1.一種雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：包括定子鐵芯、線(xiàn)圈架、線(xiàn)圈和控制電路；所述線(xiàn)圈架套設(shè)于所述定子鐵芯上；所述線(xiàn)圈包括第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)，所述第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)同向繞制于所述線(xiàn)圈架上，所述第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)兩端分別接入控制電路，所述控制電路對(duì)第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)連續(xù)交替反向供電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述定子鐵芯為U型定子鐵芯，所述U型定子鐵芯的雙臂貫穿過(guò)繞制有第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)的線(xiàn)圈架，所述U型定子鐵芯的雙臂端部的極弧部?jī)?nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述U型定子鐵芯由多片硅鋼片疊合而成。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)為漆包線(xiàn)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4中任一權(quán)利要求所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述控制電路包括霍爾傳感器Q3、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1、場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2、極性電容C1、二極管D1、電感L1、電感L2、電阻R1、電阻R2和電阻R3；所述二極管D1正極接電源，二極管D1負(fù)極通過(guò)R1接霍爾傳感器Q3的電源正極；所述霍爾傳感器Q3的電源負(fù)極通過(guò)R3接地，所述霍爾傳感器Q3的輸出極接場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的柵極；所述R2一端接霍爾傳感器Q3的輸出極，另一端接場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極；所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的漏極接二極管D1的負(fù)極，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1的漏極接二極管D1的負(fù)極，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1的柵極接霍爾傳感器Q3的電源正極，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1的源極接電感L2，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2的源電極接電感L1，所述電感L1和L2的另一端共同接地；所述極性電容C1正極接二極管D1的負(fù)極，所述極性電容C1的負(fù)極接電源；所述電感L1和電感L2分別為第一繞線(xiàn)和第二繞線(xiàn)繞制于線(xiàn)圈架上所形成的電感。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述二極管D1為IN5400二極管，所述極性電容C1為470μF/50V的電解電容，所述電阻R1、R2、R3的阻值分別為560Ω、560Ω、0.62Ω，所述場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q1和場(chǎng)效應(yīng)晶體管Q2均為IRFI9630G場(chǎng)效應(yīng)晶體管，所述Q3為u79霍爾傳感器。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述電源為直流電源。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈，其特征在于：所述電源為交流電源，接入整流電路轉(zhuǎn)換為直流電。
9.一種電機(jī)，包括雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈和轉(zhuǎn)子，所述雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈的U型定子鐵芯雙臂端部的極弧部?jī)?nèi)側(cè)形成轉(zhuǎn)子腔，所述轉(zhuǎn)子設(shè)置于轉(zhuǎn)子腔內(nèi)，其特征在于：所述雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈為權(quán)利要求2-8中任一權(quán)利要求所述的雙線(xiàn)繞組線(xiàn)圈。