熱固型芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜和半導(dǎo)體裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供熱固型芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜和半導(dǎo)體裝置的制造方法,所述熱固型芯片接合薄膜的導(dǎo)熱性高、且貼附于被粘物時(shí)能夠充分地追隨被粘物的凹凸。一種熱固型芯片接合薄膜,其在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為1W/m?K以上,其含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m*K以上的導(dǎo)熱性顆粒,所述熱固型芯片接合薄膜在130°C下以50秒―1的剪切速率測定的熔融粘度為200Pa?s以下。
【專利說明】熱固型芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜和半導(dǎo)體 裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及熱固型芯片接合薄膜、帶切割片的芯片接合薄膜和半導(dǎo)體裝置的制造 方法。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來,隨著半導(dǎo)體裝置的數(shù)據(jù)處理的高速化的推進(jìn),來自半導(dǎo)體芯片的發(fā)熱量 變多,具備散熱性的半導(dǎo)體裝置的設(shè)計(jì)的重要性正在增加。熱不僅會(huì)對半導(dǎo)體裝置自身造 成不良影響,對組裝有半導(dǎo)體裝置的電子儀器主體也會(huì)造成各種各樣的不良影響。作為用 于散熱的封裝對策而考慮了各種方法,最重要的是夾著印刷基板、引線框等基板的散熱。
[0003] 因此,以往,在基板與半導(dǎo)體芯片的粘接中,有時(shí)使用具有高導(dǎo)熱性的粘接劑。以 往,作為該粘接劑,使用了在粘接劑之中導(dǎo)熱系數(shù)較高的銀糊劑。
[0004] 然而,近年來,由于智能手機(jī)、平板電腦的普及、高性能化,隨著半導(dǎo)體裝置的輕 薄、短小化的推進(jìn),對于銀糊劑而言,出現(xiàn)了半導(dǎo)體裝置的組裝困難的狀況。
[0005] 具體而言,在智能手機(jī)、平板電腦的用途中使用了封裝體,所述封裝體使用了芯片 面積小、薄的半導(dǎo)體芯片。然而,想要利用糊劑狀的粘接劑來粘接這樣的半導(dǎo)體芯片時(shí),會(huì) 發(fā)生如下的各種制造方面的問題:由于半導(dǎo)體芯片較薄而半導(dǎo)體芯片破損、或者在半導(dǎo)體 芯片的電路面有粘接劑卷入、或者半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生傾斜等。另外,在使糊劑狀的粘接劑粘接 并固化的工藝中容易產(chǎn)生空隙。因此,在半導(dǎo)體芯片與基板之間產(chǎn)生的空隙會(huì)妨礙散熱,從 而成為無法表現(xiàn)出所設(shè)計(jì)的導(dǎo)熱性(散熱性)等不良的原因。
[0006] 另一方面,以往已知有片狀的芯片接合薄膜(例如參照專利文獻(xiàn)1)。若使用這樣 的芯片接合薄膜,則能夠抑制芯片的破損、粘接劑的卷入、芯片的傾斜。然而,與銀糊劑相 t匕,以往的芯片接合薄膜在導(dǎo)熱性低的方面存在改良的余地。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)[0008] 專利文獻(xiàn)
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :日本特開2008-218571號(hào)公報(bào)
【發(fā)明內(nèi)容】
[0010] 發(fā)明要解決的問題
[0011] 作為第一課題,為了使芯片接合薄膜為高導(dǎo)熱性,例如需要大量填充地配混高導(dǎo) 熱性的導(dǎo)熱性顆粒。然而,由于大量填充導(dǎo)熱性顆粒,有時(shí)會(huì)在各種特性中產(chǎn)生缺點(diǎn)。即,半 導(dǎo)體芯片大多貼合于印刷電路板等在某種程度上表面凹凸大的物體而使用,在芯片接合薄 膜中大量填充了導(dǎo)熱性顆粒的狀態(tài)下,由于導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的相互作用,芯片接合薄膜 的粘度變高,從而產(chǎn)生流動(dòng)性降低、無法充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸之類的問題。
[0012] 含有樹脂的芯片接合薄膜通常在施加剪切應(yīng)力時(shí)粘度會(huì)降低。尤其在以高速(例 如剪切速率為20?100秒H左右)施加剪切應(yīng)力時(shí),粘度會(huì)大幅降低。因此,存在如下方 法:將芯片接合薄膜貼附于基板時(shí),通過施加壓力而使其產(chǎn)生高速剪切應(yīng)力,使粘度降低, 從而使其追隨基板的凹凸。然而,在芯片接合薄膜中大量填充了導(dǎo)熱性顆粒的狀態(tài)下,存在 如下問題:即使施加壓力而使其產(chǎn)生剪切應(yīng)力,有時(shí)粘度也不會(huì)充分地降低,芯片接合薄膜 無法充分地追隨基板的凹凸。
[0013] 而且,在芯片接合薄膜無法追隨基板的凹凸的情況下,芯片接合薄膜與基板之間 會(huì)產(chǎn)生空隙。芯片接合薄膜與基板之間有空隙時(shí),存在如下問題:除了如前述那樣地產(chǎn)生散 熱性降低的問題之外,還可能產(chǎn)生可靠性降低、在回流焊工序中發(fā)生與被粘物的剝離等的 問題。
[0014] 第一本發(fā)明是鑒于前述問題點(diǎn)而作出的,其目的在于,提供導(dǎo)熱性高且貼附于被 粘物時(shí)能夠充分地追隨被粘物的凹凸的熱固型芯片接合薄膜、使用了該熱固型芯片接合薄 膜的帶切割片的芯片接合薄膜、以及使用了該帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制 造方法。
[0015] 作為第二課題,為了使芯片接合薄膜為高導(dǎo)熱性,例如需要大量填充地配混高導(dǎo) 熱性的導(dǎo)熱性顆粒。然而,由于大量填充導(dǎo)熱性顆粒,有時(shí)會(huì)在各種特性中產(chǎn)生缺點(diǎn)。艮P, 半導(dǎo)體芯片大多貼合于印刷電路板等在某種程度上表面凹凸大的物體而使用,在芯片接合 薄膜中大量填充了導(dǎo)熱性顆粒的狀態(tài)下,由于導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的相互作用,芯片接合薄 膜的粘度變高,從而產(chǎn)生流動(dòng)性降低、無法充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸之類的問 題。而且,在芯片接合薄膜無法追隨基板的凹凸的情況下,芯片接合薄膜與基板之間會(huì)產(chǎn)生 空隙。芯片接合薄膜與基板之間有空隙時(shí),存在如下問題:除了如前述那樣地產(chǎn)生散熱性降 低的問題之外,還可能產(chǎn)生可靠性降低、在回流焊工序中發(fā)生與被粘物的剝離等的問題。
[0016] 第二本發(fā)明是鑒于前述問題點(diǎn)而作出的,其目的在于,提供導(dǎo)熱性高且粘度低的 熱固型芯片接合薄膜、使用了該熱固型芯片接合薄膜的帶切割片的芯片接合薄膜、以及使 用了該帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0017] 作為第三課題,為了使芯片接合薄膜為高導(dǎo)熱性,例如需要大量填充地配混高導(dǎo) 熱性的導(dǎo)熱性顆粒。然而,由于大量填充導(dǎo)熱性顆粒,有時(shí)會(huì)在各種特性中產(chǎn)生缺點(diǎn)。艮P, 半導(dǎo)體芯片大多貼合于印刷電路板等在某種程度上表面凹凸大的物體而使用,在芯片接合 薄膜中大量填充了導(dǎo)熱性顆粒的狀態(tài)下,由于導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的相互作用,芯片接合薄 膜的粘度變高,從而產(chǎn)生流動(dòng)性降低、無法充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸之類的問 題。而且,在芯片接合薄膜無法追隨基板的凹凸的情況下,芯片接合薄膜與基板之間會(huì)產(chǎn)生 空隙。芯片接合薄膜與基板之間有空隙時(shí),存在如下問題:除了如前述那樣地產(chǎn)生散熱性降 低的問題之外,還可能產(chǎn)生可靠性降低、在回流焊工序中發(fā)生與被粘物的剝離等的問題。
[0018] 第三本發(fā)明是鑒于前述問題點(diǎn)而作出的,其目的在于,提供導(dǎo)熱性高且能夠良好 地追隨被粘物的凹凸的熱固型芯片接合薄膜、使用了熱固型芯片接合薄膜的帶切割片的芯 片接合薄膜、以及半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0019] 作為第四課題,為了使芯片接合薄膜為高導(dǎo)熱性,例如需要大量填充地配混高導(dǎo) 熱性的導(dǎo)熱性顆粒。然而,使用相對于芯片接合薄膜的厚度的粒徑小的導(dǎo)熱性顆粒時(shí),由于 導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的相互作用,芯片接合薄膜的粘度變高,從而產(chǎn)生流動(dòng)性降低、芯片接合 薄膜無法充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸的問題。而且,在芯片接合薄膜無法追隨基 板的凹凸的情況下,芯片接合薄膜與基板之間會(huì)產(chǎn)生空隙。
[0020] 另一方面,使用相對于芯片接合薄膜的厚度的粒徑大的導(dǎo)熱性顆粒時(shí),芯片接合 薄膜的表面的凹凸變大,在貼合于印刷電路板等基板時(shí),芯片接合薄膜與基板之間會(huì)產(chǎn)生 空隙。芯片接合薄膜與基板之間有空隙時(shí),存在如下問題:除了如前述那樣地產(chǎn)生散熱性降 低的問題之外,還可能產(chǎn)生可靠性降低、在回流焊工序中發(fā)生與被粘物的剝離等的問題。
[0021] 第四本發(fā)明是鑒于前述問題點(diǎn)而作出的,其目的在于,提供導(dǎo)熱性高且貼合于被 粘物時(shí)能夠抑制與被粘物之間產(chǎn)生空隙的熱固型芯片接合薄膜、使用了該熱固型芯片接合 薄膜的帶切割片的芯片接合薄膜、以及使用了該帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的 制造方法。
[0022] 作為第五課題,為了使芯片接合薄膜為高導(dǎo)熱性,例如需要大量填充地配混高導(dǎo) 熱性的導(dǎo)熱性顆粒。然而,由于大量填充導(dǎo)熱性顆粒,有時(shí)會(huì)在各種特性中產(chǎn)生缺點(diǎn)。艮P, 半導(dǎo)體芯片大多貼合于印刷電路板等在某種程度上表面凹凸大的物體而使用,在芯片接合 薄膜中大量填充了導(dǎo)熱性顆粒的狀態(tài)下,由于導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的相互作用,芯片接合薄 膜的粘度變高,從而產(chǎn)生流動(dòng)性降低、無法充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸之類的問 題。而且,在芯片接合薄膜無法追隨基板的凹凸的情況下,芯片接合薄膜與基板之間會(huì)產(chǎn)生 空隙。芯片接合薄膜與基板之間有空隙時(shí),存在如下問題:除了如前述那樣地產(chǎn)生散熱性降 低的問題之外,還可能產(chǎn)生可靠性降低、在回流焊工序中發(fā)生與被粘物的剝離等的問題。
[0023] 第五本發(fā)明是鑒于前述問題點(diǎn)而進(jìn)行的,其目的在于,提供即使在芯片接合薄膜 與被粘物之間產(chǎn)生空隙,也能夠降低由空隙造成的影響的半導(dǎo)體裝置的制造方法。
[0024] 用于解決問題的方案
[0025] 本申請發(fā)明人等為了解決上述第一課題而對熱固型芯片接合薄膜進(jìn)行了研究。其 結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過采用下述的技術(shù)方案,能夠提高導(dǎo)熱性、且在貼附于被粘物時(shí)充分地追隨被 粘物的凹凸,從而完成了第一本發(fā)明。
[0026] S卩,第一本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜的特征在于,
[0027] 其在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,
[0028] 其含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K 以上的導(dǎo)熱性顆粒,
[0029] 所述熱固型芯片接合薄膜在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度為 200Pa·s以下。
[0030] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上 的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m*K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù) 為lW/m·K以上,因此使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。
[0031] 另外,由于在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度、S卩130°C下的高速剪 切時(shí)的熔融粘度為200Pa·s以下,因此,通過將熱固型芯片接合薄膜貼附于被粘物時(shí)的壓 力,熱固型芯片接合薄膜的粘度降低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、 能夠抑制空隙的發(fā)生。
[0032] 在前述技術(shù)方案中,前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑優(yōu)選為1μm以上且10μm以下。
[0033] 通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接合薄膜 對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性。另外,通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為 10μm以下,能夠使添加導(dǎo)熱性顆粒而帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。另外,通過使前 述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為10μm以下,能夠減薄熱固型芯片接合薄膜的厚度,進(jìn)而能夠 將半導(dǎo)體芯片高層疊化,并且能夠防止因?qū)嵝灶w粒從熱固型芯片接合薄膜上突出而產(chǎn)生 芯片裂紋。
[0034] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,含有熱塑性樹脂和熱固性樹脂,
[0035] 將前述熱固性樹脂的含有重量份記為A、將前述熱塑性樹脂的含有重量份記為B 時(shí),A/B為5以上。
[0036] 含有熱塑性樹脂和熱固性樹脂,將前述熱固性樹脂的含有重量份記為A、將前熱塑 性樹脂的含有重量份記為B時(shí),若A/B為5以上,則容易降低在130°C下以50秒4的剪切 速率測定的熔融粘度。
[0037] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述熱固性樹脂包含軟化點(diǎn)為KKTC以下的熱固性 樹脂。
[0038] 前述熱固性樹脂若包含軟化點(diǎn)為KKTC以下的熱固性樹脂,則對熱固型芯片接合 薄膜施加低速剪切應(yīng)力(例如5秒H的剪切速率)時(shí)在130°C下的熔融粘度、即不施加壓 力的狀態(tài)的熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度容易降低。其結(jié)果,即使在施加高速 剪切應(yīng)力時(shí)粘度的降低量少的情況下,也能夠充分地追隨被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的 產(chǎn)生。
[0039] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述熱固性樹脂包含在室溫下呈液態(tài)的熱固性樹 脂。
[0040] 前述熱固性樹脂包含在室溫下呈液態(tài)的熱固性樹脂時(shí),能夠更充分地追隨被粘物 的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。需要說明的是,在室溫下呈液態(tài)是指以5秒4的剪切速率測 定的23?下的粘度為1?50萬mPa·s。
[0041] 另外,第一本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0042] 準(zhǔn)備前述所述的熱固型芯片接合薄膜的工序;以及
[0043] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0044] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于前述熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄 膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄 膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,因此使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體 裝置的散熱性優(yōu)異。
[0045] 另外,由于在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度、S卩130°C下的高速剪 切時(shí)的熔融粘度為200Pa·s以下,因此,通過將熱固型芯片接合薄膜貼附于被粘物時(shí)的壓 力,熱固型芯片接合薄膜的粘度降低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、 能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0046]另外,第一本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜為了解決前述的課題,其特征在于, 在切割片上層疊有前述所述的熱固型芯片接合薄膜,所述切割片在基材上層疊有粘合劑 層。
[0047] 另外,第一本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0048] 準(zhǔn)備前述所述的帶切割片的芯片接合薄膜的工序;
[0049] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0050] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0051] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜拾取的拾取工序;以及
[0052] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0053] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上 的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m*K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù) 為lW/m·K以上,因此使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。
[0054] 另外,由于前述熱固型芯片接合薄膜在130°C下高速剪切時(shí)的熔融粘度、即在 130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度為200Pa·s以下,因此,通過將熱固型芯片 接合薄膜貼附于被粘物時(shí)的壓力,熱固型芯片接合薄膜的粘度降低。因此,能夠充分地追隨 印刷電路板等被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0055] 另外,本申請發(fā)明人等為了解決上述第二課題而對熱固型芯片接合薄膜進(jìn)行了研 究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過采用下述的技術(shù)方案,能夠提高導(dǎo)熱性、且降低粘度,從而完成了第二 本發(fā)明。
[0056] S卩,第二本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜的特征在于,
[0057] 其在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,
[0058] 130°C下的熔融粘度在IOPa·s?300Pa·s的范圍內(nèi)。
[0059] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·Κ以上,因此使用該熱固 型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。另外,130°C下的熔融粘度在IOPa*S? 300Pa*s的范圍內(nèi),維持薄膜的形狀且粘度較低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘 物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0060] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量% 以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒。
[0061] 含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以 上的導(dǎo)熱性顆粒時(shí),使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。
[0062] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為Ιμ--以上且10 μ-- 以下。
[0063] 通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接合薄膜 對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性,通過為10μm以下,能夠使添加導(dǎo)熱性顆粒而 帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。
[0064] 另外,第二本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0065] 準(zhǔn)備前述所述的熱固型芯片接合薄膜的工序;以及
[0066] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0067] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于前述熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為IW/ m·K以上,因此,使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。另外,由于 前述熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度為IOPa·s?300Pa·s的范圍內(nèi),因此維 持薄膜的形狀且粘度較低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸、能夠抑制空隙 的產(chǎn)生。
[0068]另外,第二本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜為了解決前述的課題,其特征在于, 在切割片上層疊有前述所述的熱固型芯片接合薄膜,所述切割片在基材上層疊有粘合劑 層。
[0069] 另外,第二本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0070] 準(zhǔn)備前述所述的帶切割片的芯片接合薄膜的工序;
[0071] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0072] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0073] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜拾取的拾取工序;以及
[0074] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0075] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于前述熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為IW/ m·Κ以上,因此使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。另外,由于前 述熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度為IOPa·s?300Pa·s的范圍內(nèi),因此維持 薄膜的形狀且粘度較低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等基板的凹凸、能夠抑制空隙的 產(chǎn)生。
[0076]另外,本申請發(fā)明人等為了解決上述第三課題,針對熱固型芯片接合薄膜進(jìn)行了 研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過采用下述的技術(shù)方案,導(dǎo)熱性高、且能夠良好地追隨被粘物的凹凸, 從而完成了第三本發(fā)明。
[0077] 第三本發(fā)明涉及一種熱固型芯片接合薄膜:其包含導(dǎo)熱性顆粒,上述導(dǎo)熱性顆粒 的平均粒徑為3μm?7μm,比表面積為lm2/g?3m2/g,上述導(dǎo)熱性顆粒的含量相對于熱固 型芯片接合薄膜整體為75重量%以上。
[0078] 第三本發(fā)明中,將導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑設(shè)定得較大、將比表面積設(shè)定得較小。由 此,能夠提高通常的芯片接合溫度(120°C?130°C)等下的流動(dòng)性。其結(jié)果,能夠得到良好 的凹凸追隨性。另外,通過以較高的程度填充導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,能 夠得到高導(dǎo)熱性。
[0079] 上述導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)選為12W/m·K以上。由此,能夠得到高導(dǎo)熱性。
[0080] 上述熱固型芯片接合薄膜的熱阻優(yōu)選為30XKr6Hi2 ·κ/w以下。
[0081] 上述導(dǎo)熱性顆粒優(yōu)選為選自由氫氧化鋁顆粒、氧化鋅顆粒、氮化鋁顆粒、氮化硅顆 粒、碳化硅顆粒、氧化鎂顆粒以及氮化硼顆粒組成的組中的至少1種。它們?nèi)菀椎玫綄?dǎo)熱性 高、球形度高的顆粒。
[0082] 第三本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其包括如下工序:準(zhǔn)備上述熱固 型芯片接合薄膜的工序;以及,夾著上述熱固型芯片接合薄膜,將半導(dǎo)體芯片芯片接合到被 粘物上的工序。
[0083] 第三本發(fā)明還涉及一種帶切割片的芯片接合薄膜,其在切割片上層疊有上述熱固 型芯片接合薄膜,所述切割片在基材上層疊有粘合劑層。
[0084] 第三本發(fā)明還涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其包括如下工序:準(zhǔn)備上述帶切 割片的芯片接合薄膜的工序;將上述帶切割片的芯片接合薄膜的上述熱固型芯片接合薄膜 與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行貼合的工序;將上述半導(dǎo)體晶圓與上述熱固型芯片接合薄膜一起 進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo)體芯片的工序;將上述半導(dǎo)體芯片與上述熱固型芯片接合薄 膜一起從上述帶切割片的芯片接合薄膜拾取的工序;以及,夾著上述熱固型芯片接合薄膜, 將上述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的工序。
[0085] 另外,本申請發(fā)明人等為了解決上述第四課題,對熱固型芯片接合薄膜進(jìn)行了研 究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過采用下述的技術(shù)方案,能夠提高導(dǎo)熱性且能夠抑制貼合于被粘物時(shí)與 被粘物之間產(chǎn)生空隙,從而完成了第四本發(fā)明。
[0086] 即,第四本發(fā)明的熱固型芯片接合薄膜的特征在于,
[0087] 其含有導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,
[0088] 該熱固型芯片接合薄膜的熱阻為30X1(Γ6πι2 ·K/W以下,
[0089] 將熱固型芯片接合薄膜的厚度記為C、將前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑記為D時(shí),C/ D為4?30的范圍內(nèi)。
[0090] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于含有導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,因此導(dǎo)熱 性優(yōu)異。另外,由于熱阻為3〇Xi(r6m2 ·κ/w以下,因此,能夠?qū)雽?dǎo)體芯片所放出的熱有效 地散熱到被粘物側(cè)。
[0091] 另外,將前述熱固型芯片接合薄膜的厚度記為C、將前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑記 為D時(shí),C/D為4以上,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的厚度,小于一 定程度。因此,能夠抑制固化型芯片接合薄膜的表面產(chǎn)生大的凹凸。
[0092] 另外,前述C/D為30以下,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的 厚度,具有某種程度的大小。因此,粘度的上升受到抑制,能夠抑制貼合于被粘物時(shí)與被粘 物之間產(chǎn)生空隙。
[0093] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為Ιμ--以上且10μ-- 以下。
[0094] 通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接合薄膜 對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性,通過為10μm以下,能夠使添加導(dǎo)熱性顆粒而 帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。
[0095] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,熱固型芯片接合薄膜的厚度為60μm以下。
[0096] 熱固型芯片接合薄膜的厚度為60μm以下時(shí),能夠?qū)碜园雽?dǎo)體芯片的熱有效地 放出至外部。因此,能夠提高使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性。[0097] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述導(dǎo)熱性顆粒的含量相對于熱固型芯片接合薄 膜整體為75重量%以上。
[0098] 前述導(dǎo)熱性顆粒的含量相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上時(shí),使 用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。
[0099] 另外,第四本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0100] 準(zhǔn)備前述所述的熱固型芯片接合薄膜的工序;以及
[0101] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0102] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于前述熱固型芯片接合薄膜含有導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上 的導(dǎo)熱性顆粒,因此導(dǎo)熱性優(yōu)異。因此,使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散 熱性優(yōu)異。另外,由于前述熱固型芯片接合薄膜的熱阻為30Xl(T6m2·K/W以下,因此能夠 將來自半導(dǎo)體芯片的熱有效地散熱到被粘物側(cè)。
[0103] 另外,將前述熱固型芯片接合薄膜的厚度記為C、將前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑記 為D時(shí),C/D為4以上,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的厚度,小于一 定程度。因此,能夠抑制固化型芯片接合薄膜的表面產(chǎn)生大的凹凸。
[0104] 另外,前述C/D為30以下,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的 厚度,具有某種程度的大小。因此,粘度的上升受到抑制,能夠抑制貼合于被粘物時(shí)與被粘 物之間產(chǎn)生空隙。
[0105] 另外,第四本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜為了解決前述的課題,其特征在于, 在切割片上層疊有前述所述的熱固型芯片接合薄膜,所述切割片在基材上層疊有粘合劑 層。
[0106] 另外,第四本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0107] 準(zhǔn)備前述所述的帶切割片的芯片接合薄膜的工序;
[0108] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0109] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0110] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜拾取的拾取工序;以及
[0111] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序。
[0112] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于前述熱固型芯片接合薄膜含有導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上 的導(dǎo)熱性顆粒,因此導(dǎo)熱性優(yōu)異。因此,使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散 熱性優(yōu)異。另外,由于前述熱固型芯片接合薄膜的熱阻為30Xl(T6m2 ?K/W以下,因此,能夠 將來自半導(dǎo)體芯片的熱有效地散熱到被粘物側(cè)。
[0113] 另外,將前述熱固型芯片接合薄膜的厚度記為C、將前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑記 為D時(shí),C/D為4以上,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的厚度,小于一 定程度。因此,能夠抑制固化型芯片接合薄膜的表面產(chǎn)生大的凹凸。
[0114] 另外,前述C/D為30以下,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于熱固型芯片接合薄膜的 厚度,具有某種程度的大小。因此,粘度的上升受到抑制,能夠抑制貼合于被粘物時(shí)與被粘 物之間產(chǎn)生空隙。
[0115] 另外,本申請發(fā)明人等為了解決上述第五課題,對半導(dǎo)體裝置的制造方法進(jìn)行了 研究。其結(jié)果發(fā)現(xiàn),通過采用下述的技術(shù)方案,即使在芯片接合薄膜與基板之間產(chǎn)生了空 隙,也能夠降低由空隙導(dǎo)致的影響,從而完成了第五本發(fā)明。
[0116] 即,第五本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0117] 準(zhǔn)備熱固型芯片接合薄膜的工序,所述熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯 片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯 片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上;
[0118] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工 序;以及
[0119] 在壓力為1?20kg/cm2的條件下,將前述熱固型芯片接合薄膜在加熱溫度80? 200°C、加熱時(shí)間0. 1?24小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行加熱,由此使其熱固化的熱固化工序。
[0120] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄膜整 體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在 熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,因此具有高導(dǎo)熱性。
[0121] 另外,使前述熱固型芯片接合薄膜熱固化的熱固化工序在壓力為1?20kg/cm2的 條件下(加壓條件下)進(jìn)行。因此,假如在芯片接合工序中,即使在芯片接合薄膜與被粘物 之間產(chǎn)生了空隙,也會(huì)使其在樹脂中分散并在外觀上消失而不會(huì)膨脹。其結(jié)果,能夠降低由 空隙導(dǎo)致的影響。
[0122] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為Ιμ--以上且10μ-- 以下。
[0123] 通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接合薄膜 對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性,通過為10μm以下,能夠使添加導(dǎo)熱性顆粒而 帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。
[0124] 另外,第五本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法的特征在于,其包括如下工序:
[0125] 準(zhǔn)備在切割片上層疊有熱固型芯片接合薄膜的帶切割片的芯片接合薄膜的工序, 所述熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系 數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為IW/ m·K以上;
[0126] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0127] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0128] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜上拾取的拾取工序;
[0129] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序;以及
[0130] 在壓力為1?20kg/cm2的條件下,將前述熱固型芯片接合薄膜在加熱溫度80? 200°C、加熱時(shí)間0. 1?24小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行加熱,由此使其熱固化的熱固化工序。
[0131] 根據(jù)前述技術(shù)方案,由于熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄膜整 體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在 熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,因此具有高導(dǎo)熱性。
[0132] 另外,使前述熱固型芯片接合薄膜熱固化的熱固化工序在壓力為1?20kg/cm2的 條件下(加壓條件下)進(jìn)行。因此,假如在芯片接合工序中,即使在芯片接合薄膜與被粘物 之間產(chǎn)生了空隙,也會(huì)使其在樹脂中分散并在外觀上消失而不會(huì)膨脹。其結(jié)果,能夠降低由 空隙導(dǎo)致的影響。
[0133] 另外,由于在切割片上預(yù)先層疊有熱固型芯片接合薄膜,因此能夠省略在切割片 上貼附熱固型芯片接合薄膜的工序。
[0134] 在前述技術(shù)方案中,優(yōu)選的是,前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為Ιμ--以上且10μ-- 以下。
[0135] 通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接合薄膜 對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性,通過為10μm以下,能夠使添加導(dǎo)熱性顆粒而 帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。
【專利附圖】
【附圖說明】
[0136] 圖1為表示第一本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶切割片的芯片接合薄膜的剖面示意 圖。
[0137]圖2為表示第一本發(fā)明的其它實(shí)施方式的帶切割片的芯片接合薄膜的剖面示意 圖。
[0138] 圖3為用于說明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的一個(gè)制造方法的剖面示意圖。
[0139] 附圖標(biāo)記說明
[0140] 1 基材
[0141] 2 粘合劑層
[0142] 3、3' 芯片接合薄膜(熱固型芯片接合薄膜)
[0143] 4 半導(dǎo)體晶圓
[0144] 5 半導(dǎo)體芯片
[0145]6 被粘物
[0146] 7 接合引線
[0147] 8 封裝樹脂
[0148] 10、12 帶切割片的芯片接合薄膜
[0149] 11 切割片
【具體實(shí)施方式】
[0150](帶切割片的芯片接合薄膜)
[0151] 以下對第一本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的熱固型芯片接合薄膜(以下也稱為"芯片接 合薄膜")以及帶切割片的芯片接合薄膜進(jìn)行說明。本實(shí)施方式的芯片接合薄膜可列舉出: 在以下說明的帶切割片的芯片接合薄膜中未貼合切割片的狀態(tài)的芯片接合薄膜。因此,以 下對帶切割片的芯片接合薄膜進(jìn)行說明,關(guān)于芯片接合薄膜在其中進(jìn)行說明。圖1為表示 第一本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的帶切割片的芯片接合薄膜的剖面示意圖。圖2為表示第一本 發(fā)明的其它實(shí)施方式的其它帶切割片的芯片接合薄膜的剖面示意圖。
[0152] 如圖1所示,帶切割片的芯片接合薄膜10具備在切割片11上層疊有熱固型芯片 接合薄膜3的構(gòu)成。切割片11是在基材1上層疊粘合劑層2而構(gòu)成的,芯片接合薄膜3設(shè) 置在該粘合劑層2上。另外,第一本發(fā)明可以為如圖2所示的帶切割片的芯片接合薄膜12 那樣地、僅在工件貼附部分形成有芯片接合薄膜3'的構(gòu)成。
[0153]前述基材1具有紫外線透射性,且成為帶切割片的芯片接合薄膜10、12的強(qiáng)度 基體。例如可列舉出低密度聚乙烯、直鏈狀聚乙烯、中密度聚乙烯、高密度聚乙烯、超低密 度聚乙烯、無規(guī)共聚聚丙烯、嵌段共聚聚丙烯、均聚丙烯、聚丁烯、聚甲基戊烯等聚烯烴;乙 烯-醋酸乙烯酯共聚物、離聚物樹脂、乙烯-(甲基)丙烯酸共聚物、乙烯-(甲基)丙烯酸 酯(無規(guī)、交替)共聚物、乙烯-丁烯共聚物、乙烯-己烯共聚物、聚氨酯、聚對苯二甲酸乙二 醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯等聚酯;聚碳酸酯、聚酰亞胺、聚醚醚酮、聚酰亞胺、聚醚酰亞胺、 聚酰胺、全芳香族聚酰胺、聚苯硫醚、芳綸(紙)、玻璃、玻璃布、氟樹脂、聚氯乙烯、聚偏二氯 乙烯、纖維素系樹脂、硅樹脂、金屬(箔)、紙等。
[0154] 另外,作為基材1的材料,可列舉出前述樹脂的交聯(lián)體等聚合物。前述塑料薄膜可 以無拉伸地使用,也可以根據(jù)需要使用實(shí)施了單軸或雙軸的拉伸處理的塑料薄膜。若利用 通過拉伸處理等而賦予了熱收縮性的樹脂片,通過在切割后使該基材1熱收縮而降低粘合 劑層2與芯片接合薄膜3、3'的粘接面積,能夠?qū)崿F(xiàn)半導(dǎo)體芯片的回收的容易化。
[0155] 為了提高與相鄰的層的密合性、保持性等,基材1的表面可以實(shí)施慣用的表面處 理,例如鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等化學(xué)處理或物 理處理;利用底涂劑(例如后述的粘合物質(zhì))的涂布處理。前述基材1可以適當(dāng)選擇使用 同種或不同種的基材,可以根據(jù)需要使用共混有數(shù)種而得到的基材。
[0156] 對基材1的厚度沒有特別限定,可以適當(dāng)決定,通常為5?200μm左右。
[0157] 作為用于形成粘合劑層2的粘合劑,沒有特別限定,例如可以使用丙烯酸類粘合 齊IJ、橡膠類粘合劑等通常的壓敏性粘合劑。作為前述壓敏性粘合劑,從半導(dǎo)體晶圓、玻璃等 怕污染的電子部件的利用超純水、醇等有機(jī)溶劑的清潔清洗性等方面出發(fā),優(yōu)選以丙烯酸 類聚合物為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類粘合劑。
[0158] 作為前述丙烯酸類聚合物,例如可列舉出:將(甲基)丙烯酸烷基酯(例如甲酯、 乙酯、丙酯、異丙酯、丁酯、異丁酯、仲丁酯、叔丁酯、戊酯、異戊酯、己酯、庚酯、辛酯、2-乙基 己酯、異辛酯、壬酯、癸酯、異癸酯、十一烷基酯、十二烷基酯、十三烷基酯、十四烷基酯、十六 烷基酯、十八烷基酯、二十烷基酯等烷基的碳數(shù)1?30、尤其是碳數(shù)4?18的直鏈狀或支鏈 狀的烷基酯等)以及(甲基)丙烯酸環(huán)烷基酯(例如環(huán)戊酯、環(huán)己酯等)中的1種或兩種 以上用作單體成分的丙烯酸類聚合物等。需要說明的是,(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯 和/或甲基丙烯酸酯,第一本發(fā)明的(甲基)全部為相同的意義。
[0159] 出于內(nèi)聚力、耐熱性等改性的目的,前述丙烯酸類聚合物可以根據(jù)需要包含對應(yīng) 于能夠與前述(甲基)丙烯酸烷基酯或環(huán)烷基酯共聚的其它單體成分的單元。作為這樣的 單體成分,例如可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、(甲基)丙烯酸羧基乙酯、(甲基)丙烯酸羧 基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸、巴豆酸等含羧基的單體;馬來酸酐、衣康酸酐等酸酐單體; (甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁 酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、(甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥 基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基月桂酯、(甲基)丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等 含羥基的單體;苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙 烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺基丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等含磺酸基的單體; 2-羥基乙基丙烯酰磷酸酯等含磷酸基的單體;丙烯酰胺、丙烯腈等。這些能夠共聚的單體 成分可以使用1種或兩種以上。這些能夠共聚的單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的40重 量%以下。
[0160]進(jìn)而,前述丙烯酸類聚合物為了進(jìn)行交聯(lián),也可以根據(jù)需要包含多官能性單體等 作為共聚用單體成分。作為這樣的多官能性單體,例如可列舉出己二醇二(甲基)丙烯酸 酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲 基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇 三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、環(huán)氧(甲基)丙烯酸酯、聚酉旨(甲 基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯等。這些多官能性單體也可以使用1種或兩 種以上。從粘合特性等方面出發(fā),多官能性單體的用量優(yōu)選為全部單體成分的30重量%以 下。
[0161] 前述丙烯酸類聚合物可以通過使單一單體或兩種以上的單體混合物聚合而得到。 聚合也可以以溶液聚合、乳液聚合、本體聚合、懸浮聚合等任意方式來進(jìn)行。從防止對清潔 的被粘物的污染等的方面出發(fā),優(yōu)選低分子量物質(zhì)的含量少。從這一點(diǎn)出發(fā),丙烯酸類聚合 物的數(shù)均分子量優(yōu)選為10萬以上、進(jìn)一步優(yōu)選為20萬?300萬左右、特別優(yōu)選為30萬? 100萬左右。
[0162] 另外,在前述粘合劑中,為了提高作為基礎(chǔ)聚合物的丙烯酸類聚合物等的數(shù)均分 子量,也可以適當(dāng)采用外部交聯(lián)劑。作為外部交聯(lián)方法的具體手段,可列舉出:添加多異氰 酸酯化合物、環(huán)氧化合物、氮丙啶化合物、三聚氰胺系交聯(lián)劑等所謂的交聯(lián)劑并使其反應(yīng)的 方法。使用外部交聯(lián)劑時(shí),其用量根據(jù)其與要交聯(lián)的基礎(chǔ)聚合物的平衡、進(jìn)而根據(jù)作為粘合 劑的使用用途來適當(dāng)決定。通常優(yōu)選的是,相對于前述基體聚合物100重量份,配混5重量 份左右以下、進(jìn)而0. 1?5重量份。進(jìn)而,在粘合劑中,根據(jù)需要,除了前述成分之外,也可 以使用以往公知的各種賦粘劑、防老劑等添加劑。
[0163] 粘合劑層2可以利用放射線固化型粘合劑來形成。放射線固化型粘合劑可以通過 照射紫外線等放射線而使交聯(lián)度增加、使其粘合力容易地降低,通過僅對圖2所示的粘合 劑層2的與工件貼附部分相對應(yīng)的部分2a照射放射線,能夠設(shè)置與其它部分2b的粘合力 之差。
[0164]另外,通過根據(jù)圖2所示的芯片接合薄膜3'來使放射線固化型的粘合劑層2進(jìn)行 固化,能夠容易地形成粘合力顯著降低的前述部分2a。由于芯片接合薄膜3'貼附在固化并 且粘合力降低的前述部分2a處,因此粘合劑層2的前述部分2a與芯片接合薄膜3'的界面 具備在拾取時(shí)會(huì)容易地剝離的性質(zhì)。另一方面,未照射放射線的部分具有充分的粘合力,形 成前述部分2b。需要說明的是,對粘合劑層照射放射線可以在切割之后且拾取之前進(jìn)行。
[0165] 如前所述,在圖1所示的帶切割片的芯片接合薄膜10的粘合劑層2中,由未固化 的放射線固化型粘合劑形成的前述部分2b與芯片接合薄膜3粘合,可以確保切割時(shí)的保持 力。這樣,放射線固化型粘合劑能夠粘接/剝離的平衡良好地支撐用于將芯片狀工件(半 導(dǎo)體芯片等)固定在基板等被粘物上的芯片接合薄膜3。在圖2所示的帶切割片的芯片接 合薄膜11的粘合劑層2中,前述部分2b可以固定晶圓環(huán)。
[0166] 放射線固化型粘合劑只要具有碳-碳雙鍵等放射線固化性的官能團(tuán)且顯示粘合 性,就可以沒有特別限制地使用。作為放射線固化型粘合劑,例如可例示出在前述丙烯酸類 粘合劑、橡膠類粘合劑等通常的壓敏性粘合劑中配混放射線固化性的單體成分、低聚物成 分而成的添加型放射線固化型粘合劑。
[0167] 作為所配混的放射線固化性的單體成分,例如可列舉出氨基甲酸酯低聚物、氨基 甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基甲烷四(甲基)丙 烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五 (甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯等。 另外,放射線固化性的低聚物成分可列舉出氨基甲酸酯系、聚醚系、聚酯系、聚碳酸酯系、聚 丁二烯系等各種低聚物,其分子量在100?30000左右的范圍內(nèi)是適當(dāng)?shù)摹7派渚€固化性 的單體成分、低聚物成分的配混量可以根據(jù)前述粘合劑層的種類來適當(dāng)決定能夠降低粘合 劑層的粘合力的量。通常,相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份, 例如為5?500重量份、優(yōu)選為40?150重量份左右。
[0168] 另外,作為放射線固化型粘合劑,除了前述說明的添加型放射線固化型粘合劑之 夕卜,還可列舉出使用了在聚合物側(cè)鏈或主鏈中或者在主鏈末端具有碳-碳雙鍵的聚合物作 為基礎(chǔ)聚合物的內(nèi)在型放射線固化型粘合劑。內(nèi)在型放射線固化型粘合劑不需要含有或不 大量含有屬于低分子成分的低聚物成分等,因此,低聚物成分等不會(huì)經(jīng)時(shí)地在粘合劑層中 移動(dòng),能夠形成層結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的粘合劑層,故而優(yōu)選。
[0169] 前述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合物可以沒有特別限制地使用具有碳-碳雙鍵且具 有粘合性的聚合物。作為這樣的基礎(chǔ)聚合物,優(yōu)選以丙烯酸類聚合物作為基本骨架。作為 丙烯酸類聚合物的基本骨架,可列舉出前述例示出的丙烯酸類聚合物。
[0170] 對向前述丙烯酸類聚合物中導(dǎo)入碳-碳雙鍵的方法沒有特別限定,可以采用各種 方法,從分子設(shè)計(jì)的方面來看,將碳-碳雙鍵導(dǎo)入聚合物側(cè)鏈?zhǔn)侨菀椎摹@缈闪信e出如下 方法:預(yù)先使丙烯酸類聚合物與具有官能團(tuán)的單體進(jìn)行共聚,然后使具有能夠與該官能團(tuán) 反應(yīng)的官能團(tuán)和碳-碳雙鍵的化合物在維持碳-碳雙鍵的放射線固化性的狀態(tài)下進(jìn)行縮聚 或加成反應(yīng)的方法。
[0171] 作為這些官能團(tuán)的組合的例子,可列舉出羧酸基與環(huán)氧基、羧酸基與氮丙啶基、羥 基與異氰酸酯基等。這些官能團(tuán)的組合之中,從追蹤反應(yīng)的容易程度出發(fā),羥基與異氰酸 酯基的組合是適宜的。另外,只要是通過這些官能團(tuán)的組合來生成具有前述碳-碳雙鍵的 丙烯酸類聚合物這樣的組合,則官能團(tuán)可以在丙烯酸類聚合物和前述化合物中的任一側(cè), 但在前述的優(yōu)選組合中,丙烯酸類聚合物具有羥基且前述化合物具有異氰酸酯基的情況是 適宜的。此時(shí),作為具有碳-碳雙鍵的異氰酸酯化合物,例如可列舉出甲基丙烯酰基異氰酸 酯、2-甲基丙烯酰氧基乙基異氰酸酯、間異丙烯基-α,α-二甲基芐基異氰酸酯等。另外, 作為丙烯酸類聚合物,可以使用將前述例示的含羥基的單體、2-羥基乙基乙烯基醚、4-羥 基丁基乙烯基醚、二乙二醇單乙烯基醚的醚系化合物等共聚而成的聚合物。
[0172] 前述內(nèi)在型放射線固化型粘合劑可以單獨(dú)使用前述具有碳-碳雙鍵的基礎(chǔ)聚合 物(尤其是丙烯酸類聚合物),也可以在不會(huì)使特性惡化的程度下配混前述放射線固化性 的單體成分、低聚物成分。放射線固化性的低聚物成分等通常相對于基礎(chǔ)聚合物100重量 份為30重量份的范圍內(nèi),優(yōu)選為0?10重量份的范圍內(nèi)。
[0173] 前述放射線固化型粘合劑在利用紫外線等進(jìn)行固化時(shí)含有光聚合引發(fā)劑。作 為光聚合引發(fā)劑,例如可列舉出4-(2-羥基乙氧基)苯基(2-羥基-2-丙基)酮、α-羥 基-α,α二甲基苯乙酮、2-甲基-2-羥基苯丙酮、1-羥基環(huán)己基苯基酮等α-酮醇 系化合物;甲氧基苯乙酮、2, 2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、2, 2-二乙氧基苯乙酮、2-甲 基-1-[4-(甲硫基)-苯基]-2-嗎啉代丙烷-1-酮等苯乙酮系化合物;苯偶姻乙基醚、苯 偶姻異丙基醚、茴香偶姻甲基醚等苯偶姻醚系化合物;芐基二甲基縮酮等縮酮系化合物; 2_萘磺酰氯等芳香族磺酰氯系化合物;1-苯酮-1,1-丙二醇-2-(0-乙氧基羰基)肟等光 活性肟系化合物;二苯甲酮、苯甲?;郊姿?、3, 3' -二甲基-4-甲氧基二苯甲酮等二苯甲 酮系化合物;噻噸酮、2-氯代噻噸酮、2-甲基噻噸酮、2, 4-二甲基噻噸酮、異丙基噻噸酮、 2, 4-二氯代噻噸酮、2, 4-二乙基噻噸酮、2, 4-二異丙基噻噸酮等噻噸酮系化合物;樟腦醌; 鹵代酮;?;趸ⅲ货;⑺狨サ?。光聚合引發(fā)劑的配混量相對于構(gòu)成粘合劑的丙烯酸 類聚合物等基礎(chǔ)聚合物100重量份,例如為〇. 05?20重量份左右。
[0174] 另外,作為放射線固化型粘合劑,例如可列舉出日本特開昭60-196956號(hào)公報(bào)中 公開的、含有具有2個(gè)以上不飽和鍵的加成聚合性化合物、具有環(huán)氧基的烷氧基硅烷等光 聚合性化合物與羰基化合物、有機(jī)硫化合物、過氧化物、胺、鎗鹽系化合物等光聚合引發(fā)劑 的橡膠類粘合劑、丙烯酸類粘合劑等。
[0175]前述放射線固化型的粘合劑層2中,根據(jù)需要,也可以含有利用放射線照射而著 色的化合物。通過在粘合劑層2中包含利用放射線照射而著色的化合物,能夠僅將進(jìn)行了 放射線照射的部分著色。即,能夠?qū)D1所示的與工件貼附部分3a相對應(yīng)的部分2a著色。 因此,能夠通過目視直接判斷是否對粘合劑層2進(jìn)行了放射線照射,容易識(shí)別工件貼附部 分3a,容易貼合工件。另外,利用光傳感器等檢測半導(dǎo)體芯片時(shí),其檢測精度提高,在半導(dǎo)體 芯片的拾取時(shí)不會(huì)產(chǎn)生誤操作。
[0176] 利用放射線照射而著色的化合物是在照射放射線前呈無色或淺色,通過放射線照 射而變成有色的化合物。作為該化合物的優(yōu)選具體例,可列舉出隱色染料。作為隱色染料, 優(yōu)選使用慣用的三苯基甲烷系、熒烷系、吩噻嗪系、金胺系、螺吡喃系。具體而言,可列舉出 3-[N-(對甲苯基氨基)]-7-苯胺基熒烷、3-[N-(對甲苯基)-N-甲基氨基]-7-苯胺基熒 燒、3-[N_(對甲苯基)-N_乙基氨基]-7-苯胺基突燒、3-二乙基氨基-6-甲基-7-苯胺基 熒烷、結(jié)晶紫內(nèi)酯、4,4',4"_三(二甲基氨基)三苯基甲醇、4,4',4"_三(二甲基氨基) 二苯基甲燒等。
[0177]作為優(yōu)選與這些隱色染料共同使用的顯色劑,可列舉出以往以來使用的酚醛樹脂 的初始聚合物、芳香族羧酸衍生物、活性白土等電子受體,進(jìn)而,在使色調(diào)變化的情況下,也 可以組合使用各種公知的顯色劑。
[0178] 這樣的利用放射線照射而著色的化合物可以暫時(shí)溶于有機(jī)溶劑等后包含在放射 線固化型粘合劑中,或者也可以制成微粉末狀而包含在該粘合劑中。理想的是,該化合物的 使用比率在粘合劑層2中為10重量%以下、優(yōu)選為0. 01?10重量%、進(jìn)一步優(yōu)選為0. 5? 5重量%。該化合物的比率超過10重量%時(shí),對粘合劑層2照射的放射線被該化合物過度 吸收,因此粘合劑層2的前述部分2a的固化變得不充分,有時(shí)粘合力不會(huì)充分地降低。另 一方面,為了使其充分地著色,優(yōu)選使該化合物的比率為〇. 01重量%以上。
[0179] 利用放射線固化型粘合劑形成粘合劑層2時(shí),可以按照使粘合劑層2中的前述部 分2a的粘合力〈其它部分2b的粘合力的方式對粘合劑層2的一部分照射放射線。
[0180] 作為在前述粘合劑層2形成前述部分2a的方法,可列舉出:在支撐基材1上形成 放射線固化型的粘合劑層2后,對前述部分2a局部照射放射線而使其固化的方法。局部的 放射線照射可以隔著形成有與工件貼附部分3a以外的部分3b等相對應(yīng)的圖案的光掩模來 進(jìn)行。另外,可列舉出點(diǎn)狀(spot)地照射紫外線而使其固化的方法等。放射線固化型的粘 合劑層2的形成可以通過將設(shè)置在隔離膜上的粘合劑層2轉(zhuǎn)印到支撐基材1上來進(jìn)行。局 部的放射線固化也可以對設(shè)置在隔離膜上的放射線固化型的粘合劑層2進(jìn)行。
[0181]另外,利用放射線固化型粘合劑來形成粘合劑層2時(shí),使用對支撐基材1的至少單 面的、除與工件貼附部分3a相對應(yīng)的部分以外的部分的全部或一部分進(jìn)行了遮光的支撐 基材1,在形成放射線固化型的粘合劑層2后對其照射放射線,使與工件貼附部分3a相對應(yīng) 的部分固化,從而能夠形成粘合力降低的前述部分2a。作為遮光材料,可以通過在支撐薄膜 上將能夠成為光掩模的材料進(jìn)行印刷、蒸鍍等來制作。根據(jù)該制造方法,能夠高效地制造第 一本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜10。
[0182] 需要說明的是,在照射放射線時(shí),在發(fā)生因氧氣引起的固化阻礙的情況下,理想的 是,用某種方法從放射線固化型的粘合劑層2的表面隔絕氧氣(空氣)。例如可列舉出:將 前述粘合劑層2的表面用隔離膜覆蓋的方法、在氮?dú)鈿夥罩羞M(jìn)行紫外線等放射線的照射的 方法等。
[0183] 對粘合劑層2的厚度沒有特別限定,從防止芯片切斷面的缺損、粘接層的固定保 持的兼顧性等方面來看,優(yōu)選為1?50μm左右。優(yōu)選為2?30μm、進(jìn)一步優(yōu)選為5? 25μm〇
[0184] 芯片接合薄膜3、3'在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m*K以上,優(yōu)選為1.2W/m*K以 上,更優(yōu)選為I. 5W/m·K以上。由于熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上,因此使用芯片接 合薄膜3、3'制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。需要說明的是,芯片接合薄膜3、3'在熱固 化后的導(dǎo)熱系數(shù)越高越優(yōu)選,但例如為20W/m·K以下。
[0185] 第一本發(fā)明中,"熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)"是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以175°C加 熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。另外,"熱固化后的芯片接合薄膜"是指將從熱固化前的狀態(tài)(制 成芯片接合薄膜后的狀態(tài))起到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量記為100%時(shí),從 "熱固化后的芯片接合薄膜"的狀態(tài)起到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量為5%以下 的薄膜。需要說明的是,上述反應(yīng)熱量使用通過差示掃描量熱測定(DSC)而得到的值。
[0186] 另外,芯片接合薄膜3、3'在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度為 200Pa·s以下、優(yōu)選在1?200Pa·s的范圍內(nèi)、更優(yōu)選在20?185Pa·s的范圍內(nèi)。由 于在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度、S卩130°C的高速剪切時(shí)的熔融粘度為 200Pa*s以下,因此,通過將芯片接合薄膜3、3'貼附于被粘物時(shí)的壓力,熱固型芯片接合薄 膜的粘度降低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0187] 另外,芯片接合薄膜3、3'以剪切速率5秒η測定的130°C下的熔融粘度為 IOPa·s?300Pa·s的范圍內(nèi)、優(yōu)選為20Pa·s?280Pa·s的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為50Pa·s? 250Pa·s的范圍內(nèi)。由于以5秒η的剪切速率測定的130°C下的熔融粘度在IOPa·s? 300Pa*s的范圍內(nèi),因此維持薄膜的形狀且粘度較低。因此,能夠充分地追隨印刷電路板等 被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。
[0188] 另外,芯片接合薄膜3、3'含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上、 優(yōu)選含有80重量%以上、更優(yōu)選含有85重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上的導(dǎo)熱性 顆粒。另外,前述導(dǎo)熱性顆粒的含量越多越優(yōu)選,但從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā),例如為93重量% 以下。由于含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,因此使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)可以由利用X射線結(jié)構(gòu)分析而得到的導(dǎo)熱性顆粒的 晶體結(jié)構(gòu)來推測。
[0189]前述導(dǎo)熱性顆粒優(yōu)選為選自由氧化鋁顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):36W/m·K)、氧化鋅顆粒 (導(dǎo)熱系數(shù):54W/m·Κ)、氮化鋁顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):150W/m·Κ)、氮化硅顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):27W/ m·K)、碳化硅顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):200W/m·K)、氧化鎂顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):59W/m·K)、以及氮化 硼顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):60W/m·Κ)組成的組中的至少1種顆粒。尤其氧化鋁為高導(dǎo)熱系數(shù),從 分散性、獲取容易性的方面來看是優(yōu)選的。另外,氮化硼由于具有更高的導(dǎo)熱系數(shù),因此可 適宜地使用。
[0190] 導(dǎo)熱性顆粒優(yōu)選利用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行了處理(前處理)。由此,導(dǎo)熱性顆粒的分散 性變得良好、能夠使導(dǎo)熱性顆粒大量填充化。
[0191] 作為硅烷偶聯(lián)劑,優(yōu)選包含硅原子、水解性基團(tuán)以及有機(jī)官能團(tuán)的硅烷偶聯(lián)劑。
[0192] 水解性基團(tuán)鍵合于硅原子。
[0193] 作為水解性基團(tuán),例如可列舉出甲氧基、乙氧基等。其中,從水解速度快、容易處理 之類的理由出發(fā),優(yōu)選為甲氧基。
[0194] 從能夠與導(dǎo)熱性顆粒進(jìn)行交聯(lián)且硅烷偶聯(lián)劑彼此交聯(lián)、并且即使導(dǎo)熱性顆粒表面 的交聯(lián)點(diǎn)少也能夠用硅烷偶聯(lián)劑對導(dǎo)熱性顆粒整體進(jìn)行表面處理的方面出發(fā),硅烷偶聯(lián)劑 中的水解性基團(tuán)的數(shù)量優(yōu)選為2?3個(gè)、更優(yōu)選為3個(gè)。
[0195] 有機(jī)官能團(tuán)鍵合于娃原子。
[0196] 作為有機(jī)官能團(tuán),例如可列舉出包含丙烯?;?、甲基丙烯酰基、環(huán)氧基、苯基氨基 等的有機(jī)官能團(tuán)。其中,由于與環(huán)氧樹脂沒有反應(yīng)性、進(jìn)行了處理的導(dǎo)熱性顆粒的保存穩(wěn)定 性良好,因此優(yōu)選丙烯?;?。
[0197] 需要說明的是,由于具有與環(huán)氧基的反應(yīng)性高的官能團(tuán)時(shí),會(huì)與環(huán)氧樹脂發(fā)生反 應(yīng),因此保存穩(wěn)定性、流動(dòng)性降低。從抑制流動(dòng)性降低的方面出發(fā),作為有機(jī)官能團(tuán),優(yōu)選不 含伯氣基、疏基或異氛酸醋基。
[0198] 硅烷偶聯(lián)劑中的有機(jī)官能團(tuán)的數(shù)量優(yōu)選為1個(gè)。由于硅原子形成四個(gè)鍵,因此有 機(jī)官能團(tuán)多時(shí),水解基團(tuán)的數(shù)量會(huì)不足。
[0199] 娃燒偶聯(lián)劑可以進(jìn)一步包含與娃原子鍵合的燒基。通過使娃燒偶聯(lián)劑包含燒基, 可以使反應(yīng)性比甲基丙烯酰基更低,能夠防止由急劇的反應(yīng)導(dǎo)致的表面處理的偏差。作為 烷基,可列舉出甲基、二甲基等。其中,優(yōu)選為甲基。
[0200] 作為硅烷偶聯(lián)劑,具體而言,可列舉出2_(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基三甲氧基硅烷、 3_環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基三乙氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基甲 基二甲氧基硅烷、3-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙 氧基娃燒、甲基二甲氧基娃燒、甲基二乙氧基娃燒、苯基二甲氧基娃燒、苯基二乙氧基娃燒、 N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙 烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧 基丙基二乙氧基娃燒等。
[0201] 作為利用硅烷偶聯(lián)劑來處理導(dǎo)熱性顆粒的方法,沒有特別限定,可列舉出:在溶劑 中將導(dǎo)熱性顆粒與硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行混合的濕法、在氣相中對導(dǎo)熱性顆粒和硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行 處理的干法等。
[0202] 對硅烷偶聯(lián)劑的處理量沒有特別限定,優(yōu)選的是,相對于導(dǎo)熱性顆粒100重量份, 處理0. 05?5重量份的硅烷偶聯(lián)劑。
[0203] 作為前述導(dǎo)熱性顆粒的形狀,沒有特別限定,例如可以使用片狀(flake)、針狀、絲 狀、球狀、鱗片狀的顆粒,從提高分散性、填充率的方面來看,優(yōu)選為球狀。
[0204] 前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑優(yōu)選為1μm以上且10μm以下、更優(yōu)選為1. 5μm以 上且8μm以下。通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型芯片接 合薄膜對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性。另外,通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒 徑為10μm以下,能夠使通過添加導(dǎo)熱性顆粒而導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。另外,通過使 前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑在前述數(shù)值范圍內(nèi),能夠減薄熱固型芯片接合薄膜的厚度,進(jìn) 而能夠使半導(dǎo)體芯片高層疊化,并且能夠防止由于導(dǎo)熱性顆粒從熱固型芯片接合薄膜突出 而導(dǎo)致芯片裂紋的產(chǎn)生。需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑是利用光度式的粒度分布 計(jì)(H0RIBA,LTD.制、裝置名;LA-910)求出的值。
[0205] 另外,作為前述導(dǎo)熱性顆粒,可以使用平均粒徑不同的兩種以上導(dǎo)熱性顆粒。這是 因?yàn)?,通過使用平均粒徑不同的兩種以上導(dǎo)熱性顆粒,能夠容易地提高填充率。
[0206] 對芯片接合薄膜3、3'的層疊結(jié)構(gòu)沒有特別限定,例如可列舉出:僅由粘接劑層單 層形成的結(jié)構(gòu)、在芯材料的單面或兩面形成有粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)等。作為前述芯材料,可 列舉出薄膜(例如聚酰亞胺薄膜、聚酯薄膜、聚對苯二甲酸乙二醇酯薄膜、聚萘二甲酸乙二 醇酯薄膜、聚碳酸酯薄膜等)、用玻璃纖維、塑料制無紡纖維進(jìn)行了強(qiáng)化的樹脂基板、硅基板 或玻璃基板等。
[0207] 芯片接合薄膜3、3'優(yōu)選包含熱塑性樹脂、熱固性樹脂等樹脂成分。
[0208] 作為前述熱固性樹脂,可列舉出酚醛樹脂、氨基樹脂、不飽和聚酯樹脂、環(huán)氧樹脂、 聚氨酯樹脂、硅樹脂或者熱固性聚酰亞胺樹脂等。這些樹脂可以單獨(dú)使用或者組合兩種以 上使用。特別優(yōu)選為包含腐蝕半導(dǎo)體芯片的離子性雜質(zhì)等較少的環(huán)氧樹脂。另外,作為環(huán) 氧樹脂的固化劑,優(yōu)選為酚醛樹脂。
[0209] 前述環(huán)氧樹脂只要是作為芯片接合用途的粘接劑而通常使用的樹脂就沒有特別 限定,例如可以使用雙酚A型、雙酚F型、雙酚S型、溴化雙酚A型、氫化雙酚A型、雙酚AF 型、聯(lián)苯型、萘型、芴型、苯酚酚醛清漆型、鄰甲酚酚醛清漆型、三羥基苯基甲烷型、四(苯基 輕基)乙燒(Tetraphenylolethane)型等二官能環(huán)氧樹脂、多官能環(huán)氧樹脂;或者乙內(nèi)酰脲 型、三縮水甘油基異氰脲酸酯型或縮水甘油胺型等環(huán)氧樹脂。它們可以單獨(dú)使用或組合兩 種以上使用。在這些環(huán)氧樹脂之中,特別優(yōu)選為酚醛清漆型環(huán)氧樹脂、聯(lián)苯型環(huán)氧樹脂、三 羥基苯基甲烷型樹脂或四苯基乙烷型環(huán)氧樹脂。這是因?yàn)?,這些環(huán)氧樹脂富有與作為固化 劑的酚醛樹脂的反應(yīng)性,耐熱性等優(yōu)異。
[0210] 另外,前述環(huán)氧樹脂可以將在室溫(23°C)下呈固態(tài)的樹脂與在室溫(23°C)下呈 液態(tài)的樹脂這兩種組合使用。通過對在室溫下呈固態(tài)的環(huán)氧樹脂添加在室溫下呈液態(tài)的環(huán) 氧樹脂,能夠改善形成薄膜時(shí)的脆弱性、能夠提高操作性。
[0211] 進(jìn)而,前述酚醛樹脂作為前述環(huán)氧樹脂的固化劑而起作用,例如可列舉出苯酚酚 醛清漆樹脂、苯酚芳烷基樹脂、甲酚酚醛清漆樹脂、叔丁基苯酚酚醛清漆樹脂、壬基苯酚酚 醛清漆樹脂等酚醛清漆型酚醛樹脂;甲階酚醛型酚醛樹脂、聚對氧苯乙烯等聚氧苯乙烯等。 它們可以單獨(dú)使用,或者組合兩種以上使用。在這些酚醛樹脂之中,特別優(yōu)選苯酚酚醛清漆 樹脂、苯酚芳烷基樹脂。這是因?yàn)槟軌蛱岣甙雽?dǎo)體裝置的連接可靠性。
[0212] 在前述熱固性樹脂(例如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂)之中,從能夠降低在施加低速剪切 應(yīng)力(例如5秒4的剪切速率)下的熱固型芯片接合薄膜在130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出 發(fā),優(yōu)選軟化點(diǎn)為l〇〇°C以下的樹脂。
[0213] 另外,在前述熱固性樹脂(例如環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂)之中,優(yōu)選包含在室溫下呈 液態(tài)的樹脂。含有多種熱固性樹脂時(shí),至少一種熱固性樹脂在室溫下呈液態(tài)即可。前述熱 固性樹脂包含在室溫下呈液態(tài)的樹脂時(shí),能夠更加充分地追隨被粘物的凹凸,能夠抑制空 隙的發(fā)生。
[0214] 需要說明的是,環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK7234-1986中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。另外,酚醛樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK6910-2007中規(guī)定的環(huán)球法來測定。
[0215] 關(guān)于前述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配混比例,例如,適宜的是,以酚醛樹脂中的羥基 相對于前述環(huán)氧樹脂成分中的環(huán)氧基1當(dāng)量為〇. 5?2. 0當(dāng)量的方式進(jìn)行配混。更適宜為 0. 8?1. 2當(dāng)量。即,這是因?yàn)?,兩者的配混比例偏離前述范圍時(shí),不會(huì)進(jìn)行充分的固化反 應(yīng),環(huán)氧樹脂固化物的特性容易劣化。
[0216] 作為前述熱塑性樹脂,可列舉出天然橡膠、丁基橡膠、異戊二烯橡膠、氯丁二烯橡 膠、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯樹 月旨、聚碳酸酯樹脂、熱塑性聚酰亞胺樹脂、6-尼龍、6, 6-尼龍等聚酰胺樹脂、苯氧基樹脂、丙 烯酸類樹脂、PET、PBT等飽和聚酯樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂或氟樹脂等。這些熱塑性樹脂可 以單獨(dú)使用,或者組合兩種以上使用。在這些熱塑性樹脂之中,特別優(yōu)選離子性雜質(zhì)少、耐 熱性高、能夠確保半導(dǎo)體芯片的可靠性的丙烯酸類樹脂。
[0217] 作為前述丙烯酸類樹脂,沒有特別限定,可列舉出將具有碳數(shù)30以下、尤其是碳 數(shù)4?18的直鏈或支鏈的烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯中的1種或兩種以上作為成分 的聚合物(丙烯酸類共聚物)等。作為前述烷基,例如可列舉出甲基、乙基、丙基、異丙基、正 丁基、叔丁基、異丁基、戊基、異戊基、己基、庚基、環(huán)己基、2-乙基己基、辛基、異辛基、壬基、 異壬基、癸基、異癸基、十一烷基、月桂基、十三烷基、十四烷基、硬脂基、十八烷基、或者十二 燒基等。
[0218] 另外,作為形成前述聚合物的其它單體,沒有特別限定,例如可列舉出丙烯酸、甲 基丙烯酸、丙烯酸羧基乙酯、丙烯酸羧基戊酯、衣康酸、馬來酸、富馬酸或巴豆酸等之類的含 羧基的單體;馬來酸酐或衣康酸酐等之類的酸酐單體;(甲基)丙烯酸-2-羥基乙酯、(甲 基)丙烯酸-2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸-4-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸-6-羥基己酯、 (甲基)丙烯酸-8-羥基辛酯、(甲基)丙烯酸-10-羥基癸酯、(甲基)丙烯酸-12-羥基 月桂酯或甲基丙烯酸(4-羥基甲基環(huán)己基)甲酯等之類的含羥基的單體;苯乙烯磺酸、烯丙 基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、磺基丙基(甲基) 丙烯酸酯或(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸等之類的含磺酸基的單體;或者,2-羥基乙基丙烯 酰磷酸酯等之類的含磷酸基的單體。
[0219] 作為前述熱固性樹脂與前述熱塑性樹脂的配混比例,將前述熱固性樹脂的含有重 量份記為A、將前述熱塑性樹脂的含有重量份記為B時(shí),A/B優(yōu)選為5以上、更優(yōu)選為7以上、 進(jìn)一步優(yōu)選為9以上。需要說明的是,在本說明書中,熱固性樹脂的分子量低于5000,熱塑 性樹脂的分子量為5000以上。
[0220] 樹脂成分的含量相對于芯片接合薄膜3、3'整體優(yōu)選為7重量%以上。樹脂成分 的含量相對于芯片接合薄膜3、3'整體優(yōu)選為25重量%以下、更優(yōu)選為20重量%以下、進(jìn) 一步優(yōu)選為15重量%以下。
[0221] 作為樹脂成分(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量)中的熱固性樹脂的配混比 率,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜3、3'會(huì)發(fā)揮作為熱固型的功能的程度,就沒 有特別限定,為了降低在130°C下的低速剪切時(shí)(5秒η的剪切速率)的熔融粘度,優(yōu)選為 75?99重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為85?98重量%的范圍內(nèi)。
[0222] 另外,作為樹脂成分中的熱塑性樹脂的配混比率,為了降低在130°C下的低速剪切 時(shí)(5秒η的剪切速率)的熔融粘度,優(yōu)選為1?25重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為2?15重 量%的范圍內(nèi)。
[0223] 芯片接合薄膜3、3'優(yōu)選包含固化催化劑。由此,能夠促進(jìn)環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂等 固化劑的熱固化。作為固化催化劑,沒有特別限定,例如可列舉出四苯基硼四苯基鱗(商品 名:TPP-K)、四(對甲苯基硼)四苯基鱗(商品名:TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名: TPP-S)等磷-硼系固化催化劑(均為北興化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制)。其中,從潛伏性優(yōu)異因 而在室溫下的保存穩(wěn)定性良好的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選為四(對甲苯基硼)四苯基鱗。
[0224] 固化催化劑的含量可以適當(dāng)設(shè)定,相對于熱固性樹脂100重量份,優(yōu)選為0. 1?3 重量份、更優(yōu)選為〇. 5?2重量份。
[0225] 在預(yù)先使第一本發(fā)明的芯片接合薄膜3、3'進(jìn)行某種程度的交聯(lián)的情況下,在制作 時(shí),預(yù)先添加與聚合物的分子鏈末端的官能團(tuán)等發(fā)生反應(yīng)的多官能性化合物來作為交聯(lián)劑 即可。由此,能夠提高在高溫下的粘接特性,實(shí)現(xiàn)耐熱性的改善。
[0226] 作為前述交聯(lián)劑,可以采用以往公知的交聯(lián)劑。尤其是,更優(yōu)選為甲苯二異氰酸 酯、二苯基甲烷二異氰酸酯、對苯二異氰酸酯、1,5-萘二異氰酸酯、多元醇與二異氰酸酯的 加成物等多異氰酸酯化合物。作為交聯(lián)劑的添加量,相對于前述聚合物100重量份,通常優(yōu) 選為0.05?7重量份。交聯(lián)劑的量多于7重量份時(shí),粘接力會(huì)降低,因而不優(yōu)選。另一方 面,少于0. 05重量份時(shí),內(nèi)聚力不足,因而不優(yōu)選。另外,也可以與這樣的多異氰酸酯化合 物一同,根據(jù)需要而一并含有環(huán)氧樹脂等其它多官能性化合物。
[0227] 另外,在芯片接合薄膜3、3'中,根據(jù)其用途可以適當(dāng)配混除了前述導(dǎo)熱性顆粒以 外的填料。前述填料的配混能夠調(diào)節(jié)彈性模量等。作為前述填料,可列舉出無機(jī)填料和有 機(jī)填料。作為前述無機(jī)填料,沒有特別限定,例如可列舉出碳酸鈣、碳酸鎂、硅酸鈣、硅酸鎂、 氧化鈣、硼酸鋁晶須、結(jié)晶二氧化硅、非晶二氧化硅等。它們可以單獨(dú)使用或組合兩種以上 使用。
[0228] 需要說明的是,在芯片接合薄膜3、3'中,除了前述填料以外,還可以根據(jù)需要適當(dāng) 地配混其它添加劑。作為其它添加劑,例如可列舉出阻燃劑、硅烷偶聯(lián)劑或離子捕獲劑等。 作為前述阻燃劑,例如可列舉出三氧化銻、五氧化銻、溴化環(huán)氧樹脂等。它們可以單獨(dú)使用 或組合兩種以上使用。作為前述硅烷偶聯(lián)劑,例如可列舉出β_(3, 4-環(huán)氧環(huán)己基)乙基 三甲氧基硅烷、Υ-環(huán)氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、Υ-環(huán)氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷 等。這些化合物可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。作為前述離子捕獲劑,例如可列舉出 水滑石類、氫氧化鉍等。它們可以單獨(dú)使用或組合兩種以上使用。
[0229] 對芯片接合薄膜3、3'的厚度(在層疊體的情況下為總厚度)沒有特別限定,從兼 顧防止芯片切斷面的缺損、基于粘接層的保持固定的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選為1?200μπκ更優(yōu)選 為3?100μm、進(jìn)一步優(yōu)選為5?80μm。
[0230] 相對于基材1、粘合劑層、芯片接合薄膜,出于防止其粘接時(shí)和剝離時(shí)等產(chǎn)生靜電、 由此使半導(dǎo)體晶圓等帶電而導(dǎo)致電路被破壞等目的,可以使前述帶切割片的芯片接合薄膜 10、12具備抗靜電功能。賦予抗靜電功能可以通過如下的適當(dāng)?shù)姆绞絹磉M(jìn)行:向基材1、粘 合劑層2、芯片接合薄膜3、3'中添加抗靜電劑、導(dǎo)電性物質(zhì)的方法;向基材1附設(shè)由電荷轉(zhuǎn) 移絡(luò)合物、金屬膜等制成的導(dǎo)電層等。這些方式中,優(yōu)選不易產(chǎn)生有可能使半導(dǎo)體晶圓變質(zhì) 的雜質(zhì)離子的方式。作為出于賦予導(dǎo)電性、提高導(dǎo)電性等目的而配混的導(dǎo)電性物質(zhì)(導(dǎo)電 填料),可列舉出:銀、鋁、金、銅、鎳、導(dǎo)電性合金等的球狀、針狀、片狀的金屬粉、無定形碳 黑、石墨等。
[0231] 前述帶切割片的芯片接合薄膜10、12的芯片接合薄膜3、3'優(yōu)選受到隔離膜的保 護(hù)(未圖示)。隔離膜具有作為保護(hù)芯片接合薄膜3、3'直至供于實(shí)用的保護(hù)材料的功能。 另外,隔離膜進(jìn)一步可以用作向粘合劑層2轉(zhuǎn)印芯片接合薄膜3、3'時(shí)的支撐基材。隔離膜 在向帶切割片的芯片接合薄膜的芯片接合薄膜3、3'上貼合工件時(shí)被剝離。作為隔離膜,也 可以使用聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚乙烯、聚丙烯、利用氟系剝離劑、長鏈烷基丙烯酸 酯系剝離劑等剝離劑進(jìn)行了表面涂布的塑料薄膜、紙等。
[0232] 本實(shí)施方式的帶切割片的芯片接合薄膜10、12例如可如下操作來制作。
[0233] 首先,基材1可以利用以往公知的制膜方法來制膜。作為該制膜方法,例如可例示 出壓延制膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在密閉體系中的吹脹擠出法、T模具擠出法、共擠出 法、干式層壓法等。
[0234] 接著,在基材1上涂布粘合劑組合物溶液而形成涂布膜后,使該涂布膜在規(guī)定條 件下干燥(根據(jù)需要使其加熱交聯(lián)),形成粘合劑層2。作為涂布方法沒有特別限定,例如 可列舉出輥涂覆、絲網(wǎng)印刷涂覆、凹版涂覆等。另外,作為干燥條件,例如在干燥溫度80? 150°C、干燥時(shí)間0. 5?5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,也可以在隔離膜上涂布粘合劑組合物 而形成涂布膜后,以前述干燥條件使涂布膜干燥,形成粘合劑層2。其后,將粘合劑層2與隔 離膜一起貼合在基材1上。由此來制作切割片11。
[0235] 芯片接合薄膜3、3'例如可如下操作來制作。
[0236] 首先,制作芯片接合薄膜3、3'的形成材料即粘接劑組合物。在該粘接劑組合物 中,如上所述,根據(jù)需要而配混有熱固性樹脂、熱塑性樹脂、導(dǎo)熱性顆粒、以及其它各種添加 劑等。通常,粘接劑組合物以溶解在溶劑中的溶液狀態(tài)或分散在溶劑中的分散液狀態(tài)來使 用(以下,溶液狀態(tài)中也包括分散液狀態(tài))。
[0237] 接著,將粘接劑組合物溶液以成為規(guī)定厚度的方式涂布在基材隔離膜上,形成涂 布膜后,使該涂布膜在規(guī)定條件下干燥,形成粘接劑層。作為涂布方法沒有特別限定,例如 可列舉出輥涂覆、絲網(wǎng)印刷涂覆、凹版涂覆等。另外,作為干燥條件,例如在干燥溫度70? 160°C、干燥時(shí)間1?5分鐘的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,也可以在隔離膜上涂布粘接劑組合物溶 液而形成涂布膜后,以前述干燥條件使涂布膜干燥,形成粘接劑層。其后,將粘接劑層與隔 離膜一起貼合在基材隔離膜上。
[0238] 接著,從切割片11和粘接劑層上分別剝離隔離膜,以粘接劑層和粘合劑層成為貼 合面的方式將兩者進(jìn)行貼合。貼合例如可以通過壓接來進(jìn)行。此時(shí),對層壓溫度沒有特別 限定,例如優(yōu)選為30?50°C、更優(yōu)選為35?45°C。另外,對線壓沒有特別限定,例如優(yōu)選 為0. 1?20kgf/cm、更優(yōu)選為1?10kgf/cm。接著,將粘接劑層上的基材隔離膜剝離,得到 本實(shí)施方式的帶切割片的芯片接合薄膜1〇、12。
[0239](半導(dǎo)體裝置的制造方法)
[0240] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序:
[0241] 準(zhǔn)備前述熱固型芯片接合薄膜的工序;以及
[0242] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工 序(以下,也稱為第一實(shí)施方式)。
[0243] 另外,本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序:
[0244] 準(zhǔn)備前述所述的帶切割片的芯片接合薄膜的工序;
[0245] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0246] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0247] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜拾取的拾取工序;以及
[0248] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序(以下,也稱為第二實(shí)施方式)。
[0249] 關(guān)于第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法,除了第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的 制造方法使用了帶切割片的芯片接合薄膜而第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法單獨(dú) 使用了芯片接合薄膜這一點(diǎn)不同之外,其它方面是共通的。在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置 的制造方法中,如果準(zhǔn)備芯片接合薄膜后進(jìn)行將其與切割片貼合的工序,則其后可以與第 二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。因此,以下對第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制 造方法進(jìn)行說明。
[0250] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中,首先,準(zhǔn)備帶切割片的芯片接合薄膜 (準(zhǔn)備工序)。帶切割片的芯片接合薄膜1〇、12可以適宜地剝離在芯片接合薄膜3、3'上任 意設(shè)置的隔離膜,并如下地使用。以下,邊參照圖3邊以使用了帶切割片的芯片接合薄膜10 的情況為例進(jìn)行說明。
[0251] 首先,在帶切割片的芯片接合薄膜10中的芯片接合薄膜3的半導(dǎo)體晶圓貼附部分 3a上壓接半導(dǎo)體晶圓4,使其粘接保持并固定(貼合工序)。本工序邊利用壓接輥等按壓 手段來按壓邊進(jìn)行。對固定時(shí)的貼附溫度沒有特別限定,例如優(yōu)選為40?90°C的范圍內(nèi)、 更優(yōu)選為40?80°C的范圍內(nèi)。另外,對固定時(shí)的貼合壓力沒有特別限定,從利用壓力使芯 片接合薄膜3、3'的粘度降低的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選為0. 01?IMPa的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為0. 1? 0. 5MPa的范圍內(nèi)。
[0252] 接著,進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓4的切割(切割工序)。由此,將半導(dǎo)體晶圓4切斷成規(guī)定 的尺寸而單片化,制造半導(dǎo)體芯片5。對切割的方法沒有特別限定,例如可以從半導(dǎo)體晶圓 4的電路面?zhèn)劝凑粘R?guī)方法來進(jìn)行。另外,在本工序中,例如可以采用進(jìn)行切入直到帶切割 片的芯片接合薄膜10為止的、被稱為全切(fullcut)的切斷方式等。作為本工序中使用 的切割裝置,沒有特別限定,可以使用以往公知的裝置。另外,半導(dǎo)體晶圓被帶切割片的芯 片接合薄膜10所粘接固定,因此能夠抑制芯片缺損、芯片飛散,并且能夠抑制半導(dǎo)體晶圓4 的破損。
[0253] 接著,為了將粘接固定于帶切割片的芯片接合薄膜10的半導(dǎo)體芯片剝離而進(jìn)行 半導(dǎo)體芯片5的拾取(拾取工序)。作為拾取的方法,沒有特別限定,可以采用以往公知的 各種方法。例如可列舉出:用針從帶切割片的芯片接合薄膜10側(cè)將各個(gè)半導(dǎo)體芯片5頂 起,并用拾取裝置拾取被頂起的半導(dǎo)體芯片5的方法等。
[0254] 作為拾取條件,從防止破片的觀點(diǎn)來看,針的頂起速度優(yōu)選為5?IOOmm/秒、更優(yōu) 選為5?IOmm/秒。
[0255] 此處,在粘合劑層2為紫外線固化型的情況下,拾取在對該粘合劑層2照射紫外線 后進(jìn)行。由此,粘合劑層2對芯片接合薄膜3的粘合力降低,半導(dǎo)體芯片5的剝離變得容易。 其結(jié)果,能夠進(jìn)行拾取而不會(huì)損傷半導(dǎo)體芯片5。對紫外線照射時(shí)的照射強(qiáng)度、照射時(shí)間等 條件沒有特別限定,適當(dāng)根據(jù)需要進(jìn)行設(shè)定即可。另外,作為用于紫外線照射的光源,可以 使用公知的光源。需要說明的是,在預(yù)先對粘合劑層照射紫外線而使其固化、并將該固化了 的粘合劑層與芯片接合薄膜貼合的情況下,此處的紫外線照射是不需要的。
[0256]接著,將所拾取的半導(dǎo)體芯片5夾著芯片接合薄膜3粘接固定于被粘物6(芯片接 合工序)。作為被粘物6,可列舉出引線框、TAB薄膜、基板或另行制作的半導(dǎo)體芯片等。被 粘物6例如可以是容易變形的變形型被粘物,也可以是難以變形的非變形型被粘物(半導(dǎo) 體晶圓等)。
[0257] 作為前述基板,可以使用以往公知的基板。另外,作為前述引線框,可以使用Cu引 線框、42合金引線框等金屬引線框、玻璃環(huán)氧樹脂(glass-epoxy)、BT(雙馬來酰亞胺-三 嗪)、聚酰亞胺等制成的有機(jī)基板。但是,第一本發(fā)明不限定于此,還包括能夠?qū)雽?dǎo)體芯片 固定并與半導(dǎo)體芯片進(jìn)行電連接而使用的電路基板。
[0258] 接著,由于芯片接合薄膜3為熱固型,因此通過加熱固化而將半導(dǎo)體芯片5粘接固 定于被粘物6,使其耐熱強(qiáng)度提高(熱固化工序)。可以在加熱溫度為80?200°C下進(jìn)行、 優(yōu)選為100?175°C、更優(yōu)選為100?140°C。另外,可以在加熱時(shí)間為0. 1?24小時(shí)下進(jìn) 行、優(yōu)選為〇. 1?3小時(shí)、更優(yōu)選為0. 2?1小時(shí)。另外,加熱固化可以在加壓條件下進(jìn)行。 作為加壓條件,優(yōu)選為1?20kg/cm2的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為3?15kg/cm2的范圍內(nèi)。加壓下 的加熱固化例如可以在填充有非活性氣體的腔室內(nèi)進(jìn)行。需要說明的是,夾著芯片接合薄 膜3而在基板等上粘接固定了半導(dǎo)體芯片5而得到的產(chǎn)物可以供于回流焊工序。
[0259] 熱固化后的芯片接合薄膜3的剪切粘接力相對于被粘物6,優(yōu)選為0.2MPa以上、更 優(yōu)選為0. 2?lOMPa。若芯片接合薄膜3的剪切粘接力至少為0. 2MPa以上,則在引線接合 工序時(shí),不會(huì)因該工序中的超聲波振動(dòng)、加熱而在芯片接合薄膜3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物 6的粘接面產(chǎn)生剪切變形。即,半導(dǎo)體芯片不會(huì)因引線接合時(shí)的超聲波振動(dòng)而移動(dòng),由此防 止引線接合的成功率降低。
[0260] 接著,根據(jù)需要,如圖3所示,將被粘物6的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體 芯片5上的電極極板(未圖示)用接合引線7進(jìn)行電連接(引線接合工序)。作為前述接 合引線7,例如可以使用金線、鋁線或銅線等。關(guān)于進(jìn)行引線接合時(shí)的溫度,可以在為80? 250°C、優(yōu)選為80?220°C的范圍內(nèi)進(jìn)行。另外,在其加熱時(shí)間為數(shù)秒?數(shù)分鐘下進(jìn)行。線 連接可以在加熱為前述溫度范圍內(nèi)的狀態(tài)下通過將基于超聲波的振動(dòng)能量和基于施加加 壓的壓接能量組合使用來進(jìn)行。本工序可以不進(jìn)行芯片接合薄膜3的熱固化而實(shí)施。
[0261]接著,根據(jù)需要,如圖3所示,利用封裝樹脂8來封裝半導(dǎo)體芯片5 (封裝工序)。 本工序是為了保護(hù)搭載于被粘物6的半導(dǎo)體芯片5、接合引線7而進(jìn)行的。本工序可以通 過利用模具將封裝用樹脂成型來進(jìn)行。作為封裝樹脂8,例如使用環(huán)氧系的樹脂。樹脂封 裝時(shí)的加熱溫度通常在175°C下進(jìn)行60?90秒鐘,但第一本發(fā)明不限定于此,例如可以在 165?185°C下固化數(shù)分鐘。由此,使封裝樹脂固化并且夾著芯片接合薄膜3使半導(dǎo)體芯片 5與被粘物6固定。即,在第一本發(fā)明中,即使在不進(jìn)行后述的后固化工序的情況下,也能夠 在本工序中利用芯片接合薄膜3進(jìn)行固定,能夠有助于減少制造工序數(shù)量和縮短半導(dǎo)體裝 置的制造周期。另外,在本封裝工序中,也可以采用向片狀的封裝用片中包埋半導(dǎo)體芯片5 的方法(例如,參照日本特開2013-7028號(hào)公報(bào))。
[0262]接著,根據(jù)需要進(jìn)行加熱,使前述封裝工序中未充分固化的封裝樹脂8完全地固 化(后固化工序)。即使在封裝工序中芯片接合薄膜3未完全熱固化的情況下,在本工序中 芯片接合薄膜3也能夠與封裝樹脂8 -同完全熱固化。本工序中的加熱溫度因封裝樹脂的 種類而異,例如為165?185°C的范圍內(nèi),加熱時(shí)間為0. 5?8小時(shí)左右。
[0263]需要說明的是,本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法也可以如下進(jìn)行:在利用芯 片接合工序進(jìn)行預(yù)固定后,進(jìn)行引線接合而不經(jīng)由基于芯片接合薄膜3的加熱處理的熱固 化工序,進(jìn)而將半導(dǎo)體芯片5用封裝樹脂進(jìn)行封裝,并使該封裝樹脂固化(后固化)。此時(shí), 芯片接合薄膜3的預(yù)固定時(shí)的剪切粘接力相對于被粘物6優(yōu)選為0. 2MPa以上、更優(yōu)選為 0. 2?lOMPa。若芯片接合薄膜3在預(yù)固定時(shí)的剪切粘接力至少為0. 2MPa以上,則即使不 經(jīng)由加熱工序地進(jìn)行引線接合工序,也不會(huì)因該工序中的超聲波振動(dòng)、加熱而在芯片接合 薄膜3與半導(dǎo)體芯片5或被粘物6的粘接面產(chǎn)生剪切變形。即,半導(dǎo)體芯片不會(huì)因引線接 合時(shí)的超聲波振動(dòng)而移動(dòng),由此來防止引線接合的成功率降低。需要說明的是,預(yù)固定是指 如下狀態(tài):為了不對后續(xù)的工序造成影響,使該芯片接合薄膜固化至未達(dá)到熱固型芯片接 合薄膜的固化反應(yīng)完全進(jìn)行的狀態(tài)的程度(制成半固化狀態(tài))而將半導(dǎo)體芯片5固定的狀 態(tài)。需要說明的是,在進(jìn)行引線接合而不經(jīng)由基于芯片接合薄膜的加熱處理的熱固化工序 的情況下,上述后固化的工序相當(dāng)于本說明書中的熱固化工序。
[0264]需要說明的是,第一本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片層疊 而進(jìn)行三維安裝的情況下也可以適宜地使用。此時(shí),可以在半導(dǎo)體芯片之間層疊芯片接合 薄膜和間隔物,也可以在半導(dǎo)體芯片之間僅層疊芯片接合薄膜而不層疊間隔物,可以根據(jù) 制造條件、用途等進(jìn)行適當(dāng)變更。
[0265]〈第二本發(fā)明>
[0266]以下,關(guān)于第二本發(fā)明,說明其與第一本發(fā)明的不同點(diǎn)。關(guān)于第二本發(fā)明的熱固型 芯片接合薄膜(以下,也稱為"芯片接合薄膜")和帶切割片的芯片接合薄膜,作為除了在該 第二本發(fā)明的項(xiàng)中特別說明之外的構(gòu)成、特性,可以與第一本發(fā)明的芯片接合薄膜和帶切 割片的芯片接合薄膜發(fā)揮同樣的構(gòu)成、特性。
[0267](帶切割片的芯片接合薄膜)
[0268]作為第二本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜的層疊構(gòu)成,可以與第一本發(fā)明的帶 切割片的芯片接合薄膜相同。
[0269](切割片)
[0270] 第二本發(fā)明的切割片的構(gòu)成、特性可以與第一本發(fā)明的切割片(例如切割片11) 相同。
[0271](芯片接合薄膜)
[0272] 第二本發(fā)明的芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·Κ以上、優(yōu)選為I. 2W/ πι·Κ以上、更優(yōu)選為1.5W/m*K以上。由于熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m*K以上,因此使用 前述芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。需要說明的是,前述芯片接合薄膜的 熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)越高越優(yōu)選,但例如為20W/m·K以下。
[0273] 第二本發(fā)明中,"熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)"是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以175°C加 熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。另外,"熱固化后的芯片接合薄膜"是指,將從熱固化前的狀態(tài)(制 成芯片接合薄膜后的狀態(tài))起到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量記為100%時(shí),從 "熱固化后的芯片接合薄膜"的狀態(tài)到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量為5%以下的 薄膜。需要說明的是,上述反應(yīng)熱量使用通過差示掃描量熱測定(DSC)而得到的值。
[0274] 另外,前述芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度為IOPa·s?300Pa·s的范圍 內(nèi)、優(yōu)選為20Pa·s?280Pa·s的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為50Pa·s?250Pa·s的范圍內(nèi)。由于 130°C下的熔融粘度為IOPa*s?300Pa*s的范圍內(nèi),因此維持薄膜的形狀且粘度較低。因 此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。需要說明的是,在 第二本發(fā)明中,130°C下的熔融粘度是指作為測定條件將剪切速率設(shè)為5秒4而得到的值。
[0275] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的 導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上的導(dǎo)熱性顆粒、更優(yōu)選含有80重量%以上、進(jìn)一步優(yōu)選含有85重 量%以上。另外,前述導(dǎo)熱性顆粒的含量越多越優(yōu)選,但從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā),例如為93重 量%以下。若含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ 以上的導(dǎo)熱性顆粒,則使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。需 要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)可以由利用X射線結(jié)構(gòu)分析得到的導(dǎo)熱性顆粒的晶體 結(jié)構(gòu)來推測。
[0276] 作為前述導(dǎo)熱性顆粒,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的顆粒。
[0277] 作為前述芯片接合薄膜的層疊結(jié)構(gòu),與第一本發(fā)明同樣地,例如可列舉出僅由粘 接劑層單層形成的結(jié)構(gòu)、在芯材料的單面或兩面形成有粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)等。
[0278] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選包含熱塑性樹脂、熱固性樹脂等樹脂成分。
[0279] 作為前述熱固性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂(例如,環(huán)氧樹脂、 酚醛樹脂)。
[0280] 從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述環(huán)氧 樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為l〇〇°C以下的樹脂。
[0281] 需要說明的是,環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK7234-1986中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0282] 另外,從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述 酚醛樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為KKTC以下的樹脂。
[0283] 需要說明的是,酚醛樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK6910-2007中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0284] 前述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配混比例可以如第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的那樣來設(shè) 置。
[0285] 作為前述熱塑性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂。
[0286]樹脂成分的含量相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為7重量%以上。樹脂成分的含量 相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為25重量%以下、更優(yōu)選為20重量%以下、進(jìn)一步優(yōu)選為15 重量%以下。
[0287] 作為樹脂成分(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量)中的熱固性樹脂的配混比 率,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜會(huì)發(fā)揮作為熱固型的功能的程度,就沒有特 別限定,為了降低在130°C下的熔融粘度,優(yōu)選為75?99重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為85? 98重量%的范圍內(nèi)。
[0288] 另外,作為樹脂成分中的熱塑性樹脂的配混比率,為了降低在130°C下的熔融粘 度,優(yōu)選為1?25重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為2?15重量%的范圍內(nèi)。
[0289] 另外,前述芯片接合薄膜與前述第一本發(fā)明的芯片接合薄膜同樣地可以根據(jù)需要 適當(dāng)配混固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、前述填料以外的其它添加劑。 固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、以及前述填料以外的其它添加劑的詳情 如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0290] 需要說明的是,前述芯片接合薄膜和帶切割片的芯片接合薄膜的制作方法如第一 本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0291]另外,使用了前述芯片接合薄膜或前述帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的 制造方法如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0292]〈第三本發(fā)明>
[0293] 以下,關(guān)于第三本發(fā)明,說明其與第一本發(fā)明的不同點(diǎn)。關(guān)于第三本發(fā)明的熱固型 芯片接合薄膜(以下,也稱為"芯片接合薄膜")和帶切割片的芯片接合薄膜,作為除了在該 第三本發(fā)明的項(xiàng)中特別說明之外的構(gòu)成、特性,可以與第一本發(fā)明的芯片接合薄膜和帶切 割片的芯片接合薄膜發(fā)揮同樣的構(gòu)成、特性。
[0294](帶切割片的芯片接合薄膜)
[0295] 作為第三本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜的層疊構(gòu)成,可以與第一本發(fā)明的帶 切割片的芯片接合薄膜相同。
[0296](切割片)
[0297] 第三本發(fā)明的切割片的構(gòu)成、特性可以與第一本發(fā)明的切割片(例如切割片11) 相同。
[0298](芯片接合薄膜)
[0299]第三本發(fā)明的芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·Κ以上、優(yōu)選為I. 2W/πι·Κ以上、更優(yōu)選為1.5W/m*K以上。由于熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m*K以上,因此使用 前述芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。需要說明的是,前述芯片接合薄膜的 熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)越高越優(yōu)選,但例如為20W/m·K以下。
[0300]第三本發(fā)明中,"熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)"是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以175°C加 熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。
[0301] 前述芯片接合薄膜的熱阻優(yōu)選為30X10_6m2 ·K/W以下、更優(yōu)選為IOX10_6m2 ·K/W 以下。對前述芯片接合薄膜的熱阻的下限沒有特別限定,例如為2Xl(T6m2 ·K/W以上。
[0302] 需要說明的是,熱阻可利用下式求出。
[0303](熱阻(m2 ?K/W))=(芯片接合薄膜的厚度(m))八芯片接合薄膜的導(dǎo)熱系數(shù)〇¥/m·K))
[0304] 前述芯片接合薄膜包含導(dǎo)熱性顆粒。
[0305] 導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)選為12W/m·K以上、更優(yōu)選為20W/m·K以上。對導(dǎo)熱 性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)的上限沒有特別限定,例如為400W/m·K以下、優(yōu)選為50W/m·K以下。
[0306] 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)可以由利用X射線結(jié)構(gòu)分析而得到的導(dǎo)熱 性顆粒的晶體結(jié)構(gòu)來推測。
[0307] 導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為3μπι以上、優(yōu)選為3. 5μπι以上。由于為3μπι以上,因 此能夠提高120°C?130°C下的流動(dòng)性。另外,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為7μm以下、優(yōu)選為 6μm以下。由于為7μm以下,因此能夠得到良好的薄膜成形性。
[0308] 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑可以利用實(shí)施例中記載的方法來測定。
[0309] 在導(dǎo)熱性顆粒的粒度分布中,優(yōu)選存在兩個(gè)以上的峰。具體而言,優(yōu)選在0. 2? 0. 8μm的粒徑范圍存在第一峰、且在3?15μm的粒徑范圍存在第二峰。由此,能夠在形成 第二峰的導(dǎo)熱性顆粒之間(間隙中)填充形成第一峰的導(dǎo)熱性顆粒,因此能夠大量填充導(dǎo) 熱性顆粒。
[0310] 第一峰的粒徑不足0. 2μm時(shí),存在芯片接合薄膜的粘度變高、無法追隨被粘物的 凹凸的傾向。第一峰的粒徑超過〇. 8μm時(shí),有導(dǎo)熱性顆粒的大量填充化變困難的傾向。
[0311] 另外,第二峰的粒徑不足3μπ?時(shí),有導(dǎo)熱性顆粒的大量填充化變困難的傾向。另 夕卜,有芯片接合薄膜的粘度變得過高、無法追隨被粘物的凹凸的傾向。第二峰的粒徑超過 15μm時(shí),芯片接合薄膜的薄膜化變得困難。
[0312] 第二峰更優(yōu)選存在于4?10μm的粒徑范圍。
[0313] 需要說明的是,在導(dǎo)熱性顆粒的粒度分布中,要想存在兩個(gè)以上的峰,配混平均粒 徑不同的兩種以上的導(dǎo)熱性顆粒即可。
[0314] 導(dǎo)熱性顆粒的比表面積為lm2/g以上、優(yōu)選為I. 3m2/g以上。由于為lm2/g以上, 因此固化后的彈性模量變高、耐回流焊性優(yōu)異。另外,導(dǎo)熱性顆粒的比表面積為3m2/g以下, 優(yōu)選為2. 5m2/g以下。由于為3m2/g以下,因此可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性。
[0315] 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的比表面積可以利用實(shí)施例中記載的方法來測定。
[0316] 作為導(dǎo)熱性顆粒的形狀,沒有特別限定,例如可以使用片狀、針狀、絲狀、球狀、鱗 片狀的顆粒,優(yōu)選球形度為〇. 9?I. 1的顆粒。由此,能夠減小導(dǎo)熱性顆粒與樹脂的接觸面 積、可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性。需要說明的是,球形度越接近1,則表示越接近正球 形。
[0317] 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的球形度可以利用下述方法來測定。
[0318] 球形度的測定
[0319] 將芯片接合薄膜放入坩堝中,在大氣氣氛下以700°C進(jìn)行2小時(shí)的強(qiáng)熱而使其灰 化。利用SEM(電子掃描顯微鏡)對所得灰分拍攝照片,利用下式由所觀察的顆粒的面積和 周長算出球形度。
[0320] (球形度)={4πX(面積)+ (周長)2}
[0321] 從容易獲取導(dǎo)熱性高、球形度高的顆粒的方面來看,作為導(dǎo)熱性顆粒,優(yōu)選為氧化 鋁顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):36W/m·K)、氧化鋅顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):54W/m·K)、氮化鋁顆粒(導(dǎo)熱系 數(shù):150W/m·K)、氮化硅顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):27W/m·K)、碳化硅顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):200W/m·K)、 氧化鎂顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):59W/m·K)、氮化硼顆粒(導(dǎo)熱系數(shù):60W/m·K)等。尤其氧化鋁顆 粒為高導(dǎo)熱系數(shù),從分散性、獲取容易性的方面來看是優(yōu)選的。另外,氮化硼顆粒具有更高 的導(dǎo)熱系數(shù),因此能夠適宜地使用。
[0322] 導(dǎo)熱性顆粒優(yōu)選利用硅烷偶聯(lián)劑進(jìn)行了處理(前處理)。由此,導(dǎo)熱性顆粒的分散 性變得良好、能夠進(jìn)行導(dǎo)熱性顆粒的大量填充化。
[0323] 作為硅烷偶聯(lián)劑,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的硅烷偶聯(lián)劑。
[0324] 導(dǎo)熱性顆粒的含量相對于芯片接合薄膜整體為75重量%以上、優(yōu)選為80重量% 以上、更優(yōu)選為85重量%以上。由于為75重量%以上,因此使用前述芯片接合薄膜制造的 半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。另外,導(dǎo)熱性顆粒的含量越多越優(yōu)選,但從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā), 例如為93重量%以下。
[0325] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選包含熱固性樹脂、熱塑性樹脂等樹脂成分。
[0326] 作為前述熱固性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂(例如,環(huán)氧樹脂、 酚醛樹脂)。
[0327] 從可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性的方面出發(fā),在前述環(huán)氧樹脂之中,優(yōu)選在室 溫下為液態(tài)的環(huán)氧樹脂。
[0328] 本說明書中,液態(tài)是指25°C下的粘度不足5000Pa*s。需要說明的是,粘度可以使 用ThermoFisherScientificΚ·Κ·制造的型號(hào)HAAKERotoVISCOl進(jìn)行測定。
[0329] 從可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性的方面出發(fā),環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)優(yōu)選為KKTC 以下、更優(yōu)選為50°C以下、進(jìn)一步優(yōu)選30°C以下。
[0330] 需要說明的是,環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可通過JISK7234-1986中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0331] 另外,從可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性的方面出發(fā),酚醛樹脂的軟化點(diǎn)優(yōu)選為 100°C以下、更優(yōu)選為80°C以下。
[0332] 需要說明的是,酚醛樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK6910-2007中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0333] 前述環(huán)氧樹脂與酚醛樹脂的配混比例可以如第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的那樣來設(shè) 置。
[0334] 作為前述熱塑性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂。
[0335] 樹脂成分的含量相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為7重量%以上。樹脂成分的含量 相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為25重量%以下、更優(yōu)選為20重量%以下、進(jìn)一步優(yōu)選為15 重量%以下。
[0336] 作為樹脂成分(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量)中的熱固性樹脂的配混比 率,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜會(huì)發(fā)揮作為熱固型的功能的程度,就沒有特 別限定,從可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性的方面出發(fā),優(yōu)選為75?99重量%的范圍內(nèi)、 更優(yōu)選為85?98重量%的范圍內(nèi)。
[0337] 作為樹脂成分中的熱塑性樹脂的配混比率,從可提高120°C?130°C下的流動(dòng)性 的方面出發(fā),優(yōu)選為1?25重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為2?15重量%的范圍內(nèi)。
[0338] 另外,前述芯片接合薄膜與前述第一本發(fā)明的芯片接合薄膜同樣地,可以根據(jù)需 要適當(dāng)配混固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、前述填料以外的其它添加 齊IJ。固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、以及前述填料以外的其它添加劑的 詳情如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0339] 需要說明的是,作為前述固化催化劑,其中,從可溶于甲乙酮等有機(jī)溶劑、且室溫 下的潛伏性優(yōu)異從而樹脂在室溫下的保存穩(wěn)定性良好的觀點(diǎn)出發(fā),優(yōu)選為四(對甲苯基 硼)四苯基鱗。
[0340] 對前述芯片接合薄膜的厚度(層疊體的情況下為總厚度)沒有特別限定,優(yōu)選為 1μm以上、更優(yōu)選為5μm以上、進(jìn)一步優(yōu)選為10μm以上。另外,芯片接合薄膜的厚度優(yōu) 選為200μm以下、更優(yōu)選為150μm以下、進(jìn)一步優(yōu)選為100μm以下、特別優(yōu)選為50μm以 下。
[0341] 需要說明的是,前述芯片接合薄膜和帶切割片的芯片接合薄膜的制作方法如第一 本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0342] 另外,使用了前述芯片接合薄膜或前述帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的 制造方法如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0343] 〈第四本發(fā)明>
[0344] 以下,關(guān)于第四本發(fā)明,說明其與第一本發(fā)明的不同點(diǎn)。關(guān)于第四本發(fā)明的熱固型 芯片接合薄膜(以下,也稱為"芯片接合薄膜")和帶切割片的芯片接合薄膜,作為除了在該 第四本發(fā)明的項(xiàng)中特別說明之外的構(gòu)成、特性,可以與第一本發(fā)明的芯片接合薄膜和帶切 割片的芯片接合薄膜發(fā)揮同樣的構(gòu)成、特性。
[0345] (帶切割片的芯片接合薄膜)
[0346] 作為第四本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜的層疊構(gòu)成,可以與第一本發(fā)明的帶 切割片的芯片接合薄膜相同。
[0347] (切割片)
[0348] 第四本發(fā)明的切割片的構(gòu)成、特性可以與第一本發(fā)明的切割片(例如切割片11) 相同。
[0349] (芯片接合薄膜)
[0350] 第四本發(fā)明的芯片接合薄膜含有導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒。對導(dǎo) 熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)的上限沒有特別限定,例如為400W/m·K以下。由于含有導(dǎo)熱系數(shù)為 12W/m*K以上的導(dǎo)熱性顆粒,因此前述芯片接合薄膜的導(dǎo)熱性優(yōu)異。需要說明的是,導(dǎo)熱性 顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)可以由利用X射線結(jié)構(gòu)分析而得到的導(dǎo)熱性顆粒的晶體結(jié)構(gòu)來推測。
[0351] 前述芯片接合薄膜的熱阻為30Xl(r6m2 ·K/W以下、優(yōu)選為27Xl(r6m2 ·K/W以下。 由于熱阻為30X10_6m2 ·K/W以下,因此能夠?qū)碜园雽?dǎo)體芯片的熱有效地散熱到被粘物 偵L作為使前述芯片接合薄膜的熱阻為30Xl(T6m2 ·Κ,以下的方法,例如可列舉出薄膜的 薄化、薄膜的高導(dǎo)熱化等。
[0352] 關(guān)于前述芯片接合薄膜,將前述芯片接合薄膜的厚度記為C、將前述導(dǎo)熱性顆粒的 平均粒徑記為D時(shí),C/D為4?30的范圍內(nèi),優(yōu)選為4?14的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為4?10的 范圍內(nèi)。前述芯片接合薄膜的前述C/D為4以上,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于前述芯片接 合薄膜的厚度,小于一定程度。因此,能夠抑制在前述芯片接合薄膜的表面產(chǎn)生大的凹凸。
[0353] 另外,前述C/D為30以下,導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑相對于前述芯片接合薄膜的厚 度具有某種程度的大小。因此,粘度的上升受到抑制,能夠抑制貼合于被粘物時(shí)與被粘物之 間產(chǎn)生空隙。
[0354] 對前述芯片接合薄膜的厚度(層疊體的情況下為總厚度)沒有特別限定,優(yōu)選為 60 μ m以下。另夕卜,可以使前述芯片接合薄膜的厚度為Ιμπι以上、5μηι以上、ΙΟμπι以上 等。前述芯片接合薄膜的厚度為60 μ m以下時(shí),能夠?qū)碜园雽?dǎo)體芯片的熱有效地放出至 外部。因此,能夠提高使用該芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性。
[0355] 前述導(dǎo)熱性顆粒的含量相對于熱固型芯片接合薄膜整體優(yōu)選為75重量%以上、 更優(yōu)選為80重量%以上、進(jìn)一步優(yōu)選85重量%以上。另外,前述導(dǎo)熱性顆粒的含量越多越 優(yōu)選,但從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā),例如為93重量%以下。含有相對于熱固型芯片接合薄膜整 體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒時(shí),使用該熱固型芯片接合 薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。
[0356] 作為前述導(dǎo)熱性顆粒,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的顆粒。
[0357] 前述導(dǎo)熱性顆粒的比表面積優(yōu)選為LOmVg以上、更優(yōu)選為2.OmVg以上。為 I. OmVg以上時(shí),在固化后可得到高彈性模量、在耐吸濕回流焊性試驗(yàn)中可得到良好的可靠 性。另外,導(dǎo)熱性顆粒的比表面積優(yōu)選為5. 3m2/g以下、更優(yōu)選為3. 9m2/g以下。為5. 3m2/ g以下時(shí),可得到良好的凹凸追隨性。
[0358] 需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的比表面積是通過BET吸附法(多點(diǎn)法)測定得到的 值。具體而言,是如下數(shù)值:使用QuantachromeCorporation制造的4連式比表面積?細(xì) 孔分布測定裝置"N0VA-4200e型",將芯片接合薄膜放入坩堝中,在大氣氣氛下以700°C進(jìn) 行2小時(shí)的強(qiáng)熱而使其灰化,將所得灰分以IKTC進(jìn)行6小時(shí)以上的真空脫氣,然后在氮?dú)?中、77. 35K的溫度下測定而得到的值。作為芯片接合薄膜的組成,除了導(dǎo)熱性顆粒以外均為 有機(jī)成分時(shí),由于通過上述的強(qiáng)熱處理,實(shí)質(zhì)上所有的有機(jī)成分均被燒失,因此,將所得灰 分視為導(dǎo)熱性顆粒來進(jìn)行測定。
[0359] 前述芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)優(yōu)選為lW/m·K以上、更優(yōu)選為I. 2W/ m·Κ以上、進(jìn)一步優(yōu)選I. 5W/m·Κ以上。熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·Κ以上時(shí),使用前述 芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。需要說明的是,前述芯片接合薄膜在熱固 化后的導(dǎo)熱系數(shù)越高越優(yōu)選,但例如為20W/m·K以下。
[0360] 第四本發(fā)明中,"熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)"是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以175°C加 熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。
[0361] 另外,前述芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度優(yōu)選為IOPa·s?300Pa·s的范 圍內(nèi)、更優(yōu)選為20Pa·s?280Pa·s的范圍內(nèi)、進(jìn)一步優(yōu)選為50Pa·s?250Pa·s的范圍 內(nèi)。130°C下的熔融粘度為IOPa·s?300Pa·s的范圍內(nèi)時(shí),維持薄膜的形狀且粘度較低。 因此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。需要說明的是, 在第四本發(fā)明中,130°C下的熔融粘度是指作為測定條件而將剪切速率設(shè)為5秒η而得到的 值。
[0362] 作為前述芯片接合薄膜的層疊結(jié)構(gòu),與第一本發(fā)明同樣地,例如可列舉出僅由粘 接劑層單層形成的結(jié)構(gòu)、在芯材料的單面或兩面形成有粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)等。
[0363] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選包含熱塑性樹脂、熱固性樹脂等樹脂成分。
[0364] 作為前述熱固性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂(例如,環(huán)氧樹脂、 酚醛樹脂)。
[0365] 從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述環(huán)氧 樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為KKTC以下的樹脂。
[0366] 需要說明的是,環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK7234-1986中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0367] 另外,從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述 酚醛樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為KKTC以下的樹脂。
[0368] 需要說明的是,酚醛樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK6910-2007中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0369] 樹脂成分的含量相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為7重量%以上。樹脂成分的含量 相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為25重量%以下、更優(yōu)選為20重量%以下、進(jìn)一步優(yōu)選為15 重量%以下。
[0370] 作為樹脂成分(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量)中的熱固性樹脂的配混比 率,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜會(huì)發(fā)揮作為熱固型的功能的程度,就沒有特 別限定,為了降低在130°C下的熔融粘度,優(yōu)選為75?99重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為85? 98重量%的范圍內(nèi)。
[0371] 另外,作為樹脂成分中的熱塑性樹脂的配混比率,為了降低130°C下的熔融粘度, 優(yōu)選為1?25重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為2?15重量%的范圍內(nèi)。
[0372] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選包含固化促進(jìn)催化劑。由此,能夠促進(jìn)環(huán)氧樹脂與酚醛樹 脂等固化劑的熱固化。作為固化促進(jìn)催化劑,沒有特別限定,例如,作為磷-硼系固化催化 齊U,可列舉出四苯基硼四苯基鱗(商品名:TPP-K)、四(對甲苯基硼)四苯基鱗(商品名: TPP-MK)、三苯基膦三苯基硼烷(商品名:TPP-S)等(均為北興化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制)。作 為咪唑系固化促進(jìn)催化劑,可列舉出2-甲基咪唑(商品名:2MZ)、2-i烷基咪唑(商品 名:Cll-Z)、2-十七烷基咪唑(商品名:C17Z)、1,2-二甲基咪唑(商品名:1.2DMZ)、2-乙 基-4-甲基咪唑(商品名:2E4MZ)、2_苯基咪唑(商品名:2PZ)、2_苯基-4-甲基咪唑(商 品名:2P4MZ)、1-芐基-2-甲基咪唑(商品名:1B2MZ)、1-芐基-2-苯基咪唑(商品名: 1B2PZ)、1-氰基乙基-2-甲基咪唑(商品名:2MZ-CN)、1-氰基乙基-2-i烷基咪唑(商 品名:C11Z-CN)、1-氰基乙基-2-苯基咪唑鎗偏苯三酸鹽(商品名:2PZCNS-PW)、2,4-二氨 基-6-[2'_甲基咪唑基-(Γ)]-乙基均三嗪(商品名:2MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2'-i^一烷 基咪唑基-(Γ)]-乙基均三嗪(商品名:C11Z-A)、2,4-二氨基-6-[2'_乙基-4'-甲基咪唑 基-(Γ)]-乙基均三嗪(商品名:2E4MZ-A)、2,4-二氨基-6-[2'_甲基咪唑基-(Γ)]-乙 基均三嗪異氰脲酸加成物(商品名:2嫩-〇1〇、2-苯基-4,5-二羥基甲基咪唑(商品名 : 2PHZ-PW)、2_苯基-4-甲基-5-羥基甲基咪唑(商品名:2P4MHZ-PW)等(均為四國化成工 業(yè)株式會(huì)社制)。其中,從反應(yīng)性高、固化反應(yīng)在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行的方面出發(fā),優(yōu)選為2-苯 基-4, 5-二羥基甲基咪唑。
[0373] 固化催化劑的含量可以適當(dāng)設(shè)定,相對于熱固性樹脂100重量份,優(yōu)選為0. 1?3 重量份、更優(yōu)選為0. 5?2重量份。
[0374] 另外,前述芯片接合薄膜與前述第一本發(fā)明的芯片接合薄膜同樣地,可以根據(jù)需 要適當(dāng)配混交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、前述填料以外的其它添加劑。交聯(lián)劑、前 述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、以及前述填料以外的其它添加劑的詳情如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的 說明。
[0375] 需要說明的是,前述芯片接合薄膜和帶切割片的芯片接合薄膜的制作方法如第一 本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0376] 另外,使用了前述芯片接合薄膜或前述帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體裝置的 制造方法如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0377] 〈第五本發(fā)明>
[0378] 以下,關(guān)于第五本發(fā)明,說明其與第一本發(fā)明的不同點(diǎn)。關(guān)于第五本發(fā)明的熱固型 芯片接合薄膜(以下,也稱為"芯片接合薄膜")和帶切割片的芯片接合薄膜,作為除了在該 第五本發(fā)明的項(xiàng)中特別說明之外的構(gòu)成、特性,可以與第一本發(fā)明的芯片接合薄膜和帶切 割片的芯片接合薄膜發(fā)揮同樣的構(gòu)成、特性。
[0379] (帶切割片的芯片接合薄膜)
[0380] 作為第五本發(fā)明的帶切割片的芯片接合薄膜的層疊構(gòu)成,可以與第一本發(fā)明的帶 切割片的芯片接合薄膜相同。
[0381] (切割片)
[0382] 第五本發(fā)明的切割片的構(gòu)成、特性可以與第一本發(fā)明的切割片(例如切割片11) 相同。
[0383] (芯片接合薄膜)
[0384] 第五本發(fā)明的芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·Κ以上、優(yōu)選為I. 2W/πι·Κ以上、更優(yōu)選為1.5W/m*K以上。由于熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m*K以上,因此使用 前述芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性優(yōu)異。需要說明的是,前述芯片接合薄膜的 導(dǎo)熱系數(shù)越高越優(yōu)選,但例如為20W/m·K以下。
[0385] 第五本發(fā)明中,"熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)"是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以175°C加 熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。另外,"熱固化后的芯片接合薄膜"是指將從熱固化前的狀態(tài)(制 成芯片接合薄膜后的狀態(tài))起到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量記為100%時(shí),從 "熱固化后的芯片接合薄膜"的狀態(tài)到熱固化完全結(jié)束為止所產(chǎn)生的反應(yīng)熱量為5%以下的 薄膜。需要說明的是,上述反應(yīng)熱量使用通過差示掃描量熱測定(DSC)而得到的值。
[0386] 另外,前述芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度優(yōu)選為IOPa·s?600Pa·s的范 圍內(nèi)、優(yōu)選為25Pa·s?600Pa·s的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為50Pa·s?300Pa·s的范圍內(nèi)。若 130°C下的熔融粘度在IOPa·s?600Pa·s的范圍內(nèi),則維持薄膜的形狀且粘度較低。因 此,能夠充分地追隨印刷電路板等被粘物的凹凸、能夠抑制空隙的產(chǎn)生。需要說明的是,在 第五本發(fā)明中,130°C下的熔融粘度是指作為測定條件而將剪切速率設(shè)為5秒η而得到的 值。
[0387] 前述芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱 系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,優(yōu)選含有80重量%以上,更優(yōu)選含有85重量%以上。 另外,前述導(dǎo)熱性顆粒的含量越多越優(yōu)選,但從制膜性的觀點(diǎn)出發(fā),例如為93重量%以下。 含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上的導(dǎo)熱 性顆粒時(shí),使用該熱固型芯片接合薄膜制造的半導(dǎo)體裝置的散熱性更優(yōu)異。需要說明的是, 導(dǎo)熱性顆粒的導(dǎo)熱系數(shù)可以由利用X射線結(jié)構(gòu)分析而得到的導(dǎo)熱性顆粒的晶體結(jié)構(gòu)來推 測。
[0388] 作為前述導(dǎo)熱性顆粒,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的顆粒。
[0389] 前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑優(yōu)選為1μm以上且10μm以下、更優(yōu)選為2μm以上 且7μm以下。這是因?yàn)?,通過使前述導(dǎo)熱性顆粒的平均粒徑為1μm以上,能夠確保熱固型 芯片接合薄膜對被粘物的潤濕性,使其發(fā)揮良好的粘接性,通過為10μm以下,能夠使添加 導(dǎo)熱性顆粒而帶來的導(dǎo)熱性提高的效果更加良好。另外,通過前述范圍的平均粒徑,能夠減 薄熱固型芯片接合薄膜的厚度、進(jìn)而能夠?qū)雽?dǎo)體芯片高層疊化,并且能夠防止因?qū)嵝?顆粒從熱固型芯片接合薄膜上突出而導(dǎo)致產(chǎn)生芯片裂紋。需要說明的是,導(dǎo)熱性顆粒的平 均粒徑為利用光度式的粒度分布計(jì)(H0RIBA,LTD.制、裝置名;LA-910)而求出的值。
[0390] 作為前述芯片接合薄膜的層疊結(jié)構(gòu),與第一本發(fā)明同樣地,例如可列舉出僅由粘 接劑層單層形成的結(jié)構(gòu)、在芯材料的單面或兩面形成有粘接劑層的多層結(jié)構(gòu)等。
[0391] 前述芯片接合薄膜優(yōu)選包含熱塑性樹脂、熱固性樹脂等樹脂成分。
[0392] 作為前述熱固性樹脂,可以使用第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的樹脂(例如,環(huán)氧樹脂、 酚醛樹脂)。
[0393] 從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述環(huán)氧 樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為KKTC以下的樹脂。
[0394] 需要說明的是,環(huán)氧樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK7234-1986中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0395] 另外,從能夠降低熱固型芯片接合薄膜的130°C下的熔融粘度的觀點(diǎn)出發(fā),在前述 酚醛樹脂之中,優(yōu)選軟化點(diǎn)為KKTC以下的樹脂。
[0396] 需要說明的是,酚醛樹脂的軟化點(diǎn)可以通過JISK6910-2007中規(guī)定的環(huán)球法來測 定。
[0397]樹脂成分的含量相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為7重量%以上。樹脂成分的含量 相對于芯片接合薄膜整體優(yōu)選為25重量%以下、更優(yōu)選為20重量%以下、進(jìn)一步優(yōu)選為15 重量%以下。
[0398] 作為樹脂成分(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量)中的熱固性樹脂的配混比 率,只要是在規(guī)定條件下加熱時(shí)芯片接合薄膜會(huì)發(fā)揮作為熱固型的功能的程度,就沒有特 別限定,為了降低130°C下的熔融粘度,優(yōu)選為75?99重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為85?98 重量%的范圍內(nèi)。
[0399] 另外,作為樹脂成分中的熱塑性樹脂的配混比率,為了降低130°C下的熔融粘度, 優(yōu)選為1?25重量%的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為2?15重量%的范圍內(nèi)。
[0400]另外,前述芯片接合薄膜與前述第一本發(fā)明的芯片接合薄膜同樣地,可以根據(jù)需 要適當(dāng)配混固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、前述填料以外的其它添加 齊IJ。固化催化劑、交聯(lián)劑、前述導(dǎo)熱性顆粒以外的填料、以及前述填料以外的其它添加劑的 詳情如第一本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0401] 需要說明的是,前述芯片接合薄膜和帶切割片的芯片接合薄膜的制作方法如第一 本發(fā)明的項(xiàng)中的說明。
[0402](半導(dǎo)體裝置的制造方法)
[0403] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法包括如下工序:
[0404] 準(zhǔn)備熱固型芯片接合薄膜的工序,所述熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯 片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯 片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lW/m·K以上;
[0405] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工 序;以及
[0406] 在壓力為1?20kg/cm2的條件下,將前述熱固型芯片接合薄膜在加熱溫度80? 200°C、加熱時(shí)間0. 1?24小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行加熱,從而使其熱固化的熱固化工序(以下, 也稱為第一實(shí)施方式)。
[0407] 另外,本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法也包括如下工序:
[0408] 準(zhǔn)備在切割片上層疊有熱固型芯片接合薄膜的帶切割片的芯片接合薄膜的工序, 所述熱固型芯片接合薄膜含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系 數(shù)為12W/m·K以上的導(dǎo)熱性顆粒,該熱固型芯片接合薄膜在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為IW/ m·K以上;
[0409] 將前述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn) 行貼合的貼合工序;
[0410] 將前述半導(dǎo)體晶圓與前述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo) 體芯片的切割工序;
[0411] 將前述半導(dǎo)體芯片與前述熱固型芯片接合薄膜一起從前述帶切割片的芯片接合 薄膜拾取的拾取工序;
[0412] 夾著前述熱固型芯片接合薄膜,將前述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接 合工序;以及
[0413] 在壓力為1?20kg/cm2的條件下,將前述熱固型芯片接合薄膜在加熱溫度80? 200°C、加熱時(shí)間0. 1?24小時(shí)的范圍內(nèi)進(jìn)行加熱,從而使其熱固化的熱固化工序(以下, 也稱為第二實(shí)施方式)。
[0414] 關(guān)于第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法,除了第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的 制造方法使用了帶切割片的芯片接合薄膜而第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法單獨(dú) 使用了芯片接合薄膜這一點(diǎn)不同之外,其它方面是共通的。在第一實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置 的制造方法中,如果準(zhǔn)備芯片接合薄膜后進(jìn)行將其與切割片貼合的工序,則其后可以與第 二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法相同。因此,以下對第二實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制 造方法進(jìn)行說明。
[0415] 本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置的制造方法中,首先,準(zhǔn)備帶切割片的芯片接合薄膜 (準(zhǔn)備工序)。該準(zhǔn)備工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的準(zhǔn)備工序相同。
[0416] 首先,在帶切割片的芯片接合薄膜中的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體晶圓貼附部分上壓 接半導(dǎo)體晶圓,使其粘接保持并固定(貼合工序)。該貼合工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說 明的貼合工序相同。
[0417] 接著,進(jìn)行半導(dǎo)體晶圓的切割(切割工序)。該切割工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中 說明的切割工序相同。
[0418] 接著,為了將粘接固定于帶切割片的芯片接合薄膜的半導(dǎo)體芯片剝離而進(jìn)行半導(dǎo) 體芯片的拾?。ㄊ叭」ば颍?。該拾取工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的拾取工序相同。
[0419]接著,將所拾取的半導(dǎo)體芯片夾著芯片接合薄膜粘接固定于被粘物上(芯片接合 工序)。該芯片接合工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的芯片接合工序相同。
[0420] 接著,由于芯片接合薄膜為熱固型,因此通過加熱固化將半導(dǎo)體芯片粘接固定于 被粘物,使其耐熱強(qiáng)度提高(熱固化工序)??梢栽诩訜釡囟葹?0?200°C下進(jìn)行、優(yōu)選為 100?175°C、更優(yōu)選為100?140°C。另外,可以在加熱時(shí)間為0. 1?24小時(shí)下進(jìn)行、優(yōu) 選為0. 1?3小時(shí)、更優(yōu)選為0. 2?1小時(shí)。另外,加熱固化可以在壓力1?20kg/cm2的 條件下(加壓條件下)進(jìn)行。前述壓力條件優(yōu)選為2?18kg/cm2的范圍內(nèi)、更優(yōu)選為5? 15kg/cm2的范圍內(nèi)。加壓下的加熱固化例如可以在填充有非活性氣體的腔室內(nèi)進(jìn)行。由于 熱固化工序在壓力為1?20kg/cm2的條件下(加壓條件下)進(jìn)行,假如在芯片接合工序中, 即使芯片接合薄膜與被粘物之間產(chǎn)生了空隙,也會(huì)使其在樹脂中分散并在外觀上消失而不 會(huì)膨脹。其結(jié)果,能夠降低由空隙導(dǎo)致的影響。需要說明的是,夾著芯片接合薄膜而在基板 上粘接固定了半導(dǎo)體芯片的產(chǎn)物可以供于回流焊工序。
[0421] 熱固化后的芯片接合薄膜的剪切粘接力相對于被粘物優(yōu)選為0. 2MPa以上、更優(yōu) 選為0. 2?lOMPa。若芯片接合薄膜的剪切粘接力至少為0. 2MPa以上,則在進(jìn)行引線接合 工序時(shí),不會(huì)因該工序中的超聲波振動(dòng)或加熱而在芯片接合薄膜與半導(dǎo)體芯片或被粘物的 粘接面產(chǎn)生剪切變形。即,半導(dǎo)體芯片不會(huì)因引線接合時(shí)的超聲波振動(dòng)而移動(dòng),由此來防止 引線接合的成功率降低。
[0422] 接著,根據(jù)需要,將被粘物的端子部(內(nèi)部引線)的前端與半導(dǎo)體芯片上的電極極 板用接合引線進(jìn)行電連接(引線接合工序)。該引線接合工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說 明的引線接合工序相同。
[0423] 接著,根據(jù)需要,利用封裝樹脂來封裝半導(dǎo)體芯片(封裝工序)。該封裝工序可以 與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的封裝工序相同。
[0424] 接著,根據(jù)需要進(jìn)行加熱,使前述封裝工序中固化不充分的封裝樹脂完全固化 (后固化工序)。
[0425] 該后固化工序可以與第一本發(fā)明的項(xiàng)中說明的后固化工序相同。
[0426] 實(shí)施例
[0427] 以下,例示性地詳細(xì)說明本發(fā)明的適宜的實(shí)施例。但是,對于該實(shí)施例中記載的材 料、配混量等,在沒有特別限定記載的情況下,該發(fā)明的主旨并不限定于此。需要說明的是, "份"是指"重量份"。
[0428][第一本發(fā)明]
[0429] 以下的各實(shí)施例等對應(yīng)于第一本發(fā)明。
[0430](實(shí)施例1)
[0431]〈熱固型芯片接合薄膜的制作>
[0432] 使下述(a)?(f)溶解于MEK(甲乙酮),調(diào)整濃度使得粘度在室溫下為150mPa*s, 得到粘接劑組合物溶液。
[0433] (a)環(huán)氧樹脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:JER827(雙酚A型環(huán)氧樹脂)、在室 溫下為液態(tài)(軟化點(diǎn)為25°C以下))
[0434] 9. 5 份
[0435] (b)酚醛樹脂(具有聯(lián)苯芳烷基骨架的酚醛樹脂、明和化成株式會(huì)社制、制品名: MEH-7851SS、軟化點(diǎn) 67°C、羥基當(dāng)量 203g/eq.)
[0436] 9. 5 份
[0437] (c)丙烯酸類共聚物(NagaseChemteXCorporation制、制品名:TEISANRESIN SG-P3、重均分子量:85萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:12°C)
[0438] 1 份
[0439] (d)固化促進(jìn)催化劑(北興化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:TPP-MK、四(對甲苯基硼)四 苯基鱗)
[0440] 0· 2 份
[0441] (e)球狀氧化鋁填料A(電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制、制品名:DAW-05、平均粒徑: 5. 1μm、比表面積:0· 5m2/g)
[0442] 60 份
[0443](f)球狀氧化錯(cuò)填料B(AdmatechsCo.,Ltd.制、制品名:A0802、平均粒徑: 0· 7μm、比表面積:7. 5m2/g)
[0444]2〇 份
[0445] 需要說明的是,球狀氧化鋁填料A和球狀氧化鋁填料B預(yù)先進(jìn)行了表面處理。表 面處理利用干法來進(jìn)行,用下式所示的量(硅烷偶聯(lián)劑處理量)的硅烷偶聯(lián)劑來處理。硅 烷偶聯(lián)劑使用了信越化學(xué)株式會(huì)社的KBM503。
[0446](硅烷偶聯(lián)劑處理量)=(氧化鋁填料的重量(g)X氧化鋁填料的比表面積(m2/ g)) /硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g)
[0447] 硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g) = 6. 02XIO23X13X1(Γ27硅烷偶聯(lián)劑的分子 量
[0448] 將該粘接劑組合物溶液涂布在進(jìn)行了聚硅氧烷脫模處理的、厚度為50μm的由聚 對苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上,然后以130°C干燥2分鐘。 由此制作了厚度25μm的芯片接合薄膜Al。
[0449](實(shí)施例2)
[0450]〈熱固型芯片接合薄膜的制作>
[0451] 使下述(a)?(f)溶解于MEK(甲乙酮),調(diào)整濃度使得粘度在室溫下為150mPa*s, 得到粘接劑組合物溶液。
[0452] (a)環(huán)氧樹脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:JER827(雙酚A型環(huán)氧樹脂)、在室 溫下為液態(tài)(軟化點(diǎn)為25°C以下))
[0453]6· 5 份
[0454] (b)酚醛樹脂(具有聯(lián)苯芳烷基骨架的酚醛樹脂、明和化成株式會(huì)社制、制品名: MEH-7851SS、軟化點(diǎn) 67°C、羥基當(dāng)量 203g/eq.)
[0455] 7 份
[0456] (c)丙烯酸類共聚物(NagaseChemteXCorporation制、制品名:TEISANRESIN SG-P3、重均分子量:85萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:12°C)
[0457]I. 5 份
[0458] (d)固化促進(jìn)催化劑(北興化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:TPP-MK、四(對甲基硼)四 苯基鱗)
[0459] 0·I5 份
[0460] (e)球狀氧化鋁填料A(電氣化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社制、制品名:DAW-05、平均粒徑: 5. 1μm、比表面積:0· 5m2/g)
[0461] 60 份
[0462](f)球狀氧化錯(cuò)填料B(AdmatechsCo.,Ltd.制、制品名:A0802、平均粒徑: 0· 7μm、比表面積:7. 5m2/g)
[0463]25 份
[0464] 需要說明的是,球狀氧化鋁填料A和球狀氧化鋁填料B預(yù)先進(jìn)行了表面處理。表 面處理利用干法來進(jìn)行,用下式所示的量(硅烷偶聯(lián)劑處理量)的硅烷偶聯(lián)劑來處理。硅 烷偶聯(lián)劑使用了信越化學(xué)株式會(huì)社的KBM503。
[0465](硅烷偶聯(lián)劑處理量)=(氧化鋁填料的重量(g)X氧化鋁填料的比表面積(m2/ g)) /硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g)
[0466] 硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g) = 6. 02XIO23X13X1(Γ27硅烷偶聯(lián)劑的分子 量
[0467] 將該粘接劑組合物溶液涂布在進(jìn)行了聚硅氧烷脫模處理的、厚度為50μm的由聚 對苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上,然后以130°C干燥2分鐘。 由此制作了厚度25μm的芯片接合薄膜Bl。
[0468](比較例1)
[0469]〈熱固型芯片接合薄膜的制作>
[0470]使下述(a)?(e)溶解于MEK(甲乙酮),調(diào)整濃度使得粘度在室溫下為150mPa*s, 得到粘接劑組合物溶液。
[0471] (a)環(huán)氧樹脂(三菱化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:JER827(雙酚A型環(huán)氧樹脂)、在室 溫下為液態(tài)(軟化點(diǎn)為25°C以下))
[0472] 8 份
[0473] (b)酚醛樹脂(具有聯(lián)苯芳烷基骨架的酚醛樹脂、明和化成株式會(huì)社制、制品名: MEH-7851SS、軟化點(diǎn) 67°C、羥基當(dāng)量 203g/eq.)
[0474] 8 份
[0475] (c)丙烯酸類共聚物(NagaseChemteXCorporation制、制品名:TEISANRESIN SG-P3、重均分子量:85萬、玻璃化轉(zhuǎn)變溫度:12°C)
[0476] 4 份
[0477] (d)固化促進(jìn)催化劑(北興化學(xué)株式會(huì)社制、制品名:TPP-MK、四(對甲苯基硼)四 苯基鱗)
[0478] 0· 2 份
[0479] (e)球狀氧化錯(cuò)填料B(AdmatechsCo. ,Ltd.制、制品名:A0802、平均粒徑: 0· 7μm、比表面積:7. 5m2/g)
[0480]8〇 份
[0481] 需要說明的是,球狀氧化鋁填料B預(yù)先進(jìn)行了表面處理。表面處理利用干法來進(jìn) 行,用下式所示的量(硅烷偶聯(lián)劑處理量)的硅烷偶聯(lián)劑來處理。硅烷偶聯(lián)劑使用了信越 化學(xué)株式會(huì)社的KBM503。
[0482](硅烷偶聯(lián)劑處理量)=(氧化鋁填料的重量(g)X氧化鋁填料的比表面積(m2/ g)) /硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g)
[0483] 硅烷偶聯(lián)劑的最小覆蓋面積(m2/g) = 6. 02XIO23X13X1(Γ27硅烷偶聯(lián)劑的分子 量
[0484] 將該粘接劑組合物溶液涂布在進(jìn)行了聚硅氧烷脫模處理的、厚度為50μm的由聚 對苯二甲酸乙二醇酯薄膜制成的脫模處理薄膜(剝離襯墊)上,然后以130°C干燥2分鐘。 由此制作了厚度25μm的芯片接合薄膜Cl。
[0485] 需要說明的是,實(shí)施例、比較例的芯片接合薄膜中的填料整體(球狀氧化鋁填料A 和球狀氧化鋁填料B)的平均粒徑以及填料整體的比表面積如表1所示。另外,A/B的值、 填料相對于芯片接合薄膜整體的填充量、樹脂成分中(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量 中)的熱固性樹脂的比率、樹脂成分中(熱固性樹脂與熱塑性樹脂的合計(jì)量中)的熱塑性 樹脂的比率也一并示于表1。
[0486] (130°C下的高速剪切時(shí)(50秒η的剪切速率)的熔融粘度測定)
[0487] 測定了芯片接合薄膜Al?Cl在熱固化前的130°C下的高速剪切時(shí)的熔融粘度。 測定使用流變儀(HAAKE公司制、RS-1),利用平行板法來進(jìn)行。即,從各芯片接合薄膜Al? Cl采取0.Ig作為試樣,將該試樣向預(yù)先加熱至130°C的板進(jìn)行投料。熔融粘度設(shè)為從測定 開始起300秒后的值。另外,將剪切速率設(shè)為50秒'將板間的間隙設(shè)為0.1_。結(jié)果示于 下述表1。
[0488] (130°C下的低速剪切時(shí)(剪切速率5秒,的熔融粘度測定)
[0489] 測定了芯片接合薄膜Al?Cl在熱固化前的130°C下的低速剪切時(shí)的熔融粘度。 測定使用流變儀(HAAKE公司制、RS-1),利用平行板法來進(jìn)行。即,從各芯片接合薄膜Al? Cl采取0.Ig作為試樣,將該試樣向預(yù)先加熱至130°C的板進(jìn)行投料。熔融粘度設(shè)為從測定 開始起300秒后的值。另外,將剪切速率設(shè)為5秒'將板間的間隙設(shè)為0.1_。結(jié)果示于 下述表1。
[0490](導(dǎo)熱系數(shù)的測定)
[0491] 進(jìn)行了芯片接合薄膜Al?Cl的熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)的測定。導(dǎo)熱系數(shù)由下式求 出。結(jié)果示于表1。需要說明的是,熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)是指以130°C加熱1小時(shí)、接著以 175 °C加熱5小時(shí)后的導(dǎo)熱系數(shù)。
[0492](導(dǎo)熱系數(shù))=(熱擴(kuò)散系數(shù))X(比熱)X(比重)
[0493]〈熱擴(kuò)散系數(shù)> ·
[0494] 將芯片接合薄膜層疊為厚度Imm后,沖切成直徑Icm的圓形形狀。接著,以130°C加 熱1小時(shí),然后以175°C加熱5小時(shí)。使用該樣品,使用激光閃光法熱測定裝置(ULVAC,Inc. 制、TC-9000),測定熱擴(kuò)散系數(shù)。
[0495]〈比熱 >
[0496]使用DSC(TAinstrument制、Q-2000),利用依照J(rèn)IS-7123的規(guī)定的測定方法來求 出。
[0497]〈比重 >
[0498] 使用電子天平(株式會(huì)社島津制作所制、AEL-200),利用阿基米德法來測定。
[0499](空隙評價(jià))
[0500] 使用熱層壓,將厚度25μm的芯片接合薄膜Al?Cl以IOmmX IOmm的面積貼附在 厚度IOOym的玻璃芯片上,制作了樣品芯片。貼附時(shí)的溫度為60°C、壓力為0. 15MPa。
[0501] 接著,將樣品芯片以130°C、2kg、2秒鐘的條件接合于BGA基板(JapanCircuit IndustrialCO. ,LTD制、制品名:CA-BGA(2)、表面十點(diǎn)平均粗糙度(Rz) = 11?13μm)。 其后,在加壓條件下以130°C加熱1小時(shí),然后以175°C加熱5小時(shí)。加熱固化時(shí)的加壓具 體而言通過在烘箱內(nèi)以5kg/cm2填充氮?dú)鈦磉M(jìn)行。使用光學(xué)顯微鏡從進(jìn)行了接合的樣品芯 片的玻璃面?zhèn)冗M(jìn)行觀察。使用二值化軟件(WinRoofver. 5. 6)計(jì)算空隙在觀察圖像中所占 的面積。將空隙所占的面積相對于芯片接合薄膜的表面積不足20%的情況評價(jià)為"〇"、為 20%以上的情況評價(jià)為"X"。結(jié)果示于表1。
[0502] [表1]
【權(quán)利要求】
1. 一種熱固型芯片接合薄膜,其特征在于,其在熱固化后的導(dǎo)熱系數(shù)為lw/m·K以上, 其含有相對于熱固型芯片接合薄膜整體為75重量%以上的導(dǎo)熱系數(shù)為12W/m·Κ以上 的導(dǎo)熱性顆粒, 所述熱固型芯片接合薄膜在130°C下以50秒η的剪切速率測定的熔融粘度為200Pa*s以下。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜,其特征在于,所述導(dǎo)熱性顆粒的平均 粒徑為1μm以上且10μm以下。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的熱固型芯片接合薄膜,其特征在于,其含有熱塑性樹脂和熱 固性樹脂, 將所述熱固性樹脂的含有重量份記為A、將所述熱塑性樹脂的含有重量份記為B時(shí),A/B為5以上。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱固型芯片接合薄膜,其特征在于,所述熱固性樹脂包含軟 化點(diǎn)為KKTC以下的熱固性樹脂。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的熱固型芯片接合薄膜,其特征在于,所述熱固性樹脂包含在 室溫下呈液態(tài)的熱固性樹脂。
6. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,其包括如下工序: 準(zhǔn)備權(quán)利要求1?5中任一項(xiàng)所述的熱固型芯片接合薄膜的工序;以及 夾著所述熱固型芯片接合薄膜,將半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工序。
7. -種帶切割片的芯片接合薄膜,其特征在于,其在切割片上層疊有權(quán)利要求1?5中 任一項(xiàng)所述的熱固型芯片接合薄膜,所述切割片在基材上層疊有粘合劑層。
8. -種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,其包括如下工序: 準(zhǔn)備權(quán)利要求7所述的帶切割片的芯片接合薄膜的工序; 將所述帶切割片的芯片接合薄膜的熱固型芯片接合薄膜與半導(dǎo)體晶圓的背面進(jìn)行貼 合的貼合工序; 將所述半導(dǎo)體晶圓與所述熱固型芯片接合薄膜一起進(jìn)行切割,形成芯片狀的半導(dǎo)體芯 片的切割工序; 將所述半導(dǎo)體芯片與所述熱固型芯片接合薄膜一起從所述帶切割片的芯片接合薄膜 拾取的拾取工序;以及 夾著所述熱固型芯片接合薄膜,將所述半導(dǎo)體芯片芯片接合到被粘物上的芯片接合工 序。
【文檔編號(hào)】C09J7/02GK104212369SQ201410245350
【公開日】2014年12月17日 申請日期:2014年6月4日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月4日
【發(fā)明者】木村雄大, 三隅貞仁, 大西謙司, 菅生悠樹, 宍戶雄一郎 申請人:日東電工株式會(huì)社