本發(fā)明涉及粘合薄膜和半導體裝置的制造方法。

背景技術：

1、在半導體芯片、陶瓷電容器等電子部件的制造方法中，進行如下的工序：將配置在具有拉伸性的薄膜上的晶圓單片化(切割)為期望的尺寸后，將薄膜伸長而擴展半導體芯片間的距離，并拾取半導體芯片(例如，參照專利文獻1)。

2、近年來，電子部件的加工技術逐漸多樣化，正在研究在伸長了的薄膜上對被單片化了的半導體芯片進行加工的技術。在對半導體芯片進行加工時，要求提高伸長時的薄膜的粘合力而使得半導體芯片不會從伸長了的薄膜脫落、或發(fā)生位置偏移。

3、現(xiàn)有技術文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2023-63676號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的問題

2、但是，為了保持伸長時的薄膜的粘合力而提高粘合層的粘合性時，粘合層的一部分移動至芯片等被粘物，在被粘物上產(chǎn)生所謂的殘膠。像這樣，伸長時的粘合力和向被粘物的殘膠的抑制為此消彼長的關系，難以兼顧。

3、鑒于上述狀況，本公開的一個方案的課題在于，提供在伸長時也能保持粘合力、并且能抑制向被粘物的殘膠的粘合薄膜，和使用該粘合薄膜的半導體裝置的制造方法。

4、用于解決問題的手段

5、用于解決上述課題的具體手段包括以下的方案。

6、<1>一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

7、將前述粘合薄膜伸長200％時的前述粘合層的表面的算術平均高度(sa)的值s’與伸長前的前述粘合薄膜的前述粘合層的表面的算術平均高度(sa)的值s的比s’/s為9.5以下。

8、<2>根據(jù)<1>所述的粘合薄膜，其中，前述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下。

9、<3>根據(jù)<1>所述的粘合薄膜，其中，前述2種以上聚合物中的至少2種的羥值比為40以下。

10、<4>一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

11、前述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下，且羥值比為40以下。

12、<5>根據(jù)<1>～<4>中任一項所述的粘合薄膜，其中，伸長前的前述粘合層的表面的算術平均高度(sa)的值s為0.001μm～5.000μm。

13、<6>根據(jù)<1>～<5>中任一項所述的粘合薄膜，其中，前述粘合層中含量最多的聚合物的含有率相對于前述粘合層中所含的前述2種以上聚合物的總含量為85質(zhì)量％以下。

14、<7>一種半導體裝置的制造方法，其包括：通過將在一個面上配置有多個半導體芯片的<1>～<6>中任一項所述的粘合薄膜伸長，從而擴大相鄰的兩個前述半導體芯片的間隔。

15、<8>根據(jù)<7>所述的半導體裝置的制造方法，其包括：在進行前述伸長后，將前述半導體芯片從前述粘合薄膜剝離。

16、<9>根據(jù)<8>所述的半導體裝置的制造方法，其包括：在進行前述伸長后且進行前述半導體芯片的剝離前對前述半導體芯片進行加工。

17、<10>根據(jù)<9>所述的半導體裝置的制造方法，其中，前述加工包括在前述半導體芯片上設置功能層。

18、發(fā)明的效果

19、根據(jù)本公開的一個方案，可提供在伸長時也能保持粘合力并且能抑制向被粘物的殘膠的粘合薄膜，和使用該粘合薄膜的半導體裝置的制造方法。

技術特征：

1.一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

2.根據(jù)權利要求1所述的粘合薄膜，其中，所述2種以上聚合物中的至少2種的sp值的差為0.3以下。

3.根據(jù)權利要求1所述的粘合薄膜，其中，所述2種以上聚合物中的至少2種的羥值比為40以下。

4.一種粘合薄膜，其具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，

5.根據(jù)權利要求1或4所述的粘合薄膜，其中，伸長前的所述粘合層的表面的算術平均高度(sa)的值s為0.001μm～5.000μm。

6.根據(jù)權利要求1或4所述的粘合薄膜，其中，所述粘合層中含量最多的聚合物的含有率相對于所述粘合層中所含的所述2種以上聚合物的總含量為85質(zhì)量％以下。

7.一種半導體裝置的制造方法，其包括：通過將在一個面上配置有多個半導體芯片的權利要求1或4所述的粘合薄膜伸長，從而擴大相鄰的兩個所述半導體芯片的間隔。

8.根據(jù)權利要求7所述的半導體裝置的制造方法，其包括：在進行所述伸長后，將所述半導體芯片從所述粘合薄膜剝離。

9.根據(jù)權利要求8所述的半導體裝置的制造方法，其包括：在進行所述伸長后且進行所述半導體芯片的剝離前對所述半導體芯片進行加工。

10.根據(jù)權利要求9所述的半導體裝置的制造方法，其中，所述加工包括在所述半導體芯片上設置功能層。

技術總結
本發(fā)明涉及粘合薄膜和半導體裝置的制造方法。粘合薄膜具備：包含2種以上聚合物的粘合層和基材層，滿足(1)或(2)。(1)將前述粘合薄膜伸長200％時的前述粘合層的表面的算術平均高度(Sa)的值S’與伸長前的前述粘合薄膜的前述粘合層的表面的算術平均高度(Sa)的值S的比S’/S為9.5以下。(2)前述聚合物的至少2種的SP值的差為0.3以下，且羥值比為40以下。

技術研發(fā)人員：谷口徹彌,藪下諭
受保護的技術使用者：株式會社力森諾科
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/23