本發(fā)明涉及電纜技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種抗斷線高溫電纜。

背景技術(shù)：

高溫電纜是一種能耐高溫的電纜，通常采用實(shí)芯或絞合鍍銀或鍍鎳銅線，其最外層包覆有一層橡膠護(hù)套層。高溫電纜主要應(yīng)用于通信、汽車(chē)、電機(jī)、建筑等行業(yè)，比如用作移動(dòng)用軟電線、橡膠絕緣軟電力電纜、控制電線、耐熱建筑線、汽車(chē)線、航空導(dǎo)線、機(jī)車(chē)電線、電機(jī)電器引接線等。

目前，隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，我國(guó)對(duì)高溫電纜市場(chǎng)需求不斷擴(kuò)大以及對(duì)高溫電纜的科研投入的不斷深入，同時(shí)對(duì)電纜的質(zhì)量要求也不斷的提高，要求電纜不僅要具備優(yōu)良抗斷線能力且可有效降低成本，亟待解決。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

基于背景技術(shù)存在的技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提出了一種抗斷線高溫電纜，具有優(yōu)秀的抗斷線能力，耐腐蝕性能極好，而且硬度與耐撕裂性能極好，有效降低填料的添加量的同時(shí)，填充效果好，降低成本。

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯10-18份，乙丙橡膠4044 20-40份，乙稀-醋酸乙稀共聚物60-80份，重鉻酸銨鈉0.4-1份，過(guò)氧化二異丙苯1-2份，促進(jìn)劑TMTD 1.5-2.5份，促進(jìn)劑DM 0.4-0.8份，硅灰石5-10份，凹凸棒土8-16份，聚酰胺蠟微粉2-8份，蠶絲纖維10-20份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅50-70份，煤焦油1.5-2.5份，硬脂酸0.5-0.9份，氯化石蠟0.4-1份，磷酸三辛酯1.5-2.5份，鄰苯二甲酸乙辛酯0.8-1.6份，抗氧劑1.5-3.5份。

優(yōu)選地，護(hù)套層的原料中，聚丙烯、乙丙橡膠4044、乙稀-醋酸乙稀共聚物、重鉻酸銨鈉、過(guò)氧化二異丙苯、促進(jìn)劑TMTD、促進(jìn)劑DM的重量比為12-16：25-35：65-75：0.6-0.8：1.2-1.8：1.8-2.2：0.5-0.7。

優(yōu)選地，護(hù)套層的原料中，硅灰石、凹凸棒土、聚酰胺蠟微粉、蠶絲纖維、豆粕復(fù)合納米二氧化硅的重量比為6-8：10-14：4-6：12-18：55-65。

優(yōu)選地，護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯12-16份，乙丙橡膠4044 25-35份，乙稀-醋酸乙稀共聚物65-75份，重鉻酸銨鈉0.6-0.8份，過(guò)氧化二異丙苯1.2-1.8份，促進(jìn)劑TMTD 1.8-2.2份，促進(jìn)劑DM 0.5-0.7份，硅灰石6-8份，凹凸棒土10-14份，聚酰胺蠟微粉4-6份，蠶絲纖維12-18份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅55-65份，煤焦油1.8-2.2份，硬脂酸0.6-0.8份，氯化石蠟0.6-0.8份，磷酸三辛酯1.8-2.3份，鄰苯二甲酸乙辛酯1-1.4份，抗氧劑2-3份。

優(yōu)選地，護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：將1，3-丙磺內(nèi)酯、2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；將雙十二烷基甲基叔胺、1，2-二氯乙烷混合攪拌，再滴加預(yù)制料，升溫?cái)嚢?，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入納米二氧化硅、豆粕、麩皮、蔗糖混合均勻，然后加入水、谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵，繼續(xù)加入乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度進(jìn)行發(fā)酵，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

優(yōu)選地，護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：將1，3-丙磺內(nèi)酯、2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；將雙十二烷基甲基叔胺、1，2-二氯乙烷混合攪拌25-45min，攪拌溫度為70-80℃，再滴加預(yù)制料，升溫至70-80℃攪拌1.5-3.5h，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入納米二氧化硅、豆粕、麩皮、蔗糖混合均勻，然后加入水、濃度為50-70個(gè)/mL的谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵6-12h，繼續(xù)加入濃度為50-60個(gè)/mL的乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度至30-36℃發(fā)酵4-8h，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

優(yōu)選地，護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：按重量份將10-15份1，3-丙磺內(nèi)酯、70-90份2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；按重量份將6-10份雙十二烷基甲基叔胺、45-65份1，2-二氯乙烷混合攪拌25-45min，攪拌溫度為70-80℃，再滴加14-20份預(yù)制料，升溫至70-80℃攪拌1.5-3.5h，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入25-45份納米二氧化硅、35-45份豆粕、3-6份麩皮、1-2份蔗糖混合均勻，然后加入120-160份水、4-8份濃度為50-70個(gè)/mL的谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵6-12h，繼續(xù)加入4-8份濃度為50-60個(gè)/mL的乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度至30-36℃發(fā)酵4-8h，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

本發(fā)明采用常規(guī)制備工藝制得。

本發(fā)明以乙稀-醋酸乙稀共聚物、乙丙橡膠4044、聚丙烯配合作為基料，經(jīng)過(guò)氧化二異丙苯、重鉻酸銨鈉、促進(jìn)劑DM、促進(jìn)劑TMTD協(xié)同硫化后，交聯(lián)密度高，硬度與耐撕裂性能極好，使本發(fā)明具有優(yōu)秀的抗斷線能力，而且耐腐蝕性能極好；本發(fā)明的豆粕復(fù)合納米二氧化硅中，1，3-丙磺內(nèi)酯與雙十二烷基甲基叔胺在一定條件下作用，采用雙長(zhǎng)鏈烷基結(jié)構(gòu)并通過(guò)工藝條件使得控制鏈長(zhǎng)，具有適當(dāng)水溶性，而且表面活性極好，繼續(xù)加入豆粕、麩皮、蔗糖并依次經(jīng)過(guò)谷草芽孢桿菌、乳酸菌發(fā)酵處理后，可降低物料界面張力，增加物料混合均勻度，通過(guò)合理控制工藝條件，豆粕、麩皮發(fā)酵適中，與納米二氧化硅的混摻性極好，不僅可有效降低填料的添加量，而且與蠶絲纖維、凹凸棒土、硅灰石、聚酰胺蠟微粉混合分散性好，填充效果好，同時(shí)與乙丙橡膠4044、聚丙烯及乙稀-醋酸乙稀共聚物等有機(jī)材料的相容性好，經(jīng)過(guò)交聯(lián)固化后，使本發(fā)明的密度極高，結(jié)合力強(qiáng)，抗斷線能力極為優(yōu)異，進(jìn)一步與硬脂酸、煤焦油、鄰苯二甲酸乙辛酯、磷酸三辛酯、氯化石蠟配合，可促進(jìn)韌性與硬度達(dá)到均衡不易折斷，抗斷線性能進(jìn)一步增強(qiáng)。

具體實(shí)施方式

下面，通過(guò)具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。

實(shí)施例1

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯10份，乙丙橡膠4044 40份，乙稀-醋酸乙稀共聚物60份，重鉻酸銨鈉1份，過(guò)氧化二異丙苯1份，促進(jìn)劑TMTD 2.5份，促進(jìn)劑DM 0.4份，硅灰石10份，凹凸棒土8份，聚酰胺蠟微粉8份，蠶絲纖維10份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅70份，煤焦油1.5份，硬脂酸0.9份，氯化石蠟0.4份，磷酸三辛酯2.5份，鄰苯二甲酸乙辛酯0.8份，抗氧劑3.5份。

實(shí)施例2

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯18份，乙丙橡膠4044 20份，乙稀-醋酸乙稀共聚物80份，重鉻酸銨鈉0.4份，過(guò)氧化二異丙苯2份，促進(jìn)劑TMTD 1.5份，促進(jìn)劑DM 0.8份，硅灰石5份，凹凸棒土16份，聚酰胺蠟微粉2份，蠶絲纖維20份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅50份，煤焦油2.5份，硬脂酸0.5份，氯化石蠟1份，磷酸三辛酯1.5份，鄰苯二甲酸乙辛酯1.6份，抗氧劑1.5份。

護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：將1，3-丙磺內(nèi)酯、2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；將雙十二烷基甲基叔胺、1，2-二氯乙烷混合攪拌，再滴加預(yù)制料，升溫?cái)嚢?，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入納米二氧化硅、豆粕、麩皮、蔗糖混合均勻，然后加入水、谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵，繼續(xù)加入乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度進(jìn)行發(fā)酵，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

實(shí)施例3

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯12份，乙丙橡膠4044 35份，乙稀-醋酸乙稀共聚物65份，重鉻酸銨鈉0.8份，過(guò)氧化二異丙苯1.2份，促進(jìn)劑TMTD 2.2份，促進(jìn)劑DM 0.5份，硅灰石8份，凹凸棒土10份，聚酰胺蠟微粉6份，蠶絲纖維12份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅65份，煤焦油1.8份，硬脂酸0.8份，氯化石蠟0.6份，磷酸三辛酯2.3份，鄰苯二甲酸乙辛酯1份，抗氧劑3份。

護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：按重量份將10份1，3-丙磺內(nèi)酯、90份2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；按重量份將6份雙十二烷基甲基叔胺、65份1，2-二氯乙烷混合攪拌25min，攪拌溫度為80℃，再滴加14份預(yù)制料，升溫至80℃攪拌1.5h，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入45份納米二氧化硅、35份豆粕、6份麩皮、1份蔗糖混合均勻，然后加入160份水、4份濃度為50-70個(gè)/mL的谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵12h，繼續(xù)加入4份濃度為50-60個(gè)/mL的乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度至36℃發(fā)酵4h，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

實(shí)施例4

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯16份，乙丙橡膠4044 25份，乙稀-醋酸乙稀共聚物75份，重鉻酸銨鈉0.6份，過(guò)氧化二異丙苯1.8份，促進(jìn)劑TMTD 1.8份，促進(jìn)劑DM 0.7份，硅灰石6份，凹凸棒土14份，聚酰胺蠟微粉4份，蠶絲纖維18份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅55份，煤焦油2.2份，硬脂酸0.6份，氯化石蠟0.8份，磷酸三辛酯1.8份，鄰苯二甲酸乙辛酯1.4份，抗氧劑2份。

護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：按重量份將15份1，3-丙磺內(nèi)酯、70份2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；按重量份將10份雙十二烷基甲基叔胺、45份1，2-二氯乙烷混合攪拌45min，攪拌溫度為70℃，再滴加20份預(yù)制料，升溫至70℃攪拌3.5h，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入25份納米二氧化硅、45份豆粕、3份麩皮、2份蔗糖混合均勻，然后加入120份水、8份濃度為50-70個(gè)/mL的谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵6h，繼續(xù)加入8份濃度為50-60個(gè)/mL的乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度至30℃發(fā)酵8h，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

實(shí)施例5

本發(fā)明提出的一種抗斷線高溫電纜，包括導(dǎo)體和包覆在導(dǎo)體外側(cè)的護(hù)套層；護(hù)套層的原料按重量份包括：聚丙烯14份，乙丙橡膠4044 30份，乙稀-醋酸乙稀共聚物70份，重鉻酸銨鈉0.7份，過(guò)氧化二異丙苯1.5份，促進(jìn)劑TMTD 2份，促進(jìn)劑DM 0.6份，硅灰石7份，凹凸棒土12份，聚酰胺蠟微粉5份，蠶絲纖維15份，豆粕復(fù)合納米二氧化硅60份，煤焦油2份，硬脂酸0.7份，氯化石蠟0.7份，磷酸三辛酯2份，鄰苯二甲酸乙辛酯1.2份，抗氧劑2.3份。

護(hù)套層原料中的豆粕復(fù)合納米二氧化硅采用如下工藝制備：將1，3-丙磺內(nèi)酯、2-二氯乙烷混合均勻得到預(yù)制料；將雙十二烷基甲基叔胺、1，2-二氯乙烷混合攪拌35min，攪拌溫度為75℃，再滴加預(yù)制料，升溫至75℃攪拌2.5h，加入氫氧化鈉調(diào)節(jié)體系pH值至7.4-7.8，冷卻，抽濾，洗滌，接著加入納米二氧化硅、豆粕、麩皮、蔗糖混合均勻，然后加入水、濃度為50-70個(gè)/mL的谷草芽孢桿菌菌液攪拌均勻，室溫發(fā)酵9h，繼續(xù)加入濃度為50-60個(gè)/mL的乳酸菌菌液，調(diào)節(jié)溫度至33℃發(fā)酵6h，滅菌，干燥，粉碎得到發(fā)酵豆粕。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實(shí)施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本發(fā)明的技術(shù)方案及其發(fā)明構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。