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高強度防磁卡套及其制備方法與流程

文檔序號:11098425閱讀:678來源:國知局
本發(fā)明涉及卡套,具體地,涉及高強度防磁卡套及其制備方法。
背景技術(shù)
:卡套是卡片的保護(hù)套,主要起到保護(hù)卡片的作用,如防潮、防水、防折斷等?,F(xiàn)有的卡套大部分是高分子卡套,基本能夠滿足防潮、防水、防折斷的功能。但是現(xiàn)有的卡片大部分是磁卡,如銀行卡、校園卡、身份證等均是帶有芯片或者磁條的。磁條卡使用中會受到諸多外界磁場因素的干擾,經(jīng)常存在消磁的情況:如磁條卡在錢包、皮夾中距離磁扣太近,甚至與磁扣發(fā)生接觸;與女士皮包、男士手包磁扣太近或接觸;與帶磁封條的通訊錄、筆記本接觸;與手機套上的磁扣、汽車鑰匙等磁性物體接觸;與手機等能夠產(chǎn)生電磁輻射的設(shè)備長時間放在一起;與電視機、收錄機等有較強磁場效應(yīng)的家用電器距離過近;在超市使用時,與超市中防盜用的消磁設(shè)備距離太近甚至接觸;多張磁條卡放在一起時,兩張卡的磁條互相接觸。但是,現(xiàn)有的卡套往往不能有效地起到防磁的功能,進(jìn)而使得卡片產(chǎn)生消磁現(xiàn)象,導(dǎo)致芯片中數(shù)據(jù)遺失。技術(shù)實現(xiàn)要素:本發(fā)明的目的是提供一種高強度防磁卡套及其制備方法,通過該方法制得的該高強度防磁卡套具有優(yōu)異的抗磁性能和力學(xué)性能,同時該制備方法具有原料易得、工序簡單以及易于推廣的特性。為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供了一種高強度防磁卡套的制備方法,包括:1)將聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、納米硫酸鋇、納米氧化釓、硫酸鈣晶須、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷進(jìn)行混煉以制得混煉物;2)將松香季戊四醇酯、鈦酸鉀晶須、麥麩、腈綸銅絡(luò)合纖維、木質(zhì)纖維與混煉物進(jìn)行混煉、成型以制得高強度防磁卡套。本發(fā)明還提供了一種高強度防磁卡套,該高強度防磁卡套通過上述的制備方法制備而得。在上述技術(shù)方案中,本發(fā)明通過各步驟以及各原料的協(xié)同作用,使得制得的高強度防磁卡套具有優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,同時該制備方法具有原料易得、工序簡單以及易于推廣的特性。本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細(xì)說明。具體實施方式以下對本發(fā)明的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是,此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明,并不用于限制本發(fā)明。本發(fā)明提供了一種高強度防磁卡套的制備方法,包括:1)將聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、納米硫酸鋇、納米氧化釓、硫酸鈣晶須、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷進(jìn)行混煉以制得混煉物;2)將松香季戊四醇酯、鈦酸鉀晶須、麥麩、腈綸銅絡(luò)合纖維、木質(zhì)纖維與混煉物進(jìn)行混煉、成型以制得高強度防磁卡套。在本發(fā)明的步驟1)中,各物料的用量可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟1)中,相對于100重量份的聚乙烯,乙烯-乙烯醇共聚物的用量為47-56重量份,納米硫酸鋇的用量為11-14重量份,納米氧化釓的用量為0.8-1.6重量份,硫酸鈣晶須的用量為3-7重量份,二硫化二苯并噻唑的用量為21-28重量份,硅灰石粉的用量為14-21重量份,氮化硅的用量為3-5重量份,氯丙基三甲氧基硅烷的用量為22-27重量份。在本發(fā)明的步驟1)中,納米硫酸鋇與納米氧化釓的粒徑可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟1)中,納米硫酸鋇與納米氧化釓各自獨立地滿足以下條件:粒徑為20-40nm。在本發(fā)明的步驟1)中,硫酸鈣晶須的尺寸可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟1)中,硫酸鈣晶須滿足以下條件:直徑為1-8um,長度為30-200um。在本發(fā)明的步驟1)中,混煉的條件可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟1)中,混煉滿足以下條件:混煉溫度為215-230℃,混煉時間為4-6h。在本發(fā)明的步驟2)中,各物料的用量可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟2)中,相對于100重量份的混煉物,松香季戊四醇酯的用量為34-55重量份,鈦酸鉀晶須的用量為4-11重量份,麥麩的用量為42-48重量份,腈綸銅絡(luò)合纖維的用量為10-18重量份,木質(zhì)纖維的用量為12-19重量份。在本發(fā)明的步驟2)中,鈦酸鉀晶須的尺寸可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟2)中,鈦酸鉀晶須滿足以下條件:直徑為0.2-1.2um,長度為10-100um。在本發(fā)明的步驟2)中,腈綸銅絡(luò)合纖維的尺寸可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟2)中,腈綸銅絡(luò)合纖維至少滿足以下條件:直徑為10-20um。在本發(fā)明的步驟2)中,木質(zhì)纖維的尺寸可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟2)中,木質(zhì)纖維至少滿足以下條件:直徑為25-45um。在本發(fā)明的步驟2)中,混煉的條件可以在寬的范圍內(nèi)選擇,但是為了使制得的高強度防磁卡套具有更優(yōu)異的的抗磁性能和力學(xué)性能,優(yōu)選地,在步驟2)中,所述混煉滿足以下條件:混煉溫度為205-210℃,混煉時間為40-80min。本發(fā)明還提供了一種高強度防磁卡套,該高強度防磁卡套通過上述的制備方法制備而得。以下將通過實施例對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)描述。實施例11)將聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、納米硫酸鋇(粒徑為30nm)、納米氧化釓(粒徑為30nm)、硫酸鈣晶須(直徑為5um,長度為100um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100:50:12:1.2:5:25:18:4:25的重量比于220℃下進(jìn)行混煉5h以制得混煉物;2)將混煉物、松香季戊四醇酯、鈦酸鉀晶須(直徑為0.8um,長度為70um)、麥麩、腈綸銅絡(luò)合纖維(直徑為15um)、木質(zhì)纖維(直徑為35um)按照100:45:8:44:16:17的重量比于208℃下進(jìn)行混煉50min、擠出成型以制得高強度防磁卡套A1。實施例21)將聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、納米硫酸鋇(粒徑為20nm)、納米氧化釓(粒徑為20nm)、硫酸鈣晶須(直徑為1um,長度為30um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100:47:11:0.8:3:21:14:3:22的重量比于215℃下進(jìn)行混煉4h以制得混煉物;2)將混煉物、松香季戊四醇酯、鈦酸鉀晶須(直徑為0.2um,長度為10um)、麥麩、腈綸銅絡(luò)合纖維(直徑為10um)、木質(zhì)纖維(直徑為25um)按照100:34:4:42:10:12的重量比于205℃下進(jìn)行混煉40min、擠出成型以制得高強度防磁卡套A2。實施例31)將聚乙烯、乙烯-乙烯醇共聚物、納米硫酸鋇(粒徑為40nm)、納米氧化釓(粒徑為40nm)、硫酸鈣晶須(直徑為8um,長度為200um)、二硫化二苯并噻唑、硅灰石粉、氮化硅和氯丙基三甲氧基硅烷按照100:56:14:1.6:7:28:21:5:27的重量比于230℃下進(jìn)行混煉6h以制得混煉物;2)將混煉物、松香季戊四醇酯、鈦酸鉀晶須(直徑為1.2um,長度為100um)、麥麩、腈綸銅絡(luò)合纖維(直徑為20um)、木質(zhì)纖維(直徑為45um)按照100:55:11:48:18:19的重量比于210℃下進(jìn)行混煉80min、擠出成型以制得高強度防磁卡套A3。對比例1按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B1,不同的是,步驟1)中未使用納米硫酸鋇。對比例2按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B2,不同的是,步驟1)中未使用納米氧化釓。對比例3按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B3,不同的是,步驟1)中未使用硫酸鈣晶須。對比例4按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B4,不同的是,步驟1)中未使用氮化硅。對比例5按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B5,不同的是,步驟2)中未使用鈦酸鉀晶須。對比例6按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B6,不同的是,步驟2)中未使用麥麩。對比例7按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B7,不同的是,步驟2)中未使用腈綸銅絡(luò)合纖維。對比例8按照實施例1的方法進(jìn)行制得卡套B8,不同的是,步驟2)中未使用木質(zhì)纖維。檢測例1檢測上述卡套的力學(xué)強度和抗磁性能,具體結(jié)果見表1。表1抗沖力(KJ/m2)滲透場強/db(300MHz電磁場頻率)A14.251A24.154A34.354B12.573B22.476B32.875B42.677B52.383B62.285B72.778B82.580通過上述實施例、對比例和檢測例可知,本發(fā)明提供的卡套具有優(yōu)異的力學(xué)性能和抗磁性能。以上詳細(xì)描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,但是,本發(fā)明并不限于上述實施方式中的具體細(xì)節(jié),在本發(fā)明的技術(shù)構(gòu)思范圍內(nèi),可以對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行多種簡單變型,這些簡單變型均屬于本發(fā)明的保護(hù)范圍。另外需要說明的是,在上述具體實施方式中所描述的各個具體技術(shù)特征,在不矛盾的情況下,可以通過任何合適的方式進(jìn)行組合,為了避免不必要的重復(fù),本發(fā)明對各種可能的組合方式不再另行說明。此外,本發(fā)明的各種不同的實施方式之間也可以進(jìn)行任意組合,只要其不違背本發(fā)明的思想,其同樣應(yīng)當(dāng)視為本發(fā)明所公開的內(nèi)容。當(dāng)前第1頁1 2 3 
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