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雙頻液晶組合物、液晶手寫裝置、顯示裝置和調(diào)光裝置的制作方法

文檔序號(hào):12900208閱讀:703來源:國知局
本發(fā)明涉及液晶顯示
技術(shù)領(lǐng)域
,特別涉及一種雙頻液晶組合物、液晶手寫裝置、液晶顯示裝置和液晶調(diào)光裝置。
背景技術(shù)
:常規(guī)的液晶分子具有棒狀的結(jié)構(gòu),在施加電場(chǎng)的情況下,若液晶分子的長(zhǎng)軸沿著電場(chǎng)方向排列,此類液晶被稱為正性液晶;若液晶分子的長(zhǎng)軸在施加電場(chǎng)的情況下沿著垂直于電場(chǎng)的方向排列,此類液晶被稱為負(fù)性液晶。正性、負(fù)性液晶的差異源于液晶分子中的極性官能團(tuán)位于分子長(zhǎng)軸的末端還是側(cè)端。雙頻液晶指的是一類液晶組合物,它所表現(xiàn)出的介電常數(shù)會(huì)隨著施加電場(chǎng)的頻率的變化發(fā)生改變,隨著頻率的增大,雙頻液晶的介電常數(shù)會(huì)從正值逐步減小到負(fù)值。換句話講,在不同頻率的電壓驅(qū)動(dòng)下,雙頻液晶既可以表現(xiàn)為正性液晶也可以表現(xiàn)為負(fù)性液晶。雙頻液晶的這種特性常常被應(yīng)用于快速響應(yīng)的顯示器件或光電器件中。雙頻液晶的介電常數(shù)隨著電場(chǎng)頻率的增大而逐漸減小,當(dāng)減小到零時(shí)所對(duì)應(yīng)的頻率稱之為該款雙頻液晶的轉(zhuǎn)換頻率(crossoverfrequency)。轉(zhuǎn)換頻率常作為衡量一款雙頻液晶優(yōu)劣的關(guān)鍵指標(biāo)。原因是目前高頻、超高頻驅(qū)動(dòng)電路和芯片的制備存在瓶頸,過高的驅(qū)動(dòng)頻率會(huì)引起驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的不穩(wěn)定和增大功耗。目前市面上的雙頻液晶的轉(zhuǎn)換頻率較高,轉(zhuǎn)換頻率均在幾十khz到幾百khz不等,這么高的轉(zhuǎn)換頻率導(dǎo)致對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路和芯片要求較高,大大限制了雙頻液晶的實(shí)際應(yīng)用。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:本發(fā)明的主要目的是提供一種雙頻液晶組合物,具有較低的轉(zhuǎn)換頻率,旨在降低雙頻液晶對(duì)應(yīng)的驅(qū)動(dòng)電路和芯片要求。為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提出的雙頻液晶組合物,包括:占所述雙頻液晶組合物總重量的10-30%的通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20-50%的通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15-45%的通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-20%的通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2-20%的通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-30%的通式(vi)的化合物其中,為n大于等于2小于等于6,z1為或單鍵,k1為h或f。r1為cn或ncs基團(tuán);為m大于等于2小于等于6,k2-k5為h或f,r2為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基或烷氧基;z2為乙炔基或單鍵,r3為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r4為具有1-6個(gè)碳的直鏈烷氧基;r5為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r6為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基、直鏈烷氧基、直鏈乙烯基;r7為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,z3和z4為乙炔基或單鍵,但不同時(shí)為乙炔基,r8為cn或ncs基團(tuán),k6,k7為h或f;k8,k9為h或f,r9為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r10為cn或ncs基團(tuán)。優(yōu)選地,所述通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的10%-30%,所述通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20%-50%,所述通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15%-45%,所述通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5%-20%,所述通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2%-20%,以及所述通式(vi)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5%-30%。優(yōu)選地,所述通式(i)的化合物選自中的一種或多種。優(yōu)選地,所述通式(ii)的化合物選自中的一種或多種。優(yōu)選地,所述通式(iii)的化合物選自中的一種或多種。優(yōu)選地,所述通式(iv)的化合物選自中的一種或多種。優(yōu)選地,所述通式(v)的化合物選自中的一種或多種。優(yōu)選地,所述通式(vi)的化合物選自中的一種或多種。本發(fā)明還提出一種液晶手寫裝置,包括雙頻液晶組合物,所述雙頻液晶組合物,包括:占所述雙頻液晶組合物總重量的10-30%的通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20-50%的通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15-45%的通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-20%的通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2-20%的通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-30%的通式(vi)的化合物其中,為n大于等于2小于等于6,z1為或單鍵,k1為h或f。r1為cn或ncs基團(tuán);為m大于等于2小于等于6,k2-k5為h或f,r2為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基或烷氧基;z2為乙炔基或單鍵,r3為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r4為具有1-6個(gè)碳的直鏈烷氧基;r5為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r6為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基、直鏈烷氧基、直鏈乙烯基;r7為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,z3和z4為乙炔基或單鍵,但不同時(shí)為乙炔基,r8為cn或ncs基團(tuán),k6,k7為h或f;k8,k9為h或f,r9為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r10為cn或ncs基團(tuán)。本發(fā)明還提出一種液晶顯示裝置,包括雙頻液晶組合物,所述雙頻液晶組合物,包括:占所述雙頻液晶組合物總重量的10-30%的通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20-50%的通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15-45%的通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-20%的通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2-20%的通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-30%的通式(vi)的化合物其中,為n大于等于2小于等于6,z1為或單鍵,k1為h或f。r1為cn或ncs基團(tuán);為m大于等于2小于等于6,k2-k5為h或f,r2為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基或烷氧基;z2為乙炔基或單鍵,r3為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r4為具有1-6個(gè)碳的直鏈烷氧基;r5為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r6為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基、直鏈烷氧基、直鏈乙烯基;r7為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,z3和z4為乙炔基或單鍵,但不同時(shí)為乙炔基,r8為cn或ncs基團(tuán),k6,k7為h或f;k8,k9為h或f,r9為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r10為cn或ncs基團(tuán)。本發(fā)明還提出一種液晶調(diào)光裝置,包括雙頻液晶組合物,所述雙頻液晶組合物,包括:占所述雙頻液晶組合物總重量的10-30%的通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20-50%的通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15-45%的通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-20%的通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2-20%的通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-30%的通式(vi)的化合物其中,為n大于等于2小于等于6,z1為或單鍵,k1為h或f。r1為cn或ncs基團(tuán);為m大于等于2小于等于6,k2-k5為h或f,r2為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基或烷氧基;z2為乙炔基或單鍵,r3為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r4為具有1-6個(gè)碳的直鏈烷氧基;r5為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r6為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基、直鏈烷氧基、直鏈乙烯基;r7為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,z3和z4為乙炔基或單鍵,但不同時(shí)為乙炔基,r8為cn或ncs基團(tuán),k6,k7為h或f;k8,k9為h或f,r9為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r10為cn或ncs基團(tuán)。本發(fā)明技術(shù)方案通過混合通式(i)-(vi)的化合物制得具有低轉(zhuǎn)換頻率的雙頻液晶組合物,其中通式(i)、(v)和(vi)化合物為正性液晶,通式(ii)和(iii)的化合物為負(fù)性液晶,通式(iv)為偏中性液晶(起到調(diào)節(jié)作用)。本發(fā)明通過選用特定結(jié)構(gòu)的正性液晶,一方面提升了正性液晶分子的剛性共軛結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度,另一方面引入相對(duì)于cn基團(tuán)具有更強(qiáng)電負(fù)性的ncs基團(tuán)作為端基,使得共軛結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到延長(zhǎng),從而得到較低的轉(zhuǎn)換頻率。此外,粘度也是影響雙頻液晶轉(zhuǎn)換頻率的重要因素。本發(fā)明中通過一定比例地引入三鍵,在保持大共軛結(jié)構(gòu)和雙頻液晶較大的雙折射率差δn的同時(shí),有效地降低了組合物的粘度。從而,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了較低的轉(zhuǎn)換頻率。使用本發(fā)明雙頻液晶組合物的液晶器件,可以對(duì)應(yīng)雙頻液晶組合物的轉(zhuǎn)換頻率,降低驅(qū)動(dòng)電路和芯片要求,從而降低雙頻液晶組合物在液晶器件中使用門檻,有利于推廣雙頻液晶的實(shí)際應(yīng)用。具體實(shí)施方式下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例,對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒景l(fā)明中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例,都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。本發(fā)明提出一種雙頻液晶組合物。在本發(fā)明實(shí)施例中,該雙頻液晶組合物包括:占所述雙頻液晶組合物總重量的10-30%的通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20-50%的通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15-45%的通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-20%的通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2-20%的通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5-30%的通式(vi)的化合物其中,為n大于等于2小于等于6,z1為或單鍵,k1為h或f。r1為cn或ncs基團(tuán);為m大于等于2小于等于6,k2-k5為h或f,r2為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基或烷氧基;z2為乙炔基或單鍵,r3為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r4為具有1-6個(gè)碳的直鏈烷氧基;r5為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r6為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基、直鏈烷氧基、直鏈乙烯基;r7為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,z3和z4為乙炔基或單鍵,但不同時(shí)為乙炔基,r8為cn或ncs基團(tuán),k6,k7為h或f;k8,k9為h或f,r9為具有2-6個(gè)碳的直鏈烷基,r10為cn或ncs基團(tuán)。雙頻液晶組合物可以理解為正性液晶和負(fù)性液晶的混合物。之所以雙頻液晶組合物的介電常數(shù)可以隨著頻率的增大而減小,是因?yàn)槠渲泻械恼砸壕Х肿拥慕殡姵?shù)會(huì)隨著電場(chǎng)頻率的增大而減小。這種介電常數(shù)隨頻率變化稱之為介電弛豫。物理學(xué)中,介電弛豫指的是介電物質(zhì)對(duì)于外部電場(chǎng)變化的一種延遲反應(yīng)。這種延遲大多表現(xiàn)為介電常數(shù)隨頻率的增大而逐漸降低,被稱之為德拜弛豫。德拜弛豫通常是由分子的極化在電場(chǎng)快速變化時(shí)的延遲響應(yīng)所引起。液晶分子由于具有較大的長(zhǎng)寬比,其極化過程在沿著分子的長(zhǎng)軸方向會(huì)比沿著分子的短軸方向明顯地更加耗時(shí),因此德拜弛豫主要發(fā)生在正性液晶分子隨電場(chǎng)頻率變化時(shí),而負(fù)性液晶分子由于其極化發(fā)生在分子短軸,其介電常數(shù)幾乎不受電場(chǎng)頻率的影響。液晶分子結(jié)構(gòu)與德拜弛豫的相互關(guān)系十分復(fù)雜,并沒有形成相關(guān)的理論,更多的是經(jīng)驗(yàn)值。一般認(rèn)為,較大的極性、較長(zhǎng)的共軛結(jié)構(gòu)會(huì)有利于德拜弛豫,從而使得雙頻液晶具有較低的轉(zhuǎn)換頻率。根據(jù)上述理論,本發(fā)明技術(shù)方案通過混合通式(i)-(vi)的化合物制得具有低轉(zhuǎn)換頻率的雙頻液晶組合物,其中通式(i)、(v)和(vi)化合物為正性液晶,通式(ii)和(iii)的化合物為負(fù)性液晶,通式(iv)為偏中性液晶(起到調(diào)節(jié)作用)。本發(fā)明通過選用特定結(jié)構(gòu)的正性液晶,一方面提升了正性液晶分子的剛性共軛結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度,另一方面引入相對(duì)于cn基團(tuán)具有更強(qiáng)電負(fù)性的ncs基團(tuán)作為端基,使得共軛結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到延長(zhǎng),從而得到較低的轉(zhuǎn)換頻率。此外,粘度也是影響雙頻液晶轉(zhuǎn)換頻率的重要因素。本發(fā)明中通過一定比例地引入三鍵,在保持大共軛結(jié)構(gòu)和雙頻液晶較大的雙折射率差δn的同時(shí),有效地降低了組合物的粘度。從而,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了較低的轉(zhuǎn)換頻率。使用本發(fā)明雙頻液晶組合物的液晶器件,可以對(duì)應(yīng)雙頻液晶組合物的轉(zhuǎn)換頻率,降低驅(qū)動(dòng)電路和芯片要求,從而降低雙頻液晶組合物在液晶器件中使用門檻,有利于推廣雙頻液晶的實(shí)際應(yīng)用。其中,所述通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的10%-30%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(i)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15%-28%,更優(yōu)選為18-25%。所述通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的20%-50%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(ii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的30%-45%,更優(yōu)選為35-43%。所述通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的15%-45%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(iii)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的17%-40%,更優(yōu)選為19-28%。所述通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5%-20%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(iv)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的7%-15%,更優(yōu)選為8-12%。所述通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的2%-20%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(v)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5%-15%,更優(yōu)選為7-12%。所述通式(vi)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的5%-30%,實(shí)際操作時(shí),優(yōu)選所述通式(vi)的化合物占所述雙頻液晶組合物總重量的8%-20%,更優(yōu)選為10-15%。通過具體優(yōu)選各組分含量可以得到各項(xiàng)性能都較好的雙頻液晶組合物。具體的,所述通式(i)的化合物可以選自中的一種或多種。所述通式(ii)的化合物可以選自中的一種或多種。所述通式(iii)的化合物可以選自中的一種或多種。所述通式(iv)的化合物可以選自中的一種或多種。所述通式(v)的化合物可以選自中的一種或多種。所述通式(vi)的化合物可以選自中的一種或多種。茲將本發(fā)明實(shí)施例詳細(xì)說明如下,但本發(fā)明并非局限在實(shí)施例范圍。下列實(shí)施例中,各類化合物的配比如表1所示。表1為了更具體的說明本發(fā)明雙頻液晶組合物的性能優(yōu)勢(shì),本發(fā)明還提供兩個(gè)對(duì)比例,各對(duì)比例的組分和配比如下:對(duì)比例1對(duì)比例2將各實(shí)施例和對(duì)比例按照上述組分和配比制得雙頻液晶組合物后,對(duì)各實(shí)施例和對(duì)比例的雙頻液晶組合物的轉(zhuǎn)換頻率、雙折射率差δn、清亮點(diǎn)(cp,clearpoint)、熔點(diǎn)(tm,meltingtemperature)進(jìn)行檢測(cè),結(jié)果如表2所示。表2從實(shí)施例和對(duì)比例的配方以及表2的數(shù)據(jù)可以看出,由于本發(fā)明的實(shí)施例1至6中正性液晶部分一方面提升了分子的剛性共軛結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度,另一方面引入相對(duì)于cn基團(tuán)具有更強(qiáng)電負(fù)性的ncs基團(tuán)作為端基,使得共軛結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到延長(zhǎng),因此本發(fā)明的實(shí)施例1至6的轉(zhuǎn)換頻率較對(duì)比例1和2來說,有了明顯減小。正性液晶部分共軛結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度的增加同時(shí)還導(dǎo)致本發(fā)明的實(shí)施例1至6的清亮點(diǎn)和熔點(diǎn)溫度較對(duì)比例1和2有所上升。本發(fā)明的實(shí)施例中通過一定比例地引入三鍵,在保持大共軛結(jié)構(gòu)和雙頻液晶較大的雙折射率差δn的同時(shí)有效地降低了組合物的粘度,其中實(shí)施例2、5、6的雙折射率差δn與對(duì)比例1和2的雙折射率差δn相比明顯增加。為了進(jìn)一步的說明實(shí)施例1-6的雙頻液晶組合物的性能,本發(fā)明還對(duì)實(shí)施例1-6的介電常數(shù)和粘度進(jìn)行了測(cè)試,結(jié)果如表3所示。表3參數(shù)實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3實(shí)施例4實(shí)施例5實(shí)施例6δε(1khz,25℃)3.24.52.54.15.71.5γ1(25℃,mpa*s)654337415846結(jié)合表2和表3的數(shù)據(jù)可以得到以下結(jié)論:實(shí)施例1為本發(fā)明中的一般性結(jié)果。其中正性組份的加入量較少,使得組合物具有較小的介電常數(shù)3.2,并且雙折射率差δn較小,只有0.18。轉(zhuǎn)化頻率相對(duì)較高只達(dá)到12.1khz。實(shí)施例2中通式(i)的化合物的比例增加到29.9%,相應(yīng)的由于五元較長(zhǎng)分子結(jié)構(gòu)和ncs基團(tuán)正性化合物的引入,轉(zhuǎn)換頻率相比實(shí)施例1中得到了明顯的降低,為4.3khz。此外,由于組合物中增加了短鏈的通式(iv)的化合物列化合物的比例,相應(yīng)的體系的旋轉(zhuǎn)粘度也得到了降低,為43mpa*s。實(shí)施例3中,相比實(shí)施例2,負(fù)性化合物通式(iii)的化合物比例增大,介電常數(shù)有所降低,同時(shí)由于四元組份比例不高,雙折射率差δn較小。但是,由于二苯乙炔基團(tuán)的比例較高,相比四元化合物,整體組合物具有較低的旋轉(zhuǎn)粘度,為37mpa*s。實(shí)施例4中,正性液晶比例較大,其中苯甲酸苯酯結(jié)構(gòu)通式(vi)的化合物比例提升,使得雙頻液晶的介電常數(shù)較大。但是由于通式(vi)的化合物的共軛結(jié)果較短,分子表現(xiàn)的雙折射率差δn相對(duì)較小,為0.21。實(shí)施例5中,正性化合物比例較小。所以整體組合物表現(xiàn)出的轉(zhuǎn)化頻率相比實(shí)施例2-4有所增大,為9.5khz。由于大共軛結(jié)構(gòu)通式(v)的化合物比例的提升,使得組合物具有較大的雙折射率差δn,為0.27。實(shí)施例6中,綜合了前述實(shí)施例的優(yōu)缺點(diǎn)。通過進(jìn)一步優(yōu)化正性化合物和大共軛化合物比例。得到較優(yōu)的高雙折射率差δn為0.25,低轉(zhuǎn)化頻率為3.3khz的液晶組合物配方。綜上,通過對(duì)比表2中實(shí)施例和對(duì)比例的數(shù)據(jù)對(duì)比,同時(shí)結(jié)合表3的數(shù)據(jù)可以知道,本發(fā)明的雙頻液晶組合物中正性液晶部分一方面提升了分子的剛性共軛結(jié)構(gòu)的長(zhǎng)度,另一方面引入相對(duì)于cn基團(tuán)具有更強(qiáng)電負(fù)性的ncs基團(tuán)作為端基,使得共軛結(jié)構(gòu)進(jìn)一步得到延長(zhǎng),使得雙頻液晶組合物具有較低的轉(zhuǎn)換頻率。同時(shí)通過一定比例地引入三鍵,在保持大共軛結(jié)構(gòu)和雙頻液晶較大的雙折射率差δn的同時(shí),有效地降低了組合物的粘度,從而,進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)了較低的轉(zhuǎn)換頻率。本發(fā)明還提出一種液晶手寫裝置,該液晶手寫裝置包含雙頻液晶組合物,該雙頻液晶組合物的具體配方參照上述實(shí)施例,由于本液晶手寫裝置采用了上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案,因此同樣具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益效果。使用該雙頻液晶組合物的液晶手寫裝置,由于液晶的轉(zhuǎn)換頻率較低,不需要性能很高的驅(qū)動(dòng)電路和芯片也能夠達(dá)到較好的驅(qū)動(dòng)效果,因此能夠更容易達(dá)到較好的顯示效果。本發(fā)明還提出一種液晶顯示裝置,該液晶顯示裝置包含雙頻液晶組合物,該雙頻液晶組合物的具體配方參照上述實(shí)施例,由于本液晶顯示裝置采用了上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案,因此同樣具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益效果。使用該雙頻液晶組合物的液晶顯示裝置,由于液晶的轉(zhuǎn)換頻率較低,不需要性能很高的驅(qū)動(dòng)電路和芯片也能夠達(dá)到較好的驅(qū)動(dòng)效果,因此能夠更容易達(dá)到較好的顯示效果。本發(fā)明還提出一種液晶調(diào)光裝置,該液晶調(diào)光裝置包含雙頻液晶組合物,該雙頻液晶組合物的具體配方參照上述實(shí)施例,由于本液晶調(diào)光裝置采用了上述所有實(shí)施例的全部技術(shù)方案,因此同樣具有上述實(shí)施例的技術(shù)方案所帶來的所有有益效果。使用該雙頻液晶組合物的液晶調(diào)光裝置,由于液晶的轉(zhuǎn)換頻率較低,不需要性能很高的驅(qū)動(dòng)電路和芯片也能夠達(dá)到較好的驅(qū)動(dòng)效果,因此能夠更容易達(dá)到較好的顯示效果。應(yīng)當(dāng)說明的是,本發(fā)明的各個(gè)實(shí)施例的技術(shù)方案可以相互結(jié)合,但是必須是以本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)為基礎(chǔ),當(dāng)技術(shù)方案的結(jié)合出現(xiàn)相互矛盾或無法實(shí)現(xiàn)時(shí)應(yīng)當(dāng)人認(rèn)為這種技術(shù)方案的結(jié)合不存在,也不在本發(fā)明要求的保護(hù)范圍之內(nèi)。以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例,并非因此限制本發(fā)明的專利范圍,凡是利用本發(fā)明說明書及內(nèi)容所作的等效變換,或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的
技術(shù)領(lǐng)域
,均同理包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。當(dāng)前第1頁12
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