注入層120、空穴輸送層125、電子阻擋層130、發(fā)射層135、空穴阻擋層140、 電子輸送層145、電子注入層150、保護層155、陰極160和屏障層170。陰極160是具有第 一導(dǎo)電層162和第二導(dǎo)電層164的復(fù)合陰極。裝置100可以通過依序沉積所描述的層來制 造。在以引用的方式并入的US7, 279, 704的第6-10列中更詳細地描述這些各種層以及實 例材料的性質(zhì)和功能。
[0047] 這些層中的每一者有更多實例。舉例來說，以全文引用的方式并入的美國專利第 5, 844, 363號中公開柔性并且透明的襯底-陽極組合。經(jīng)p摻雜的空穴輸送層的實例是以 50:1的摩爾比率摻雜有F4-TCNQ的m-MTDATA，如以全文引用的方式并入的美國專利申請公 開案第2003/0230980號中所公開。以全文引用的方式并入的頒予湯普森（Thompson)等人 的美國專利第6, 303, 238號中公開發(fā)射材料和主體材料的實例。經(jīng)n摻雜的電子輸送層的 實例是以1:1的摩爾比率摻雜有Li的BPhen，如以全文引用的方式并入的美國專利申請公 開案第2003/0230980號中所公開。以全文引用的方式并入的美國專利第5, 703, 436號和 第5, 707, 745號公開了陰極的實例，其包括具有例如Mg:Ag等金屬薄層與上覆的透明、導(dǎo) 電、經(jīng)濺鍍沉積的ITO層的復(fù)合陰極。以全文引用的方式并入的美國專利第6, 097, 147號 和美國專利申請公開案第2003/0230980號中更詳細地描述阻擋層的原理和使用。以全文 引用的方式并入的美國專利申請公開案第2004/0174116號中提供注入層的實例。可以在 以全文引用的方式并入的美國專利申請公開案第2004/0174116號中找到保護層的描述。
[0048] 圖2展示了倒轉(zhuǎn)的OLED200。所述裝置包括襯底210、陰極215、發(fā)射層220、空穴 輸送層225和陽極230。裝置200可以通過依序沉積所描述的層來制造。因為最常見OLED 配置具有安置在陽極上的陰極，并且裝置200具有安置在陽極230下的陰極215,所以裝置 200可以稱為"倒轉(zhuǎn)"0LED。在裝置200的對應(yīng)層中，可以使用與關(guān)于裝置100所描述的材 料類似的材料。圖2提供了可以如何從裝置100的結(jié)構(gòu)省略一些層的一個實例。
[0049] 圖1和2中所說明的簡單分層結(jié)構(gòu)是作為非限制實例而提供，并且應(yīng)理解，可以結(jié) 合各種各樣的其它結(jié)構(gòu)使用本發(fā)明的實施例。所描述的具體材料和結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是示范性 的，并且可以使用其它材料和結(jié)構(gòu)?？梢曰谠O(shè)計、性能和成本因素，通過以不同方式組合 所描述的各個層來實現(xiàn)功能性0LED，或可以完全省略若干層。還可以包括未具體描述的其 它層?？梢允褂貌煌诰唧w描述的材料的材料。盡管本文所提供的實例中的許多實例將各 種層描述為包含單一材料，但應(yīng)理解，可以使用材料的組合（例如主體與摻雜劑的混合物） 或更一般來說，混合物。并且，所述層可以具有各種子層。本文中給予各個層的名稱不意欲 具有嚴格限制性。舉例來說，在裝置200中，空穴輸送層225輸送空穴并且將空穴注入到發(fā) 射層220中，并且可以被描述為空穴輸送層或空穴注入層。在一個實施例中，可以將OLED 描述為具有安置在陰極與陽極之間的"有機層"。此有機層可以包含單個層，或可以進一步 包含如例如關(guān)于圖1和2所描述的不同有機材料的多個層。
[0050] 還可以使用未具體描述的結(jié)構(gòu)和材料，例如包含聚合材料的OLED(PLED)，例如以 全文引用的方式并入的頒予弗蘭德（Friend)等人的美國專利第5, 247, 190號中所公開。 作為另一實例，可以使用具有單個有機層的OLED。OLED可以堆疊，例如如以全文引用的方 式并入的頒予福利斯特（Forrest)等人的第5, 707, 745號中所描述。OLED結(jié)構(gòu)可以脫離 圖1和2中所說明的簡單分層結(jié)構(gòu)。舉例來說，襯底可以包括有角度的反射表面以改進出 親（out-coupling)，例如如頒予福利斯特等人的美國專利第6, 091，195號中所述的臺式結(jié) 構(gòu)，和/或如頒予布利維克（Bulovic)等人的美國專利第5, 834, 893號中所述的凹點結(jié)構(gòu)， 所述專利以全文引用的方式并入。
[0051] 除非另外規(guī)定，否則可以通過任何合適方法來沉積各種實施例的層中的任一 者。對于有機層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)、噴墨（例如以全文引用的方式并入的美國專利第 6,013,982號和第6, 087, 196號中所述）、有機氣相沉積（OVPD)(例如以全文引用的方式 并入的頒予福利斯特等人的美國專利第6, 337, 102號中所述）和通過有機蒸氣噴射印刷 (OVJP)的沉積（例如以全文引用的方式并入的美國專利第7, 431，968號中所述）。其它合 適沉積方法包括旋涂和其它基于溶液的工藝?；谌芤旱墓に噧?yōu)選在氮或惰性氣氛中進 行。對于其它層，優(yōu)選方法包括熱蒸發(fā)。優(yōu)選的圖案化方法包括通過掩模的沉積、冷焊（例 如以全文引用的方式并入的美國專利第6, 294, 398號和第6, 468, 819號中所述）和與例如 噴墨和OVJD等沉積方法中的一些方法相關(guān)聯(lián)的圖案化。還可以使用其它方法?？梢孕薷拇?沉積的材料，以使其與具體沉積方法相容。舉例來說，可以在小分子中使用具支鏈或無支鏈 并且優(yōu)選含有至少3個碳的例如烷基和芳基等取代基，來增強其經(jīng)受溶液處理的能力?？?以使用具有20個或更多個碳的取代基，并且3-20個碳是優(yōu)選范圍。具有不對稱結(jié)構(gòu)的材 料可以比具有對稱結(jié)構(gòu)的材料具有更好的溶液可處理性，因為不對稱材料可以具有更低的 再結(jié)晶傾向性?？梢允褂脴渲罹酆衔锶〈鶃碓鰪娦》肿咏?jīng)受溶液處理的能力。
[0052] 根據(jù)本發(fā)明實施例制造的裝置可以進一步任選地包含屏障層。屏障層的一個用途 是保護電極和有機層免于因暴露于環(huán)境中的有害物質(zhì)（包括水分、蒸氣和/或氣體等）而 受損。屏障層可以沉積在襯底、電極上，沉積在襯底、電極下或沉積在襯底、電極旁，或沉積 在裝置的任何其它部分（包括邊緣）上。屏障層可以包含單個層或多個層。屏障層可以通 過各種已知的化學(xué)氣相沉積技術(shù)形成，并且可以包括具有單一相的組合物以及具有多個相 的組合物。任何合適材料或材料組合都可以用于屏障層。屏障層可以并入有無機化合物或 有機化合物或兩者。優(yōu)選的屏障層包含聚合材料與非聚合材料的混合物，如以全文引用的 方式并入本文中的美國專利第7, 968, 146號、PCT專利申請第PCT/US2007/023098號和第 PCT/US2009/042829號中所述。為了被視為"混合物"，構(gòu)成屏障層的前述聚合材料和非聚 合材料應(yīng)在相同反應(yīng)條件下和/或在同時沉積。聚合材料對非聚合材料的重量比率可以在 95:5到5:95的范圍內(nèi)。聚合材料和非聚合材料可以由同一前體材料產(chǎn)生。在一個實例中， 聚合材料與非聚合材料的混合物基本上由聚合硅和無機硅組成。
[0053] 根據(jù)本發(fā)明的實施例制造的裝置可以并入到多種多樣的電子組件模塊（或單元） 中，所述電子組件模塊可以并入到多種電子產(chǎn)品或中間組件中。所述電子產(chǎn)品或中間組件 的實例包括可以為終端用戶產(chǎn)品制造商利用的顯示屏、照明裝置（例如離散光源裝置或照 明面板）等。所述電子組件模塊可以任選地包括驅(qū)動電子裝置和/或電源。根據(jù)本發(fā)明 的實施例制造的裝置可以并入到多種多樣的消費型產(chǎn)品中，所述消費型產(chǎn)品有一或多種電 子組件模塊（或單元）并入于其中。所述消費型產(chǎn)品將包括包含一或多個光源和/或一或 多個某一類型的視覺顯示器的任何種類的產(chǎn)品。所述消費型產(chǎn)品的一些實例包括平板顯示 器、計算機監(jiān)視器、醫(yī)療監(jiān)視器、電視機、告示牌、用于內(nèi)部或外部照明和/或發(fā)信號的燈、 平視顯示器、全透明或部分透明顯示器、柔性顯示器、激光印刷機、電話、手機、平板計算機、 平板手機、個人數(shù)字助理（PDA)、膝上型計算機、數(shù)碼相機、攝錄像機、取景器、微顯示器、3-D 顯示器、運載工具、大面積墻壁、劇院或體育館屏幕，或指示牌?？梢允褂酶鞣N控制機制來控 制根據(jù)本發(fā)明而制造的裝置，包括無源矩陣和有源矩陣。意欲將所述裝置中的許多裝置用 于對人類來說舒適的溫度范圍中，例如18攝氏度到30攝氏度，并且更優(yōu)選在室溫下（20-25 攝氏度），但可以在此溫度范圍外（例如-40攝氏度到+80攝氏度）使用。
[0054] 本文所述的材料和結(jié)構(gòu)可以應(yīng)用于不同于OLED的裝置中。舉例來說，例如有機太 陽能電池和有機光檢測器等其它光電子裝置可以使用所述材料和結(jié)構(gòu)。更一般來說，例如 有機晶體管等有機裝置可以使用所述材料和結(jié)構(gòu)。
[0055] 如本文所用，術(shù)語"鹵基"、"鹵素"或"鹵化物"包括氟、氯、溴和碘。
[0056] 如本文所用，術(shù)語"烷基"涵蓋直鏈和支鏈烷基。優(yōu)選的烷基是含有一到十五個碳 原子的烷基，并且包括甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基等。另外，烷基可以是 任選地被取代的。
[0057] 如本文所用，術(shù)語"環(huán)烷基"涵蓋環(huán)狀烷基。優(yōu)選的環(huán)烷基是含有3到7個碳原子 的環(huán)烷基，并且包括環(huán)丙基、環(huán)戊基、環(huán)己基等。另外，環(huán)烷基可以是任選地被取代的。
[0058] 如本文所用，術(shù)語"烯基"涵蓋直鏈和支鏈烯基。優(yōu)選的烯基是含有二到十五個碳 原子的烯基。另外，烯基可以是任選地被取代的。
[0059] 如本文所用，術(shù)語"炔基"涵蓋直鏈和支鏈炔基。優(yōu)選的炔基是含有二到十五個碳 原子的炔基。另外，炔基可以是任選地被取代的。
[0060] 如本文所用，術(shù)語"芳烷基"或"芳基烷基"可互換地使用并且涵蓋具有芳香族基 團作為取代基的烷基。另外，芳烷基可以是任選地被取代的。
[0061] 如本文所用，術(shù)語"雜環(huán)基"涵蓋芳香族和非芳香族環(huán)狀基團。雜芳香族環(huán)狀基團 也意指雜芳基。優(yōu)選的非芳香族雜環(huán)基是含有包括至少一個雜原子的3或7個環(huán)原子的 雜環(huán)基，并且包括環(huán)胺，例如嗎啉基、哌啶基、吡咯烷基等，和環(huán)醚，例如四氫呋喃、四氫吡喃 等。另外，雜環(huán)基可以是任選地被取代的。
[0062] 如本文所用，術(shù)語"芳基"或"芳香族基團"涵蓋單環(huán)基團和多環(huán)系統(tǒng)。多環(huán)可以 具有兩個或更多個其中兩個碳為兩個鄰接環(huán)（所述環(huán)是"稠合的"）共用的環(huán)，其中所述環(huán) 中的至少一者是芳香族的，例如其它環(huán)可以是環(huán)烷基、環(huán)烯基、芳基、雜環(huán)和/或雜芳基。另 外，芳基可以是任選地被取代的。
[0063] 如本文所用，術(shù)語"雜芳基"涵蓋可以包括一到三個雜原子的單環(huán)雜芳香族基