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一種BC/MXene@MoS2復(fù)合氣凝膠及其制備方法和應(yīng)用

文檔序號:40437565發(fā)布日期:2024-12-24 15:11閱讀:19來源:國知局
一種BC/MXene@MoS2復(fù)合氣凝膠及其制備方法和應(yīng)用

本發(fā)明涉及電磁波吸收材料,特別是涉及一種bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠及其制備方法和應(yīng)用。


背景技術(shù):

1、近年來,隨著信息技術(shù)的快速發(fā)展,特別是第五代(5g)的到來,給人們的生活帶來了極大的便利,包括衛(wèi)星通信、寬帶雷達(dá)、無線網(wǎng)絡(luò)和便攜式數(shù)字硬件在內(nèi)的大功率電子設(shè)備越來越多地應(yīng)用于人類健康、信息安全和國防安全。但是科技改變生活的同時也帶來了嚴(yán)重的電磁波污染,電磁污染會破壞電子設(shè)備的正常功能,對人類健康構(gòu)成潛在威脅。?為了解決這一問題,開發(fā)輕量化、薄厚度、強(qiáng)吸收、寬帶寬的微波吸收材料(mams),已成為近幾年的研究熱點(diǎn)。

2、傳統(tǒng)的mams,如炭黑、鐵氧體以及磁性金屬,已經(jīng)取得了較好的電磁波(emw)性能,但是這些材料具有高密度、較窄的吸收帶寬,高填充比等缺點(diǎn)。相較于傳統(tǒng)mams,mxene基氣凝膠具有獨(dú)特的三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)以及高比表面積低密度,并且在低填充量下,即可獲得優(yōu)異的吸波性能。但單獨(dú)mxene氣凝膠因較差的機(jī)械性能,使應(yīng)用方面收到了較大的限制。并且mxene因其優(yōu)良的導(dǎo)電率,導(dǎo)致氣凝膠的阻抗匹配較差,使電磁波大部分在材料表面被反射,進(jìn)而很難進(jìn)入吸波材料。


技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問題,本發(fā)明提供了一種bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠及其制備方法和應(yīng)用,本發(fā)明利用細(xì)菌纖維素作為粘結(jié)劑,增強(qiáng)機(jī)械性能,通過冷凍鑄造-冷凍干燥得到bc/mxene氣凝膠,隨后通過水熱合成在氣凝膠表面生長mos2納米片改善材料的阻抗匹配,最終得到bc/mxene@mos2微波吸收材料,為解決電磁波污染的問題提供了一種新的思路。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:

3、本發(fā)明提供了一種bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠,包括bc/mxene骨架和負(fù)載bc/mxene骨架上的mos2納米片。

4、本發(fā)明還提供了一種上述技術(shù)方案所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠的制備方法,包括以下步驟:

5、1)將單層mxene粉與細(xì)菌纖維素分散液混合,得到前驅(qū)體分散液;

6、2)將所述步驟1)得到的前驅(qū)體分散液進(jìn)行冷凍鑄造,冷凍干燥后得到bc/mxene氣凝膠;

7、3)將四水合鉬酸銨、硫脲和水混合,得到混合液,將所述步驟2)得到的bc/mxene氣凝膠浸泡在所述混合液中,經(jīng)水熱反應(yīng)后,得到bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠。

8、優(yōu)選的,所述步驟1)單層mxene粉與細(xì)菌纖維素分散液的質(zhì)量比為0.06~0.08:10;

9、所述細(xì)菌纖維素分散液的質(zhì)量百分含量為0.8%;

10、所述混合在攪拌下進(jìn)行,所述攪拌的條件包括:轉(zhuǎn)速為1300rpm,時間為5h。

11、優(yōu)選的,所述步驟2)冷凍鑄造的條件包括:溫度為-80~-196℃,時間為1h;

12、所述冷凍干燥的條件包括:溫度為-55℃,時間為48h。

13、優(yōu)選的,所述步驟2)前驅(qū)體分散液在定向冷凍鑄造模具中進(jìn)行冷凍鑄造,所述定向冷凍鑄造模具包括銅質(zhì)底座和亞克力方管兩部分,銅質(zhì)底座的尺寸為60×60×2mm,亞克力方管管壁厚為5mm,內(nèi)腔尺寸為20×20×25mm。

14、優(yōu)選的,所述步驟3)四水合鉬酸銨、硫脲和水的質(zhì)量比為1.0595:2.2835:30;

15、所述混合液的體積和bc/mxene氣凝膠的數(shù)量比為30ml:1個。

16、優(yōu)選的,所述步驟3)浸泡的時間為12h;

17、所述水熱反應(yīng)的條件包括:溫度為200℃,時間為18~24h。

18、本發(fā)明還提供了上述技術(shù)方案所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在制備電磁波吸波材料中的應(yīng)用。

19、本發(fā)明還提供了上述技術(shù)方案所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在提高電磁波吸波材料吸波性能中的應(yīng)用。

20、本發(fā)明還提供了上述技術(shù)方案所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在改善電磁波吸波材料阻抗匹配中的應(yīng)用。

21、本發(fā)明的有益效果:

22、(1)本發(fā)明利用生物質(zhì)材料,原料易得,成產(chǎn)成本低,并且具有優(yōu)異的機(jī)械性能,可以有效改善氣凝膠的機(jī)械性能,并且細(xì)菌纖維素也是一種低介電材料,可以改善阻抗匹配的問題(材料吸波性能及吸收帶寬較寬,說明材料在該吸收頻率下具有較好地阻抗匹配);

23、(2)本發(fā)明借助冷凍鑄造-冷凍干燥工藝在材料內(nèi)部成功構(gòu)筑微米級定向孔道,結(jié)構(gòu)可控性強(qiáng),有助于實(shí)現(xiàn)材料電磁性質(zhì)和吸波性能的多尺度調(diào)控;本發(fā)明通過構(gòu)建了多空氣凝膠,增大了比表面積,同時增加了異質(zhì)界面,進(jìn)而提升了界面極化;并且構(gòu)建了大量微孔,促進(jìn)了電磁波在材料內(nèi)部的反射與多重反射,增加了電磁波的傳輸路徑,更有利于材料對電磁波的吸收;

24、(3)本發(fā)明所制備的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠具有低密度(51.2mg/cm3)、低填充(≤5wt%)的條件下最小反射損耗高達(dá)52db(厚度為2.62mm),有效吸收帶寬高達(dá)7.04ghz(厚度為2.55mm),覆蓋整個ku波段以及部分x波段。綜合來看,該吸波材料十分符合目前新型微波吸收材料的開發(fā)輕量化、薄厚度、強(qiáng)吸收、寬帶寬的應(yīng)用需求。



技術(shù)特征:

1.一種bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠,其特征在于,包括bc/mxene骨架和負(fù)載bc/mxene骨架上的mos2納米片。

2.一種權(quán)利要求1所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠的制備方法,其特征在于,包括以下步驟:

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟1)單層mxene粉與細(xì)菌纖維素分散液的質(zhì)量比為0.06~0.08:10;

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟2)冷凍鑄造的條件包括:溫度為-80~-196℃,時間為1h;

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟2)前驅(qū)體分散液在定向冷凍鑄造模具中進(jìn)行冷凍鑄造,所述定向冷凍鑄造模具包括銅質(zhì)底座和亞克力方管兩部分,銅質(zhì)底座的尺寸為60×60×2mm,亞克力方管管壁厚為5mm,內(nèi)腔尺寸為20×20×25mm。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟3)四水合鉬酸銨、硫脲和水的質(zhì)量比為1.0595:2.2835:30;

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法,其特征在于,所述步驟3)浸泡的時間為12h;

8.權(quán)利要求1所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在制備電磁波吸波材料中的應(yīng)用。

9.權(quán)利要求1所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在提高電磁波吸波材料吸波性能中的應(yīng)用。

10.權(quán)利要求1所述的bc/mxene@mos2復(fù)合氣凝膠在改善電磁波吸波材料阻抗匹配中的應(yīng)用。


技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及電磁波吸收材料技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種BC/MXene@MoS<subgt;2</subgt;復(fù)合氣凝膠及其制備方法和應(yīng)用。BC/MXene@MoS<subgt;2</subgt;復(fù)合氣凝膠包括BC/MXene骨架和負(fù)載BC/MXene骨架上的MoS<subgt;2</subgt;納米片。本發(fā)明BC/MXene@MoS<subgt;2</subgt;復(fù)合氣凝膠具有優(yōu)異的吸波性能、輕質(zhì)和多孔等特性,并且與環(huán)氧樹脂結(jié)合,在5%的填充比例下就具有可觀的吸波性能,可有效減輕實(shí)際應(yīng)用中微波吸收劑的重量,此BC/MXene@MoS<subgt;2</subgt;復(fù)合氣凝膠具有較好的吸波性能及較優(yōu)的阻抗匹配,能夠應(yīng)用于電磁波吸波材料領(lǐng)域。

技術(shù)研發(fā)人員:李世奇,張青峰,張逸軒,蔡玉榮,姚菊明
受保護(hù)的技術(shù)使用者:浙江理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:
技術(shù)公布日:2024/12/23
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