本發(fā)明涉及有機(jī)光電材料
技術(shù)領(lǐng)域：
，具體涉及一種三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
：有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)是一種新型的平面顯示器件，具有節(jié)能、響應(yīng)速度快、顏色穩(wěn)定、環(huán)境適應(yīng)性強(qiáng)、無輻射、壽命長、質(zhì)量輕、厚度薄等特點(diǎn)。由于近幾年光電通訊和多媒體領(lǐng)域的迅速發(fā)展，有機(jī)光電子材料已成為現(xiàn)代社會信息和電子產(chǎn)業(yè)的核心。有機(jī)電致發(fā)光器件從發(fā)光性質(zhì)上講，可分為有機(jī)電致熒光器件、有機(jī)電致磷光器件及基于熒光和磷光復(fù)合的有機(jī)電致發(fā)光器件。根據(jù)自旋統(tǒng)計(jì)估算，在電激發(fā)光條件下，空穴和電子結(jié)合成單線態(tài)和三線態(tài)激子的幾率分別為25％和75％。對熒光材料而言，它只能通過單線態(tài)能量轉(zhuǎn)移的方式來形成激子。因而由單線態(tài)發(fā)光材料制備的器件最大的內(nèi)量子效率為25％。在實(shí)際應(yīng)用中，由于器件界面折射等因素的影響，利用熒光材料制備的有機(jī)電致發(fā)光器件的外量子效率最大為5％。而對磷光材料而言，它既能通過三線態(tài)，又能通過單線態(tài)，因而由磷光材料組成的器件的最大內(nèi)量子效率可達(dá)到100％，外量子效率理論上是熒光器件的4倍。但是，由于磷光材料在固體中有較強(qiáng)的三線態(tài)淬滅，作為主體材料，必須具有這樣的性質(zhì)：一、主體材料的三線態(tài)能級要高于客體材料的三線態(tài)能級。二、主體材料有合適的HOMO/LUMO能級，必須覆蓋客體材料的HOMO/LUMO能級，能級之間有合適的勢壘。三、主體材料的發(fā)射光譜與客體材料的吸收光譜要有一定的重疊。四、主體材料與客體材料要有一定的相容性。五、主體材料要有良好的熱穩(wěn)定性。六、主體材料要有高的載流子遷移率，且有較好的載流子平衡性。一般磷光主體發(fā)光材料有CBP等的咔唑環(huán)化合物，磷光客體發(fā)光材料有Ir，Pt等為中心金屬原子附著的化合物被廣泛使用。然而，這種有機(jī)EL器件只有150小時(shí)的短壽命，因?yàn)镃BP的玻璃化溫度很低，僅110℃，并有結(jié)晶的可能，所以它不適用于商業(yè)用途。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光器件，本發(fā)明衍生物以苯并噻吩衍生物為核，同時(shí)連接三苯基硅烷來得到更高的玻璃化溫度性，可作為主體材料應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光器件。采用本發(fā)明的三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物制備的有機(jī)發(fā)光器件，具有低電壓，高效率，高亮度，長壽命的顯著優(yōu)點(diǎn)。本發(fā)明首先提供了一種三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物，具有如式(I)所述的結(jié)構(gòu)式：其中，R1、R2獨(dú)立的選自取代或未取代的C6-C50芳基、取代或未取代的C7-C50芳烷基、取代或未取代的C6-C50芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C50芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C30的芳胺中的任意一種。優(yōu)選的，R1、R2獨(dú)立的選自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C30的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C24的芳胺中的任意一種。優(yōu)選的，芳香族雜環(huán)基中的雜原子為N，S，O或P。優(yōu)選的，R1，R2基團(tuán)獨(dú)立的選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種。R選自氫、氟、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C6-C24芳烷基、取代或未取代的C6-C24芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C24芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C24的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C16的芳胺中的任意一種。優(yōu)選的，所述的三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物，如下化合物1-24中的任意一種所示：本發(fā)明還提供一種有機(jī)發(fā)光器件，包括第一電極、第二電極和置于兩電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層，至少一個(gè)有機(jī)層包含三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物。本發(fā)明的有益效果：與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供一種含三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物及使用該衍生物的有機(jī)發(fā)光器件，該含三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物具有式(Ⅰ)所示結(jié)構(gòu)。本發(fā)明所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物以苯并噻吩衍生物作為核，來得到更高的三線態(tài)能級的主體材料，通過連接三苯基硅的基團(tuán)，可進(jìn)一步改善其物理特性，尤其是玻璃化轉(zhuǎn)化溫度，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光器件的穩(wěn)定性和壽命。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，使用本發(fā)明提供的含三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物制備的有機(jī)發(fā)光器件，具有較高的發(fā)光效率，發(fā)光效率可達(dá)6.9～8.5cd/A，并且驅(qū)動電壓低、使用壽命長(86-154h)，是一種優(yōu)異的OLED材料。具體實(shí)施方式為了進(jìn)一步理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)施例對本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方案進(jìn)行描述，但是應(yīng)當(dāng)理解，這些描述只是為進(jìn)一步說明本發(fā)明的特征和優(yōu)點(diǎn)，而不是對本發(fā)明權(quán)利要求的限制。需要說明的是，除非另有規(guī)定，本發(fā)明所使用的科技術(shù)語的含義與本領(lǐng)域技術(shù)人員通常所理解的含義相同。本發(fā)明所述芳基是指芳烴分子的芳核碳上去掉一個(gè)氫原子后，剩下一價(jià)基團(tuán)的總稱，其可以為單環(huán)芳基或稠環(huán)芳基，例如可選自苯基、聯(lián)苯基、萘基、蒽基等，但不限于此。本發(fā)明所述芳香族雜環(huán)基是指芳基中的一個(gè)或多個(gè)芳核碳被雜原子替代得到的基團(tuán)的總稱，所述雜原子包括但不限于氧、硫和氮原子，所述芳香族雜環(huán)基可以為單環(huán)雜芳基或稠環(huán)雜芳基，例如可選自吡啶基、嘧啶基、苯并嘧啶基、咔唑基、三嗪基、苯并噻唑基、苯并咪唑基等，但不限于此。本發(fā)明首先提供三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物，其結(jié)構(gòu)通式如式(I)所示：其中，R1、R2獨(dú)立的選自取代或未取代的C6-C50芳基、取代或未取代的C7-C50芳烷基、取代或未取代的C6-C50芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C50芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C50的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C30的芳胺中的任意一種。優(yōu)選所述的R1、R2獨(dú)立的優(yōu)選自取代或未取代的C6-C30芳基、取代或未取代的C7-C30芳烷基、取代或未取代的C6-C30芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C30芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C30的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C24的芳胺中的任意一種。再優(yōu)選所述的芳香族雜環(huán)基中的雜原子優(yōu)選為N，S，O或P。更加優(yōu)選的R1，R2獨(dú)立選自如下結(jié)構(gòu)中的任意一種：R選自氫、氟、取代或未取代的C6-C24芳基、取代或未取代的C6-C24芳烷基、取代或未取代的C6-C24芳基烷氧基、取代或未取代的C6-C24芳基烷硫基、取代或未取代的C4-C24的芳香族雜環(huán)基、取代或未取代的C6-C16的芳胺中的任意一種。按照本發(fā)明，所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物，沒有特別限定，優(yōu)選如下所示：以上列舉了本發(fā)明所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物的一些具體的結(jié)構(gòu)形式，但本發(fā)明所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物并不局限于所列的這些化學(xué)結(jié)構(gòu)，凡是以式(I)所示結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)R1，R2為如上所限定的基團(tuán)都應(yīng)該包含在內(nèi)。本發(fā)明所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物以苯并噻吩衍生物作為核，來得到更高的三線態(tài)能級的主體材料，通過連接三苯基硅的基團(tuán)，可進(jìn)一步改善其物理特性，尤其是玻璃化轉(zhuǎn)化溫度，進(jìn)而提高有機(jī)發(fā)光器件的穩(wěn)定性和壽命。本發(fā)明式(I)所示三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物的制備方法，包括將式IV所示的化合物經(jīng)過溴化、氧化、硼酸化、Suzuki偶聯(lián)、環(huán)化制備II，II再與溴代三苯基氯硅烷經(jīng)過正丁基鋰偶聯(lián)制得母核III。將式Ⅲ所示的化合物與含有R1，R2取代基的衍生物進(jìn)行Suzuki偶聯(lián)或ullmann偶聯(lián)或buchward偶聯(lián)反應(yīng)得到式(I)所示的化合物。本發(fā)明對上述各類反應(yīng)的反應(yīng)條件沒有特殊要求，以本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的此類反應(yīng)的常規(guī)條件即可。本發(fā)明對上述各類反應(yīng)中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產(chǎn)品或采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的制備方法制備得到。其中，所述R1，R2的選擇同上所述，在此不再贅述。本發(fā)還提供一種有機(jī)發(fā)光器件。所述有機(jī)發(fā)光器件為本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的有機(jī)發(fā)光器件即可，本發(fā)明所述有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極、第二電極和置于兩電極之間的一個(gè)或多個(gè)有機(jī)層，優(yōu)選至少一個(gè)有機(jī)層包含所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物。所述有機(jī)層優(yōu)選包括空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、空穴阻擋層、電子傳輸層與電子注入層中的至少一層，更優(yōu)選所述三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物作為發(fā)光層中的主體材料。本發(fā)明對以下實(shí)施例中所采用的原料的來源沒有特別的限制，可以為市售產(chǎn)品或采用本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的制備方法制備得到。實(shí)施例1：中間體III的制備取30mmol的IV在0攝氏度下溶解在90ml二氯甲烷中，加入0.23g單質(zhì)碘，避光攪拌至溶解，加入150mmol溴素，溶液在室溫下攪拌3天。反應(yīng)完成后，用亞硫酸鈉淬滅，萃取、干燥、濃縮，用乙醇重結(jié)晶得到產(chǎn)品。將25mmol溴代物溶解在冰醋酸100ml中，向該溶液中加入2.5g，35％的雙氧水和100ml冰醋酸的混合溶液?；旌衔锸覝?cái)嚢?h。溶劑旋干，粗產(chǎn)品過硅膠柱得到產(chǎn)品6.8g。將20mmol亞砜溶解于無水THF100ml中，降溫到-78攝氏度，緩慢滴加60mmol正丁基鋰，自然升溫到室溫，反應(yīng)過夜，次日，加入60mmol硼酸三甲酯，攪拌2h。加入過量的稀鹽酸淬滅反應(yīng)，EA萃取、干燥、濃縮，粗品過硅膠柱得到17mmol產(chǎn)品。將15mmol硼酸、15mmol對二溴苯溶解于100ml甲苯中，加入20ml無水乙醇，20ml水，45mmol碳酸鉀，加入0.15mmol四三苯基磷鈀，Ar氣置換三次，回流反應(yīng)6h。反應(yīng)完成后粗品過硅膠柱得到12mmol產(chǎn)品。將10mmol產(chǎn)品溶解在20ml三氟甲磺酸中，室溫?cái)嚢?4h。反應(yīng)完成后加入400ml水和吡啶體積比為8:1的混合溶劑中。加熱混合溶劑至回流，反應(yīng)過夜。粗品過硅膠柱，得到產(chǎn)品II9mmol。將對二溴苯30mmol溶解在無水THF100ml中，降溫到-78攝氏度，緩慢滴加60mmol正丁基鋰，自然升溫到室溫，反應(yīng)過夜，次日，加二苯基二氯硅烷30mmol，室溫?cái)嚢?h。在緩慢升溫至回流反應(yīng)3h。反應(yīng)完成后過硅膠柱得到產(chǎn)品26mmol。將II9mmol溶解在無水THF30ml中，降溫到-78攝氏度，緩慢滴27mmol正丁基鋰，自然升溫到室溫，反應(yīng)過夜，次日，加入上部產(chǎn)品20mmol，攪拌3h。反應(yīng)完成后過硅膠柱得到產(chǎn)品III8mmol。實(shí)施例2：化合物2的合成取30mmol的原料III，加入20mmol的萘酚，40mmol的碳酸鉀，2mmolFe(acac)3，0.75mmol的CuI，適量的溶劑DMF，氮?dú)獗Ｗo(hù)，135攝氏度反應(yīng)12h。反應(yīng)后過硅藻土短柱，粗品用柱層析方法得到10mmol(中間體V)。取10mmol中間體V，15mmol萘硼酸，甲苯150ml，水30ml，乙醇30ml，30mmol碳酸鉀，0.1mmol四三苯基磷鈀，氬氣置換三次，回流反應(yīng)3h。粗品用柱層析方法得到7mmol產(chǎn)品(2)。質(zhì)譜m/z：1074.98(計(jì)算值：1074.28)上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例3：化合物5的合成取30mmol的原料III，加入70mmol咔唑，90mmol叔丁醇鉀，0.3mmolPd2(dba)3，1.2mmol三叔丁基膦，適量溶劑甲苯，Ar氣置換三次?；亓鞣磻?yīng)過夜。粗品用柱層析的方法得到產(chǎn)品22mmol(5)。質(zhì)譜m/z:1136.47(計(jì)算值：1136.21)上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例4：化合物12的合成取30mmol的原料III，加入20mmol萘硼酸，甲苯150ml，水30ml，乙醇30ml，40mmol碳酸鉀，0.2mmol四三苯基磷鈀，氬氣置換三次，回流反應(yīng)3h。粗品用柱層析方法得到15mmol產(chǎn)品(VI)。取15mmol產(chǎn)品VI，150mlTHF，降溫到-78攝氏度，滴加3當(dāng)量的正丁基鋰，緩慢升溫到室溫，反應(yīng)過夜，次日20mmol加入R2，反應(yīng)3h，粗品用柱層析方法得到5mmol產(chǎn)品。質(zhì)譜m/z:1132.49(計(jì)算值：1132.28)上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例5：化合物23的合成取30mmol的原料III，加入20mmol3,5-二苯基-1,2,4-三唑，DMPU200ml，碳酸鉀60mmol、CuI10mmol，18-冠-60.2mmol，170攝氏度反應(yīng)24h，粗品過硅膠柱得到產(chǎn)品15mmol(VII)。取15mmol的原料VII，加入20mmol苯硼酸，甲苯100ml，水20ml，乙醇20ml，45mmol碳酸鉀，0.15mmol四三苯基磷鈀，氬氣置換三次，回流反應(yīng)3h。粗品用柱層析方法得到10mmol產(chǎn)品(23)。質(zhì)譜m/z:1101.03((計(jì)算值：1101.31)上述結(jié)果證實(shí)獲得產(chǎn)物為目標(biāo)產(chǎn)品。實(shí)施例6：化合物1的合成將實(shí)施例2中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例2相同，得到化合物1。質(zhì)譜m/z：1140.98(計(jì)算值：1140.28)。實(shí)施例7：化合物6的合成將實(shí)施例3中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例3相同，得到化合物6。質(zhì)譜m/z：1466.34(計(jì)算值：1466.43)。實(shí)施例8：化合物8的合成將實(shí)施例2中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例2中(V)與萘硼酸的反應(yīng)方法相同，得到化合物8。質(zhì)譜m/z：1190.96(計(jì)算值：1190.38)。實(shí)施例9：化合物9的合成將實(shí)施例3中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例3的反應(yīng)方法相同，得到化合物9。質(zhì)譜m/z：1240.65(計(jì)算值：1240.37)。實(shí)施例10：化合物10的合成將實(shí)施例3中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例3的反應(yīng)方法相同，得到化合物10。質(zhì)譜m/z：1140.65(計(jì)算值：1140.34)。實(shí)施例11：化合物11的合成實(shí)施例3中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例3的反應(yīng)方法相同，得到化合物11。質(zhì)譜m/z：1192.55(計(jì)算值：1192.37)。實(shí)施例12：化合物13的合成實(shí)施例8中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例8的反應(yīng)方法相同，得到化合物13。質(zhì)譜m/z：1192.55(計(jì)算值：1192.37)。實(shí)施例13：化合物17的合成實(shí)施例8中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例8的反應(yīng)方法相同，得到化合物17。質(zhì)譜m/z：1060.55(計(jì)算值：1060.28)。實(shí)施例14：化合物19的合成實(shí)施例8中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例8的反應(yīng)方法相同，得到化合物19。質(zhì)譜m/z：1064.55(計(jì)算值：1064.25)。實(shí)施例15：化合物20的合成實(shí)施例8中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例8的反應(yīng)方法相同，得到化合物20。質(zhì)譜m/z：1034.55(計(jì)算值：1034.29)實(shí)施例16：化合物21的合成實(shí)施例5中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例5的反應(yīng)方法相同，得到化合物21。質(zhì)譜m/z：1101.59(計(jì)算值：1101.31)實(shí)施例17：化合物24的合成實(shí)施例8中的取代基替換為R1和R2，其他步驟均與實(shí)施例8的反應(yīng)方法相同，得到化合物24。質(zhì)譜m/z：1160.69(計(jì)算值：1160.31)對比應(yīng)用實(shí)施例1：取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍mCP/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍Alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。應(yīng)用實(shí)例1：取ITO透明玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為70nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍化合物1/FIrpic作為發(fā)光層，摻雜濃度為13wt％，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發(fā)光層上真空蒸鍍Alq3作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為50nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍Al層作為陰極，厚度為200nm。應(yīng)用實(shí)例2：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物2。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例3：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物5。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例4：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物6。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例5：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物8。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例6：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物9。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例7：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物10。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例8：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物11。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例9：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物13。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例10：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物17。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例11：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物19。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例12：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物20。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例13：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物21。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例14：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物24。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例15：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物12。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。應(yīng)用實(shí)例16：將應(yīng)用實(shí)施例1中的化合物1換成化合物23。測量該器件的發(fā)光性能，結(jié)果見表1。測量實(shí)施例1：對比樣品以及樣品1-24的發(fā)光性能，測量對比樣品以及樣品1-24是采用KeithleySMU235，PR650評價(jià)驅(qū)動電壓，發(fā)光亮度，發(fā)光效率。對比樣品以及樣品1-24進(jìn)行同樣試驗(yàn)。結(jié)果列于表1中：表1本發(fā)明實(shí)施例制備的發(fā)光器件的發(fā)光特性根據(jù)表1所示，所測樣品跟對比樣品比較，發(fā)光效率明顯增強(qiáng)。測量實(shí)施例2：比較對比樣品以及所測樣品的壽命特性評價(jià)，對于上面的比較例以及實(shí)施例中所制作的比較樣品和所測樣品，采用的是ENC公司的LTS-1004AC的壽命測定裝置，以3000nit為基準(zhǔn)測定了各個(gè)壽命達(dá)到97％的時(shí)間。結(jié)果列于表2中：表2本發(fā)明實(shí)施例制備的發(fā)光器件的發(fā)光壽命化合物編號主體化合物摻雜化合物壽命(h)對比樣品mCPFIrpic7211FIrpic13822FIrpic10055FIrpic12366FIrpic9888FIrpic11199FIrpic1241010FIrpic861111FIrpic1541212FIrpic1311313FIrpic1381717FIrpic1351919FIrpic972020FIrpic1082121FIrpic1162323FIrpic982424FIrpic100根據(jù)表2可以確定，樣品1到24的材料與對比樣品相比較，三苯基硅基相連苯并噻吩衍生物發(fā)光壽命得到了明顯的提高。雖然本發(fā)明用示范性實(shí)施方案進(jìn)行了特別的描述，但應(yīng)該理解在不偏離下列權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神與范圍的情況下，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可對其進(jìn)行各種形式和細(xì)節(jié)上的改變。當(dāng)前第1頁1 2 3