本發(fā)明涉及切割帶一體型粘接片。

背景技術：

迄今，作為半導體裝置的制造中使用的芯片接合薄膜，將用于形成芯片接合薄膜的各成分溶解或分散在溶劑中制備粘接劑組合物溶液后，使其干燥，然后，切割成規(guī)定的形狀(例如圓形)來制造(參見例如專利文獻1)。

這種芯片接合薄膜有時以與切割帶一體化的狀態(tài)提供。該情況下，以依次層疊有切割帶、芯片接合薄膜和隔離體的形態(tài)提供。

在半導體裝置的制造工序中，有時存在使用晶圓粘貼裝置一邊將隔離體自芯片接合薄膜剝離、一邊在剝離的部分粘貼半導體晶圓的工序。

現(xiàn)有技術文獻

專利文獻

專利文獻1：日本特開2012-142370號公報

技術實現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的問題

然而，在使用晶圓粘貼裝置一邊將隔離體自芯片接合薄膜剝離、一邊在剝離的部分粘貼半導體晶圓時，存在有時隔離體不自芯片接合薄膜剝離、連同芯片接合薄膜一起卷縮的問題。

本發(fā)明人等進行了深入研究，結果弄清，在芯片接合薄膜的端部的、粘接片與隔離體的接觸部分處，粘接片相對于隔離體面成直角，應力集中在隔離體與芯片接合薄膜的界面。而應力集中的話，在剝離隔離體時，芯片接合薄膜會被隔離體拉拽而自切割帶剝離。

本發(fā)明是鑒于前述問題而做出的，其目的在于提供可以適宜地將隔離體自粘接片剝離的切割帶一體型粘接片。

用于解決問題的方案

本申請發(fā)明人等為了解決前述現(xiàn)有問題，針對切割帶一體型粘接片進行了研究。結果發(fā)現(xiàn)，通過采用下述方案，可以適宜地將隔離體自粘接片剝離，從而完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明的切割帶一體型粘接片的特征在于，

具有切割帶、

層疊在前述切割帶上的粘接片和

層疊在前述粘接片上的隔離體，

前述粘接片的厚度從中心部朝向端部減小。

根據(jù)前述方案，粘接片的厚度從中心部朝向端部減小。即，粘接片從中心部朝向端部變薄。因此，將隔離體自粘接片剝離時的剝離性優(yōu)異。

需要說明的是，粘接片的中心部是指MD方向與TD方向的最長邊的交點。此外，粘接片的端部是指粘接片的外周上的至少一點。此外，在本說明書中，MD方向表示制造粘接片時的方向。例如在通過絲網(wǎng)印刷制造的情況下，為印刷的方向。此外，TD方向是指與MD方向正交的方向。

在前述方案中，優(yōu)選的是，設前述中心部的厚度為A、設距前述端部20μm的內側部分的厚度為B時，B/A為0.9以下。

如果前述B/A為0.9以下，則將隔離體自粘接片剝離時的剝離性更優(yōu)異。

在前述方案中，優(yōu)選的是，通過在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下的T型剝離試驗得到的切割帶與粘接片的粘接力C為0.05N/100mm以上。

如果前述粘接力C為0.05N/100mm以上，則將隔離體自粘接片剝離時，能夠抑制粘接片自切割帶剝離。

在前述方案中，優(yōu)選的是，通過在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下的180度剝離試驗得到的隔離體與粘接片的粘接力D為2.5N/100mm以下。

如果前述粘接力D為2.5N/100mm以下，則將隔離體自粘接片剝離時的剝離性更加優(yōu)異。

在前述方案中，優(yōu)選的是，前述粘接力C與前述粘接力D之比C/D為1以上。

如果前述比C/D為1以上，則在將隔離體自粘接片剝離時，能夠抑制粘接片被隔離體拉拽而自切割帶剝離。

在前述方案中，優(yōu)選的是，前述隔離體的厚度為10～75μm。

如果前述隔離體的厚度為10μm以上，則可獲得用于通過膠帶粘貼裝置的工藝的剛性。而如果為75μm以下，則隔離體能夠彎曲，因此切割帶與粘接劑之間的剝離變得容易進行。

在前述方案中，優(yōu)選的是，前述隔離體的彈性模量為1MPa～10GPa。

如果前述隔離體在23℃下的彈性模量為1MPa～10GPa，則獲得隔離體適度彎曲的剛性，變得容易將隔離體自粘接片剝離。

附圖說明

圖1是本實施方式的切割帶一體型粘接片的剖視示意圖。

圖2是圖1所示的切割帶一體型粘接片的局部放大圖。

圖3是用于對使用本實施方式的切割帶一體型粘接片的半導體裝置的制造方法進行說明的剖視示意圖。

圖4是用于對使用本實施方式的切割帶一體型粘接片的半導體裝置的制造方法進行說明的剖視示意圖。

圖5是用于對使用本實施方式的切割帶一體型粘接片的半導體裝置的制造方法進行說明的剖視示意圖。

圖6是用于對使用本實施方式的切割帶一體型粘接片的半導體裝置的制造方法進行說明的剖視示意圖。

附圖標記說明

10 切割帶一體型粘接片

20 切割帶

22 基材

24 粘合劑層

28 隔離體

30 粘接片

38 中心部

39 端部

40 半導體晶圓

50 半導體芯片

60 被粘物

70 接合引線

80 密封樹脂

具體實施方式

以下對本實施方式的切割帶一體型粘接片進行說明。此外，以下對粘接片為芯片接合薄膜的情況進行說明。圖1是本實施方式的切割帶一體型粘接片的剖視示意圖。

(切割帶一體型粘接片)

如圖1所示，切割帶一體型粘接片10具有切割帶20、層疊在切割帶20上的粘接片30和層疊在粘接片30上的隔離體28。切割帶20在基材22上層疊粘合劑層24來構成。粘接片30設置在粘合劑層24上。隔離體28設置在粘接片30上。

需要說明的是，本實施方式中，對粘接片30層疊在粘合劑層24的表面的一部分上的情況進行說明。更具體而言，對粘接片30僅在粘合劑層24的與半導體晶圓的粘貼部分對應的部分26上形成的方案的情況進行說明。然而，本發(fā)明不限定于該例。也可以是本發(fā)明的粘接片層疊在粘合劑層的整面的方案。此外，也可以是在大于與半導體晶圓的粘貼部分對應的部分且小于粘合劑層的整面的部分層疊的方案。

(粘接片)

圖2是圖1所示的切割帶一體型粘接片的局部放大圖。需要說明的是，圖2為了便于說明，相對于圖1變更比例進行圖示。此外，省略了切割帶。

如圖2所示，粘接片30的厚度從中心部38朝向端部39減小。對厚度減小的方式沒有特別限定。例如可以是剖面形狀呈圓弧狀減少，也可以線性減少。

作為粘接片30的制造方法，可列舉出絲網(wǎng)印刷、旋轉涂布等。特別是在粘接片30含有填料的情況下，使用絲網(wǎng)印刷的話，從中心部38朝向端部39，填料量減少。結果，能夠隨著從中心部38朝向端部39而良好地減薄。

設中心部38的厚度為A、設距端部39 20μm的內側部分的厚度為B時，B/A優(yōu)選為0.9以下，更優(yōu)選為0.85以下。如果前述B/A為0.9以下，則將隔離體28自粘接片30剝離時的剝離性更優(yōu)異。此外，從在生產工序中傳感器容易識別粘接片的端部的角度來看，前述B/A優(yōu)選為0.05以上。

厚度B的下限值越小越優(yōu)選，例如為0.1μm。此外，對厚度B的上限值沒有特別限定，例如為200μm。

通過在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下的T型剝離試驗得到的切割帶20與粘接片30的粘接力C優(yōu)選為0.05N/100mm以上，更優(yōu)選為0.15N/100mm以上。如果前述粘接力C為0.05N/100mm以上，則將隔離體28自粘接片30剝離時，能夠抑制粘接片30自切割帶20剝離。前述粘接力C優(yōu)選為5.0N/100mm以下，更優(yōu)選為2.5N/100mm以下。如果前述粘接力C為5.0N/100mm以下，則在切割后，能夠適宜地將粘接片30自切割帶20剝離。

需要說明的是，這里所說的剝離力在切割帶(構成切割帶的粘合劑層)由紫外線固化型粘合劑形成的情況下，是指進行400mJ/cm²的紫外線照射后的剝離力。這是由于，這里的剝離力假設的是從切割帶上拾取帶粘接片的芯片的時刻的剝離力。

通過在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下的180度剝離試驗得到的隔離體28與粘接片30的粘接力D優(yōu)選為2.5N/100mm以下，更優(yōu)選為1.5N/100mm以下。如果前述粘接力D為2.5N/100mm以下，則將隔離體28自粘接片30剝離時的剝離性更加優(yōu)異。此外，從在運輸使隔離體28不會自粘接片30剝離的角度來看，前述粘接力D例如為0.05N/100mm以上。

前述粘接力C與前述粘接力D之比C/D優(yōu)選為1以上，更優(yōu)選為2以上。如果前述比C/D為1以上，則在將隔離體28自粘接片30剝離時，能夠抑制粘接片30被隔離體28拉拽而自切割帶20剝離。

粘接片30優(yōu)選含有熱固化性樹脂等固化性樹脂。由此，能夠提高熱穩(wěn)定性。

作為固化性樹脂，可列舉出：酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、有機硅樹脂、或熱固化性聚酰亞胺樹脂等。特別優(yōu)選會腐蝕半導體元件的離子性雜質等的含量少的環(huán)氧樹脂。此外，作為環(huán)氧樹脂的固化劑，優(yōu)選酚醛樹脂。

作為環(huán)氧樹脂，沒有特別限定，例如可使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四羥基苯基乙烷型等二官能環(huán)氧樹脂、多官能環(huán)氧樹脂，或乙內酰脲型、異氰脲酸三縮水甘油酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。這是由于，這些環(huán)氧樹脂富含與作為固化劑的酚醛樹脂的反應性，耐熱性等優(yōu)異。

酚醛樹脂發(fā)揮作為環(huán)氧樹脂的固化劑的作用，例如可列舉出：苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂、甲階型酚醛樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。這些酚醛樹脂當中，特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是由于，能夠提高半導體裝置的連接可靠性。

對于環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配混比例，例如相對于環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基1當量，優(yōu)選以酚醛樹脂中的羥基為0.5～2.0當量的方式配混。更適宜的為0.8～1.2當量。即，這是由于，如果兩者的配混比例不在前述范圍內，則不進行充分的固化反應，固化物的特性變得容易劣化。

粘接片30優(yōu)選含有在25℃下為液態(tài)的固化性樹脂。由此，可獲得良好的低溫貼附性。在本說明書中，在25℃下為液態(tài)是指在25℃下粘度小于5000Pa·s。而在25℃下為固態(tài)是指在25℃下粘度為5000Pa·s以上。需要說明的是，粘度可以使用Thermo Scientific公司制造的型號HAAKE Roto VISCO1進行測定。

粘接片30優(yōu)選含有熱塑性樹脂。作為熱塑性樹脂，可列舉出：天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁橡膠、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍、6,6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙烯酸類樹脂、PET、PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂當中，特別優(yōu)選離子性雜質少且耐熱性高、能夠確保半導體元件的可靠性的丙烯酸類樹脂。

作為丙烯酸類樹脂，并沒有特別限定，可列舉出以具有碳數(shù)30以下、特別是碳數(shù)4～18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯的1種或2種以上作為成分的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為前述烷基，例如可列舉出：甲基、乙基、丙基、異丙基、正丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或十二烷基等。

此外，作為形成聚合物(丙烯酸類共聚物)的其他單體，并沒有特別限定，例如可列舉出：諸如丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等的含羧基單體，諸如馬來酸酐或衣康酸酐等的酸酐單體，諸如(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯或丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等的含羥基單體，諸如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等的含磺酸基單體，或諸如2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯等的含磷酸基單體。

丙烯酸類樹脂當中，優(yōu)選重均分子量為10萬以上的，更優(yōu)選為30萬～300萬的，進一步優(yōu)選為50萬～200萬的。這是由于，如果在上述數(shù)值范圍內，則粘接性和耐熱性優(yōu)異。需要說明的是，重均分子量是通過GPC(滲透凝膠色譜)測定并通過聚苯乙烯換算算出的值。

粘接片30中的熱塑性樹脂和固化性樹脂的總含量優(yōu)選為5重量％以上，更優(yōu)選為10重量％以上。如果為5重量％以上，則容易保持作為薄膜的形狀。此外，熱塑性樹脂和固化性樹脂的總含量優(yōu)選為70重量％以下，更優(yōu)選為60重量％以下。如果為70重量％以下，則能夠抑制熱收縮。

在粘接片30中，熱塑性樹脂的重量/固化性樹脂的重量優(yōu)選為50/50～10/90，更優(yōu)選為40/60～15/85。如果熱塑性樹脂的比率多于50/50，則存在熱穩(wěn)定性變差的傾向。而如果熱塑性樹脂的比率少于10/90，則存在薄膜化變難的傾向。

粘接片30根據(jù)用途可以含有填料。前述填料的配混使彈性模量的調節(jié)、導電性的調節(jié)等成為可能。作為前述填料，可列舉出無機填料、有機填料、金屬填料。作為前述無機填料，沒有特別限制，例如可列舉出：氫氧化鋁、氫氧化鎂、碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、氧化鈣、氧化鎂、氧化鋁、氮化鋁、硼酸鋁晶須、氮化硼、二氧化硅等。作為前述金屬填料，可列舉出：銅填料、銀填料、銀被覆銅系填料等。這些可以單獨使用或并用2種以上。

前述填料的平均粒徑優(yōu)選在0.01～10μm的范圍內，更優(yōu)選為0.1～5μm。通過使前述填料的平均粒徑在0.01～10μm的范圍內，能夠適宜地使粘接片30的厚度從中心部38朝向端部39減少。需要說明的是，填料的平均粒徑是通過光度式的粒度分布儀(HORIBA制造、裝置名；LA-910)求出的值。

粘接片30可以含有熱固化促進劑。由此，能夠促進環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂等固化劑的熱固化。

作為前述熱固化促進劑，沒有特別限定，例如可列舉出：四苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-K)、四苯基鏻二氰胺(商品名：TPP-DCA)、四對甲苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名：TPP-S)等磷-硼類固化促進劑(均為北興化學工業(yè)株式會社制造)。

此外，作為前述促進劑，例如可列舉出：2-甲基咪唑(商品名：2MZ)、2-十一烷基咪唑(商品名：C11-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名：C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名：1.2DMZ)、2-乙基-4-甲基咪唑(商品名：2E4MZ)、2-苯基咪唑(商品名：2PZ)、2-苯基-4-甲基咪唑(商品名：2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名：1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名：1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名：2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-十一烷基咪唑(商品名：C11Z-CN)、偏苯三酸1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎓(商品名：2PZCNS-PW)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-十一烷基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2’-乙基-4’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪(商品名：2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2’-甲基咪唑基-(1’)]-乙基均三嗪異氰脲酸加成物(商品名：2MA-OK)、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)、2-苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名：2P4MHZ-PW)等咪唑類固化促進劑(均為四國化成工業(yè)株式會社制造)。

其中，從薄膜狀粘接劑的保存性的角度來看，優(yōu)選潛伏性優(yōu)異的四苯基硼酸四苯基鏻(商品名：TPP-K)、四苯基鏻二氰胺(商品名：TPP-DCA)。

此外，從薄膜狀粘接劑的保存性的角度來看，優(yōu)選潛伏性優(yōu)異的2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名：2PHZ-PW)。

前述促進劑的含量可以適當設定，相對于從薄膜狀粘接劑的構成材料中扣除導電性顆粒后的材料的100重量份，優(yōu)選為0.6～15重量份，更優(yōu)選為0.8～10重量份。

粘接片30除了前述成分以外還可以適當含有薄膜制造中常規(guī)使用的配混劑、例如交聯(lián)劑等。

(隔離體)

作為隔離體28，可列舉出聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、紙等。

它們可以通過氟類剝離劑、丙烯酸長鏈烷基酯類剝離劑等剝離劑進行表面涂布。

隔離體28的厚度優(yōu)選為10～75μm，更優(yōu)選為25～50μm。如果隔離體28的厚度為10μm以上，則可獲得用于通過膠帶粘貼裝置的工藝的剛性。而如果為75μm以下，則隔離體能夠彎曲，因此切割帶與粘接劑之間的剝離變得容易進行。

隔離體28在23℃下的彈性模量優(yōu)選為1MPa～10GPa，更優(yōu)選為10MPa～5GPa。如果前述隔離體在23℃下的彈性模量為1MPa～10GPa，則獲得隔離體28適度彎曲的剛性，變得容易將隔離體28自粘接片剝離。

(切割帶)

如圖1所示，切割帶20具備基材22和配置在基材22上的粘合劑層24。

基材22構成切割帶20的強度母體，優(yōu)選具有紫外線透過性。作為基材22，例如可列舉出：低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯、聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、纖維素類樹脂、有機硅樹脂、金屬(箔)、紙等。

基材22的表面為了提高與鄰接的層的密合性、保持性等，可以實施慣用的表面處理、例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、電離輻射處理等化學或物理處理、基于底涂劑(例如后述的粘合物質)的涂布處理。

對基材22的厚度沒有特別限制，可以適當確定，一般為5～200μm左右。

作為粘合劑層24的形成中使用的粘合劑，沒有特別限制，例如可以使用丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等常規(guī)壓敏性粘接劑。作為壓敏性粘接劑，從半導體晶圓、玻璃等忌諱污染的電子部件的利用超純水、醇等有機溶劑的清潔洗滌性等角度來看，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基礎聚合物的丙烯酸類粘合劑。

作為丙烯酸類聚合物，例如可列舉出使用(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數(shù)1～30、特別是碳數(shù)4～18的直鏈狀或支鏈狀的烷基酯等)和(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的1種或2種以上作為單體成分的丙烯酸類聚合物等。需要說明的是，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，本發(fā)明的(甲基)全部同義。

丙烯酸類聚合物為了改善內聚力、耐熱性等，根據(jù)需要，可以含有與可與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其他單體成分對應的單元。作為這種單體成分，例如可列舉出：丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基單體；馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體；(甲基)丙烯酸2-羥乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥丙酯、(甲基)丙烯酸4-羥丁酯、(甲基)丙烯酸6-羥己酯、(甲基)丙烯酸8-羥辛酯、(甲基)丙烯酸10-羥癸酯、(甲基)丙烯酸12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥甲基環(huán)己基)甲酯等含羥基單體；苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2-(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基單體；2-羥乙基丙烯酰基磷酸酯等含磷酸基單體；丙烯酰胺、丙烯腈等。這些可共聚的單體成分可以使用1種或2種以上。這些可共聚的單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的40重量％以下。

進而，丙烯酸類聚合物為了進行交聯(lián)，還可以根據(jù)需要而含有多官能性單體等作為共聚用單體成分。作為這種多官能性單體，例如可列舉出：己二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用1種或2種以上。從粘合特性等角度來看，多官能性單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的30重量％以下。

丙烯酸類聚合物通過使單一單體或2種以上的單體混合物進行聚合來得到。聚合可以以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等中的任一方式進行。從防止對清潔的被粘物的污染等角度來看，優(yōu)選低分子量物質的含量小。從該角度來看，丙烯酸類聚合物的數(shù)均分子量優(yōu)選為30萬以上，進一步優(yōu)選為40萬～300萬左右。

此外，在前述粘合劑中，為了提高作為基礎聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分子量，也可以適當采用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段，可列舉出添加聚異氰酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺類交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑進行反應的方法。使用外部交聯(lián)劑的情況下，其用量根據(jù)與要交聯(lián)的基礎聚合物的平衡、進一步根據(jù)作為粘合劑的使用用途來適當確定。一般，相對于前述基礎聚合物100重量份，優(yōu)選配混5重量份左右以下、進一步為0.1～5重量份。進而，在粘合劑中，根據(jù)需要，除了前述成分以外，還可以使用現(xiàn)有公知的各種賦粘劑、防老劑等添加劑。

粘合劑層24可以由輻射線固化型粘合劑形成。輻射線固化型粘合劑能夠通過紫外線等輻射線的照射而使交聯(lián)度增大而容易地使其粘合力降低。

通過僅對圖1所示的粘合劑層24的與工件粘貼部分對應的部分26進行輻射線照射，能夠形成與其他部分的粘合力的差。該情況下，由未固化的輻射線固化型粘合劑形成的部分與粘接片30粘合，能夠確保進行切割時的保持力。此外，可以在由未固化的輻射線固化型粘合劑形成的部分固定晶圓環(huán)。

輻射線固化型粘合劑可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵等輻射線固化性的官能團且顯示粘合性的物質。作為輻射線固化型粘合劑，例如可例示出：在前述丙烯酸類粘合劑、橡膠類粘合劑等常規(guī)壓敏性粘合劑中配混有輻射線固化性的單體成分、低聚物成分的添加型的輻射線固化型粘合劑。

作為進行配混的輻射線固化性的單體成分，例如可列舉出：氨基甲酸酯低聚物、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。此外，輻射線固化性的低聚物成分可列舉出氨基甲酸酯類、聚醚類、聚酯類、聚碳酸酯類、聚丁二烯類等各種低聚物，其分子量為100～30000左右的范圍的是適合的。輻射線固化性的單體成分、低聚物成分的配混量可以根據(jù)前述粘合劑層的種類來適當確定能夠降低粘合劑層的粘合力的量。一般，相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，例如為5～500重量份，優(yōu)選為40～150重量份左右。

此外，作為輻射線固化型粘合劑，除了前述說明的添加型的輻射線固化型粘合劑以外，還可列舉出使用在聚合物側鏈或主鏈中或主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作為基礎聚合物的內在型的輻射線固化型粘合劑。內在型的輻射線固化型粘合劑不需要含有或不大量含有屬于低分子成分的低聚物成分等，因此能夠形成穩(wěn)定的層結構的粘合劑層而低聚物成分等不會隨著時間經過在粘合劑中移動，故優(yōu)選。

前述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具有粘合性的聚合物。作為這種基礎聚合物，優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架的聚合物。作為丙烯酸類聚合物的基本骨架，可列舉出前述例示的丙烯酸類聚合物。

對在前述丙烯酸類聚合物中導入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限制，可以采用各種方法，而在聚合物側鏈導入碳-碳雙鍵在分子設計上是容易的。例如可列舉出下述方法：預先使丙烯酸類聚合物與具有官能團的單體共聚后，在維持碳-碳雙鍵的輻射線固化性的狀態(tài)下使具有可與該官能團反應的官能團和碳-碳雙鍵的化合物進行縮合或加成反應。

作為這些官能團的組合的例子，可列舉出：羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥基與異氰酸酯基等。這些官能團的組合當中，從反應追蹤的容易性來看，優(yōu)選羥基與異氰酸酯基的組合。此外，為利用這些官能團的組合來生成前述具有碳-碳雙鍵的丙烯酸類聚合物的這種組合時，官能團可以位于丙烯酸類聚合物和前述化合物中的任意側，前述優(yōu)選的組合中，優(yōu)選丙烯酸類聚合物具有羥基、前述化合物具有異氰酸酯基的情況。該情況下，作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物，例如可列舉出：甲基丙烯酰基異氰酸酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基芐基異氰酸酯等。此外，作為丙烯酸類聚合物，可使用共聚前述例示的含羥基單體、2-羥乙基乙烯基醚、4-羥丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚類化合物等得到的聚合物。

前述內在型的輻射線固化型粘合劑可以單獨使用前述具有碳-碳雙鍵的基礎聚合物(特別是丙烯酸類聚合物)，也可以以不使特性變差的程度配混前述輻射線固化性的單體成分、低聚物成分。相對于基礎聚合物100重量份，輻射線固化性的低聚物成分等通常在30重量份的范圍內，優(yōu)選為0～10重量份的范圍。

前述輻射線固化型粘合劑在通過紫外線等進行固化的情況下含有光聚合引發(fā)劑。作為光聚合引發(fā)劑，例如可列舉出：4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥基-α,α’-二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇類化合物；甲氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2,2-二乙氧基苯乙酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉基丙烷-1等苯乙酮類化合物；苯偶姻乙醚、苯偶姻異丙醚、茴香偶姻甲醚等苯偶姻醚類化合物；苯偶酰二甲基縮酮等縮酮類化合物；2-萘磺酰氯等芳香族磺酰氯類化合物；1-苯基-1,1-丙二酮-2-(鄰乙氧基羰基)肟等光活性肟類化合物；二苯甲酮、苯甲酰苯甲酸、3,3’-二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲酮類化合物；噻噸酮、2-氯噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2,4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、2,4-二氯噻噸酮、2,4-二乙基噻噸酮、2,4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮類化合物；樟腦醌；鹵代酮；?；趸?；酰基膦酸酯等。相對于構成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎聚合物100重量份，光聚合引發(fā)劑的配混量例如為0.05～20重量份左右。

此外，作為輻射線固化型粘合劑，例如可列舉出日本特開昭60-196956號公報中公開的、含有具有2個以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光聚合性化合物以及羰基化合物、有機硫化合物、過氧化物、胺、鎓鹽類化合物等光聚合引發(fā)劑的橡膠類粘合劑、丙烯酸類粘合劑等。

在前述輻射線固化型的粘合劑層24中，根據(jù)需要，也可以含有通過輻射線照射而著色的化合物。通過使粘合劑層24含有通過輻射線照射而著色的化合物，能夠僅使被輻射線照射的部分著色。通過輻射線照射而著色的化合物是在輻射線照射前為無色或淺色、通過輻射線照射而變有色的化合物，例如可列舉出隱色染料等。通過輻射線照射而著色的化合物的使用比例可以適當設定。

對粘合劑層24的厚度沒有特別限定，從芯片切斷面的缺損防止、粘接片30的固定保持的兼顧性等角度來看，優(yōu)選為1～50μm左右。優(yōu)選為2～30μm，進一步優(yōu)選為5～25μm。

(切割帶一體型粘接片的制造方法)

粘接片30例如可以通過如下方法制造：制作含有用于構成粘接片30的各前述成分的粘接劑組合物溶液，對粘接劑組合物溶液進行絲網(wǎng)印刷到隔離體28上后，使該涂布膜干燥。

作為粘接劑組合物溶液中使用的溶劑，沒有特別限定，優(yōu)選能夠均勻溶解、混煉或分散前述各成分的有機溶劑。例如可列舉出：二甲基甲酰胺、二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮、丙酮、甲乙酮、環(huán)己酮等酮類溶劑、甲苯、二甲苯等。

絲網(wǎng)印刷優(yōu)選使用開口部的形狀為所期望的粘接片30的形狀(俯視形狀)的絲網(wǎng)。作為絲網(wǎng)印刷的條件，優(yōu)選設定為以下數(shù)值范圍內。通過設定為以下條件，能夠使粘接片30的厚度從中心部38朝向端部39適宜地減少。

<絲網(wǎng)印刷的條件>

100～600目絲網(wǎng)

網(wǎng)絲直徑5～100μm

絲網(wǎng)與隔離體28的間隙0.1～100mm

印刷壓力1～100psi

需要說明的是，粘接片30通過在與隔離體28不同的基材隔離體上進行絲網(wǎng)印刷，然后轉印至隔離體28也可得到。

切割帶20可以通過現(xiàn)有公知的方法制造，在此省略說明。

接著，將切割帶20的粘合劑層24與粘接片30貼合。由此，可得到切割帶一體型粘接片10。

(半導體裝置的制造方法)

本實施方式的半導體裝置的制造方法至少包括下述工序：

準備切割帶一體型粘接片的工序；

在前述切割帶一體型粘接片上粘貼半導體晶圓的工序；

將前述半導體晶圓與前述粘接片一起切割而形成帶粘接片的半導體芯片的工序；

從前述切割帶拾取前述帶粘接片的半導體芯片的工序，以及，

將拾取的前述帶粘接片的半導體芯片芯片接合到被粘物上的工序。

以下參照圖3～圖6對本實施方式的半導體裝置的制造方法進行說明。圖3～5是用于對使用本實施方式的切割帶一體型粘接片的半導體裝置的制造方法進行說明的剖視示意圖。

首先，準備切割帶一體型粘接片10。

接著，如圖3所示，在粘接片30上粘貼半導體晶圓40。作為半導體晶圓40，可列舉出：硅晶圓、硅碳化物晶圓、化合物半導體晶圓等。作為化合物半導體晶圓，可列舉出：氮化鎵晶圓等。

在于粘接片30上粘貼半導體晶圓40時，自粘接片30剝離隔離體28并且在粘接片30上粘貼半導體晶圓40。本實施方式由于粘接片30的厚度從中心部38朝向端部39減小，因此將隔離體28自粘接片30剝離時的剝離性優(yōu)異。

作為粘貼方法，例如可列舉出通過壓接輥等按壓手段進行按壓的方法等。作為粘貼壓力，優(yōu)選在0.05～10MPa的范圍內。此外，對粘貼溫度沒有特別限定，例如優(yōu)選在23～90℃的范圍內。

接著，如圖4所示，進行半導體晶圓40的切割。即，將半導體晶圓40與粘接片30一起切斷成規(guī)定尺寸，形成帶粘接片30的半導體芯片50。切割按常法進行。此外，本工序例如可以采用進行切入至切割帶一體型粘接片10的被稱為全切的切斷方式等。作為本工序中使用的切割裝置，沒有特別限定，可以使用現(xiàn)有公知的裝置。半導體晶圓40由于通過切割帶一體型粘接片10固定，因此能夠抑制芯片缺損、芯片飛濺，并且還能夠抑制半導體晶圓40的破損。

接著，如圖5所示，從切割帶20拾取帶粘接片30的半導體芯片50。作為拾取的方法，沒有特別限定，可以采用現(xiàn)有公知的各種方法。例如可列舉出從切割帶20側通過針形件將單個的半導體芯片50頂起、通過拾取裝置拾取被頂起的半導體芯片5的方法等。

作為拾取條件，在防止碎裂方面，優(yōu)選將針形件頂起速度設定為5～100mm/秒，更優(yōu)選設定為5～10mm/秒。

在粘合劑層24為紫外線固化型的情況下，拾取可以在對該粘合劑層24照射紫外線后進行。由此，粘合劑層24對粘接片30的粘合力降低，半導體芯片50的剝離變容易。結果，可以不損傷半導體芯片50地進行拾取。對紫外線照射時的照射強度、照射時間等條件沒有特別限定，適當根據(jù)需要而設定即可。

接著，如圖6所示，通過粘接片30將所拾取的半導體芯片50芯片接合至被粘物60。作為被粘物60，可列舉出引線框、TAB薄膜、基板或另行制作的半導體芯片等。被粘物60例如可以是可容易變形的變形型被粘物，也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導體晶圓等)。

作為前述基板，可以使用現(xiàn)有公知的基板。此外，作為前述引線框，可以使用Cu引線框、42合金引線框等金屬引線框，由玻璃環(huán)氧、BT(雙馬來酰亞胺-三嗪)、聚酰亞胺等形成的有機基板。然而，本發(fā)明并不限定于這些，還包括可安裝半導體芯片、與半導體芯片電連接來使用的電路基板。

作為芯片接合條件，優(yōu)選壓力為0.01MPa～5MPa。此外，對芯片接合時的溫度沒有特別限定，例如優(yōu)選在23～200℃的范圍內。

接著，通過加熱帶半導體芯片50的被粘物60使粘接片30熱固化，使半導體芯片50與被粘物60粘著。對于加熱溫度，可以在80～200℃、優(yōu)選在100～175℃、更優(yōu)選在100～140℃下進行。此外，對于加熱時間，可以以0.1～24小時、優(yōu)選以0.1～3小時、更優(yōu)選以0.2～1小時進行。此外，加熱固化可以在加壓條件下進行。作為加壓條件，優(yōu)選在1～20kg/cm²的范圍內，更優(yōu)選在3～15kg/cm²的范圍內。加壓下的加熱固化例如可以在填充有非活性氣體的室內進行。在上述條件下加熱時，粘接片30充分熱固化。結果，能夠在之后的引線接合工序中抑制不利情況發(fā)生。

接著，進行用接合引線70將被粘物60的端子部(內部引線)的前端和半導體芯片50上的電極極板(未圖示)進行電連接的引線接合工序。作為接合引線70，例如可使用金線、鋁線或銅線等。對于進行引線接合時的溫度，在23～300℃、優(yōu)選在23～250℃的范圍內進行。此外，對于其加熱時間，進行數(shù)秒～數(shù)分鐘(例如為1秒～1分鐘)。接線在加熱至前述溫度范圍內的狀態(tài)下通過組合使用基于超聲波的振動能量和基于施加加壓的壓接能量來進行。

接著，根據(jù)需要而進行通過密封樹脂80對半導體芯片50進行密封的密封工序。本工序為了保護搭載于被粘物60的半導體芯片50、接合引線70而進行。本工序通過用模具將密封用的樹脂成型來進行。作為密封樹脂80，例如使用環(huán)氧類的樹脂。樹脂密封時的加熱溫度優(yōu)選為165℃以上，更優(yōu)選為170℃以上，該加熱溫度優(yōu)選為185℃以下，更優(yōu)選為180℃以下。由此使密封樹脂80固化。需要說明的是，本密封工序也可以采用將半導體芯片50埋入片狀的密封用片的方法(參見例如日本特開2013-7028號公報)。此外，除了利用模具的密封樹脂的成型以外，還可以是向箱型容器中注入硅膠的凝膠密封型。

接著，可以根據(jù)需要而對密封物進一步加熱(后固化工序)。由此，可以使在密封工序中固化不充分的密封樹脂80完全固化。本工序中的加熱溫度根據(jù)密封樹脂的種類而不同，例如在165～185℃的范圍內，加熱時間為0.5～8小時左右。

上述實施方式中，對本發(fā)明的粘接片為作為芯片接合薄膜的粘接片30的情況進行了說明，但本發(fā)明的粘接片不限定于該例。作為本發(fā)明的粘接片，例如可列舉出倒裝芯片型半導體背面用薄膜、底部填充片。

底部填充片是指用于填充基板與倒裝芯片連接在基板上的半導體芯片的間隙的片。

倒裝芯片型半導體背面用薄膜是指粘貼在倒裝芯片連接的半導體芯片的背面(與倒裝芯片連接面處于相反側的面)的薄膜。

本發(fā)明的粘接片為底部填充片的情況下，在將組成、含量變更為具有作為底部填充片的功能的程度的基礎上，可以采用與粘接片30同樣的構成。

本發(fā)明的粘接片為倒裝芯片型半導體背面用薄膜的情況下，在將組成、含量變更為具有作為倒裝芯片型半導體背面用薄膜的功能的程度的基礎上，可以采用與粘接片30同樣的構成。

實施例

以下使用實施例對本發(fā)明進行詳細說明，但本發(fā)明在不超出其主旨的情況下并不限于以下實施例。

對實施例中使用的成分進行說明。

丙烯酸類樹脂：根上工業(yè)株式會社制造的W-116.3

酚醛樹脂：明和化成株式會社制造的MEH-7800H

環(huán)氧樹脂A：三菱化學株式會社制造的EPIKOTE 828

環(huán)氧樹脂B：DIC株式會社制造的HP-4700

二氧化硅填料：(Admatechs Co.,Ltd.制造的SO-C2)

銀被覆銅系填料：三井金屬工業(yè)株式會社制造的1200YP(銀的被覆量20重量％)

[切割帶一體型粘接片的制作]

<對于實施例1～4>

按照表1中記載的配混比，將表1中記載的各成分溶解、分散于甲乙酮，制得濃度30～60重量％的粘接劑組合物溶液。作為隔離體，準備進行了有機硅脫模處理的厚度38μm、寬度370mm的卷狀的PET薄膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜)。對所準備的PET薄膜的單面進行開口部的直徑為330mm的絲網(wǎng)印刷，然后，在120℃下干燥3分鐘，形成粘接劑組合物層。這里的絲網(wǎng)印刷的條件設定為：使用200目絲網(wǎng)、網(wǎng)絲直徑40μm，使絲網(wǎng)與PET薄膜的間隙為1mm，以10psi的印刷壓力進行印刷，使得在干燥后形成厚度30μm的粘接片。

使用層壓機在40℃下將PET薄膜與形成直徑330mm的圓形的粘接片的層疊物貼合于切割帶(P-2130、日東電工株式會社制造、直徑370mm的圓形)。由此，得到實施例1～4的切割帶一體型粘接片。

<對于比較例1～2>

按照表1中記載的配混比，將表1中記載的各成分溶解、分散于甲乙酮，制得濃度50重量％的粘接劑組合物溶液。作為隔離體，準備進行了有機硅脫模處理的厚度38μm、寬度370mm的卷狀的PET薄膜(聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜)。

將制得的粘接劑組合物溶液涂布在所準備的PET薄膜的單面后，在130℃下干燥2分鐘，由此制得厚度30μm的粘接片。用切刀將所得粘接片切成直徑330mm的圓形。需要說明的是，此時PET薄膜未切斷。此外，對于切成圓形的外側，自PET薄膜剝離。

使用層壓機在40℃下將PET薄膜與形成直徑330mm的圓形的粘接片的層疊物貼合于切割帶(P-2130、日東電工株式會社制造、直徑370mm的圓形)。由此，得到比較例1～2的切割帶一體型粘接片。

(粘接片的厚度的測定)

使用冷凍切片機將實施例和比較例的粘接片切斷，使剖面露出。通過SEM觀察其剖面，測定厚度。具體而言，測定中心部的厚度A和距端部20μm的內側部分的厚度B。結果示于表1。此外，比B/A也一并示于表1。

(切割帶與粘接片的粘接力C的測定)

用手壓輥在切割帶一體型粘接片的切割帶側粘貼粘合帶(BT-315、日東電工株式會社制造)。接著，切斷成100mm×100mm的尺寸。然后，使用拉伸試驗器(AGS-J、株式會社島津制作所制造)在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下進行T型剝離試驗。結果示于表1。

(隔離體與粘接片的粘接力D的測定)

將切割帶一體型粘接片在帶有隔離體的狀態(tài)下切斷成100mm×100mm的尺寸。然后，使用拉伸試驗器(AGS-J、株式會社島津制作所制造)在室溫(23℃)、剝離速度300mm/min的條件下進行180度剝離試驗。結果示于表1。此外，粘接力C與粘接力D之比C/D也一并示于表1。

(隔離體的彈性模量的測定)

將實施例、比較例中使用的隔離體制成長度120mm、寬度10mm的長條狀。接著，在室溫(23℃)、卡盤間距50mm、拉伸速度300mm/min下沿MD方向進行拉伸試驗，測定伸長量的變化。結果，根據(jù)所得S-S曲線求出5％伸長時的彈性模量作為彈性模量。結果示于表1。

(卷縮評價)

作為粘貼裝置使用日東精機株式會社制造的DR-3000II，一邊將PET薄膜自所制作的切割帶一體型粘接片剝離，一邊將硅晶圓粘貼于粘接片。粘貼條件如下。

<粘貼條件>

粘貼裝置：日東精機株式會社制造、DR-3000II

粘貼速度：5mm/sec

粘貼壓力：0.15MPa

粘貼時的工作臺溫度：80℃

<評價方法>

在上述條件下各進行5次在硅晶圓上的貼合，將只要有1次PET薄膜(隔離體)未順利剝離、粘接片發(fā)生卷縮的情況評價為×，將粘接片1次都沒有發(fā)生卷縮的情況評價為○。結果示于表1。

[表1]

【表1】