本發(fā)明屬于有機電致發(fā)光領(lǐng)域,具體涉及一種有機電致發(fā)光材料及其應(yīng)用。
背景技術(shù):
自1987年以來,有機電致發(fā)光器件(organiclight-emittingdiodes,簡稱oleds)逐漸成為業(yè)界公認的下一代平板顯示技術(shù)。oleds屬于自發(fā)光器件,當(dāng)電荷(電子和空穴)被注入到陽極和陰極之間的有機膜時,電子和空穴復(fù)合形成激子并將能量傳遞給發(fā)光分子,進而激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài),激發(fā)態(tài)能量經(jīng)過輻射失活而發(fā)光。oleds具有自發(fā)光、驅(qū)動電壓低、輕薄、發(fā)光視角寬、響應(yīng)速度快、可彎曲折疊、能耗低、可進行大面積生產(chǎn)等優(yōu)點,因而在信息顯示和固態(tài)照明領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。
然而,傳統(tǒng)有機熒光材料只能利用電激發(fā)形成的25%單線態(tài)激子發(fā)光,器件的內(nèi)量子效率較低(最高為25%)。外量子效率普遍低于5%,與磷光器件的效率還有很大差距。盡管磷光材料由于重原子中心強的自旋-軌道耦合增強了系間竄越,可以有效利用電激發(fā)形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子發(fā)光,使器件的內(nèi)量子效率達100%。但磷光材料存在價格昂貴,材料穩(wěn)定性較差,器件效率滾落嚴(yán)重等問題限制了其在oleds的應(yīng)用。熱激活延遲熒光(tadf)材料是繼有機熒光材料和有機磷光材料之后發(fā)展的第三代有機發(fā)光材料。該類材料一般具有小的單線態(tài)-三線態(tài)能級差(△est),三線態(tài)激子可以通過反系間竄越轉(zhuǎn)變成單線態(tài)激子發(fā)光。這可以充分利用電激發(fā)下形成的單線態(tài)激子和三線態(tài)激子,器件的內(nèi)量子效率可以達到100%。同時,材料結(jié)構(gòu)可控,性質(zhì)穩(wěn)定,價格便宜無需貴重金屬,在oleds領(lǐng)域的應(yīng)用前景廣闊。
雖然理論上tadf材料可以實現(xiàn)100%的激子利用率,但實際上存在如下問題:(1)設(shè)計分子的t1和s1態(tài)具有強的ct特征,非常小的s1-t1態(tài)能隙,雖然可以通過tadf過程實現(xiàn)高t1→s1態(tài)激子轉(zhuǎn)化率,但同時導(dǎo)致低的s1態(tài)輻射躍遷速率,因此,難于兼具(或同時實現(xiàn))高激子利用率和高熒光輻射效率;(2)即使已經(jīng)采用摻雜器件減輕t激子濃度猝滅效應(yīng),大多數(shù)tadf材料的器件在高電流密度下效率滾降嚴(yán)重。
就當(dāng)前oled顯示照明產(chǎn)業(yè)的實際需求而言,目前oled材料的發(fā)展還遠遠不夠,落后于面板制造企業(yè)的要求,作為材料企業(yè)開發(fā)具有優(yōu)異光電特性、穩(wěn)定性好有機電致發(fā)光材料顯得尤為重要。
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種有機電致發(fā)光材料及其應(yīng)用。本發(fā)明以吡啶甲酮或氰基取代吡啶或嘧啶類化合物為吸電子單元,以咔唑、9.9-二甲基吖啶或吩噁嗪為給電子單元,構(gòu)筑得到的一系列新型有機電致發(fā)光材料應(yīng)用于有機發(fā)光二極管上,具有良好的光電性能,穩(wěn)定性好,能夠滿足面板制造企業(yè)的要求。
本發(fā)明解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下:一種有機電致發(fā)光材料,其特征在于,包括具有符合式(1)、式(2)或式(3)所示的分子結(jié)構(gòu):
其中,ar選自下述結(jié)構(gòu)中的任意一種:
進一步,式(1)、式(2)與式(3)中所述ar相同或不相同。
本發(fā)明上述一種有機電致發(fā)光材料作為有機電致發(fā)光二極管材料的應(yīng)用。
本發(fā)明還提供一種有機電致發(fā)光器件,所述有機電致發(fā)光器件包括發(fā)光層,所述發(fā)光層含有上述一種有機電致發(fā)光材料。
本發(fā)明的有益效果是:
1.本發(fā)明化合物分子間不易結(jié)晶、不易聚集、具有良好的成膜性和熱穩(wěn)定性;具有合適的homo和lumo能級,電子云有效分離可實現(xiàn)較小的s1-t1態(tài)能隙,可有效提高高激子利用率和高熒光輻射效率,降低高電流密度下的效率滾降,降低器件電壓,具有良好的光電特性。
2.本發(fā)明所述化合物可應(yīng)用于oled發(fā)光器件制作,并且可以獲得良好的器件表現(xiàn),所述化合物作為oled發(fā)光器件的發(fā)光層材料使用時,制作的器件具有良好的光電性能。本發(fā)明所述化合物在oled發(fā)光器件中具有良好的應(yīng)用效果,具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
以下所列化合物a1至化合物a45,是符合本發(fā)明精神和原則的代表結(jié)構(gòu),應(yīng)當(dāng)理解,列出以下化合物結(jié)構(gòu),只是為了更好地解釋本發(fā)明,并非是對本發(fā)明的限制:
附圖說明
圖1為本發(fā)明制備的有機電致發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)示意圖。
附圖中,各標(biāo)號所代表的部件列表如下:
101、ito導(dǎo)電玻璃襯底,102、空穴注入層,103、空穴傳輸層,104、發(fā)光層,105、電子傳輸層,106、電子注入層,107、陰極層。
具體實施方式
以下對本發(fā)明的原理和特征進行描述,所舉實例只用于解釋本發(fā)明,并非用于限定本發(fā)明的范圍。
本發(fā)明材料用于制作有機電致發(fā)光器件,該器件包括依次疊加的ito導(dǎo)電玻璃襯底(陽極)、空穴注入層、空穴傳輸層(tapc-mcp)、發(fā)光層(本發(fā)明涉及的有機電致發(fā)光材料)、電子傳輸層(3tpymb)、電子注入層(lif)和陰極層(al),如圖1所示。所有功能層均采用真空蒸鍍工藝制成。該類器件中所用到的一些有機化合物的分子結(jié)構(gòu)式如下所示。
實施例1化合物a4的制備
在氮氣保護下,將原料a4-a(2.13g,5.0mmol)、原料a4-b(2.31g,5.0mmol)、80ml甲苯和20ml水加入250ml三口瓶中,然后投入催化劑四(三苯基膦)鈀(0.029g,0.025mmol),縛酸劑碳酸鉀(1.04g,7.5mmol)。體系升溫至回流反應(yīng)8小時,自然降溫至20~25℃,分液,除去溶劑,將粗品用甲苯結(jié)晶,得到1.71g目標(biāo)物a4,收率71.2%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c34h28n2o,理論值480.220,測試值480.221。元素分析(c34h28n2o),理論值c:84.97,h:8.87,n:5.83,o:3.33,實測值c:84.97,h:8.86,n:5.84,o:3.33。
實施例2化合物a11的制備
在氮氣保護下,將原料a11-a(1.57g,5mmol)、原料溴苯(1.56g,10mmol)和120ml甲苯加入250ml三口瓶中,然后投入催化劑醋酸鈀(0.011g,0.05mmol)、催化劑配體三叔丁基膦四氟硼酸鹽(0.026g,0.1mmol),縛酸劑叔丁醇鈉(1.44g,15mmol)。體系升溫至回流反應(yīng)10小時,自然降溫至20~25℃后加入50ml水淬滅反應(yīng),分液,除去溶劑,將粗品用甲苯結(jié)晶,得到1.63g目標(biāo)物a11,收率83.6%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c27h22n2o,理論值390.173,測試值390.173。元素分析(c27h22n2o),理論值c:83.05,h:5.68,n:7.17,o:4.10,實測值c:83.06,h:5.69,n:7.17,o:4.10。
實施例3化合物a18的制備
在氮氣保護下,將原料m1(2.06g,5.0mmol)、原料a18-a(1.82g,10mmol)、80ml甲苯加入250ml三口瓶中,然后投入催化劑四(三苯基膦)鈀(0.058g,0.05mmol),縛酸劑碳酸鉀(1.38g,10mmol)。體系升溫至回流反應(yīng)6小時,自然降溫至20~25℃,除去溶劑,粗品用甲苯結(jié)晶,得到1.68g目標(biāo)物a18,收率86.8%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c27h21n3,理論值387.174,測試值387.173。元素分析(c27h21n3),理論值c:83.69,h:5.46,n:10.84,實測值c:83.70,h:5.45,n:10.84。
實施例4化合物a23的制備
合成方法參照a4的制備方法,總收率72.2%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c33h26n2o,理論值466.205,測試值466.205。元素分析(c33h26n2o),理論值c:84.95,h:5.62,n:6.00,0:3.43,實測值c:84.95,h:5.64,n:6.02,o:3.43。
實施例5化合物a29的制備
合成方法參照a18的制備方法,總收率78.6%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c32h24n4,理論值464.200,測試值464.201。元素分析(c32h24n4),理論值c:82.73,h:5.21,n:12.06,實測值c:82.73,h:5.21,n:12.06。
實施例6化合物a36的制備
合成方法參照a18的制備方法,總收率77.6%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c23h14n4o,理論值362.117,測試值362.118。元素分析(c23h14n4o),理論值c:76.23,h:3.89,n:15.46,o:4.42,實測值c:76.23,h:3.60,n:15.46,o:4.41。
實施例7化合物a40的制備
合成方法參照c03的制備方法,總收率78.3%。
高分辨質(zhì)譜,esi源,正離子模式,分子式c31h20n2o,理論值436.158,測試值436.158。元素分析(c31h20n2o),理論值c:85.30,h:4.62,n:6.42,o:3.67,實測值c:85.31,h:4.61,n:6.42,o:3.67。
有機電致發(fā)光器件制作實施例:
本發(fā)明選取化合物a4、化合物a18制作有機電致發(fā)光器件,并選擇已商業(yè)化的發(fā)光材料ir(ppy)3作為對比例,下面結(jié)合圖1敘述,有機電致發(fā)光器件從下至上依次為為ito導(dǎo)電玻璃襯底(101)、空穴注入層(102)、空穴傳輸層(103)發(fā)光層(104)、電子傳輸層(105)、電子注入層(106)和陰極層(107)。應(yīng)當(dāng)理解,器件實施過程與結(jié)果,只是為了更好地解釋本發(fā)明,并非對本發(fā)明的限制。
實施例8化合物a4在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
本實施例按照下述方法制備有機電致發(fā)光器件一:
a)清洗ito(氧化銦錫)玻璃:分別用去離子水、丙酮、乙醇超聲清洗ito玻璃各30分鐘,然后在等離子體清洗器中處理5分鐘;
b)在陽極ito玻璃上依次真空蒸鍍空穴注入層(moo3),膜厚為10nm;,蒸鍍速率0.1nm/s;
c)在空穴注入層之上真空蒸鍍空穴傳輸層,蒸鍍tapc,膜厚為10nm,蒸鍍mcp,膜厚10nm,蒸鍍速率均為0.1nm/s,蒸鍍總膜厚為20nm;
d)在空穴傳輸層之上真空蒸鍍發(fā)光層(本發(fā)明提供的化合物a4:mcpcn=8:100(wt:wt),蒸鍍速率0.1nm/s,膜厚為20nm;
e)在發(fā)光層之上真空蒸鍍作為電子傳輸層的3tpymb,厚度為50nm;
f)在電子傳輸層之上,真空蒸鍍電子注入層lif,厚度為1nm;
g)在電子注入層之上,真空蒸鍍陰極al,厚度為100nm。
器件的結(jié)構(gòu)為ito/mo03(10nm)/tapc(10nm),mcp(10nm)/mcpcn:8%wt化合物a4(20nm)/3tpymb(50nm)/lif(1nm)/al(100nm),真空蒸鍍過程中,壓力<4.0×10-4pa,以化合物a4作為器件一的發(fā)光材料,所得器件的測試結(jié)果見表1所示。
實施例9:化合物a18在有機電致發(fā)光器件中的應(yīng)用
根據(jù)與實施例8相同的方法制作有機電致發(fā)光器件二,區(qū)別在于使用a18作為發(fā)光層的發(fā)光材料代替作為發(fā)光層發(fā)光材料的實施例1中合成化合物a4。所得器件的測試結(jié)果見表1所示。
對比例1:根據(jù)與實施例8相同的方法制作有機電致發(fā)光器件三,區(qū)別在于使用已商業(yè)化的ir(ppy)3作為發(fā)光層的發(fā)光材料代替作為發(fā)光層發(fā)光材料的實施例1中合成的a4。所得器件的測試結(jié)果見表1所示。
表1器件光電數(shù)據(jù)表
從表1可知,以本發(fā)明所保護的材料制作的發(fā)光器件具有較好電流效率、功率效率以及較低的驅(qū)動電壓。
選取化合物a11、化合物a23、化合物a29、化合物a36、化合物a40分別制作與實施例8相同結(jié)構(gòu)的有機電致發(fā)光器件四至器件八,區(qū)別僅在于發(fā)光層的發(fā)光材料種類。器件性能測試結(jié)果如表2所示。
表2器件光電數(shù)據(jù)表
從表2可知,本發(fā)明使用tadf材料作為發(fā)光染料具有較高的電流效率、功率效率以及較低的驅(qū)動電壓,器件性能穩(wěn)定,具有良好的產(chǎn)業(yè)化前景。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例,并不用以限制本發(fā)明,凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi),所作的任何修改、等同替換、改進等,均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。