數據示于圖9中。 。刪表9 :酵母微牛物的蔭落而巧（Pi像素為單仿根告）。各測試根告為蔭落而巧的平 挽估+梳準偏差。
[0179]
陽180] 連倆I7-11 :用于檢測霉蔭微牛物的薄腸培養(yǎng)裝晉。
[0181] 如實例1-4中所述的那樣，使用表10中所示的營養(yǎng)物質制劑（不含先前實例的添 加的硫酸儀7&0、氯化儘和硫酸鋒7&0)，對薄膜培養(yǎng)裝置進行制備、接種和分析。如實例 1-4中所述的那樣添加邸TAW達到表11中所示的最終濃度。將S復制份板的各制劑用黑 曲霉接種、溫育并且在48小時和72小時下成像，如針對實例1-4所述的那樣。在溫育48 小時之后的數均菌落大小和在溫育48小時和72小時之后觀察到的菌落的數目分別報告于 表12和13中。
[0182]表10:
[0183]
[018引 ND-通過用于圖像處理的參數未檢測出菌落。 陽18引 表13 :溫育48小時巧72小時后的蔭落計撒。
[0190]
[0191]連倆I12 :檢測霉蔭微牛物的方法。
[0192] 在此實例中，將邸TA添加到板，它溶解于1毫升種菌中而非設置成經涂布的營養(yǎng) 物質制劑中的組分，如上文所述。如實例1中所述制備黑曲霉的稀釋懸浮液。通過將3. 7 毫克邸TA溶解于10毫升Butterfield氏緩沖液中來制備1毫摩爾每升邸TA溶液。將黑 曲霉稀釋懸浮液添加到邸TA/Butte計ield氏W得到大致5c化每毫升的細胞濃度。通過根 據制造商的說明將一毫升種菌添加到PYM板來制備五個復制裝置。從不含有邸TA的5c化/ ml黑曲霉溶液來制備一組對照板。表14示出溫育48小時和72小時之后每板的平均菌落 計數。表15示出，在ImM邸TA中生長的霉菌菌落在溫育48小時之后具有小于對照板的大 致20倍的平均菌落直徑。
[0193]表 14:
[0194]
陽197]連倆I13 :在薄腸培養(yǎng)裝晉中檢測霉蔭微牛物的方法中EGTA的伸用。
[019引通過將15. 2毫克EGTA溶解于10毫升Butterfield氏緩沖液中來制備4毫摩爾每 升乙二醇四乙酸巧GTA)溶液。制備連續(xù)兩倍稀釋液W得到分別含有2毫摩爾每升和1毫 摩爾每升EGTA的溶液。如實例中所用的"EGTA"是指可購自西格瑪奧德里奇（密蘇里州圣 路易斯）（Sigma-Al化ich(St.Louis，M0))的乙二醇-雙（2-氨基乙基酸）-N，N，N'，N'-四 乙酸化7-42-5)。將黑曲霉的懸浮液稀釋并且添加到如實例12中所述的溶液W得到大致 5c化/ml的最終細胞濃度。通過根據制造商的說明將1毫升霉菌懸浮液接種到PYM板來制 備=個復制裝置。分別在溫育48小時和72小時之后獲得板的圖像。在選擇的溫育時間段 (分別42小時和66小時）之后，通過手動地計數藍色著色菌落的數目來確定定量的霉菌計 數。各組復制培養(yǎng)裝置的菌落的總數示于表16中。根據各板的圖像確定板計數個板 的總數）并且結果示于表16中。通過將板成像并且如上文所述分析圖像確定溫育48小時 之后的平均菌落大小。結果如表17所示。
[0199]表 16:
[0200]
[0203] 本文引用的所有專利、專利申請和專利公開的全部公開內容W及可供使用電子版 材料均W引用方式并入。在本專利申請和W引證方式并入本申請的任何文獻的公開內容之 間存在矛盾的情況下，應W本發(fā)明的公開內容為準。上述的詳細說明和實施例僅為了清楚 理解本發(fā)明。而不應被理解為不必要的限制。本發(fā)明不限于上述的各種細節(jié)，本領域所屬 技術人員可在權利要求書限定的本發(fā)明內作出各種變化。
[0204] 所有的標題是為了方便閱讀，并且不應該用于限定標題下內容的意思，除非特指。
[0205] 在不脫離本發(fā)明的實質和范圍的前提下，可進行各種修改。運些W及其它實施例 均在如下權利要求的范圍W內。
[0206]W下實例進一步說明本發(fā)明的優(yōu)點和實施例，但是運些實例中所提及的具體材料 及其量W及其它條件和細節(jié)均不應被解釋為是對本發(fā)明的不當限制。除非另外指明或顯而 易見，否則所有材料均可W商購，或者是本領域內的技術人員已知的。
【主權項】
1. 一種薄膜培養(yǎng)裝置，包括： 耐水的第一襯底； 耐水的第二襯底； 生長區(qū)，設置在所述第一襯底和所述第二襯底之間； 干的、冷水可溶的膠凝劑，設置在所述生長區(qū)中；以及 有效量的鈣螯合化合物，設置在所述生長區(qū)中； 其中，當所述生長區(qū)用預定體積的含水液體水合并且用霉菌菌種的菌落形成單位接種 時，相對于在不含有設置在所述生長區(qū)中的所述有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的相同 霉菌菌種的菌落的側向擴大速率，所述有效量的鈣螯合化合物能夠降低在培養(yǎng)裝置中生長 的所述菌落形成單位的側向擴大速率； 其中降低所述菌落形成單位的側向擴大速率基本上不延緩對所述菌落的檢測。2. 根據權利要求1所述的薄膜培養(yǎng)裝置，還包括設置在所述生長區(qū)中的鈣鹽。3. 根據權利要求1或權利要求2所述的薄膜培養(yǎng)裝置，其中所述鈣螯合化合物和/或 存在的所述鈣鹽設置在第一干涂層中。4. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，其中所述干的、冷水可溶的膠凝 劑設置在所述第一干涂層中和/或第二干涂層中。5. 根據權利要求1至4中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，其中在適于生長霉菌微生物的 溫度下溫育48小時之后，相對于在不含所述鈣螯合化合物的基本上相同的薄膜培養(yǎng)裝置 中生長的霉菌微生物的第二平均菌落直徑，所述有效量的鈣螯合化合物足以使所述霉菌微 生物的第一平均菌落直徑降低至少30%。6. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，其中所述鈣螯合化合物包含乙二 胺四乙酸、乙二醇四乙酸或檸檬酸。7. 根據權利要求6所述的薄膜培養(yǎng)裝置，其中所述鈣螯合化合物包含乙二胺四乙酸二 鈉二水合物，其中所述乙二胺四乙酸二鈉二水合物以約〇. 5mg/100cm2至約12mg/100cm2的 涂層密度設置在所述生長區(qū)中的干涂層中。8. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，還包括營養(yǎng)培養(yǎng)基以支持霉菌微 生物的生長。9. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，還包括指示劑。10. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，還包括預定體積的含水液體，其 中設置在所述生長區(qū)中的所述有效量的鈣螯合化合物溶解于所述含水液體中，其濃度為： 相對于在不含有設置在所述生長區(qū)中的所述有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的相同霉 菌菌種的菌落的側向擴大速率，能夠有效地降低在含有設置在所述生長區(qū)中的所述有效量 的培養(yǎng)裝置中生長的霉菌菌種的菌落的側向擴大速率。11. 根據前述權利要求中任一項所述的薄膜培養(yǎng)裝置，還包括粘附到所述第一襯底的 透氣膜，其中所述透氣膜與所述培養(yǎng)裝置的所述生長區(qū)基本上共延。12. -種用于計數微生物的方法，包括： 在薄膜培養(yǎng)裝置的生長區(qū)中形成接種的培養(yǎng)基，所述薄膜培養(yǎng)裝置包含設置在所述生 長區(qū)中的有效量的鈣螯合化合物； 溫育所述接種的培養(yǎng)基持續(xù)足以形成霉菌微生物的宏觀可檢測菌落的預定時間段；以 及 計數所述生長區(qū)中霉菌微生物的宏觀可檢測菌落的數目； 其中形成所述接種的培養(yǎng)基包括用預定體積的含水液體水合所述生長區(qū)； 其中，當所述生長區(qū)用所述預定體積的含水液體水合并且用霉菌菌種的菌落形成單位 接種時，相對于在不含有設置在所述生長區(qū)中的所述有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的 相同霉菌菌種的菌落的側向擴大速率，所述鈣螯合化合物降低在培養(yǎng)裝置中生長的所述菌 落形成單位的側向擴大速率； 其中降低側向擴大速率基本上不延緩對所述菌落的檢測。13. 根據權利要求12所述的方法，其中所述有效量的鈣螯合化合物基本上不延緩對原 本在所述預定時間段內檢測的存在的酵母微生物的檢測。14. 根據權利要求13所述的方法，還包括計數所述生長區(qū)中宏觀可檢測的酵母菌落的 數目。15. 根據權利要求12至14中任一項所述的方法： 其中形成接種的培養(yǎng)基包括將含水樣品沉積到所述薄膜培養(yǎng)裝置中； 其中，在沉積所述含水樣品之前，所述薄膜培養(yǎng)裝置包含營養(yǎng)培養(yǎng)基、指示劑和/或所 述有效量的鈣螯合化合物。16. 根據權利要求12至15中任一項所述的方法，其中將所述接種的培養(yǎng)基溫育預定時 間段包括將所述接種的培養(yǎng)基溫育約40小時和約96小時之間。17. 根據權利要求12至16中任一項所述的方法，其中計數宏觀可檢測菌落的數目包括 獲得所述薄膜培養(yǎng)裝置的生長區(qū)的圖像。18. -種試劑盒，包括： 薄膜培養(yǎng)裝置，用于生長霉菌微生物并對其進行計數；和 容器，容納預定量的鈣螯合化合物； 其中，當設置在培養(yǎng)裝置的生長區(qū)中時，在將所述裝置接種之后，相對于在不含有設置 在所述生長區(qū)中的有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的相同霉菌菌種的菌落的側向擴大 速率，所述預定量的一部分足以降低在培養(yǎng)裝置中生長的霉菌菌種的菌落形成單位的側向 擴大速率； 其中降低所述菌落形成單位的側向擴大速率基本上不延緩對所述菌落的檢測。19. 根據權利要求18所述的試劑盒，其中所述薄膜培養(yǎng)裝置包括： 耐水的第一襯底； 耐水的第二襯底； 生長區(qū)，設置在所述第一襯底和所述第二襯底之間； 干的、冷水可溶的膠凝劑，設置在所述生長區(qū)中；以及 有效量的鈣螯合化合物，設置在所述生長區(qū)中； 其中，當所述生長區(qū)用預定體積的含水液體水合并且用霉菌菌種的菌落形成單位接種 時，相對于在不含有設置在所述生長區(qū)中的所述有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的相同 霉菌菌種的菌落的側向擴大速率，所述有效量的鈣螯合化合物能夠降低在培養(yǎng)裝置中生長 的所述菌落形成單位的側向擴大速率； 其中降低所述菌落形成單位的側向擴大速率基本上不延緩對所述菌落的檢測。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于計數霉菌菌落的薄膜培養(yǎng)裝置。該裝置包括帶有設置在兩者之間的生長區(qū)的耐水的第一襯底和第二襯底、設置在生長區(qū)中的干的、冷水可溶的膠凝劑和設置在生長區(qū)中的有效量的鈣螯合化合物。相對于在不含有設置在生長區(qū)中的有效量的原本相同培養(yǎng)裝置中生長的相同霉菌菌種的菌落的側向擴大速率，有效量的鈣螯合化合物能夠降低在培養(yǎng)裝置中生長的菌落形成單位的側向擴大速率，其中降低菌落形成單位的側向擴大速率基本上不延緩對菌落的檢測。還提供了一種對應的方法。
【IPC分類】C12Q1/04, C12M1/00, C12M1/34, C12M3/00, C12M1/12, C12M1/04
【公開號】CN105189727
【申請?zhí)枴緾N201480025430
【發(fā)明人】庫爾特·J·霍爾沃森
【申請人】3M創(chuàng)新有限公司
【公開日】2015年12月23日
【申請日】2014年5月5日
【公告號】EP2994525A1, US20160075988, WO2014182586A1