表面和第二信息表面彼此面對的粘結(jié)層，其中第一基片的厚度為0.56mm或更厚些，粘結(jié)層的厚度為30μm或更厚些，第一基片和粘結(jié)層的總厚度為0.68mm或更薄些。
在一個(gè)實(shí)施例中，第一基片的厚度范圍是0.56mm-0.6mm，粘結(jié)層的厚度范圍是40μm-60μm。
在另一個(gè)實(shí)施例中，在第二基片的反射膜上形成一個(gè)記錄材料膜以記錄和再現(xiàn)信息。
在第三實(shí)施例中，記錄材料膜由相變型記錄材料構(gòu)成。
在第四實(shí)施例中，在第二基片的表面上形成一個(gè)標(biāo)記。
在第五實(shí)施例中，在第一和第二基片上都形成一個(gè)螺旋形軌道，并且當(dāng)從第一基片的一個(gè)表面的與第一信息表面相對的那一側(cè)觀察螺旋形軌道時(shí)，在第一基片上的螺旋形軌道的形成方向與在第二基片上的螺旋形軌道的形成方向相同。
在第六實(shí)施例中，在第一和第二基片上都形成一個(gè)螺旋形軌道，并且當(dāng)從第一基片的一個(gè)表面的與第一信息表面相對的那一側(cè)觀察螺旋形軌道時(shí)，在第一基片上的螺旋軌道的形成方向與在第二基片上的螺旋軌道的形成方向相反。
另一方面，本發(fā)明的光盤包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜；以及，粘結(jié)第一基片和第二基片以使第一基片的第一信息表面面對第二基片的與第二信息表面相對的那個(gè)表面的粘結(jié)層，其中第一基片的厚度與第二基片的厚度基本上相同。
另一方面，本發(fā)明的光盤包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜；粘結(jié)第一基片和第二基片以使第一基片的第一信息表面面對第二基片的與第二信息表面相對的那個(gè)表面的粘結(jié)層；以及，在第二基片的反射膜上形成的一個(gè)標(biāo)記，其中第一基片的厚度與第二基片的厚度基本相同。
因而，這里描述的本發(fā)明可能具有如下優(yōu)點(diǎn)(1)提供一種具有雙信息表面的光盤，在該光盤的一個(gè)表面上印制標(biāo)記非常容易，并且使用一個(gè)光頭就可自動(dòng)再現(xiàn)信息，并且可保證與具有一個(gè)信息表面的光盤的兼容性；(2)所提供的光盤的基片的厚度與常規(guī)的標(biāo)準(zhǔn)不同，但該光盤與常規(guī)的設(shè)備兼容，從而可再現(xiàn)存貯在該光盤中的信息。
在閱讀并理解了下述結(jié)合附圖的詳細(xì)描述后，本發(fā)明的這些優(yōu)點(diǎn)以及其它的一些優(yōu)點(diǎn)對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說將變得清楚明了。


圖1是按本發(fā)明例1的光盤的剖面圖；圖2A和2B表示當(dāng)例1再現(xiàn)分別記錄在第一信息表面和第二信息表面上的信息時(shí)反射光束的光路；圖3是按本發(fā)明例2的光盤的剖面圖；圖4A和4B表示當(dāng)按例2再現(xiàn)分別記錄在第一信息表面和第二信息表面上的信息時(shí)反射光束的光路；圖5是按本發(fā)明例3的光盤的剖面圖；圖6是一個(gè)放大的剖面圖，表示例3的光盤的第二光盤；圖7A-7C是表示從試制的光盤得到的有關(guān)信號起伏的測量結(jié)果的曲線圖。
下面參照附圖借助于實(shí)例描述本發(fā)明。(例1)圖1是按本發(fā)明例1的光盤101的示意剖面圖。光盤101是一個(gè)單面讀出型光盤，包括彼此粘接在一起的第一光盤102和第二光盤103。這樣一種光盤作為數(shù)字式視盤(DVD)可提供優(yōu)異的性能。
第一光盤102包括具有第一信息表面105的盤形第一基片104，在表面105上形成由凸、凹部分(凹坑)組成的螺旋形信息軌道。通過濺射和類似技術(shù)在第一基片104的第一信息表面105上形成半透明的第一反射膜106。半透明的第一反射膜106例如由金(Au)、鋁(Al)、或類似材料構(gòu)成。如下面將要詳細(xì)描述的，可以認(rèn)為第一反射膜106具有反射部分用于再現(xiàn)時(shí)候的激光同時(shí)又能透過其余部分激光的性質(zhì)。為了實(shí)現(xiàn)這一性質(zhì)，不僅需要選擇反射膜的適當(dāng)材料，而且還要將膜的厚度調(diào)節(jié)到適當(dāng)?shù)姆秶?。第一反射?06的厚度范圍最好為5-20nm。在例1中，反射膜106的厚度為10nm。
第二光盤103包括具有第二信息表面108的盤形第二基片107，在表面108上形成凸、凹部分(凹坑)組成的螺旋形信息軌道。通過濺射或類似技術(shù)在第二基片107的第二信息表面108上形成第二反射膜109。第二反射膜109由鋁(Al)、或類似材料構(gòu)成。
在第一和第二信息表面的105和108上以高的密度記錄信息，即軌道螺距約為0.74μm，最小凹坑的長度約為0.4μm。第二反射膜109的厚度小于在第二信息表面108上形成的凹坑的長度，因此能將在第二信息表面108上記錄的那些凹坑完好地傳遞到第二反射膜109上。具體來說，第二反射膜109的厚度最好在30-150nm范圍內(nèi)。在例1中，第二反射膜109的厚度為50nm。
如圖1所示，在第一光盤102和第二光盤103之間形成一個(gè)粘結(jié)層110，用于粘結(jié)兩個(gè)光盤。粘結(jié)層103例如可紫外(UV)固化的丙烯酸材料構(gòu)成。將這樣的可紫外固化的材料涂在光盤102和103中的至少一個(gè)光盤上。然后，讓兩個(gè)光盤102和103經(jīng)可紫外固化的材料相互接觸，并用紫外照射以使可紫外固化的材料固化，從而將兩個(gè)光盤粘接起來。還可以使用其它熱固化材料來代替可紫外固化的材料。
將標(biāo)記111固定在第二光盤103的表面上。在光盤101的中央形成一個(gè)孔112(內(nèi)徑15mm)，以便將光盤101裝在驅(qū)動(dòng)電機(jī)上。
現(xiàn)在，參照圖2A和2B描述對記錄在第一和第二信息表面105和108上的信息的再現(xiàn)過程。
圖2A表示讀出記錄在第一信息表面105上的信息的情況，圖2B表示讀出記錄在第二信息表面108上的信息的情況。通過聚焦透鏡202會(huì)聚平行光束201，并從與標(biāo)記111一側(cè)相對的那一側(cè)，即從第一基片104那一側(cè)照射光盤101。
對聚焦透鏡202進(jìn)行設(shè)計(jì)，使其能用于具有厚度為0.6mm的基片的光盤。因此，具有基片厚度為0.6mm的一個(gè)信息表面的常規(guī)光盤也可使用該聚焦透鏡202。
現(xiàn)在參照圖2A，當(dāng)再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)，對光束201進(jìn)行控制，以便通過公知的聚焦控制技術(shù)將光束201聚焦在第一信息表面105上。通過光檢測器205經(jīng)分光器204檢測從第一反射膜106反射的反射光束203。于是，讀出了該信息?，F(xiàn)在參照圖2B，當(dāng)再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)，對光束201進(jìn)行控制，以便通過公知的聚焦控制技術(shù)將光束201聚焦在第二反射膜109上。通過光檢測器205(經(jīng)分光器204)檢測從第二反射膜109反射的反射光束206，從而讀出了該信息。為了再現(xiàn)記錄在光盤101中的信息，光束201的波長應(yīng)為650nm，聚焦透鏡202的數(shù)值孔徑(NA)應(yīng)為0.6左右。
當(dāng)如圖2A所示再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)，反射光束203和206穿過聚焦透鏡202并由光檢測器205接收。但是，光束201在第二反射膜109上形成的光點(diǎn)的大小約為幾十個(gè)μm，這比軌道螺距(0.8μm)和最小凹坑長度(0.5μm)要大得多。因此光束201照射了多個(gè)凹坑。因而，反射光束206幾乎不包括單個(gè)凹坑信息部分，并且具有一個(gè)基本上不變的光量，好象是從一個(gè)沒有形成凹坑的表面上反射出來一樣。進(jìn)而，反射光束206只有一部分穿過聚焦透鏡202，并且已穿過聚焦透鏡202的這部分反射光束206并不平行。因此，已經(jīng)抵達(dá)光檢測器205的這部分反射光束206的光量很小。因此，光檢測器205檢測的凹坑信息主要是由記錄在第一表面105上的凹坑所調(diào)制的部分構(gòu)成的。
當(dāng)如圖2B所示再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)，反射光束203和206穿過聚焦透鏡202并由光檢測器205接收。但如以上所述，光束201在第一反射膜106上形成的光點(diǎn)的大小約為幾十個(gè)μm，這是相當(dāng)大的并且照射了多個(gè)凹坑。因此，反射光束203幾乎不包括單個(gè)凹坑信息部分。進(jìn)而，由于已經(jīng)穿過聚焦透鏡202的部分反射光束203并不平行，已經(jīng)抵達(dá)光檢測器205的這部分反射光束203的光量很小。因而，光檢測器205檢測的凹坑信息主要是由在第二信息表面108上記錄的凹坑所調(diào)制的部分構(gòu)成的。
下面，描述第一和第二反射膜106和109的反射率之間的相互關(guān)系。在讀出記錄在第一信息表面105上的信息的情況下，因?yàn)榈谝环瓷淠?06的反射率較高，因此反射光束203的光量較大，并且最終的再現(xiàn)信號的質(zhì)量較好。但是在讀出記錄在第二信息表面108上的信息的情況下，因?yàn)榈谝环瓷淠?06的反射率較高，所以穿過第一反射膜106的光束201的光量較小。由于從第二反射膜109反射的反射光束206再次穿過第一反射膜106，所以在讀出記錄在第二信息表面108上記錄信息時(shí)，進(jìn)一步減小了反射光束206的光量。換言之，在讀出記錄在第二信息表面108上的信息的情況下，光束201穿過第一基片104、第一反射膜106、粘結(jié)層110，抵達(dá)第二反射膜109。從第二反射膜109反射的反射光束206然后再次穿過粘結(jié)層110、第一反射膜106、和第一基片104。因此光通過第一反射膜106兩次。因此，如果第一反射膜106的反射率很高，則在讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)反射光束206的光量變得很小。為了解決這個(gè)問題，在按本發(fā)明例1的光盤101中，要對第一和第二反射膜106和109的反射率進(jìn)行規(guī)定，使得在讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)反射光束206的光量P2與在讀出記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)反射光束203的光量基本相同。在此情況下，用k2＝k1/(1-k1)2來表示這種關(guān)系，其中k1是第一反射膜106的反射率，k2是第二反射膜109的反射率。
按下述方式獲得上述表達(dá)式。用P1＝P0×k1表示在讀出記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)反射光束203的光量P1。用P2＝P0×k2(1-k1)2表示在讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)反射光束206的光量P2。由于P1＝P2，所以可得到上述表達(dá)式。反射率k1和k2代表反射光量相對于入射光量的百分?jǐn)?shù)。具體而論，在例1的光盤101中，第一反射膜106的反射率在20％-35％的范圍內(nèi)，第二反射膜109的反射率為60％或更大些。第二反射膜109的反射率最好盡可能高。但在使用廉價(jià)材料(如鋁)的情況下要想得到接近100％的反射率，膜厚度就需要為0.6-0.8μm左右。由于高密度光盤的凹坑長度約為0.5μm，所以厚度為0.6-0.8μm的反射膜降低了信息表面向反射膜傳遞的水平。為了防止傳遞水平的降低，要使第二反射膜109的厚度等于或小于第二信息表面108的凹坑長度，即0.5μm，因此讓反射率為60％或更大些。
下面討論由聚焦透鏡202聚焦的光束201的光行差。在例1的光盤101中，讀出記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)的光束201的光路長度和讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)的光束201的光路長度之間的長度差為第一反射膜106的厚度與粘結(jié)層110的厚度t0之和。由于在例1的光盤101中，第一反射膜106的厚度為0.5μm或者更小些，因而可以忽略不計(jì)。當(dāng)光路長度(即，光束穿過的厚度)變化時(shí)，由聚焦透鏡202聚焦的光束201就要產(chǎn)生光行差。該光行差正比于聚焦透鏡202的NA的四次方地增加。
下面描述聚焦透鏡202和第一基片104的厚度t1之間的相互關(guān)系。因?yàn)榈谝环瓷淠?06的厚度和第一基片104的厚度t1以及粘結(jié)層110的厚度t0相比是可以忽略不計(jì)的，所以這里認(rèn)為第一基片104的厚度t1包括了第一反射膜106的厚度。
一般來說，在考慮到光盤的基片厚度的情況下對聚焦透鏡202進(jìn)行設(shè)計(jì)。當(dāng)具有一個(gè)信息表面的光盤的基片厚度為0.6mm時(shí)，依據(jù)0.6mm的基片厚度來設(shè)計(jì)聚焦透鏡202。當(dāng)使用這個(gè)聚焦透鏡202再現(xiàn)具有厚度t1為0.6mm的第一基片104的光盤101時(shí)，在讀出記錄在第一信息表面105的過程中不會(huì)出現(xiàn)任何問題。但在讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)，粘結(jié)層110的厚度就要加到第一基片104的厚度上。這就是說，如果粘結(jié)層110的厚度t0是40μm，則就要給第一基片104的厚度t1(0.6mm)加上40μm。這基本上等于使用了厚度為0.64mm的基片的情況。因此當(dāng)讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)光行差增大了。這就降低了再現(xiàn)信號的質(zhì)量。為了解決這個(gè)問題，在使用為具有0.6mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的聚焦透鏡202時(shí)，要使第一基片104的厚度t1為0.58mm，以此作為標(biāo)準(zhǔn)。然后，使具有雙信息表面的光盤的基片厚度略小于具有一個(gè)信息表面的光盤的厚度。結(jié)果，當(dāng)讀出記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)，基片厚度為0.58mm；當(dāng)讀出記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)，基片厚度為0.62mm。在后一種情況下，基片的厚度等于第一基片104的入射表面和第二信息表面108之間距離。在這些厚度和對聚焦透鏡202的設(shè)計(jì)值0.6mm之間的差都為20μm。于是，從第一信息表面105和第二信息表面108可以獲得基本上相同的再現(xiàn)信號質(zhì)量。當(dāng)然，在制造過程中，第一基片104的厚度t1和粘結(jié)層110的厚度t0都會(huì)有所變化。但借助于上述的調(diào)整方法，放寬了這些變化的容限。
下面參照圖7A-7C詳細(xì)描述第一基片104的厚度t1和粘結(jié)層110的厚度t0之間的相互關(guān)系。圖7A-7C是表示從各種試制的光盤得到的測量結(jié)果的曲線圖。這些曲線圖的x軸是第一基片104的入射表面和信息表面之間的距離，y軸是再現(xiàn)信號的起伏。起伏的數(shù)值是通過用通道時(shí)鐘的周期去除再現(xiàn)信號隨時(shí)間軸的變化的標(biāo)準(zhǔn)偏差值得到的。在圖7A中，試制得到四種第一光盤102，它們的第一基片104的厚度t1分別為0.56m、0.57mm、0.62mm和0.63mm。每一個(gè)這樣的第一光盤102都經(jīng)厚度為30μm的粘結(jié)層110與第二光盤103相粘結(jié)。使用最終得到的光盤再現(xiàn)信息，并對起伏進(jìn)行測量，標(biāo)號71表示再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)得到的起伏，標(biāo)號72表示再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)得到的起伏。在圖7B中，試制得到四種第一光盤102，它們的第一基片104的厚度t1為0.56mm、0.57mm、0.58mm和0.61mm。每一個(gè)這樣的第一光盤102都經(jīng)厚度為40μm的粘結(jié)層110與第二光盤103相粘結(jié)。使用最終得到的光盤再現(xiàn)信息，并對起伏進(jìn)行測量。標(biāo)號73表示再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)得到的起伏，標(biāo)號74表示再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)得到的起伏。在圖7C中，試制得到三種第一光盤102，它們的第一基片104的厚度t1為0.61mm、0.62mm和0.63mm。每一個(gè)這樣得到的第一光盤102都經(jīng)厚度為50μm的粘結(jié)層110與第二光盤103相粘結(jié)，使用最終得到的光盤再現(xiàn)信息，并對起伏進(jìn)行測量。標(biāo)號75表示再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)得到的起伏，標(biāo)號76表示再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)得到的起伏。
一般來說，當(dāng)再現(xiàn)記錄在光盤上的信息時(shí)，由于盤的偏斜和偏心、從外部加到設(shè)備上的振動(dòng)和沖擊、或類似的因素所致要產(chǎn)生散焦和軌道偏離。這些因素使再現(xiàn)信號的起伏變大。當(dāng)盤和光束的光軸彼此相對地傾斜時(shí)也會(huì)使再現(xiàn)信號的起伏加大。盤的這種翹曲變形隨環(huán)境條件(如濕變)的變化而變化。還要考慮制造過程中光頭的變化以及每個(gè)光頭隨時(shí)間的變化。因此，為了能以高可靠性地再現(xiàn)記錄在光盤上的信息，在考慮了以上所述各種因素引起的使起伏變大的情況下，再現(xiàn)信號的最大起伏變?yōu)?0％左右。
比較圖7A和7B，可以觀察到下述情況。當(dāng)粘結(jié)層110的厚度t0為30μm時(shí)，從第一信息表面得到的再現(xiàn)信號的起伏值的變化極小。起伏值保持在9.5％附近，和第一基片104的厚度t1從0.56mm變化到0.63mm無關(guān)。相反，當(dāng)粘結(jié)層110的厚度t0是40μm時(shí)，從第一信息表面得到的再現(xiàn)信號的起伏值隨第一基片104的厚度t1的減小而加大。這表明，當(dāng)粘結(jié)層110的厚度t0薄達(dá)30μm時(shí)，來自第二信息表面的泄漏信號的影響大于第一基片104的厚度t1的變化產(chǎn)生的光行差的影響。因此可以預(yù)期，如果粘結(jié)層110的厚度t0小于30μm，則來自第二信息表面的泄漏信號較大，并且明顯降低了再現(xiàn)信號的質(zhì)量。因此，粘結(jié)層110的厚度t0應(yīng)該是30μm或者更大些。
從圖7B可看出，當(dāng)?shù)谝换?04的厚度t1在范圍0.58-0.56mm中時(shí)，從第一信息表面105得到的再現(xiàn)信號的起伏值開始顯著增加。這是因?yàn)?，?dāng)粘結(jié)層110的厚度t0為40μm時(shí)，由第一基片104的厚度t1的變化引起的光行差的影響變得大于來自第二信息表面的泄漏信號的影響。再現(xiàn)信號的起伏值隨第一基片104的厚度t1的改變基本上呈拋物線形式變化。因此可以預(yù)期，如果第一基片104的厚度t1小于0.56mm，則再現(xiàn)信號的起伏值將明顯增加。因此，第一基片104的厚度t1應(yīng)為0.56mm或者更大些。
第一基片104的厚度t1和粘結(jié)層110的厚度t0之和(即t0+t1)是再現(xiàn)記錄在第二信號表面108上的信息時(shí)存在的基片厚度。從圖7C可以看出，當(dāng)厚度(t0+t1)在范圍0.66-0.69mm中時(shí)，再現(xiàn)信號的起伏值明顯增加，起伏值基本上按拋物線形式隨第一基片104的厚度t1的變化而變化。因此，可以預(yù)期，如果基片的厚度是0.69mm，則再現(xiàn)信號的起伏值將要超過10％。因此，為了得到等于或小于10％的再現(xiàn)信號起伏值，則第一基片104的厚度t1和粘結(jié)層110的厚度t0之和(t0+t1)應(yīng)為0.68mm或更小些。
上述數(shù)值是極其嚴(yán)格的。為了保證器件的可靠性，應(yīng)該對器件的每個(gè)元件進(jìn)行嚴(yán)格的檢查。由于容限太窄就不能進(jìn)行批量生產(chǎn)，所以每個(gè)器件的成本很高。為了能夠很容易地制造出器件，就應(yīng)放寬容限。下面將對此作出詳細(xì)的描述。
當(dāng)再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)，因?yàn)檎辰Y(jié)層110的厚度t0較大，所以來自第二信息表面108的泄漏信號的影響較上。從比較圖7A-7C可以看出，當(dāng)再現(xiàn)記錄在第一信息表面105上的信息時(shí)，粘結(jié)層110的厚度t0最好是40μm。進(jìn)而，當(dāng)?shù)谝换?04的厚度t1是0.56mm或更大時(shí)，再現(xiàn)信號的起伏值可能小到8％。
從圖7A可以看出，當(dāng)?shù)谝换?04的表面和第二信息表面108之間的距離為0.66mm時(shí)，再現(xiàn)信號的起伏是7.5％。從圖7B可以看出，當(dāng)上述距離是0.65mm時(shí)，起伏是6.6％。從圖7C可以看出，當(dāng)上述距離是0.66mm、0.67mm和0.68mm時(shí)，起伏分別為7％、7.8％和8.8％。因此，當(dāng)上述距離超過0.66mm時(shí)，再現(xiàn)信號的起伏明顯增加。因而，再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息時(shí)存在的基片的厚度，即第一基片104的厚度t1和粘結(jié)層110的厚度t0之和，最好為0.66mm或者更小些。
當(dāng)針對具有0.6mm厚的基片的光盤來設(shè)計(jì)聚焦透鏡202時(shí)，基片的厚度最好以0.6mm作為變化中心來進(jìn)行變化。因此，當(dāng)?shù)谝换?04的厚度為0.56mm或更大時(shí)，則可將該厚度確定為0.58mm±0.22mm。因此，要想得到0.66mm的第一基片104的厚度和粘結(jié)層110的厚度之和，粘結(jié)層110的厚度應(yīng)為60μm或更小些。
從以上所述可以理解，通過在40-60μm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)粘結(jié)層110的厚度t0并在0.56mm-0.6mm范圍內(nèi)調(diào)節(jié)第一基片104的厚度t1，就可使從第一和第二信息表面105和108得到的再現(xiàn)信號的起伏都很低，于是可獲得質(zhì)量優(yōu)異的再現(xiàn)信號。
現(xiàn)在描述第一和第二光盤102和103的螺旋形軌道的方向。例如，當(dāng)從內(nèi)側(cè)向外側(cè)形成第一光盤102的螺旋形軌道并且還從內(nèi)側(cè)向外側(cè)形成第二光盤103的螺旋形軌道時(shí)，可通過使用從兩個(gè)信息表面進(jìn)行再現(xiàn)的一個(gè)光頭實(shí)現(xiàn)交互再現(xiàn)。例如，可在兩個(gè)信息表面上分開記錄具有多個(gè)分支的一個(gè)游戲節(jié)目。在該節(jié)目中，一收到分支指令，通過焦點(diǎn)轉(zhuǎn)移，節(jié)目立刻從第一信息表面105移到第二信息表面108，或者從第二信息表面108移到第一信息表面105。
另一方面，當(dāng)從內(nèi)側(cè)向外側(cè)形成第一光盤102的螺旋形軌道并且從外側(cè)向內(nèi)側(cè)形成第二光盤103的螺旋形軌道時(shí)，通過使用從兩個(gè)信息表面進(jìn)行再現(xiàn)的一個(gè)光頭能夠很容易地實(shí)現(xiàn)連續(xù)再現(xiàn)。即，首先從盤的內(nèi)側(cè)向盤的外側(cè)移動(dòng)光頭，從第一信息表面105再現(xiàn)信息。當(dāng)光頭到達(dá)最外側(cè)時(shí)，聚焦操作立刻從第一信息表面105轉(zhuǎn)移到第二信息表面108。然后，從外側(cè)到內(nèi)鍘再現(xiàn)記錄在第二信息表面108上的信息。這一過程可用于長時(shí)間連續(xù)再現(xiàn)一部電影片等。按下述方式來獲得這樣一種光盤，它包括第一和第二光盤，兩個(gè)光盤的螺旋形軌道的方向彼此相反在刻制原始盤時(shí)，從盤的內(nèi)側(cè)向盤的外側(cè)移動(dòng)光頭，從而在第一光盤102上記錄信號。當(dāng)要在第二光盤103中記錄信號時(shí)，使盤反向旋轉(zhuǎn)，并且從盤的外側(cè)向盤的內(nèi)側(cè)移動(dòng)光頭。
因而，在例1的光盤中，通過具有預(yù)定厚度的粘結(jié)劑粘結(jié)第一和第二光盤。通過從光盤的一側(cè)用光束照射信息表面來再現(xiàn)記錄在第一和第二這兩個(gè)信息表面上的信息。這樣，就可以將一個(gè)標(biāo)記固定到另一側(cè)上。此外，由于使用一個(gè)光頭并只改變焦點(diǎn)位量就可再現(xiàn)記錄在第一和第二這兩個(gè)信息表面上的信息，所以才有可能交互再現(xiàn)或長時(shí)間連續(xù)再現(xiàn)一部電影片。這還減少了記錄/再現(xiàn)設(shè)備的成本。此外，由于第一和第二光盤厚度相同，所以這些光盤的開關(guān)隨濕度改變的變化極小。這有利于這些光盤的粘結(jié)，降低了光盤的成本。(例2)在例2中，描述可用于不同類型光記錄/再現(xiàn)設(shè)備的光盤，這些設(shè)備是為具有厚度不同的基片的光盤設(shè)計(jì)的。
圖3表示可由兩種設(shè)備讀出信息的光盤的示意剖面圖，其中一種設(shè)備是針對具有1.2mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的，另一種設(shè)備是針對具有0.6mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的。
例2的光盤301由彼此粘結(jié)的第一光盤的302和第二光盤的303組成。在第一和第二光盤302和303中存貯相同的信息。第一光盤302包括盤形的第一基片304，它的厚度為0.6mm并且具有第一信息表面305，其中形成由凸、凹部分(凹坑)構(gòu)成的螺旋形信息軌道。通過濺射或類似技術(shù)在第一基片304的第一信息表面305上形成一個(gè)半透明的第一反射膜306。第二光盤303按相同方式存貯和第一光盤完全相同的信息。第二光盤303包括一個(gè)盤形的第二基片307，它的厚度為0.6mm并且具有一個(gè)第二信息表面308，其中形成由凸、凹部分(凹坑)組成的螺旋形信息軌道。通過濺射或類似技術(shù)在第二基片307的第二信息表面308上形成鋁或類似材料構(gòu)成的第二反射膜309。標(biāo)號310代表由可紫外固化的材料構(gòu)成的一個(gè)粘結(jié)層，用于粘結(jié)第一和第二光盤302和303。標(biāo)號311代表識別光盤的一個(gè)標(biāo)記。標(biāo)號312代表一個(gè)孔，用于把光盤301裝在一個(gè)光記錄/再現(xiàn)設(shè)備上。
下面參照圖4A和4B描述記錄在第一和第二信息表面305和308上的信息的再現(xiàn)。圖4A表示使用針對具有0.6mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的設(shè)備讀出記錄在第一信息表面305上的信息的情況。圖4A與圖2A基本相同。即，通過為0.6mm厚的基片設(shè)計(jì)的聚焦透鏡202會(huì)聚平行光束201，并從第一基片304一側(cè)照射光盤301。從第一反射膜306部分地反射光束201，并且以分光器204通過光檢測器205檢測反射光束203。于是，讀出了該信息。
圖4B表示使用針對具有1.2mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的讀出記錄在第二信息表面308上的信息的情況。參照圖4B，當(dāng)再現(xiàn)記錄在第二信息表面308上的信息時(shí)，通過為1.2mm厚的基片設(shè)計(jì)的聚焦透鏡402會(huì)聚平行光束401，并從第一基片304一側(cè)照射光盤301。光束401穿過第一基片304、第一反射膜306、粘結(jié)層310、第二基片307，并抵達(dá)第二信息表面308。從第二反射膜309部分地反射光束401，反射光束406穿過第二基片307、粘結(jié)層310、第一反射膜306、第一基片304和聚焦透鏡402。然后，以分光器404通過光檢測器405檢測反射光束406。于是，讀出了該信息。
如圖4A所示，當(dāng)記錄在第一信息表面305上的信息時(shí)，反射光束203和206穿過聚焦透鏡202并由光檢測器205接收。但光束201在第二反射膜309上形成的光點(diǎn)有1mm那么大或者更大些，因此光束201照射了多個(gè)凹坑。還有，已經(jīng)穿過透鏡202的反射光束206并不是平行的。因此，已經(jīng)抵達(dá)光檢測器205的反射光束206的光量極小。因而，通過光檢測器205幾乎檢測不到從第二信息表面308得到的凹坑信息部分。
如圖4B所示，像上述情況那樣，當(dāng)再現(xiàn)記錄在第二信息表面308上的信息時(shí)，反射光束403和406穿過聚焦透鏡402并由光檢測器405接收。但光束401在第一反射膜306上形成的光點(diǎn)有1mm那么大或者更大些，所以光束401照射到多個(gè)凹坑。還有，已經(jīng)穿過聚焦透鏡402的反射光束406并不是平行的。因此，通過光檢測器405幾乎檢測不到從第一信息表面305得到的凹坑信息部分。
在例2的光盤301中，第一和第二反射膜306和309的反射率之間的相互關(guān)系與例1的光盤101基本相同。但在光盤301中，不需要將記錄在第二信息表面308上的信息傳遞到第二反射膜309。這就使第二反射膜309變厚，因而可獲得90％或更大些的反射率。
如以上所述，當(dāng)將圖3所示的光盤301用于作為1.2mm厚的基片設(shè)計(jì)的設(shè)備時(shí)，光束401穿過第一和第二基片304和307、第一反射膜306和粘結(jié)層310。當(dāng)?shù)谝缓偷诙?04和307的厚度和是0.6mm時(shí)，總厚度超過粘結(jié)層310厚度1.2mm，當(dāng)然第一反射膜306的厚度略去未計(jì)。這就要產(chǎn)生光行差。為解決這個(gè)問題，粘結(jié)層310的厚度最好為幾十個(gè)μm或者更小些。另一方面，還可以通過粘結(jié)層310的厚度來減小第二基片307的厚度。
第一和第二信息表面305和308可以有彼此不同的格式。例如，可以在第二信息表面308上以常規(guī)CD格式記錄信息，從而就可以通過廣泛使用的CD播放機(jī)來再現(xiàn)該信息。一般來說，CD盤的密度很低，并且CD的容量僅僅是本發(fā)明的光盤容量的1/4左右。因此，例如，可在第一信息表面305上記錄整部電影，而在第二信息表面308上記錄通過剪輯部分縮短了的電影的編輯版本。在這種情況下，由于使用了波長為780nm的光束從CD盤進(jìn)行再現(xiàn)，因此第一反射膜306應(yīng)具有可反射650nm光束并且可透射780nm光束的光學(xué)性質(zhì)。這就增加了反射光量，因此增加了最終再現(xiàn)信號的信/噪比。
如以上所述，在例2中，由于在第一和第二光盤中記錄了相同的信息，因此通過兩個(gè)設(shè)備可以讀出相同的信息，一個(gè)設(shè)備是針對具有1.2mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的，另一個(gè)設(shè)備是針對具有0.6mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的。還有，由于用一個(gè)光束從光盤的一側(cè)照射第一和第二這兩個(gè)信息表面。所以可將一個(gè)標(biāo)記形成到光盤的另一側(cè)上。(例3)在例3中，描述一種光盤，它的第一信息表面僅用于再現(xiàn)，它的第二信息表面用于記錄和再現(xiàn)。通過用一個(gè)光束從一側(cè)照射光盤來進(jìn)行再現(xiàn)或記錄。
圖5是例3的光盤501的放大的剖面圖。光盤501由相互粘結(jié)的僅用于再現(xiàn)的第一光盤502和用于記錄和再現(xiàn)的第二光盤503組成。第一光盤502包括厚度為0.6mm的盤形基片504，基片504具有第一信息表面505，其中形成由凸、凹部分(凹坑)組成的螺旋形信息軌道。通過濺射或類似技術(shù)在基片504的第一信息表面505上形成一個(gè)半透明的反射膜506。第二光盤503包括厚度為0.58mm的一個(gè)基片，該基片具有第二信息表面，其中形成由微小的凸、凹部分(溝槽)組成的螺旋形信息軌道。標(biāo)號510代表粘結(jié)第一和第二光盤502和502的粘結(jié)層。標(biāo)號511代表識別光盤的一個(gè)標(biāo)記。標(biāo)號512代表一個(gè)孔，用于把光盤501裝在光記錄/再現(xiàn)設(shè)備上。
在圖5所示的光盤501中，象圖1所示的光盤101一樣，經(jīng)粘結(jié)層510粘結(jié)僅用于再現(xiàn)的第一信息表面505和用于記錄及再現(xiàn)的第二信息表面，使它們相互分開約40μm。從第一光盤502這一側(cè)用光束照射光盤501。
參照圖5和6，描述第二光盤503。圖6是沿徑向剖開第二光盤503得到的一個(gè)放大的剖面圖。在第二光盤503的基片601的一個(gè)表面上形成具有凸、凹部分的溝槽軌道602。然后通過濺射或類似技術(shù)依次相繼形成由鋁或類似材料構(gòu)成的反射膜603、由SiO2或類似構(gòu)成的電介質(zhì)膜604、記錄材料膜605、以及另一個(gè)電介質(zhì)膜606。設(shè)置反射膜603是為了提高靈敏度，并且通過促進(jìn)熱幅射保護(hù)記錄材料膜605不受熱沖擊影響。通過濺射例如包含碲(Te)、銻(Sb)、或鍺(Ge)作為主要成份的相變型記錄材料形成記錄材料膜605。形成電介質(zhì)膜604和606是為了保護(hù)記錄材料膜605不受濕度或熱沖擊影響?？梢允∪ミ@些電介質(zhì)膜。
相變型記錄材料在加熱后逐漸冷卻時(shí)變?yōu)榻Y(jié)晶形的，在熔化后突然冷卻則變?yōu)榉墙Y(jié)晶性的。在相變型盤中使用了這一性質(zhì)，其中相變型記錄材料的結(jié)晶狀態(tài)和非結(jié)晶狀態(tài)相互可逆地改變，因而可反復(fù)改寫信息，象諸如軟盤和硬盤之類的磁盤能夠作到的一樣。按以下所述在相變型盤上記錄信息。盤以預(yù)定速度旋轉(zhuǎn)。對跟蹤進(jìn)行控制以使光束沿溝槽軌道定位，與此同時(shí)還要依據(jù)要記錄的信號在強(qiáng)的非結(jié)晶強(qiáng)度水平和弱的結(jié)晶強(qiáng)度水平之間改變光束的強(qiáng)度。例如，在進(jìn)行記錄使記錄標(biāo)志處在非結(jié)晶狀態(tài)的情況下，發(fā)出具有可熔化膜的足夠大光量的光束，從而在膜上形成非結(jié)晶狀態(tài)下的一個(gè)標(biāo)志。相反，在不欲形成標(biāo)記期間，發(fā)出具有阻止膜熔化的足夠小光量的光束，使膜的位置處結(jié)晶。因此這時(shí)使膜的這個(gè)位置結(jié)晶，和該位置的先前狀態(tài)是非結(jié)晶狀態(tài)還是結(jié)晶狀態(tài)無關(guān)。因此可改寫即使已記錄了信息的膜的位置。根據(jù)非結(jié)晶狀態(tài)和結(jié)晶狀態(tài)的反射率彼此不同的原理來再現(xiàn)記錄在相變型盤上的信息。例如，用恒定的弱光照射該盤，用光檢測器檢測來自盤的反射光束，使用檢測到的反射光量的變化來再現(xiàn)信息。
如上所述，構(gòu)成了例3的光盤501，可從第一光盤502這一側(cè)接收一個(gè)光束。理由如下使用由吸收光束產(chǎn)生的熱量在用于記錄和再現(xiàn)的第二光盤503中記錄信息。因此，為了使用具有小光量的光束進(jìn)行記錄，第二光盤需吸收約60％的光束。因此，當(dāng)反射率約為20％時(shí)，透射率將小到20％。如果和例3的情況相反，構(gòu)成的光盤從第二光盤503這一側(cè)接收光束，則讀出記錄在第一信息表面505上的信息所需的反射光量極小。例如，即使反射膜506的反射率為100％，在兩次穿過第二光盤503后的反射光量僅僅是入射光量的4％。對于按本發(fā)明的光盤501，就可免除上述麻煩，光盤501從第一光盤502這一側(cè)接收光束。第二光盤503的吸收可能高達(dá)60％，它的反射率可為40％。因此，當(dāng)反射膜506的反射率例如為20％時(shí)，在讀出記錄在第一信息表面505上的信息的情況下，可獲得約為20％入射光量的反射光量；在讀出記錄在第二光盤503上的信息的情況下，可獲得約為26％入射光量的反射光量。當(dāng)再現(xiàn)記錄在只用于再現(xiàn)的第一光盤502中的信息時(shí)，通過在第一信息表面505上形成的凹坑強(qiáng)調(diào)制入射光束。因此，即使第一反射膜506的反射率低達(dá)20％，也能獲得足夠高質(zhì)量的再現(xiàn)信號。
如以上所述，由于構(gòu)成的例3的光盤501從只用于再現(xiàn)的第一光盤502一側(cè)接收光束，因此能夠高可靠性地從第一和第二光盤502和503進(jìn)行再現(xiàn)。
因此，在例3中，用具有預(yù)定厚度的粘結(jié)劑粘結(jié)第一和第二光盤502和503，并用一個(gè)光束從光盤的一側(cè)照射這兩個(gè)光盤的信息表面。因此，可將一個(gè)標(biāo)記形成到光盤的另一側(cè)。還有，由于使用一個(gè)光頭僅通過改變光束焦點(diǎn)位置就可再現(xiàn)記錄在兩個(gè)信息表面上的信息，因此有可能進(jìn)行交互再現(xiàn)，并且降低了光記錄/再現(xiàn)設(shè)備的成本。此外，將只用于再現(xiàn)的光盤和用于記錄及再現(xiàn)的光盤組合起來，形成一個(gè)光盤。因此，例如，可對記錄在只用于再現(xiàn)的光盤中的信息進(jìn)行處理，并將處理過的信息記錄在用于記錄和再現(xiàn)的那個(gè)光盤中。這將使信息的處理很容易，其原因在于相關(guān)的信息存貯在同一個(gè)光盤內(nèi)。由于第一和第二光盤的厚度相同，所以這些光盤的形狀隨濕度變化幾乎沒有什么改變。這便于光盤的粘結(jié)，因此降低了光記錄/再現(xiàn)介質(zhì)的成本。
順便提一下，可在例2的光盤的第二信息表面308上形成與例3所用的記錄材料膜605類似的記錄材料膜。這樣的記錄材料膜應(yīng)該在第二光盤303的第二信息表面308和第二反射膜309之間形成。
因此，按本發(fā)明，用透明粘結(jié)劑粘結(jié)第一光盤和第二光盤；其中第一光盤包括在第一信息表面上形成的半透明反射膜，在第一信息表面上記錄信息；第二光盤包括在第二信息表面上形成的反射膜，在第二信息表面上記錄信息；從而使兩個(gè)信息表面彼此靠近。因此，用一個(gè)光束從光盤的一側(cè)照射該表面，即可讀出記錄在雙信息表面上的信息。于是，可相繼地再現(xiàn)幾乎兩倍的信息量。由于可將標(biāo)記形成到光盤的另一側(cè)，所以光盤的識別是很容易的。
可將第一基片和粘結(jié)層的厚度調(diào)整到預(yù)定數(shù)值。因此，從第一和第二信息表面得到的再現(xiàn)信號的起伏很小，故可獲得高質(zhì)量的再現(xiàn)信號。
另外，按照本發(fā)明，使第一和第二基片的厚度基本相同，這兩個(gè)基片彼此粘結(jié)，使第一基片的第一信息表面面對第二基片的與第二信息表面相對的那個(gè)表面。這樣一種光盤可用于兩個(gè)設(shè)備，一個(gè)設(shè)備是針對1.2mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的，另一個(gè)設(shè)備是針對0.6mm厚的基片的光盤設(shè)計(jì)的。
另一方面，按本發(fā)明，相互粘結(jié)只用于再現(xiàn)的光盤和用于記錄及再現(xiàn)的光盤。例如，可對只用于再現(xiàn)的光盤中記錄的信息進(jìn)行處理，并將處理過的信息記錄在用于記錄和再現(xiàn)的光盤內(nèi)。因?yàn)樵谝粋€(gè)光盤中存貯相關(guān)的信息，所以這使信息的處理很容易。
在不偏離本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的條件下，對本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，各種其它的改進(jìn)都是顯而易見的，并且是很容易做出來的。因此不希望將這里所附的權(quán)利要求書的范圍只限于這里所給出的描述，而是希望對權(quán)利要求書能作出廣義的解釋。
權(quán)利要求
1.一種光盤，包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的記錄材料膜材料膜；以及用于粘結(jié)第一基片和第二基片的的粘結(jié)層；其中僅用于再現(xiàn)的信息以凸起和凹坑的形式形成在第一基片的第一信息表面上，對形成在第一基片的第一信息表面上的信息的讀取或?qū)π纬稍诘诙牡诙畔⒈砻嫔系挠涗洸牧夏げ牧夏さ男畔⒌挠涗浭峭ㄟ^使用一束來自第一基片一側(cè)的光束進(jìn)行的。
2.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于第一基片的厚度與第二基片的厚度基本上相同。
3.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于該粘結(jié)層粘結(jié)第一基片和第二基片以便使第一信息表面和第二信息表面彼此相對。
4.如權(quán)利要求3的光盤，其特征在于第一基片的厚度為大于或等于0.56mm，粘結(jié)層的厚度為大于或等于30μm，而第一基片和粘結(jié)層的整體厚度是小于或等于0.68mm。
5.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于記錄材料膜是由相變型記錄材料構(gòu)成的。
6.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于在第二基片的一個(gè)表面上形成一個(gè)標(biāo)記。
7.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于在第一基片和第二基片的每一個(gè)上都形成一個(gè)螺旋形軌道，并且在從第一基片的與第一信息表面相對的那個(gè)表面一側(cè)觀察螺旋形軌道時(shí)，在第一基片上的螺旋形軌道的形成方向與在第二基片上的螺旋形軌道的形成方向相同。
8.如權(quán)利要求1的光盤，其特征在于在第一基片和第二基片的每一個(gè)上都形成一個(gè)螺旋形軌道，并且在從第一基片的與第一信息表面相對的那個(gè)表面一側(cè)觀察螺旋形軌道時(shí)，在第一基片上的螺旋形軌道的形成方向與在第二基片上的螺旋形軌道的形成方向相反。
9.一種光盤，包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜；以及粘結(jié)第一基片和第二基片以使第一基片的第一信息表面面對第二基片的與第二信息表面相對的那個(gè)表面的粘結(jié)層；其中，第一基片的厚度基本上與第二基片的厚度相同。
10.如權(quán)利要求9的光盤，其特征在于在第二基片的第二信息表面和反射膜之間形成一個(gè)記錄材料膜。
11.如權(quán)利要求10的光盤，其特征在于記錄材料膜由相變型記錄材料構(gòu)成。
12.一種光盤，包括具有第一信息表面的第一基片；在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜；具有第二信息表面的第二基片；在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜；粘結(jié)第一基片和第二基片使第一基片的第一信息表面面對第二基片的與第二信息表面相對的那個(gè)表面的粘結(jié)層；以及在用于第二基片的反射膜上形成的一個(gè)標(biāo)記，其中，第一基片的厚度與第二基片的厚度基本相同。
13.如權(quán)利要求12的光盤，其特征在于在第二基片的第二信息表面和反射膜之間形成一個(gè)記錄材料膜。
14.如權(quán)利要求13的光盤，其特征在于記錄材料膜是由相變型記錄材料構(gòu)成的。
全文摘要
本發(fā)明的光盤包括:具有第一信息表面的第一基片;在第一基片的第一信息表面上形成的半透明反射膜;具有第二信息表面的第二基片;在第二基片的第二信息表面上形成的反射膜;以及粘結(jié)第一基片和第二基片以使第一信息表面和第二信息表面彼此相對,其中:第一基片的厚度是0.56mm或者更大些,粘結(jié)層的厚度為30μm或者更大些,第一基片和粘結(jié)層的總厚度是0.68mm或更小些。
文檔編號C09K21/14GK1275767SQ9910503
公開日2000年12月6日 申請日期1995年12月28日 優(yōu)先權(quán)日1994年12月28日
發(fā)明者守屋充郎, 田中伸一, 杉原泰宏, 谷口宏, 永島道芳 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會(huì)社