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一種可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法與流程

文檔序號:12638246閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.一種可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,包括:在可見光照射的條件下,使有機化合物與氧化試劑在鈰的配合物及添加劑的作用下進行反應(yīng),使有機化合物中的飽和碳氫鍵氧化得到氧化產(chǎn)物。

2.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的有機化合物為鏈烷烴、環(huán)烷烴、芳香烴或含有飽和碳氫鍵的其它化合物。

3.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的氧化試劑為氧氣,鹵代試劑或偶氮類試劑。

4.如權(quán)利要求3所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的鹵代試劑為N-氯代丁二酰亞胺,N-溴代丁二酰亞胺,對甲苯磺酰氯,甲磺酰氯,N-氟吡啶,N-氟二苯磺酰亞胺,1-氯甲基-4-氟-1,4-重氮化二環(huán)2.2.2辛烷雙(四氟硼酸)鹽和單質(zhì)碘中的至少一種。

5.如權(quán)利要求3所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的偶氮類試劑為偶氮二碳酸酯,偶氮苯,偶氮甲酰胺和偶氮二異丁腈中的至少一種。

6.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的鈰配合物的金屬陽離子為Ce4+和Ce3+中的任一種。

7.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的添加劑的陰離子為Cl-和Br-中的任一種。

8.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的有機化合物與鈰的配合物的摩爾比為1∶0.0000001-0.2。

9.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的反應(yīng)條件為室溫-80℃。

10.如權(quán)利要求1所述的可見光催化的飽和碳氫鍵直接氧化方法,其特征在于,所述的可見光為波長為300-800nm的光。

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