技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的制劑。具體地，本發(fā)明涉及一種用于有機(jī)電致發(fā)光器件的制劑，其包含咔唑化合物、電子傳輸化合物、三重態(tài)發(fā)光體化合物和至少一種溶劑，其中所述電子傳輸化合物包括酮化合物或三嗪化合物，且其中所述咔唑化合物包含至少兩個(gè)咔唑基團(tuán)，所述兩個(gè)咔唑基團(tuán)通過它們的N原子彼此連接。本發(fā)明還涉及包含本發(fā)明混合物的有機(jī)電致發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

例如在US 4539507、US 5151629、EP 0676461和WO 98/27136中描述了其中有機(jī)半導(dǎo)體用作功能材料的有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)的結(jié)構(gòu)。有機(jī)電致發(fā)光器件領(lǐng)域中的發(fā)展是磷光OLED。由于與熒光OLED相比可獲得更高的效率，因此磷光OLED具有顯著的優(yōu)勢(shì)。

然而，在磷光OLED的情況下，仍需要進(jìn)一步改進(jìn)。這特別適用于器件的效率和壽命。

根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)，電子傳導(dǎo)材料，特別是酮(例如根據(jù)WO 04/093207)或三嗪衍生物(例如根據(jù)DE 102008036982)，用作磷光發(fā)光體的基質(zhì)材料。特別是使用酮時(shí)，達(dá)到了低的工作電壓和長(zhǎng)的壽命，使得這類化合物成為非常令人感興趣的基質(zhì)材料。然而，與其它基質(zhì)材料的情況類似，使用這些基質(zhì)材料時(shí)，仍需要改進(jìn)，特別是在器件的效率和壽命方面的改進(jìn)。

現(xiàn)有技術(shù)還公開了包含磷光發(fā)光體的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中所述磷光發(fā)光體摻雜在兩種基質(zhì)材料的混合物中。

US 2007/0252516公開了如下磷光有機(jī)電致發(fā)光器件，其包含空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料和電子傳導(dǎo)基質(zhì)材料的混合物。對(duì)于這些OLED，公開了改進(jìn)的效率。對(duì)于壽命的影響是不明顯的。

US 2007/0099026公開了如下的發(fā)白色光的有機(jī)電致發(fā)光器件，其中發(fā)綠色光的層或發(fā)紅色光的層包含磷光發(fā)光體以及空穴傳導(dǎo)基質(zhì)材料和電子傳導(dǎo)基質(zhì)材料的混合物。公開的空穴傳導(dǎo)材料特別是三芳基胺和咔唑衍生物。公開的電子傳導(dǎo)材料特別是鋁和鋅化合物，二唑化合物和三嗪或三唑化合物。對(duì)于這些OLED也仍然希望進(jìn)一步的改進(jìn)。

WO 2008/127063 A2公開了如下電致發(fā)光器件，其具有陰極、陽(yáng)極以及在其中的發(fā)光層，所述發(fā)光層包含在主體中的三重態(tài)發(fā)光體化合物。此處所述主體是電子傳輸共主體單元和空穴傳輸共主體單元的混合物。然而，該器件急迫地需要電子注入層。

通常通過氣相沉積在高真空中施加這些混合物，氣相沉積一方面是非常復(fù)雜的，且另一方面導(dǎo)致大量化合物在高溫下分解，其中高溫對(duì)于氣相沉積工藝是必須的。這對(duì)于以這種方式生產(chǎn)的電致發(fā)光器件具有不利的影響。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本發(fā)明基于的技術(shù)目的是提供能夠以簡(jiǎn)單的方式處理且導(dǎo)致有機(jī)電致發(fā)光器件非常長(zhǎng)的壽命和良好效率的制劑。

根據(jù)本發(fā)明，通過如下制劑實(shí)現(xiàn)該目的，所述制劑包含咔唑化合物、電子傳輸化合物、三重態(tài)發(fā)光體化合物和至少一種溶劑，其中所述電子傳輸化合物包括酮化合物或三嗪化合物，且其中所述咔唑化合物包含至少兩個(gè)咔唑基團(tuán)，所述兩個(gè)咔唑基團(tuán)通過它們的N原子彼此連接。

除了所述至少一種溶劑之外，本發(fā)明的制劑還包含：

-至少一種咔唑化合物，

-至少一種電子傳輸化合物，和

-至少一種三重態(tài)發(fā)光體化合物。

基于所述咔唑化合物、電子傳輸化合物和三重態(tài)發(fā)光體化合物的混合物，所述咔唑化合物在本發(fā)明制劑中的比例優(yōu)選為10至70重量％，特別優(yōu)選20至60重量％，且非常特別優(yōu)選30至50重量％。

基于所述咔唑化合物、電子傳輸化合物和三重態(tài)發(fā)光體化合物的混合物，所述電子傳輸化合物且因此酮和/或三嗪化合物在本發(fā)明制劑中的比例優(yōu)選為10至70重量％，特別優(yōu)選20至60重量％，且非常特別優(yōu)選30至50重量％。

所述咔唑化合物和所述電子傳輸化合物的重量比優(yōu)選為10:1至1:10，特別優(yōu)選7:1至1:7，且非常特別優(yōu)選4:1至1:4。

基于所述咔唑化合物、電子傳輸化合物和三重態(tài)發(fā)光體化合物的混合物，所述三重態(tài)發(fā)光體化合物在本發(fā)明制劑中的比例優(yōu)選為0.01至50重量％，特別優(yōu)選0.1至40重量％，且非常特別優(yōu)選1至30重量％。

所述咔唑化合物、電子傳輸化合物和三重態(tài)發(fā)光體化合物的混合物在本發(fā)明制劑中的濃度優(yōu)選為1至100g/l，特別優(yōu)選5至50g/l，且非常特別優(yōu)選10至30g/l。

所述咔唑基團(tuán)的N原子優(yōu)選通過芳族或雜芳族環(huán)系彼此連接。

在本發(fā)明的實(shí)施方式中，所述咔唑化合物優(yōu)選是式(1)的化合物

其中以下適用于使用的符號(hào)和標(biāo)記：

Ar在每次出現(xiàn)時(shí)是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代；

R、R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，N(Ar¹)₂，CN，NO₂，Si(R²)₃，B(OR²)₂，C(＝O)Ar¹，P(＝O)(Ar¹)₂，S(＝O)Ar¹，S(＝O)₂Ar¹，-CR²＝CR²(Ar¹)，OSO₂R²，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或者具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH₂基團(tuán)可被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、P(＝O)(R²)、SO、SO₂、NR²、O、S或CONR²代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或這些體系的組合；此處兩個(gè)或更多個(gè)取代基R、R¹或R和R¹也可以彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系；

Ar¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，或具有1至20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基團(tuán)；或者具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代；此處兩個(gè)或更多個(gè)取代基R²也可以彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系；

n在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0、1、2、3或4；

p在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0、1、2、3或4；

q是1、2、3、4或5。

如果標(biāo)記q等于1，這意味著Ar代表二價(jià)基團(tuán)。如果標(biāo)記q大于1，這意味著總共三個(gè)或更多個(gè)咔唑基團(tuán)鍵合至芳族環(huán)系A(chǔ)r。對(duì)于q＝2，Ar為三價(jià)基團(tuán)，且對(duì)于q＞2，Ar相應(yīng)地為多價(jià)基團(tuán)。標(biāo)記q優(yōu)選＝1或2，特別優(yōu)選q＝1。

根據(jù)本發(fā)明使用的咔唑化合物優(yōu)選具有高于120℃，特別優(yōu)選高于140℃的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度T_g。

本發(fā)明中的咔唑基團(tuán)主要用作基質(zhì)材料和/或用作空穴傳輸材料。在本申請(qǐng)中的空穴傳輸材料的特征在于優(yōu)選高于-5.4eV的HOMO。在本申請(qǐng)中的電子傳輸材料的特征在于優(yōu)選低于-2.4eV的LUMO。如實(shí)施例部分中詳細(xì)描述的，確定HOMO和LUMO位置以及能隙。

根據(jù)本發(fā)明的芳基基團(tuán)包含6至60個(gè)C原子；根據(jù)本發(fā)明的雜芳基基團(tuán)包含2至60個(gè)C原子和至少一個(gè)雜原子，條件是C原子和雜原子的總和至少是5。所述雜原子優(yōu)選選自N、O和/或S。此處芳基基團(tuán)或雜芳基基團(tuán)被認(rèn)為是指簡(jiǎn)單的芳族環(huán)，即苯，或者簡(jiǎn)單的雜芳族環(huán)，例如吡啶、嘧啶、噻吩等，或者稠合的芳基或雜芳基基團(tuán)，例如萘、蒽、菲、喹啉、異喹啉等。

根據(jù)本發(fā)明的芳族環(huán)系在環(huán)系中包含有6至40個(gè)C原子。根據(jù)本發(fā)明的雜芳族環(huán)系在環(huán)系中包含2至40個(gè)C原子和至少一個(gè)雜原子，條件是C原子和雜原子的總和至少是5。所述雜原子優(yōu)選選自N、O和/或S。根據(jù)本發(fā)明的芳族或雜芳族環(huán)系旨在被認(rèn)為是指不必僅包含芳基或雜芳基基團(tuán)的體系，而是，其中多個(gè)芳基或雜芳基基團(tuán)還可被非芳族單元(優(yōu)選小于非H原子的10％)間斷，該非芳族單元例如為sp³-雜化的C、N或O原子。因此，例如，和其中兩個(gè)或更多個(gè)芳基基團(tuán)例如被直鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)或被甲硅烷基基團(tuán)間斷的體系一樣，諸如9,9'-螺二芴、9,9-二芳基芴、三芳基胺、二芳基醚、茋等的體系同樣旨在被認(rèn)為是指根據(jù)本發(fā)明的芳族環(huán)系。所述芳族環(huán)系優(yōu)選不包含金屬原子。

為了本發(fā)明的目的，其中單個(gè)H原子或CH₂基團(tuán)還可被上述基團(tuán)取代的C₁至C₄₀烷基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指如下基團(tuán)：甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、仲戊基、環(huán)戊基、正己基、環(huán)己基、正庚基、環(huán)庚基、正辛基、環(huán)辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環(huán)戊烯基、己烯基、環(huán)己烯基、庚烯基、環(huán)庚烯基、辛烯基、環(huán)辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基和辛炔基。

C₁至C₄₀烷氧基基團(tuán)優(yōu)選被認(rèn)為是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、仲丁氧基、叔丁氧基或2-甲基丁氧基。

在每種情況下也可以被上述基團(tuán)R取代并可以經(jīng)由任何希望的位置與芳族或雜芳族環(huán)系連接的具有5至60個(gè)芳族還原子的芳族或雜芳族環(huán)系，特別被認(rèn)為是指衍生于如下物質(zhì)的基團(tuán)：苯、萘、蒽、菲、芘、苝、熒蒽、并四苯、并五苯、苯并芘、聯(lián)苯、偶苯、三聯(lián)苯、三聚苯、芴、螺二芴、二氫菲、二氫芘、四氫芘、順式或反式茚并芴、三聚茚、異三聚茚、螺三聚茚、螺異三聚茚、呋喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、二苯并呋喃、噻吩、苯并噻吩、異苯并噻吩、二苯并噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、菲啶、苯并-5,6-喹啉、苯并-6,7-喹啉、苯并-7,8-喹啉、吩噻嗪、吩嗪、吡唑、吲唑、咪唑、苯并咪唑、萘并咪唑、菲并咪唑、吡啶并咪唑、吡嗪并咪唑、喹喔啉并咪唑、唑、苯并唑、萘并唑、蒽并唑、菲并唑、異唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯并噻唑、噠嗪、苯并噠嗪、嘧啶、苯并嘧啶、喹喔啉、1,5-二氮雜蒽、2,7-二氮雜芘、2,3-二氮雜芘、1,6-二氮雜芘、1,8-二氮雜芘、4,5-二氮雜芘、4,5,9,10-四氮雜苝、吡嗪、吩嗪、吩嗪、吩噻嗪、熒紅環(huán)、二氮雜萘、氮雜咔唑、苯并咔啉、菲咯啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯并三唑、1,2,3-二唑、1,2,4-二唑、1,2,5-二唑、1,3,4-二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三嗪、1,2,4-三嗪、1,2,3-三嗪、四唑、1,2,4,5-四嗪、1,2,3,4-四嗪、1,2,3,5-四嗪、嘌呤、蝶啶、吲嗪和苯并噻二唑。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，式(1)化合物中的標(biāo)記n在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0或1。標(biāo)記n特別優(yōu)選＝0。

在一個(gè)實(shí)施方式中，式(1)化合物中的標(biāo)記p在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0、1或2，特別優(yōu)選0或1。如果標(biāo)記p等于1，則取代基R¹優(yōu)選鍵合在咔唑的6-、7-或8-位，且特別優(yōu)選鍵合在咔唑的6-或7-位。

為清楚起見，在下式中描述了咔唑位置的編號(hào)：

在式(1)中的優(yōu)選的基團(tuán)Ar和R¹僅包含苯基和/或萘基基團(tuán)或具有不超過兩個(gè)稠合的芳族或雜芳族環(huán)的雜芳族基團(tuán)，但其不包含更大的稠合芳族體系。因此，優(yōu)選的基團(tuán)Ar和R¹是從苯基和/或萘基基團(tuán)構(gòu)造的芳族環(huán)系，或這類基團(tuán)的連接體系，例如聯(lián)苯、芴、螺二芴等。

特別優(yōu)選的基團(tuán)Ar選自1,2-亞苯基、1,3-亞苯基、1,4-亞苯基、1,3,5-苯、3,3’-聯(lián)苯基、4,4’-聯(lián)苯基、1,3,5-三苯基苯、三苯基胺、2,7-亞芴基，所述基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代，2,7-亞螺二芴基，該基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代，亞茚并芴基，該基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代，4,4”’-(1,1’:2’,1”,2”,1”’-四聯(lián)苯基)、4,4’-(2,2’-二甲基聯(lián)苯基)、4,4’-(1,1’-聯(lián)萘基)、4,4’-茋基和二氫菲基，所述基團(tuán)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代。

所述咔唑化合物的特別優(yōu)選的基團(tuán)R¹相同或不同地選自苯基、1-萘基、2-萘基、2-咔唑基、3-咔唑基、9-咔唑基、三苯基胺、萘基二苯基胺和二萘基苯基胺，所述基團(tuán)的每個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代。此處最后提及的兩種基團(tuán)可以通過萘在1或2位鍵合或通過苯基基團(tuán)鍵合。此處2-咔唑基基團(tuán)或3-咔唑基基團(tuán)優(yōu)選在氮上被芳族基團(tuán)R取代。

此外優(yōu)選如下的式(1)化合物，其中符號(hào)R在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地代表H，N(Ar²)₂，具有1至5個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)或者具有3至5個(gè)C原子的支鏈烷基基團(tuán)，其中在每種情況下一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH₂基團(tuán)可以被-R²C＝CR²-或-O-代替，且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替，或者具有6至16個(gè)C原子的芳基基團(tuán)或者具有2至16個(gè)C原子的雜芳基基團(tuán)或者螺二芴基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或者這些體系中的兩種的組合。特別優(yōu)選的基團(tuán)R在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，甲基，乙基，異丙基，叔丁基，其中在每種情況中一個(gè)或多個(gè)H原子可以被F代替，或苯基，萘基或螺二芴基基團(tuán)，這些基團(tuán)中的每個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R取代，或這些體系中的兩種的組合。在從溶液中加工化合物的情況中，也優(yōu)選具有最高達(dá)10個(gè)C原子的直鏈或支鏈的烷基鏈。優(yōu)選溴、硼酸或硼酸衍生物作為取代基，特別是當(dāng)將這些化合物用作用于制備本發(fā)明另外化合物的中間體化合物時(shí)優(yōu)選這種技術(shù)特征，其中所述另外的化合物例如為聚合物、低聚物或樹枝狀大分子。

此外優(yōu)選如下的式(1)化合物，其中符號(hào)R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地定義為優(yōu)選的取代基R或代表Ar或F。

特別優(yōu)選的式(1)化合物的實(shí)例是如下描述的化合物(1-1)至(1-91)。

根據(jù)本發(fā)明使用的咔唑化合物可以通過有機(jī)化學(xué)的標(biāo)準(zhǔn)方法合成，如在例如WO 2008/086851中所詳細(xì)公開的。該說明書的內(nèi)容通過參考并入本申請(qǐng)中。

因此，已知2-硝基聯(lián)苯衍生物可以與亞磷酸三烷基酯反應(yīng)以給出相應(yīng)的咔唑衍生物(M.Tavasli等人，Synthesis(合成)2005，1619-1624)。該反應(yīng)可以通過首先構(gòu)造相應(yīng)的芳基取代的2-硝基聯(lián)苯衍生物，然后使其與亞磷酸三烷基酯反應(yīng)，而用于構(gòu)造2-芳基取代的咔唑衍生物?？稍贖artwig-Buchwald偶聯(lián)中在標(biāo)準(zhǔn)條件下，將所述2-芳基取代的咔唑衍生物偶聯(lián)至二溴芳族化合物以給出式(1)的化合物。用于進(jìn)行Hartwig-Buchwald偶聯(lián)的多種方法和反應(yīng)條件是有機(jī)合成領(lǐng)域中的技術(shù)人員已知的。不使用二溴芳族化合物，也可以使用包含其它離去基團(tuán)的相應(yīng)化合物，例如氯、碘、三氟甲磺酸酯、甲苯磺酸酯或通常的磺酸酯。使用三取代的芳族化合物或含有甚至更多離去基團(tuán)的化合物相應(yīng)地使得能夠合成其中標(biāo)記q代表2或更大值的式(1)化合物。

式(1)化合物的合成描述在下面的示意圖1中，其中，為清楚起見，將q選擇為＝1，且沒有描述取代基R或R¹：

示意圖1：

根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，本發(fā)明的制劑包含酮化合物，優(yōu)選芳族酮化合物。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，所述酮化合物優(yōu)選是下式(2)的化合物：

其中以下適用于使用的符號(hào)：

Ar在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其在每種情況下可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代；

R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，F(xiàn)，Cl，Br，I，CHO，C(＝O)Ar¹，P(＝O)(Ar¹)₂，S(＝O)Ar¹，S(＝O)₂Ar¹，CR²＝CR²Ar¹，CN，NO₂，Si(R²)₃，B(OR²)₂，B(R²)₂，B(N(R²)₂)₂，OSO₂R²，具有1至40個(gè)C原子的直鏈烷基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)或者具有2至40個(gè)C原子的直鏈烯基或炔基基團(tuán)或者具有3至40個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基、烯基、炔基、烷氧基或硫代烷氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中一個(gè)或多個(gè)非相鄰的CH₂基團(tuán)可被R²C＝CR²、C≡C、Si(R²)₂、Ge(R²)₂、Sn(R²)₂、C＝O、C＝S、C＝Se、C＝NR²、P(＝O)(R²)、SO、SO₂、NR²、O、S或CONR²代替，并且其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被F、Cl、Br、I、CN或NO₂代替，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，所述環(huán)系在每種情況下可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的芳氧基或雜芳氧基基團(tuán)，所述基團(tuán)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或這些體系的組合；此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的取代基R¹也可以彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系；

Ar¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有5至40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代；

R²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是H，D，CN，或具有1至20個(gè)C原子的脂族、芳族和/或雜芳族烴基團(tuán)，其中H原子還可以被F代替；此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的取代基R²也可以彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系。

適當(dāng)?shù)氖?2)化合物特別是在WO 04/093207和DE 102008033943中公開的酮。將這些文獻(xiàn)通過參考并入本申請(qǐng)中。

從式(2)化合物的定義明顯看出，其不必僅包含一個(gè)羰基基團(tuán)，而是其也可以含有多個(gè)這些基團(tuán)。

在式(2)的酮化合物中的基團(tuán)Ar優(yōu)選是具有6至40個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，即，其不含有雜芳基基團(tuán)。如上所定義的，所述芳族環(huán)系不必僅包含芳族基團(tuán)，而是兩個(gè)芳基基團(tuán)也可以被非芳族基團(tuán)間斷，例如被另外的羰基基團(tuán)間斷。

在本發(fā)明的另外優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述酮化合物的基團(tuán)Ar具有不多于兩個(gè)稠合的環(huán)。因此，優(yōu)選其僅由芳基和/或萘基基團(tuán)構(gòu)造，特別優(yōu)選僅由苯基基團(tuán)構(gòu)造，但其不含任何更大的稠合芳族環(huán)系，例如蒽。

與所述酮化合物的羰基基團(tuán)鍵合的優(yōu)選的基團(tuán)Ar是苯基，2-、3-或4-甲苯基，3-或4-鄰二甲苯基，2-或4-間二甲苯基，2-對(duì)二甲苯基，鄰、間或?qū)κ宥』交?、間或?qū)Ψ交?，二苯甲酮?-、2-或3-苯基甲酮，2-、3-或4-聯(lián)苯基，2-、3-或4-鄰三聯(lián)苯基，2-、3-或4-間三聯(lián)苯基，2-、3-或4-對(duì)三聯(lián)苯基，2'-對(duì)三聯(lián)苯基，2'-、4'-或5'-間三聯(lián)苯基，3'-或4'-鄰三聯(lián)苯基，對(duì)-、間,對(duì)-、鄰,對(duì)-、間,間-、鄰,間-或鄰,鄰-四聯(lián)苯基，五聯(lián)苯基，六聯(lián)苯基，1-、2-、3-或4-芴基，2-、3-或4-螺-9,9'-二芴基，1-、2-、3-或4-(9,10-二氫)菲基，1-或2-萘基，2-、3-、4-、5-、6-、7-或8-喹啉基，1-、3-、4-、5-、6-、7-或8-異喹啉基，1-或2-(4-甲基萘基)，1-或2-(4-苯基萘基)，1-或2-(4-萘基萘基)，1-、2-或3-(4-萘基苯基)，2-、3-或4-吡啶基，2-、4-或5-嘧啶基，2-或3-吡嗪基，3-或4-噠嗪基，2-(1,3,5-三嗪)基-，2-、3-或4-(苯基吡啶基)，3-、4-、5-或6-(2,2'-聯(lián)吡啶基)，2-、4-、5-或6-(3,3'-聯(lián)吡啶基)，2-或3-(4,4'-聯(lián)吡啶基)，以及這些基團(tuán)中的一個(gè)或多個(gè)的組合。

如上所述的，所述基團(tuán)Ar可以被一個(gè)或多個(gè)R¹取代。所述酮化合物的這些基團(tuán)R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地優(yōu)選選自H，F(xiàn)，C(＝O)Ar¹，P(＝O)(Ar¹)₂，S(＝O)Ar¹，S(＝O)₂Ar¹，具有1至4個(gè)C原子的直鏈烷基基團(tuán)或者具有3至5個(gè)C原子的支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)，所述基團(tuán)中的每個(gè)可被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，其中一個(gè)或多個(gè)H原子可被F代替，或具有6至24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，或這些體系的組合；此處兩個(gè)或更多個(gè)相鄰的取代基R¹也可以彼此形成單環(huán)或多環(huán)的脂族、芳族或雜芳族環(huán)系。

由于從溶液中施加所述制劑，因此也優(yōu)選具有最高達(dá)10個(gè)C原子的直鏈、支鏈或環(huán)狀的烷基基團(tuán)作為取代基R¹。所述基團(tuán)R¹特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自H，C(＝O)Ar¹，或具有6至24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代，但優(yōu)選未被取代。

在本發(fā)明另外優(yōu)選的實(shí)施方式中，所述酮化合物的基團(tuán)R¹在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有6至24個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系，所述環(huán)系可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R²取代。Ar¹特別優(yōu)選在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有6至12個(gè)芳族環(huán)原子的芳族環(huán)系。

特別優(yōu)選在3,5,3’,5’-位置的每個(gè)位置處被具有5至30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系取代的二苯甲酮衍生物，其又可以被一個(gè)或多個(gè)如上定義的基團(tuán)R¹取代。此外優(yōu)選被至少一個(gè)螺二芴基團(tuán)取代的酮。

因此，優(yōu)選的芳族酮是下式(3)至(6)的化合物，

其中Ar和R¹具有如上所述對(duì)于酮化合物(式(2))的相同的含義，且此外：

Z在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是CR¹或N；

n在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0或1。

在上述式(3)、(5)和(6)中的Ar優(yōu)選代表具有1至30個(gè)芳族環(huán)原子的芳族或雜芳族環(huán)系，該環(huán)系可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代。特別優(yōu)選如上所述的基團(tuán)Ar。

式(2)的優(yōu)選化合物的實(shí)例是如下所描述的化合物(2-1)至(2-70)。

可用于本發(fā)明制劑中的適當(dāng)?shù)娜貉苌锾貏e是被至少一個(gè)、優(yōu)選至少兩個(gè)、特別優(yōu)選被三個(gè)芳族或雜芳族環(huán)系取代的1,3,5-三嗪。因此特別優(yōu)選下式(7)和(8)的化合物，

其中，

Ar²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的單價(jià)芳族或雜芳族環(huán)系，其在每種情況下可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代；

Ar³是具有5至60個(gè)芳族環(huán)原子的二價(jià)芳族或雜芳族環(huán)系，其可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代；

且R¹具有與式(2)酮化合物相關(guān)的上文所示的含義。

在式(7)和(8)的化合物中，至少一個(gè)基團(tuán)Ar²優(yōu)選選自下式(9)至(15)的基團(tuán)，且其它基團(tuán)Ar²具有對(duì)于式(7)或(8)所示的含義，

其中R¹具有如上所述相同的含義，虛線鍵代表與所述三嗪?jiǎn)卧倪B接，且此外，

X在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是選自B(R¹)、C(R¹)₂、Si(R¹)₂、C＝O、C＝NR¹、C＝C(R¹)₂、O、S、S＝O、SO₂、N(R¹)、P(R¹)和P(＝O)R¹的二價(jià)橋連基；

m在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0、1、2或3；

o在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是0、1、2、3或4。

所述三嗪化合物的特別優(yōu)選的基團(tuán)Ar²選自下式(9a)至(15a)的基團(tuán)，

其中使用的符號(hào)和標(biāo)記具有如上所述的相同含義。此處X優(yōu)選相同或不同地選自C(R¹)₂、N(R¹)、O或S，特別優(yōu)選C(R¹)₂。

在式(8)化合物中的優(yōu)選的基團(tuán)Ar³選自下式(16)至(22)的基團(tuán)，

其中使用的符號(hào)和標(biāo)記具有如上與三嗪化合物相關(guān)的相同含義，且虛線鍵代表與兩個(gè)三嗪?jiǎn)卧倪B接。

特別優(yōu)選基團(tuán)Ar³選自下式(16a)至(22a)，

其中使用的符號(hào)和標(biāo)記具有如上與三嗪化合物相關(guān)的相同含義。此處X優(yōu)選相同或不同地選自C(R¹)₂、N(R¹)、O或S，特別優(yōu)選C(R¹)₂。

此外優(yōu)選如下的上述式(8)的化合物，其中基團(tuán)Ar³選自上式(16)至(22)，且Ar²在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地選自上述式(9)至(15)，或苯基，1-或2-萘基，鄰、間或?qū)β?lián)苯基，所述基團(tuán)的每個(gè)可以被一個(gè)或多個(gè)基團(tuán)R¹取代，但優(yōu)選不被取代。

式(7)的另外優(yōu)選化合物的實(shí)例是以下描述的化合物(7-1)至(7-65)。

式(8)的另外優(yōu)選化合物的實(shí)例是以下描述的化合物(8-1)至(8-16)。

如以上所述的，本發(fā)明的制劑還可以包含三重態(tài)發(fā)光體化合物。本發(fā)明的三重態(tài)發(fā)光體化合物(磷光化合物)是在室溫下顯示從相對(duì)高的自旋多重度即自旋態(tài)＞1的激發(fā)態(tài)發(fā)光，特別是從激發(fā)三重態(tài)發(fā)光的化合物。根據(jù)本發(fā)明，包含第二和第三過渡金屬系列的過渡金屬的所有發(fā)光的過渡金屬絡(luò)合物，特別是所有發(fā)光的銥和鉑化合物，都被認(rèn)為是磷光化合物。

在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式中，所述三重態(tài)發(fā)光體化合物是紅色磷光化合物或綠色磷光化合物。

合適的三重態(tài)發(fā)光體化合物(磷光化合物)特別是如下的化合物，該化合物經(jīng)適當(dāng)激發(fā)時(shí)發(fā)光，優(yōu)選在可見區(qū)發(fā)光，并且還含有至少一種原子序數(shù)大于20，優(yōu)選大于38但小于84，特別優(yōu)選大于56但小于80的原子。使用的三重態(tài)發(fā)光體化合物優(yōu)選是含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪的化合物，特別是含有銥或鉑的化合物。

特別優(yōu)選本發(fā)明的制劑包含至少一種式(23)至(26)的化合物作為三重態(tài)發(fā)光體化合物，

其中R¹具有如上關(guān)于式(2)描述的相同含義，且如下適用于使用的其它符號(hào)：

DCy在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是含有至少一個(gè)供電子原子的環(huán)狀基團(tuán)，所述供電子原子優(yōu)選為氮、碳烯形式的碳或磷，所述環(huán)狀基團(tuán)通過所述供電子原子鍵合至金屬，且所述環(huán)狀基團(tuán)又可以帶有一個(gè)或多個(gè)取代基R¹；所述基團(tuán)DCy和CCy通過共價(jià)鍵彼此鍵合；

CCy在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是含有碳原子的環(huán)狀基團(tuán)，所述環(huán)狀基團(tuán)通過所述碳原子鍵合至金屬，且所述環(huán)狀基團(tuán)又可以帶有一個(gè)或多個(gè)取代基R¹；

A在每次出現(xiàn)時(shí)相同或不同地是單陰離子二齒螯合配體，優(yōu)選二酮陰離子配體。

由于在多個(gè)基團(tuán)R¹之間形成環(huán)系，因此在所述基團(tuán)DCy和CCy之間也可以存在橋連基。此外，由于在多個(gè)基團(tuán)R¹之間形成環(huán)系，因此在兩個(gè)或三個(gè)配體CCy-DCy之間或者在一個(gè)或兩個(gè)配體CCy-DCy和配體A之間也可以存在橋連基，給出多齒或多足的配體體系。

如上所述的發(fā)光體的實(shí)例揭示在WO 00/70655、WO 01/41512、WO 02/02714、WO 02/15645、EP 1191613、EP 1191612、EP 1191614、WO 04/081017、WO 05/033244、WO 05/042550、WO 05/113563、WO 06/008069、WO 06/061182、WO 06/081973、DE 102008015526、DE 102008027005和DE 102009007038中。一般說來，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于磷光OLED的以及如有機(jī)電致發(fā)光領(lǐng)域中技術(shù)人員已知的所有磷光絡(luò)合物均是適當(dāng)?shù)?，且本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在不需要?jiǎng)?chuàng)造性步驟的情況下使用另外的磷光化合物。

特別地，本領(lǐng)域技術(shù)人員已知何種磷光絡(luò)合物發(fā)出何種發(fā)光顏色的光。

優(yōu)選的磷光化合物是下表中所示的結(jié)構(gòu)(T-1)至(T-140)。

此外，本發(fā)明的制劑包含至少一種溶劑。所述制劑顯著適合用于從溶液中制造層。

適當(dāng)且優(yōu)選的溶劑例如是甲苯、苯甲醚、二甲苯、苯甲酸甲酯、二甲基苯甲醚、三甲基苯、四氫化萘、鄰二甲氧基苯、四氫呋喃、氯苯和二氯苯，以及其混合物。

本發(fā)明的制劑適合于制造有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED、PLED)，特別是用于這些器件中的發(fā)光層。特別地，所述制劑的單個(gè)組分為均質(zhì)溶液的形式，這使得能夠特別好地將所述制劑轉(zhuǎn)化到層中。

因此，本發(fā)明還涉及本發(fā)明的制劑在制造有機(jī)電子器件特別是有機(jī)電致發(fā)光器件中的用途。

此外，本發(fā)明還涉及使用本發(fā)明的制劑制造的有機(jī)電子器件，特別是有機(jī)電致發(fā)光器件，其包括陽(yáng)極、陰極和至少一個(gè)發(fā)光層，其特征在于所述至少一個(gè)發(fā)光層是從本發(fā)明的混合物獲得的。

除了所述陰極、陽(yáng)極和至少一個(gè)發(fā)光層外，所述有機(jī)電致發(fā)光器件也可以包括另外的層。這些層例如在每種情況下選自一個(gè)或多個(gè)空穴注入層、空穴傳輸層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、電荷產(chǎn)生層和/或有機(jī)或無機(jī)p/n結(jié)。另外，可以存在控制例如所述器件中電荷平衡的夾層。特別地，這種夾層可適當(dāng)?shù)刈鳛閮蓚€(gè)發(fā)光層之間的夾層，特別是作為磷光層和熒光層之間的夾層。此外，所述層，特別是所述電荷傳輸層，也可以被摻雜。摻雜所述層可能對(duì)于改善電荷傳輸是有利的。然而，應(yīng)該指出，如上所述的這些層中的每個(gè)都沒有必要必須存在，并且對(duì)所述層的選擇總是取決于使用的化合物。這類層的用途對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是已知的，且他們將能夠在不需要?jiǎng)?chuàng)造性步驟的情況下使用根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)已知用于該目的的這種層的所有材料。

此外可以使用多于一個(gè)發(fā)光層，例如兩個(gè)或三個(gè)發(fā)光層，其優(yōu)選具有不同的發(fā)光顏色。本發(fā)明特別優(yōu)選的實(shí)施方式涉及發(fā)白色光的有機(jī)電致發(fā)光器件。特征在于其發(fā)出CIE色坐標(biāo)在0.28/0.29至0.45/0.41范圍內(nèi)的光。這類發(fā)白色光電致發(fā)光器件的一般結(jié)構(gòu)例如公開在WO 05/011013中。

本發(fā)明電致發(fā)光器件的陰極優(yōu)選包含具有低逸出功的金屬、金屬合金或多層結(jié)構(gòu)，其包含不同的金屬，例如堿土金屬、堿金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。在多層結(jié)構(gòu)情況下，除所述金屬之外，也可以使用具有相對(duì)高逸出功的其它金屬例如Ag，在這種情況下，通常使用金屬的組合，例如Ca/Ag或Ba/Ag。同樣優(yōu)選金屬合金，特別是包含堿金屬或堿土金屬和銀的合金，特別優(yōu)選Mg和Ag的合金。還優(yōu)選在金屬陰極和有機(jī)半導(dǎo)體之間引入具有高介電常數(shù)的材料的薄夾層。適合于該目的的例如是堿金屬或堿土金屬氟化物，以及相應(yīng)的氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li₂O、CsF、Cs₂CO₃、BaF₂、MgO、NaF等)。該層的層厚度優(yōu)選為0.5至5nm。

本發(fā)明電致發(fā)光器件的陽(yáng)極優(yōu)選包含具有高逸出功的材料。該陽(yáng)極優(yōu)選具有相對(duì)于真空大于4.5電子伏特的逸出功。適于該目的的一方面是具有高氧化還原電勢(shì)的金屬，例如Ag、Pt或Au。另一方面，也可以優(yōu)選金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiO_x、Al/PtO_x)。此處所述電極中的至少一個(gè)必須是透明的，以促進(jìn)耦合輸出光。優(yōu)選的結(jié)構(gòu)使用透明陽(yáng)極。此處優(yōu)選的陽(yáng)極材料是導(dǎo)電的混合的金屬氧化物。特別優(yōu)選氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)。此外，優(yōu)選導(dǎo)電的摻雜有機(jī)材料，特別是導(dǎo)電的摻雜聚合物，例如PEDOT或PANI。

所述器件被相應(yīng)地(取決于應(yīng)用)結(jié)構(gòu)化、設(shè)置以電接觸并且最后被密封，因?yàn)樵擃愋推骷膲勖谒?或空氣存在下急劇地縮短。

通常，根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)用于有機(jī)電致發(fā)光器件中的所有另外的材料可與包含本發(fā)明混合物的發(fā)光層組合使用。

此外優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于借助于升華方法涂覆一個(gè)或多個(gè)層，其中在真空升華裝置中，在低于10^-5毫巴、優(yōu)選低于10^-6毫巴的初壓下氣相沉積所述材料。然而，應(yīng)當(dāng)注意，所述初壓還可以甚至更低，例如低于10^-7毫巴。

同樣優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于借助于OVPD(有機(jī)氣相沉積)方法或借助于載氣升華來涂覆一個(gè)或多個(gè)層，其中，在10^-5毫巴至1巴之間的壓力下施加所述材料。該方法的特別的例子是OVJP(有機(jī)蒸氣噴印)方法，其中所述材料通過噴管直接施加，并且因此是結(jié)構(gòu)化的(例如M.S.Arnold等人，Appl.Phys.Lett.(應(yīng)用物理快報(bào))2008，92，053301)。

特別優(yōu)選如下的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于從溶液中例如通過旋涂，或借助于任何希望的印刷方法例如絲網(wǎng)印刷、柔性版印刷或平版印刷，但是特別優(yōu)選LITI(光引發(fā)熱成像，熱轉(zhuǎn)印)或噴墨印刷，來產(chǎn)生一個(gè)或多個(gè)層?？扇艿幕衔飳?duì)于該目的是必要的，如在本發(fā)明混合物中所存在的可溶的化合物。

通過從溶液施加一個(gè)或多個(gè)層并通過氣相沉積施加一個(gè)或多個(gè)其它的層，所述有機(jī)電致發(fā)光器件還可以被制造為混合式體系。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通常已知這些方法，并且能夠在不需要?jiǎng)?chuàng)造性步驟的情況下將所述方法應(yīng)用于本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件中。

本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，具有以下令人驚訝的優(yōu)點(diǎn)：

1.本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件具有非常高的效率。此處所述效率優(yōu)于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用電子傳輸基質(zhì)材料與空穴傳輸基質(zhì)材料結(jié)合的情況。

2.本發(fā)明的有機(jī)電致發(fā)光器件同時(shí)具有改進(jìn)的壽命。此處的壽命長(zhǎng)于根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)使用電子傳輸基質(zhì)材料與空穴傳輸基質(zhì)材料結(jié)合的情況。

附圖說明

圖1顯示了根據(jù)本發(fā)明制備的器件類型的一種典型結(jié)構(gòu)。

具體實(shí)施方式

通過以下實(shí)施例更詳細(xì)地描述本發(fā)明，但不希望由此限制本發(fā)明。本領(lǐng)域技術(shù)人員在不需要?jiǎng)?chuàng)造性步驟的情況下，將能夠制造本發(fā)明的另外的有機(jī)電致發(fā)光器件。

一般方法：

從循環(huán)伏安法和吸收光譜確定HOMO、LUMO和能隙。

根據(jù)本申請(qǐng)，通過下文所述的一般方法確定HOMO和LUMO值以及能隙：

HOMO值產(chǎn)生自氧化電位，在室溫下通過循環(huán)伏安法(CV)測(cè)量氧化電位。用于該目的的測(cè)量?jī)x器是使用Metrohm 663 VA支架的ECO Autolab系統(tǒng)。工作電極是金電極，參比電極是Ag/AgCl，電橋電解質(zhì)是KCl(3摩爾/升)，且輔助電極是鉑。

為了測(cè)量，首先制備四丁基六氟磷酸銨(NH₄PF₆)在二氯甲烷中的0.11M導(dǎo)電鹽溶液，將其引入測(cè)量池中，并脫氣5分鐘。然后使用如下參數(shù)進(jìn)行兩個(gè)測(cè)量循環(huán)：

測(cè)量技術(shù)：CV

初始吹掃時(shí)間：300s

清潔電位：-1V

清潔時(shí)間：10s

沉積電位：-0.2V

沉積時(shí)間：10s

起始電位：-0.2V

終點(diǎn)電位：1.6V

電壓步長(zhǎng)：6mV

掃頻速率：50mV/s

然后將1ml樣品溶液(待測(cè)量的10mg物質(zhì)在1ml二氯甲烷中)加入所述導(dǎo)電鹽溶液中，將混合物再次脫氣5分鐘。然后進(jìn)行另外五個(gè)測(cè)量循環(huán)，記錄最后三個(gè)測(cè)量循環(huán)用于評(píng)估。如上所述設(shè)定相同的參數(shù)。

然后將0.1ml二茂鐵溶液(100mg二茂鐵在1ml二氯甲烷中)加入所述溶液中，將混合物脫氣1分鐘，使用如下參數(shù)進(jìn)行測(cè)量循環(huán)：

測(cè)量技術(shù)：CV

初始吹掃時(shí)間：60s

清潔電位：-1V

清潔時(shí)間：10s

沉積電位：-0.2V

沉積時(shí)間：10s

起始電位：-0.2V

終點(diǎn)電位：1.6V

電壓步長(zhǎng)：6mV

掃頻速率：50mV/s

為了評(píng)估，對(duì)于樣品溶液和已經(jīng)向其中加入二茂鐵溶液的溶液，從正向曲線得到第一氧化電壓最大值的平均數(shù)，從反向曲線得到相關(guān)的還原電壓最大值的平均數(shù)(V_P和V_F)，其中在每種情況中使用的電壓是相對(duì)于二茂鐵的電壓。待測(cè)物質(zhì)的HOMO值E_HOMO由E_HOMO＝-[e·(V_P-V_F)+4.8eV]給出，其中e代表元電荷。

應(yīng)當(dāng)注意到，在個(gè)別的情況中，例如如果待測(cè)物質(zhì)不溶于二氯甲烷中或如果在測(cè)量過程中物質(zhì)發(fā)生分解，則可能必須對(duì)測(cè)量方法進(jìn)行適當(dāng)調(diào)整。如果使用上述方法借助于CV不能夠進(jìn)行有意義的測(cè)量，則借助于來自Riken Keiki Co.Ltd.的AC-2型光電子光譜儀(http://www.rikenkeiki.com/pages/AC2.htm)通過光電子光譜法測(cè)定HOMO能量，在這種情況中應(yīng)當(dāng)注意，所獲得的值通常比通過CV測(cè)量的那些值低約0.3eV。則本申請(qǐng)的HOMO值被認(rèn)為是得自Riken AC2的值+0.3eV。

此外，使用所述CV方法或使用所述光電子光譜法均不能夠可靠地測(cè)量低于-6eV的HOMO值。在這種情況中，借助于密度泛函理論(DFT)從量子化學(xué)計(jì)算確定HOMO值。這通過商購(gòu)的Gaussian 03W(Gaussian公司)軟件使用方法B3PW91/6-31G(d)進(jìn)行。通過與可以通過CV測(cè)量的材料相比較，達(dá)到所計(jì)算的值至CV值的標(biāo)準(zhǔn)化。為此目的，使用CV方法測(cè)量并計(jì)算一系列材料的HOMO值。然后借助于測(cè)量值校正計(jì)算值，且將該校正因子用于所有另外的計(jì)算。用這種方法，可以計(jì)算出與通過CV測(cè)量的那些值對(duì)應(yīng)地非常好的HOMO值。如果不能通過如上所述的CV或Riken AC2測(cè)量特定物質(zhì)的HOMO值，則根據(jù)本申請(qǐng)的HOMO值因此被認(rèn)為是指如上所述根據(jù)說明通過DFT計(jì)算校正至CV獲得的值。以這種方式計(jì)算的一些常見有機(jī)材料的值的實(shí)例是：NPB(HOMO-5.16eV，LUMO-2.28eV)；TCTA(HOMO-5.33eV，LUMO-2.20eV)；TPBI(HOMO-6.26eV，LUMO-2.48eV)。這些值可用于所述計(jì)算方法的校正。

從吸收光譜的吸收邊緣測(cè)定能隙，其中所述吸收光譜是在具有50nm層厚度的膜上測(cè)量。此處吸收邊緣定義為在吸收光譜中在最陡峭的點(diǎn)處將直線擬合至最長(zhǎng)波長(zhǎng)下降側(cè)(Flanke)時(shí)所獲得的波長(zhǎng)，將該直線與波長(zhǎng)軸相交處，即吸收值＝0處，確定為所述的值。

通過將能隙加到如上所述的HOMO值上獲得LUMO值。

實(shí)施例：

實(shí)施例1至45：制造PLED

以下描述了如下化合物的結(jié)構(gòu)：發(fā)光體E1、本發(fā)明的酮K-1至K-12、本發(fā)明的三嗪T-1至T-4和本發(fā)明的咔唑C-1至C-6。

發(fā)光體E1的結(jié)構(gòu)

所述酮化合物的結(jié)構(gòu)

所述三嗪化合物的結(jié)構(gòu)

所述咔唑化合物的結(jié)構(gòu)

在本發(fā)明的制劑中使用的材料導(dǎo)致具有良好性能的簡(jiǎn)單得多的器件。制造這種組件是基于制造聚合物發(fā)光二極管(PLED)，其已經(jīng)在文獻(xiàn)中(例如在WO 2004/037887 A2中)描述了很多次。在本發(fā)明的情況中，將本發(fā)明的化合物溶于甲苯中或氯苯中。在此處提及的實(shí)施例中使用的濃度為20重量％的發(fā)光體，40重量％的化合物K-1至K-12或化合物T-1至T-4，和40重量％的化合物C-1至C-6。如果，如此處所述的，要通過旋涂實(shí)現(xiàn)對(duì)于器件典型的80nm的層厚度，則這種溶液的典型的固體含量在16和25克/升之間。

圖1顯示了這類器件的典型結(jié)構(gòu)。在EML中，基質(zhì)材料和發(fā)光體為非晶形層的形式。結(jié)構(gòu)化的ITO基底和用于所謂緩沖層的材料(PEDOT，實(shí)際為PEDOT:PSS)是可商購(gòu)的(從特別是Technoprint獲得ITO，從H.C.Starck獲得作為Clevios P水分散體的PEDOT:PSS)。使用的夾層用于空穴注入。使用Merck的HIL-012。在惰性氣體氣氛下，在本發(fā)明情況下為氬氣氛下，通過旋涂施加發(fā)光層，并通過在160℃或180℃下加熱10分鐘進(jìn)行干燥。最后，通過真空氣相沉積施加包含鋇和鋁的陰極。也可以通過氣相沉積在EML和陰極之間施加另外的層(例如HBL和ETL)。該夾層也可以被一個(gè)或多個(gè)層代替，其只是必須滿足如下的條件，即不被隨后從溶液沉積EML的處理步驟再次除去。用標(biāo)準(zhǔn)方法表征所述溶液處理的器件；所述OLED實(shí)施例不是最優(yōu)化的。

表1比較了本發(fā)明的不含化合物C-1至C-6的器件結(jié)果以及本發(fā)明的通過包含材料K-1至K-12或T-1至T-4的混合層獲得的那些結(jié)果。