專利名稱：：有機絕緣材料、使用該有機絕緣材料的樹脂膜用清漆、樹脂膜以及半導體裝置的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及有機絕緣材料、使用該有機絕緣材料的樹脂膜用清漆、樹脂膜以及半導體裝置。
背景技術：
：近年來，在電子材料領域中，隨著半導體裝置的高集成化、高速化及高性能化的發(fā)展，因半導體集成電路的布線之間電阻的增加或因電容量的增加而引起的延遲時間成為大問題。為了減少該延遲時間，使半導體裝置進一步高速化，必須將低介電常數(shù)的絕緣膜用于電路中。為了使絕緣膜具有更低的介電常數(shù)，進行了使材料達到多孔質化的研究。作為多孔質化的方法，可以舉出通過混合或結合導入熱分解性成分(致孔劑)，并在形成絕緣膜時的加熱燒成工序中使致孔劑分解，從而在絕緣膜中形成空隙的方法等。然而，通過這種方法達到多孔質化的膜中存在的空隙大小為幾納米幾十納米，是比較大的空隙，而且，這些空隙并不是獨立地存在，而是相互連接的方式存在，因此必然會降低材料的強度，并在半導體工藝中也被指出存在著各種因空隙引起的問題。作為解決上述問題的方法，也探討過導入空隙密封(求7、y—A)等工序的方法，但存在著制造工序增加及成本提局之慮o例如，JP特開2001-332543號公報中公開了在樹脂結構的內部具有很多分子等級空隙的材料。根據(jù)該現(xiàn)有技術，通過第一交聯(lián)成分與第二交聯(lián)成分的結合形成分子等級的空隙，實現(xiàn)低介電常數(shù)。然而，這種材料中存在著在合成樹脂時容易引起凝膠化、合成中聚合物的溶解性以及作為清漆的保存性等差等問題，其操作非常難。另外。如JP特開2005-41938號公報公開了由分子內具有-C三CH基的化合物構成的材料。在該材料中，為了得到充分的機械強度而必須提高交聯(lián)密度，因此，將分子內-C三H基的殘留比例保持在一定程度以上。然而，由該材料形成的樹脂膜的介電常數(shù)并不充分。
發(fā)明內容鑒于上述實情，本發(fā)明的目的在于提供一種同時具有低介電常數(shù)、高耐熱性及高機械強度的有效的有機絕緣材料，進而提供使用該有機絕緣材料的半導體裝置。即，本發(fā)明的上述目的通過下述(1)(1l)的技術方案實現(xiàn)。(1)一種有機絕緣材料，其含有籠型結構化合物的預聚物，所述籠型結構化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構，其中，上述預聚物的通過凝膠滲透色譜法測定的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000500000。(2)如(1)所述的有機絕緣材料，其中，上述以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構是金剛垸(了夕'7乂夕:/)結構、多聯(lián)金剛烷(求y了^乂夕y)結構、聚(多聯(lián)金剛烷)(求u(求]J了7y夕y))結構或聚金剛垸(求U了夕'7y夕:/)結構。(3)如上述(i)或(2)所述的有機絕緣材料，其中，上述預聚物具有上述籠型結構化合物中的上述聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵、或者具有上述聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵和未反應的上述聚合性不飽和鍵。(4)如上述(3)所述的有機絕緣材料，其中，上述預聚物中，上述未反應的聚合性不飽和鍵的殘留率為20%~80%。(5)如上述(1)(4)中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述籠型結構化合物為用下式(l)表示的化合物，X—W"fz^"Y(i)式(l)中，X及Y分別表示具有相同或不同的聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團；W及Z分別表示具有金剛烷結構或多聯(lián)金剛垸結構的基團，它們既可以相同也可以不同；n表示0或l以上的整數(shù)。(6)如上述(1)~(5)中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述籠型結構化合物為用下式(2)表示的化合物，式(2)中、X,及Y,分別表示含聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團，它們既可以相同也可以不同；R,R4分別表示氫或有機基，它們既可以相同也可以不同；士表示0或1以上的整數(shù)。(7)如上述(1)(6)中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述聚合性不飽和鍵為碳-碳三鍵。(8)如上述(1)(7)中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述含聚合性不飽和鍵的基團中的至少一個為式(3)所示的基團或式(4)所示的基團，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>(3)式中，Rs及R6分別獨立地表示氫原子或有機基；m表示l5的整數(shù)。(9)一種樹脂膜用清漆，該樹脂膜用清漆含有上述(1卜(8)中任一項所述的有機絕緣材料和有機溶劑。(10)—種樹脂膜，其是通過加熱或活性能量線照射，或者通過加熱和活性能量線照射，使上述(1)(8)中任一項所述的有機絕緣材料、或使上述(9)所述的樹脂膜用清漆進行交聯(lián)反應而得到的樹脂膜。(11)一種半導體裝置，該半導體裝置具有上述(10)所述的樹脂膜。圖1是表示本發(fā)明半導體裝置之一例的示意性剖視圖。具體實施例方式本發(fā)明的有機絕緣材料，含有籠型結構化合物的預聚物，所述籠型結構化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構，其中，上述預聚物的通過凝膠滲透色譜法(以下，有時稱作"GPC")測定的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000~500000。由此，能夠得到耐熱性、機械特性以及電特性優(yōu)異的樹脂膜。本發(fā)明的樹脂膜用清漆是含有上述有機絕緣材料的樹脂膜用清漆。另外，本發(fā)明的樹脂膜是使用上述有機絕緣材料或上述樹脂膜用清漆而得到的樹脂膜，是使用通過使上述有機絕緣材料中的具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物聚合而得到的預聚物，使該預聚物交聯(lián)反應而得到的樹脂膜，由此，能夠得到耐熱性、機械特性以及電特性優(yōu)異的樹脂膜。另外，本發(fā)明的半導體裝置是具有上述樹脂膜的半導體裝置。首先，說明本發(fā)明的有機絕緣材料。本發(fā)明的有機絕緣材料含有使上述籠型結構化合物中包含的聚合性不飽和鍵之間的一部分或全部反應而得到的預聚物。該預聚物是作為上述聚合性不飽和鍵之間的反應部具有由上述不飽和鍵之間的一部分或全部反應而生成的新的不飽和鍵的預聚物。在本發(fā)明中，上述籠型結構化合物的預聚物既可以是低聚物，也可以是聚合物，但通過GPC測定的聚苯乙烯換算的該預聚物的數(shù)均分子量為2000500000，優(yōu)選為5000~200000。若上述數(shù)均分子量低于2000，則在制作上述預聚物的涂膜時，有可能因析出物等引起涂膜外觀的不良。另一方面，若上述數(shù)均分子量超過500000，則有可能引起上述預聚物對有機溶劑的不溶解。雖不是有意束縛在特定的理論上，但認為本發(fā)明的上述籠型結構化合物的預聚物，特別是通過使上述數(shù)均分子量控制在2000以上，能夠以籠型結構為中心形成支鏈結構，由此能夠抑制預聚物之間的分子凝聚。因此，若使用將本發(fā)明的預聚物溶解在有機溶劑而得到的樹脂膜用清漆來形成涂膜，則在涂膜干燥時，能夠在預聚物之間形成孔徑為13nm左右的分子空隙結構。而且，若為了固化所述干燥涂膜得到樹脂膜而使預聚物交聯(lián)時，能夠在保持上述分子空隙結構的同時，形成以籠型結構為中心的支鏈交聯(lián)結構。為此，本發(fā)明的通過使預聚物交聯(lián)而得到的樹脂膜，與其說是使數(shù)均分子量低于2000的預聚物交聯(lián)而得到的樹脂膜，不如說通過在樹脂膜內部更多地形成孔徑為13nm左右的分子空隙結構而使密度變小。其結果，能夠在所得到的樹脂膜中實現(xiàn)低介電常數(shù)化。另外，上述分子孔徑，可通過正電子壽命譜測定^^，并作為等價球體直徑而求出。另外，如上所述，上述籠型結構化合物的預聚物也可以是低聚物，可通過利用溶解性差異的低分子量物質的去除、分級等進行的高分子量物質的分離等，提高預聚物中高分子量物質的比例，由此可以增加分子空隙結構。通過分子空隙結構的增加，能夠實現(xiàn)低介電常數(shù)化。然而，如上所述地，若予頁聚物的分子量過高，則有可能引起不溶于溶劑。在本發(fā)明使用的具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物中，作為含聚合性不飽和鍵的基團，可以舉出含乙炔鍵(碳-碳三鍵)的基團，含乙烯鍵(碳-碳雙鍵)的基團，氰基等。其中，優(yōu)選含碳-碳三鍵的基團。作為上述含碳-碳三鍵的基團，除了碳-碳三鍵以外，還可以含有甲基及乙基等的鏈狀脂肪族基；環(huán)己基及金剛烷基等的環(huán)狀脂肪族基；苯基、萘基及芴基等的芳香族基。作為上述含碳-碳三鍵的基團，優(yōu)選為式(3)所示的基團、式(4)所示的基團，優(yōu)選將它們含有一個以上，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage8</formula>(3)式中，R5及&分別獨立地表示氫原子或有機基；m表示l5的整數(shù)。作為上述有機基，可以舉出甲基、乙基、丙基及丁基等的鏈狀脂肪族基;環(huán)己基及金剛烷基等的環(huán)狀脂肪族基；苯基、萘基及芴基等的芳香族基。作為上述含碳-碳三鍵的基團的具體例，在上述式(3)表示的基團中，當R5為氫原子時，是乙炔基。另外，當R5為有機基，且作為上述有機基為上述鏈狀脂肪族基時，可以舉出甲基乙炔基、乙基乙炔基、丙基乙炔及丁基乙炔基等；當上述有機基為上述環(huán)狀脂肪族基時，可以舉出金剛烷基乙炔基、環(huán)庚基乙炔基及環(huán)己基乙炔基等；當上述有機基為上述芳香族基時，可以舉出苯基乙炔基、苯氧基苯基乙炔基、萘基乙炔基及芴基乙炔基等。另外，作為上述式(4)所示的基團，當R6為氫原子時，可以舉出2-乙炔基苯基、3-乙炔基苯基、4-乙炔基苯基、2，3-二乙炔基苯基、2，4-二乙炔基苯基、2，5-二乙炔基苯基、2，6-二乙炔基苯基、3，4-二乙炔基苯基、3，5-二乙炔基苯基、2，3，4-三乙炔基苯基、2，3，5-三乙炔基苯基、2，3，6-三乙炔基苯基、2，4，5-三乙炔基苯基、2，4，6-三乙炔基苯基、3，4，5-三乙炔基苯基、2，3，4，5-四乙炔基苯基、2，3，4，6-四乙炔基苯基、2，3，5，6-四乙炔基苯基及2，3，4，5，6-五乙炔基苯基等；當&為有機基，并作為上述有機基為上述鏈狀脂肪族基時，可以舉出2-甲基乙炔基苯基、3-甲基乙炔基苯基、4-甲基乙炔基苯基、2，3-雙(甲基乙炔基)苯基、2，4-雙(甲基乙炔基)苯基、2，5-雙(甲基乙炔基)苯基、2，6-雙(甲基乙炔基)苯基、3，4-雙(甲基乙炔基)苯基基、3，5-雙(甲基乙炔基)苯基、2，3，4-三(甲基乙炔基)苯基、2，3，5-三(甲基乙炔基)苯基、2，3，6-三(甲基乙炔基)苯基、2，4，5-三(甲基乙炔基)苯基、2，4，6-三(甲基乙炔基)苯基、3，4，5-三(甲基乙炔基)苯基、2，3，4，5-四(甲基乙炔基)苯基、2，3，4，6-四(甲基乙炔基)苯基、2，3，5，6-四(甲基乙炔基)苯基及2，3，4，5，6-五(甲基乙炔基)苯基等；當作為上述有機基為上述環(huán)狀脂肪族基時，可以舉出2-(l-金剛垸基乙炔基)苯基、3-(l-金剛垸基乙炔基)苯基、4-(l-金剛垸基乙炔基)苯基、2，3-雙(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，4-雙(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，5-雙(l-金剛垸基乙炔基)苯基、2，6-雙(1-金剛烷基乙炔基)苯基、3，4-雙(l-金剛烷基乙炔基)苯基、3，5-雙(l-金剛垸基乙炔基)苯基、2，3，4-三(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，3，5-三(1-金剛垸基乙炔基)苯基、2，3，6-三(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，4，5-三(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，4，6-三(l-金剛垸基乙炔基)苯基、3，4，5-三(l-金剛烷基乙炔基)苯基、2，3，4，5-四(1-金剛垸基乙炔基)苯基、2，3，4，6-四(1-金剛烷基乙炔基)苯基、2，3，5，6-四(卜金剛垸基乙炔基)苯基及2，3，4，5，6-五(1-金剛垸基乙炔基)苯基等；作為上述有機基為上述芳香族基時，可以舉出2-苯基乙炔基苯基、3-苯基乙炔基苯基、4-苯基乙炔基苯基、2，3-雙(苯基乙炔基)苯基、2，4-雙(苯基乙炔基)苯基、2，5-雙(苯基乙炔基)苯基、2，6-雙(苯基乙炔基)苯基、3，4-雙(苯基乙炔基)苯基、3，5-雙(苯基乙炔基)苯基、2，3，4-三(苯基乙炔基)苯基、2，3，5-三(苯基乙炔基)苯基、2，3，6-三(苯基乙炔基)苯基、2，4，5-三(苯基乙炔基)苯基、2，4，6-三(苯基乙炔基)苯基、3，4，5-三(苯基乙炔基)苯基、2，3，4，5-四(苯基乙炔基)苯基、2，3，4，6-四(苯基乙炔基)苯基、2，3，5，6-四(苯基乙炔基)苯基及2，3，4，5，6-五(苯基乙炔基)苯基等。其中，考慮到預聚物對有機溶劑的溶解性、作為樹脂膜時的耐熱性優(yōu)異方面考慮，優(yōu)選乙炔基、4-乙炔基苯基、3，5-二乙炔基苯基、3，4-二乙炔基苯基、4-甲基乙炔基苯基、3，5-雙(甲基乙炔基)苯基、3，4-雙(甲基乙炔基)苯基等，但并不限定于這些。另外，上述含乙炔鍵的基團中的氫原子，可*皮氟原子、甲基、三氟甲基及苯基取代。上述具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛垸結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物中，作為籠型結構，可以舉出金剛垸結構、多聯(lián)金剛烷結構、以連接多個金剛烷結構而成的結構作為骨架的聚金剛烷結構、以連接多個上述多聯(lián)金剛垸結構而成的結構作為骨架的聚(多聯(lián)金剛烷)結構。作為上述結構，可以舉出具有式(l)所示結構的化合物，式(1)中，X及Y分別表示具有相同或不同的聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團；W及Z分別表示具有金剛烷結構或多聯(lián)金剛垸結構的基團，它們之間既可以相同也可以不同；n表示0或l以上的整數(shù)。具有上述式(l)所示結構的化合物，是作為W及Z具有金剛烷或多聯(lián)金剛烷結構的化合物，但也可以同時具有上述金剛烷結構和多聯(lián)金剛垸結構。其中，作為式(l)中的W及Z具有金剛烷結構或多聯(lián)金剛垸結構的化合物，用下式(2)表示的聚金剛烷化合物及式(6)所示的聚(多聯(lián)金剛垸)化合物在低介電常數(shù)方面特別優(yōu)選。關于具有式(2)所示結構的化合物，還可以舉出具有式(5)所示結構的化合<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>式(2)中，&及Y,分別表示具有相同或不同的聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團，作為其具體例，可以舉出含上述聚合性不飽和鍵的基團；R廣R4分別表示氫或有機基；n1與上述式(l)中的n相同，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>式(5)中，X,及Y,、R廣R4與式(2)中的X,及Y,、R廣R4相同；另外:n1與上述通式(l)中的n相同，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>式(6)中，X2及Y2分別表示具有相同或不同的聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團，作為具體例，可以舉出具有上述聚合性不飽和鍵的基團；R7R18分別表示氫或有機基；^與上述通式(l)中的n相同。聚金剛烷結構化合物、聚(多聯(lián)金剛烷)結構化合物，是作為上述式(l)中的n表示金剛垸結構或多聯(lián)金剛烷結構的數(shù)量的化合物，作為金剛烷結構或多聯(lián)金剛垸結構的數(shù)量n，為0或1以上，對其上限數(shù)量沒有特別的限定，但考慮到將聚金剛烷結構或多聯(lián)金剛烷結構化合物做成聚合物時對溶劑的、溶解性，優(yōu)選為4個以下，即n的數(shù)優(yōu)選3以下。在此，作為多聯(lián)金剛垸結構，可以舉出二聯(lián)金剛垸環(huán)、三聯(lián)金剛烷環(huán)、四聯(lián)金剛烷環(huán)、五聯(lián)金剛烷環(huán)及六聯(lián)金剛垸環(huán)等。作為上述連接多個金剛烷結構而成的金剛垸骨架的具體例，可以舉出1，l'-二金剛烷骨架、2，2'-二金剛烷骨架以及l(fā)，2'-二金剛烷骨架等的二金剛烷骨架；1，l':3'，1"-三金剛烷骨架、1，2':5'，l"-三金剛烷骨架、1，2':4'，l"-三金剛烷骨架以及2，2':4'，2"-三金剛烷骨架等的三金剛烷骨架;1，l':3'，1":3"，r"-四金剛烷骨架、l，2':5'，1":3"，1'"—四金剛烷骨架、1，2':4'，r:3"，r"-四金剛垸骨架、i，r:4'，r:4"，r"-四金剛烷骨架以及l(fā)，l':3'，1":3"，2'"-四金剛烷骨架等的四金剛烷骨架；以及1，l':3'，r:3"，r':3'"，r"一五金剛烷骨架、l，l':4'，l":3"，3"'，r"-五金剛垸骨架、1，l':4'，1":4"，3"'，1""-五金剛垸骨架以及1，l':3'，1":4"，2"':5"'，l""-五金剛烷骨架等的五金剛烷骨架等。其中，從對溶劑的溶解性等方面考慮，優(yōu)選具有二金剛垸骨架的二金剛烷化合物。進而，作為二金剛垸骨架，可以舉出具有l(wèi)，l'-二金剛垸骨架、2，2'-二金剛垸骨架及l(fā)，2'-二金剛烷骨架的物質，從得到耐熱性更優(yōu)異的有機絕緣膜方面考慮，優(yōu)選l，r-二金剛垸骨架，更優(yōu)選具有上述式(2)所示結構的物質。另外，作為連接多個多聯(lián)金剛烷結構而成的聚(多聯(lián)金剛垸)骨架的具體例，可以舉出二(二聯(lián)金剛烷)骨架、三(二聯(lián)金剛垸)骨架、四(二聯(lián)金剛烷)骨架以及五(二聯(lián)金剛烷)骨架等的連接多個二聯(lián)金剛烷結構而成的骨架；二(三聯(lián)金剛垸)骨架、三(三聯(lián)金剛烷)骨架、四(三聯(lián)金剛烷)骨架以及五(三聯(lián)金剛烷)骨架等的連接多個三聯(lián)金剛垸結構而成的骨架；二(四聯(lián)金剛烷)骨架、三(四聯(lián)金剛烷)骨架、四(四聯(lián)金剛垸)骨架以及五(四聯(lián)金剛烷)骨架等的連接多個四聯(lián)金剛垸結構而成的骨架等。這樣的具體例中，作為多聯(lián)金剛烷結構具有二聯(lián)金剛烷骨架的具體例，可以舉出4，4'-二(二聯(lián)金剛烷)骨架、3，3'-二(二聯(lián)金剛烷)骨架以及3，4'-二(二聯(lián)金剛烷)骨架等的二(二聯(lián)金剛垸)骨架；4，4':9'，4"-三(二聯(lián)金剛烷)骨架、4，3':9'，4"-三(二聯(lián)金剛烷)骨架、4，3':8'，4"-三(二聯(lián)金剛烷)骨架以及3，3':8'，3"-三(二聯(lián)金剛烷)骨架等的三(二聯(lián)金剛烷)骨架；4，4':9'，4":9"，4"'—四(二聯(lián)金剛烷)骨架、4，3':9'，4":9"，4"'—四(二聯(lián)金剛烷)骨架、4，4':8'，4":8"，4"'—四(二聯(lián)金剛烷)骨架以及4，4':9'，4":9"，3"'-四(二聯(lián)金剛烷)骨架等的四(二聯(lián)金剛烷)骨架等。其中，從對溶劑的溶解性等方面考慮，優(yōu)選具有二(二聯(lián)金剛烷)骨架的化合物。進而，從得到耐熱性優(yōu)異的絕緣膜方面考慮，優(yōu)選4，4'-二(二聯(lián)金剛垸)骨架。具有上述聚合性不飽和鍵的基團和以金剛垸結構為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物中金剛烷結構或多聯(lián)金剛垸結構上的氫，可以具有碳原子數(shù)為120的烷基，作為該垸基，可以舉出甲基、乙基、丙基、丁基、己基、庚基及辛基等，其中，更優(yōu)選甲基及乙基。通過向金剛垸結構或多聯(lián)金剛烷結構中導入烷基，能夠提高對有機溶劑的溶解性及耐熱性。進而，關于聚金剛烷結構化合物及聚(多聯(lián)金剛垸)結構化合物，可以在每個金剛烷結構橋頭位置或多聯(lián)金剛垸結構的橋頭位置上分別具有相同或不同的取代基。具體地講，在上述式(2)中，R廣R4相互獨立地表示氫原子或有機基，它們既可以相同也可以不同。而且，當1^為2以上的整數(shù)時，R3及R4在各自的金剛垸結構結構中既可以相同也可以不同。關于聚(多聯(lián)金剛烷)結構化合物，若舉例說明式(6)表示的化合物，則R7R18相互獨立地表示氫原子或有機基，它們既可以相同也可以不同。進而，當112為2以上的整數(shù)時，R13R18在各自的金剛烷結構中既可以相同也可以不同。作為上述R廣R4及R7R18的有機基，可以舉出脂肪族基以及芳香族基等。作為上述脂肪族基，可以舉出鏈狀脂肪族基及環(huán)狀脂肪族基等，作為上述鏈狀脂肪族基的具體例，可以舉出甲基、乙基、丙基、丁基以及己基等；作為上述環(huán)狀脂肪族基的具體例，可以舉出環(huán)己基、二環(huán)[2，2，l]庚基以及金剛烷基等。作為上述芳香族基，可以舉出苯基、萘基、蒽基、菲基、芳香族環(huán)為4個以上的多環(huán)式芳香族基、芴基、二苯基芴基以及聯(lián)苯基等，但并不限定于這些。其中，當為上述鏈狀脂肪族基時，例如，當為甲基、乙基時，能夠提高對有機溶劑的溶解性及耐熱性。上述有機基中的氫原子可被氟原子、甲基、甲氧基及三氟甲基等取代。另外，R,R4及R7R^也可以是上述含聚合性不飽和鍵的基團。作為上述具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物的具體例中，作為在式(l)所示的化合物結構中具有含上式(3)所示的碳-碳三鍵的基團的具體例，作為R5具有氫原子的具體例，可以舉出4，9-二乙炔基二聯(lián)金剛烷、2，4，7，9-四乙炔基二聯(lián)金剛烷、4，4'-二乙炔基-9，9'-二(二聯(lián)金剛烷)、3，3'-二乙炔基-1，1'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，l'-二金剛烷、3，5-二乙炔基-l，r-二金剛烷、3，5，3'-三乙炔基-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，7—四乙炔基-1，1'—二金剛垸、3，3'，5，5，，7—五乙炔基-1，l'一二金剛烷、3，3'，5,5'，7，7'-六乙炔基-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-二乙炔基-1，l'-二金剛垸等；作為Rs在上述有機基中具有甲基的具體例，例如可以舉出4，9-雙(甲基乙炔基)二聯(lián)金剛烷、2，4，7，9-四(甲基乙炔基)二聯(lián)金剛垸、4，4'-雙(甲基乙炔基)-9，9'-二(二聯(lián)金剛烷)、3，3'-雙(甲基乙炔基)-l，r-二金剛垸、3，3'，5,5'-四甲基-7，7'-雙(甲基乙炔基)-l，1'-二金剛烷、3，5-雙(甲基乙炔基)-l，l'-二金剛烷、3，5，3'-三(甲基乙炔基)-l，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四(甲基乙炔基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，7-四(甲基乙'炔基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7-五(甲基乙炔基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'，7，7'-六(甲基乙炔基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-雙(甲基乙炔基)-l，l'-二金剛垸等;作為Rs在上述有機基中具有苯基的具體例，例如可以舉出4，9-雙(苯基乙炔基)二聯(lián)金剛垸、2，4，7，9-四(苯基乙炔基)二聯(lián)金剛垸、4，4'-雙(苯基乙炔基)-9，9'-二(二聯(lián)金剛烷)、3，3'-雙(苯基乙炔基)-1，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔極)-l，l'-二金剛烷、3，5-雙(苯基乙炔極)-l，l'-二金剛垸、3，5，3'-三(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，7-四(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'，7-五(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7，7'-六(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，r-二金剛烷等，但并不限定于這些。其中，優(yōu)選3,3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-1，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四乙炔基-l，1'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(甲基乙炔基)-l，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷等，進而，從溶解性或耐熱性方面考慮，特別優(yōu)選3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛垸等。在此，在具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物的具體例中，舉出了作為多聯(lián)剛垸結構為二聯(lián)金剛烷化合物的具體例，但并不限定于這些。另外，作為聚金剛烷結構舉出了二金剛烷化合物的具體例，但也可以是在上述式(l)所示的化合物中n為2以上的其他金剛垸或多聯(lián)金剛垸化合物。另外，在上述式(l)所示的化合物中，作為具有含式(4)所示的碳-碳三鍵的基團的具體例，作為R6具有氫原子的具體例，例如，可以舉出4，9-雙(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷、2，4，7，9-四(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛垸、4，4'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-9，9'-二(二聯(lián)金剛垸)、3，3'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-1，1'-二金剛垸、3，5-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，5，3'-三(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四(3，5-二乙炔基苯基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，7-四(3，5-二乙炔基苯基)-1,l'-二金剛垸、3，3'，5，5'，7-五(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7，7'-六(3，5-二乙炔基苯基)-1，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)一l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'—四甲基-7，7'-雙(4-乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'-雙(3，4-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷以及3，3'-雙(2，3，5-三乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷等；作為&在上述有機基中也具有甲基的具體例，例如可以舉出4，9-雙(3，5-二甲基乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷、2，4，7，9-四(3，5-二甲基乙炔基苯基)二聯(lián)金剛垸、4，4'-雙(3,5-二甲基乙炔基苯基卜9，9'-二(二聯(lián)金剛烷)、3，3'-雙(3，5-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二甲基乙炔基苯基)-1，l'-二金剛垸、3，5-雙(3，5-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，5，3'-三(3，5-二甲基乙炔基苯基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四(3，5-二甲基乙炔基苯基)-l，1'-二金剛垸、3，3'，5，7-四(3，5-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7-五(3，5-二甲基乙炔基苯基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7，7'-六(3，5-二甲基乙炔基苯基)-1，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-雙(3，5-二甲.基乙炔基苯基)-1，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二(4-甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'-雙(3，4-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷以及3，3'-雙(2,3，5-三甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸等；作為&在上述有機基中也具有苯基的具休例，例如可以舉出4，9-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷、2，4，7，9-四(3，5-二苯基乙炔基苯基)二聯(lián)金剛垸、4，4'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-9，9'-二(二聯(lián)金剛烷)、3，3'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸、3，5-二(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，1'-二金剛烷、3，5，3'-三(3，5-二苯基乙炔基苯基)-1，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'匿四(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，7-四(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7-五(3，5—二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'，7，7'-六(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四苯基-7，7'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸、3，3'-雙(3，4-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷以及3，3'-雙(2，3，5-三苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸等，但并不限定于這些。其中，優(yōu)選3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(4-乙炔基苯基)-1，1'-二金剛烷、3，3'-雙(3，4-二乙炔基苯基)-l，1'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(4-甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'-雙(3，4-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二甲基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛垸等，進而，從溶解性、耐熱性方面考慮，特別優(yōu)選3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，1'-二金剛垸、3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二苯基乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷等。在此，在具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物的具體例中，舉出了作為多聯(lián)金剛烷結構為二聯(lián)金剛垸化合物的具體例，但并不限定于這些。另外，舉出了作為聚金剛烷結構為二金剛烷化合物的情況，但也可以是在上述式(l)所示的化合物中，n為2以上的其他的金剛烷或多聯(lián)金剛烷的化合物。在本發(fā)明的具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物的預聚物中，作為使具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛垸結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物聚合的方法，可以使用能夠使聚合性不飽和鍵反應的公知的聚合方法。作為上述聚合方法，例如，可以舉出通過使用過氧化苯甲酰、叔丁基過氧化物及偶氮二異丁腈等自由基引發(fā)劑的自由基聚合進行的方法、通過使用光照射等光自由基聚合進行的方法、通過使用二(三苯基膦)二氯化鈀(n)、雙(苯甲腈)二氯化鈀(n)及四(三苯基膦)鈀(o)等鈀催化劑聚合的方法、通過熱聚合進行的方法、通過使用酢酸酮(n)等過度金屬催化劑聚合的方法、使用氯化鉬(v)、氯化鎢(vi)、氯化鉭(v)等過度金屬氯化物聚合的方法等。其中，由于不需要去除殘留的催化劑等雜質去除工序，因此，優(yōu)選通過熱聚合進行的方法。反應條件可根據(jù)具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物的結構適當?shù)剡M行變更。雖然因聚合性不飽和結合基的結構而異，但作為反應溫度，通常為50°C500°〇左右，作為有機溶剤中籠型結構化合物的濃度，通常為1質量％50質量%左右。另外，在進行熱聚合時，優(yōu)選籠型結構化合物溶解在有機溶劑中。反應溫度和反應時籠型結構化合物的濃度即使不在上述范圍內也可以使用，但如果該反應溫度和反應時籠型結構化合物的濃度分別過高，則分子量變大，有可能引起不溶于有機溶劑中。這些聚合反應，通常是根據(jù)具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構皮作為最小單元的籠型結構的籠型結構化合物中的不飽和鍵的一部分或全部進行反應而實施。如上所述得到的預聚物，優(yōu)選具有上述籠型結構化合物中的聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵、或上述聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵及未反應的聚合性不飽和鍵。作為具體例，在式(l)所示的結構中，將含聚合性不飽和鍵的基團作為碳-碳三鍵，將上述含聚合性不飽和鍵的基團以外的簡化表示為Y，使式(l)成為式(7)時，通過聚合反應，式(l)所示的化合物能夠得到的結構例如可以舉出式(8)所示的結構，但并不限定于這些。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage18</formula>在上述式(8)所示的實例中，舉出了上述式(l)表示的化合物中的含一個或兩個碳-碳三鍵的基團的碳-碳三鍵進行反應的例子，但也可以含多個碳-碳三鍵的基團的碳-碳三鍵進行反應。另外，為了在制造樹脂膜時能夠通過交聯(lián)反應提高耐熱性、彈性模量，且為了提高對有機溶劑的溶解性，通過上述聚合反應得到的預聚物中，如式(8)中所示地，優(yōu)選殘留一部分未反應的碳-碳三鍵。作為上述預聚物中未反應聚合性不飽和鍵的殘存率，優(yōu)選為20%~80%。在此，碳-碳三鍵的殘存率，例如，可通過紅外線吸收光譜(IR光譜)分析或拉曼(Raman)分光法測定。更具體地講，根據(jù)來自反應前的具有含聚合性不飽和鍵的基團的籠型結構化合物的碳-碳三鍵的吸收光譜和來自預聚物的碳-碳三鍵的吸收光譜的変化率，能夠算出碳-碳三鍵的殘存率。此時，也可以采用利用溶解性差的分離、或可以采用利用分級等的分離，但必須事先從預聚物中去除未反應的籠型結構化合物。在上述聚合反應中，作為反應溶劑可以使用有機溶劑，作為該有機溶劑沒有特別的限定，例如，甲醇、乙醇、異丙醇、1-丁醇及2-丁醇等的醇類溶劑；乙酰丙酮、甲乙酮、甲基異丁酮、環(huán)己酮、環(huán)戊酮、2-戊酮及2-庚酮等的酮類溶劑；酢酸乙酯、酢酸丙酯、酢酸丁酯、酢酸戊酯及丙二醇單甲醚醋酸酯等的酯類溶劑；二異丙基醚、二丁基醚、四氫呋喃、苯甲醚及l(fā)，3-二甲氧基苯等的醚類溶劑；苯、甲苯、均三甲基苯、乙苯、二乙苯及丙基苯等的芳香族烴類溶劑、N-甲基吡咯烷酮等的酰胺類溶劑等在工業(yè)上容易得到，因此，適合作為溶劑使用，這些既可以單獨使用也可以兩種以上混合使用。本發(fā)明的有機絕緣膜用材料含有上述得到的籠型結構化合物的預聚物，所述籠型結構化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛垸結構作為最小單元的籠型結構，作為該化合物以外的成分，本發(fā)明的有機絕緣膜用材料可以含有上述有機溶劑，進而還可以含有后述的樹脂膜用清漆的添加劑。本發(fā)明的樹脂膜用清漆可通過將本發(fā)明的有機絕緣材料溶解在適當?shù)挠袡C溶劑而得到?？蓪⑼ㄟ^干燥成為固體形狀的上述有機絕緣材料溶解在有機溶劑中而得到樹脂膜用清漆，也可以將通過上述有機絕緣材料的制造而得到的反應溶液直接用作清漆，另外，還可以在反應溶液中混合其他的有機溶劑。作為在樹脂膜用清漆中使用的有機溶劑，只要是能夠使上述有機絕緣材料、溶解或分散的有機溶劑即可。沒有特別的限定，可以舉出與上述聚合反應中使用的有機溶劑相同的有機溶劑。樹脂膜用清漆的濃度可根據(jù)上述有機絕緣材料的結構或分子量適當?shù)剡x擇，但在樹脂膜用清漆中的上述有機絕緣材料的含量優(yōu)選為0.1質量％50質量％，更優(yōu)選為0.5質量％15質量％。另外，根據(jù)需要，在上述樹脂膜用清漆中可以添加表面活性劑、以硅烷偶聯(lián)劑為代表的偶聯(lián)齊IJ、通過加熱產生氧自由基或硫自由基的自由基引發(fā)齊U、二硫化物類等催化劑等的各種添加劑，從而作為樹脂組合物使用。另外，通過在上述樹脂膜用清漆中，添加作為感光劑的重氮萘醌化合物等，從而作為具有感光性的表面保護膜使用。另外，在上述樹脂膜用清漆中，也可以添加用于形成納米級微細孔的發(fā)泡劑(致孔劑、孔發(fā)生器)。下面，說明樹脂膜。本發(fā)明的樹脂膜可通過上述有機絕緣材料或樹脂膜用清漆得到。例如，將上述得到的樹脂膜用清漆涂布在基板等的支承體上，并通過對其進行加熱或照射活性能量線等處理而制造。另外，也可以將上述得到的反應溶液直接涂布在支承體上而制造，或者加熱溶解有機絕緣材料并涂布在支承體上而制造。通過進行上述加熱或照射活性能量線等處理，使殘留在預聚物中的聚合性不飽和鍵進行交聯(lián)反應，從而能夠提供耐熱性、彈性模量優(yōu)異的樹脂膜。關于本發(fā)明樹脂膜的制造方法，舉例說明使用上述樹脂膜用清漆的情況。首先，將上述樹脂膜用清漆涂布在適當?shù)闹С畜w上，例如，涂布在聚酯膜等的有機基材、銅箔等的金屬板、硅晶片或陶瓷基板等半導體基板等的基材上，形成涂膜。作為涂布方法，可舉出使用旋轉器的旋轉涂布、使用噴霧器的噴霧涂布、浸漬、印刷、輥涂布等方法。然后，對涂膜進行干燥，通過加熱等處理去除溶劑，接著，通過采用加熱方法或照射活性能量線的方法、或同時采用加熱和照射活性能量線兩者的方法等，使上述涂膜進行交聯(lián)反應，從而得到機械特性優(yōu)異的樹脂膜。在上述通過加熱進行的方法中，例如，能夠以150425。CX5分鐘24小時的條件進行加熱。作為上述活性能量線，可以舉出可見光、紫外光、紅外光及激光等的活性能量線、X射線、電子束以及微波等。本發(fā)明的樹脂膜也可以通過上述方法，直接涂布在半導體基板等的基板而形成，也可以將形成于有機基材等支承體上的樹脂膜從該支承體剝離，從而作為干膜來使用。另外，為了提高與基板等支承體之間的附著性，可在基板上形成粘接層后，在該粘接層上形成樹脂膜。作為上述樹脂膜的用途，例如，可舉出半導體用層間絕緣膜或表面保護膜、多層電路的層間絕緣膜、撓性覆銅板的保護層、焊接抗蝕劑膜、液晶定向膜、抗蝕劑保護膜(蝕刻阻擋膜)、粘接劑等。其中，適合用作半導體用層間絕緣膜及表面保護膜、蝕刻保護膜。對在此使用的有機絕緣材料的玻璃化轉變溫度沒有特別的限定，但優(yōu)選400。C以上，特別優(yōu)選為420。C以上，最優(yōu)選為450500。C。若玻璃化轉變溫度在上述范圍內，能夠降低上述樹脂膜的線膨脹系數(shù)，能夠得到尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異的樹脂膜。對上述樹脂膜的厚度沒有特別的限定，但在半導體用層間絕緣膜等中，優(yōu)選為0.0120(im，特別優(yōu)選為0.0510pm，最優(yōu)選為0.10.7jim。若厚度在上述范圍內，則對半導體制造工藝的適應性優(yōu)異。當將上述樹脂膜作為半導體用層間絕緣膜使用時，例如，將上述有機絕緣材料或上述樹脂膜用清漆直接涂布在硅晶片或陶瓷基板等的規(guī)定位置上而形成涂膜。作為塗布方法，可以舉出使用旋轉器的旋轉涂布、使用噴霧器的噴霧涂布、浸漬、印刷、輥涂布等方法。然后，干燥涂膜，去除溶劑，接著，與上述同樣地采用加熱方法或照射活性能量線的方法，或同時采用加熱和照射活性能量線兩者的方法等，使涂膜進行交聯(lián)反應，由此得到層間絕緣膜。另外，也可以事先將上述樹脂膜用清漆做成干膜，將該干膜層疊在規(guī)定的4立置上。另外，當將上述樹脂膜用作上述半導體用保護膜時，也與上述半導體用層間絕緣膜同樣地，將上述有機絕緣材料或樹脂膜用清漆直接涂布在硅晶片或陶瓷基板等的規(guī)定位置。作為涂布方法，可以舉出使用旋轉器的旋轉涂布、使用噴霧器的噴霧涂布、浸漬、印刷、輥涂布等方法。然后，干燥涂膜，去除溶劑，接著，與上述同樣地采用加熱方法或照射活性能量線的方法，或同時采用加熱和照射活性能量線兩者的方法等，使涂膜進行交聯(lián)反應，從而f導到由上述樹脂膜構成的保護膜。對上述半導體用保護膜的厚度沒有特別的限定，但優(yōu)選為0.0570pm，特別優(yōu)選為0.150pm。若厚度在上述范圍內，則半導體元件的保護特性及加工性兩者均特別優(yōu)異。下面，根據(jù)優(yōu)選實施方式說明本發(fā)明的半導體裝置。圖1為表示本發(fā)明半導體裝置之一例的示意性剖視圖。半導體裝置100具有形成有元件的半導體基板1、設置在半導體基板1上側(圖1的上側)的氮化硅膜2、設置在氮化硅膜2上的層間絕緣膜3及由阻擋層6覆蓋的銅布線層4。層間絕緣膜3中形成有對應于布線圖案的凹部，在該凹部內設置有銅布線層4。另外，在層間絕緣膜3和銅布線層4之間設置有改質處理層5。另外，在層間絕緣膜3的上側(與氮化硅膜2相反側面)形成有硬掩膜層7。作為層間絕緣膜3的形成方法，可在上述半導體基板1的氮化硅膜2上直接涂布清漆而形成層間絕緣膜，但也可以事先準備樹脂膜的干膜，將該干膜層疊在半導體基板1的氮化硅膜2上而形成。更具體地講，在上述半導體基板1的氮化硅膜2上直接涂布含上述得到的有機絕緣材料的涂布用清漆，從而形成涂膜，進行加熱和/或照射活性能量線，使之固化而形成層間絕緣膜3。當使用干膜時，事先使用含上述得到的有機絕緣材料的涂布用清漆，在基材上形成樹脂層并進行干燥，從而形成千膜，將該千膜層疊在上述半導體基板1的氮化硅膜2上，進行加熱和/或照射活性能量線，使之固化而形成層間絕緣膜3。在上述說明中，舉出了在氮化硅膜2上形成的例子，但形成樹脂膜的位置并不限定于此。另外，在本實施方式中，說明了使用層間絕緣膜3的半導體裝置100,但本發(fā)明并不限定于此。由于本發(fā)明的半導體裝置采用了如上所述的層間絕緣膜，因此尺寸精度優(yōu)異，能夠充分發(fā)揮絕緣性，由此，具有優(yōu)異的連接可靠性。另外，由于上述層間絕緣膜的介電特性優(yōu)異，因此能夠降低布線延遲。實施例下面，詳細說明本發(fā)明的實施例及比較例，但本發(fā)明并不限定于此。實施例1(1)3，3'，5，5'-四乙炔基-1，1'-二金剛垸的合成在具有溫度計、攪拌器及回流管的lOOOmL四口燒瓶中，加入金屬鈉14g(0.6mol)和正辛垸600mL，將內溫冷卻至0。C。在激烈攪拌的同時，緩慢滴加事先在300mL正辛垸中溶解64.5g(0.3mol)1-溴金剛烷而得到的溶液。滴入中，將內溫保持在0。C5°C。滴加結束后，若溫度不再上升，則繼續(xù)反應l小時。然后，注入約1500mL冷水，過濾粗生成物，用純水洗滌、進行干燥。進一步，通過熱己烷對粗生成物進行重結晶。通過對所得重結晶物進行減壓干燥，得到生成物32.6g。通過IR分析可知Br基的吸收(690-515cm"附近)消失，通過質量分析進行的分子量為270，從上述結果，確認生成物為l，l'-二金剛烷。在具有溫度計、攪拌器及回流管的2000mL四口燒瓶中，加入四氯化碳700mL、溴70g(0.44mol)，邊攪拌邊緩慢加入上述得到的1，1'-二金剛烷54.1g(0.2mo1)。添加時，將內溫保持在20。C3(TC。添加結束后，若溫度不再上升，則繼續(xù)反應1小時。然后，注入約2000mL冷水，過濾粗生成物，用純水洗滌，進行干燥。通過熱乙醇重結晶粗生成物。通過對所得重結晶物進行減壓干燥，得到生成物65.0g。利用IR分析發(fā)現(xiàn)溴基的吸收在690515cm"，通過質量分析得到的分子量為586，從上述結果，確認生成物為3，3'，5，5'-四溴-1，1'-二金剛烷。在燒瓶中，將上述得到的3，3'，5，5'-四溴-l，1'-二金剛烷20g(34mmo1)及溴乙烯18ml(256mmo1)溶解在二氯甲烷120mL中，并在干燥氮氣、-15°C的條件下，滴加氯化鋁(ni)3.0g(22mmd)，并對該溶液攪拌1小時。進而，在-15。C下，滴加20mL水后，返回到室溫，得到反應液。將上述得到的反應液投入到10%鹽酸水溶液200mL中，每次用40mL二氯甲烷提取3次，并用40mL水洗滌后，用硫酸鎂進行干燥，濃縮有機層，得到3，3'，5，5'-四(二溴乙基)-l，l'-二金剛烷18.2g。進而，將上述得到的3，3'，5，5'-四(二溴乙基)-1，1'—二金剛垸溶解在二甲亞砜20mL中，在室溫下添加叔丁醇鉀28g(25Ommo1)，將其攪拌48小時。進而，將反應液投入到400mL水中，每次用200mL二氯甲烷提取3次，用200mL水洗滌后，通過硫酸鎂進行干燥，濃縮有機層，得到3，3'，5，5'-四乙炔基-l，1'-二金剛烷11.0g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):367(M+)元素分析理論值(/%)C:91.75;H:8.25、實測值(/%)C:91.54;H:8.13(2)3，3'，5，5'-四乙炔基-l，1'-二金剛烷的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造將上述實施例1(1)中得到的3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛垸5g溶解在l，3-二甲氧基苯45g中，添加雙(苯甲腈)二氯化鈀(II)O.lg，在干燥氮氣、19(TC下反應6小時，將反應液滴加到IO倍體積的甲醇中，收集沉淀物并加以干燥，得到預聚物。利用TOSOHCORPORATION的凝膠滲透色譜(GPC)，以苯乙烯換算求出所得預聚物的分子量，結果，數(shù)均分子量(Mn)為18200。另外，通過來自反應前聚金剛烷結構化合物的碳-碳三鍵的IR光譜和來自預聚物的碳-碳三鍵的IR光譜的吸光度比，算出預聚物的未反應不飽和鍵殘存率的結果，未反應不飽和鍵的殘存率為61%。IR分析是使用SfflMADZU制FTIR8900測定。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，用亍7。口乂(注冊商標)過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造在半導體基板上形成氮化硅層，在該氮化硅層上涂布上述有機絕緣膜用清漆，在40(TC下加熱處理1小時，形成厚度為0.1um的層間絕緣膜。接著，在上述層間絕緣膜形成金屬布線，以形成規(guī)定的圖案，得到半導體裝置。實施例2(1)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-1，l'-二金剛烷的合成在實施例l(l)中，用1-溴-3，5-二甲基金剛烷72.9g(0.3mol)來代替1-溴金剛垸64.5g(0.3mo1)，將溴量改變?yōu)?5g(0.22mol)以外，其他全部與實施例l(l)相同地進行，得到生成物58g。通過IR分析發(fā)現(xiàn)溴基的吸收在690515cm—1，通過質量分析得到的分子量為484，從該結果可知所得生成物為3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二溴-l，l'-二金剛烷。在實施例l(l)中，用上述得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二溴-l，l'-二金剛烷50g(103mmol)來代替3，3'，5，5'-四溴-l，l'-二金剛垸20g(34薩o1)，將溴量18mL(256mo1)改為27.25mL(387.5mmo1)，將氯化鋁(m)3.0g(22mmo1)改為4.55g(33.3mmol)以外，其他全部與實施例l(l)相同地進行，得到3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-1，l'一二金剛烷31.5g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):374(JVT)元素分析理論值(/%)C:89.78;H:10.22、實測值(/%)C:89.70;H:10.13(2)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，1'-二金剛烷的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例1(2)中，用上述實施例2(1)中得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，l'-二金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛垸5g以外，其他全部與實施例1(2)相同地進行，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為21300。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為21%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例3(1)4，9-二乙炔基二聯(lián)金剛烷的合成用4，9-二溴-二聯(lián)金剛垸30g(87mmo1)來代替合成實施例l(l)時得到的3，3'，5，5'-四溴-l，l'-二金剛烷20g(34mmo1)，將溴乙烯18mL(256mmo1)改為23.4mL(326mmo1)，將氯化鋁(III)3.0g(22mmo1)改為3.7g(28mmol)以夕卜，其他全部與實施例l(l)相同地進行，得到4，9-二乙炔基二聯(lián)金剛烷17g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):236(M+)元素分析:理論值(/。/。)C:91.47;H:8.53、實測值(/。/。)C:91.38;H:8.49(2)4，9-二乙炔基二聯(lián)金剛垸的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例1(2)中，用上述實施例3(1)得到的4，9-二乙炔基二聯(lián)金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛烷5g以外，其他全部與實施例1(2)相同地進行，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為36500。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為25%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例4(1)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，1'-二金剛垸的合成在燒瓶中，將通過與實施例2(1)相同的工序得到的3,3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，l'-二金剛垸10g(26,7謹ol)及溴苯12.5g(79.6匪ol)溶解在三乙胺40mL及吡啶20mL中，添加碘化銅(II)0.062g(0.33mmo1)及三苯基膦0.24g(0.91mmo1)。進而，添加二(三苯基膦)二氯化鈀(II)0.058g(0.082mmo1)，在干燥氮氣環(huán)境、110。C下反應5小時。反應后，蒸餾去除三乙胺和吡啶，添加2mol/L鹽酸水溶液500mL，析出沉淀物。過濾沉淀物，用500mL水和500mL甲醇洗凈，通過真空干燥機在6(TC環(huán)境下干燥24小時，從而得到3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛垸9.7g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):526(]Vf)元素分析理論值(/%)C:91.20;H:8.80、實測值(/%)C:91.17;H:8.79(2)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造將上述得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-1，l'-二金剛垸5g溶解在l，3-二甲氧基苯45g中，在干燥氮氣、19(TC下反應6小時，將反應液滴入到IO倍體積的甲醇中，收集沉淀物并加以干燥，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為32100。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為23%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣月莫用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例5(1)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷的合成在燒瓶中，攪拌通過與實施例2(1)相同的工序得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二溴-1，l'-二金剛烷50g(103.2畫ol)及1，3-二溴苯1217g(5161.6mmo1)，在干燥氮氣、25°C的條件下，緩慢滴加溴化鋁(III)24.8g(93.0mmol)。將其升溫至6(TC并攪拌8小時后，返回到室溫，得到反應液。將反應液投入到5。/。鹽酸水溶液700mL中，并進行攪拌。去除水層，將有機層投入到2000mL丙酮中。過濾析出物，用1000mL丙酮洗滌3次，由此得到3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二溴苯基)-l，l'-二金剛垸70g。接著，將上述得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二溴苯基)-l，r-二金剛烷50g(62.9mmo1)、二(三苯基膦)二氯化鈀3.53g(5.0mmol)、三苯基膦6.60g(25.2mmo1)、碘化銅(II)4.79g(25.2mmo1)、三乙胺750mL添加燒瓶中，并加以攪拌。將其升溫至75。C后，緩慢添加三甲基甲硅烷基乙炔37.1g(377.7mmd)。將其在75。C下攪拌7小時后，升溫至12(TC而蒸餾去除三乙胺。返回至室溫，將lOOOmL二氯甲烷添加在反應液中，攪拌20分鐘。通過過濾去除析出物，在濾液中添加5%鹽酸水溶液1000mL進行分液。用1000mL水洗滌3次有機層后，減壓去除有機層的溶劑。將所得化合物溶解在1500mL己垸中。通過過濾去除不溶物，并減壓去除濾液部的己烷。向其中投入1000mL丙酮，用丙酮將析出物洗滌3次，從而得到3，3'，5，5'-四甲基—7，7'-雙[3，5-雙(三甲基甲硅烷基乙炔基)苯蜀-1，l'-二金剛烷43g。進而，在四氫呋喃600mL及甲醇300mL的混合溶劑中，將上述得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙[3，5-雙(三甲基甲硅垸基乙炔基)苯基]-l，l'-二金剛烷39.8g(53.5mmol)和碳酸鉀1.46g(10.6mmo1)，在氮氣環(huán)境、室溫條件下攪拌4小時。將其投入到10%鹽酸水溶液1000mL中，過濾析出物，用1000mL水洗滌所得析出物，進而用lOOOmL丙酮洗滌后，加以干燥，由此得到3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷21.2g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):574(M+)元素分析理論值(/%)C:91.93;H:8.07、實測值(/%)C:91.87、H:8.00(2)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例4(2)中，除了用上述實施例5(1)中得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'陽雙(3，5-二乙炔基苯基)-l，l'-二金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷5g以外，其他全部與實施例4(2)相同地進行，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為46600。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為45%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例6(1)4，9-雙(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷的合成在實施例5(1)中，除了用4，9-二溴二聯(lián)金剛烷35.7g(103.2mmol)來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二溴-l，l'-二金剛垸50g(103.2mmol)以外，其他全部與實施例5(1)相同地操作，得到4，9-雙(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷38g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):436(M+)元素分析理論值(/%)C:93.54;H:6.46、實測值(/%)C:93.61;H:6.47(2)4，9-雙(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例4(2)中，除了用上述實施例6(1)中得到的4，9-雙(3，5-二乙炔基苯基)二聯(lián)金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛垸5g以外，其他全部與實施例4(2)相同地操作，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為50100。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為25%。將所得預聚物^溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例7(1)9，9'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-4，4'-二(二聯(lián)金剛烷)的合成在實施例l(l)中，用4-溴-二聯(lián)金剛垸80.2g0.3mol)來代替1-溴金剛烷64.5g(0.3mo1)，將溴量改變?yōu)?5g(0.22mo1)以外，其他全部與實施例1(l)相同地操作，得到生成物70g。通過IR分析發(fā)現(xiàn)溴基的吸收在690515cm"，通過質量分析得到的分子量為532，由該結果可知生成物為9，9'-二溴-4，4'-二(二聯(lián)金剛烷)。在實施例5(1)中，除了用上述得到的9，9'-二溴-4，4'-二(二聯(lián)金剛烷)54.9g(103.2mmol)來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'二溴-1，l'-二金剛烷50g(103.2mmol)以外，其他全部與實施例5(1)相同地操作，得到9，9'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-4，4'-二(二聯(lián)金剛垸)31g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):622(M+)元素分析:理論值(/%)C:92.56;H:7.44、實測值(/%)C:92.12;H:7.30(2)9，9'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-4，4'陽二(二聯(lián)金剛烷)的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例4(2)中，除了用上記實施例7(1)中得到的9，9'-雙(3，5-二乙炔基苯基)-4，4'畫二(二聯(lián)金剛烷)5g來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-1，l'-二金剛垸5g以外，其他全部與實施例4(2)相同地操作，得到預聚物。所得到的預聚物的數(shù)均分子量為67200。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為38%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，矛尋到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例8(1)3，3'，5，5'-四甲基-7，7-雙[3，5-雙(苯基乙炔基)苯基]-l，1'-二金剛烷的合成在實施例4(1)中，用合成實施例5(1)時得到的3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(3，5-二溴苯基)-l，1'二金剛烷10.6g(13.4mmol)來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，l'-二金剛烷10g(26.7腿o1)，用苯乙炔8.1g(79.6醒o1)來代替溴苯12.5g(79.6mmol)以外，其他全部與實施例4(l)相同地進行，得到3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙[3，5-雙(苯基乙炔基)苯基]-l，l'-二金剛烷11.6g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):878(M+)元素分析理論值(/%)C:92.89;H:7.11、實測值(/%)C:92.95;H:7.05(2)3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙[3，5-雙(苯基乙炔基)苯基]-l，l'-二金剛垸的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例4(2)中，除了用3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙[3，5-雙(苯基乙炔基)苯基]-l，l'-二金剛垸5g來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷5g以外，其他全部與實施例4(2)相同地操作，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為70700。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為36%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。實施例9(1)3，3"'-7又(甲基乙炔基)-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'—八甲基-1，r:3'，r:3"，r"-四金剛烷的合成在燒瓶中，將3，3"'-二溴-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-l，l':3'，1":3"，1"'-四金剛烷55g(68mmol)及溴乙烯18mL(256mmol)溶解在二氯甲垸240mL中，并在干燥氮氣、-15。C條件下，滴加氯化鋁(III)3.0g(22mmo1)，將其攪拌l小時。進而，在-15'C下滴加40mL水后，返回至室溫，得到反應液。將反應液投入到10y。鹽酸水溶液400mL中，每次用80mL二氯甲烷提取三次，用80mL水洗浄后，通過硫酸鎂進行干燥，濃縮有機層，從而得到3，3"'-雙(溴乙基)二溴乙基-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-l，l':3'，1":3"，1"'—四金剛烷50.2g。進而，將上述得到的3，3'"-雙(溴乙基)-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-1，1':3'，1":3"，1'"-四金剛烷42g(53mmol)溶解在二甲亞砜400mL中，在室溫下添加叔丁醇鉀28g(250mmo1)，將其攪拌48小時。進而，將反應液投入到800mL的水中，每次用400mL二氯甲烷提取三次，并用400mL水洗凈后，用硫酸鎂進行干燥，濃縮有機層，得到3，3"'-二乙炔基-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-1，l':3'，1":3"，l"'—四金剛烷36.1g。將上述得到的3，3"'-二乙炔基-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-l，l':3'，1":3"，l"'-四金剛烷36.1g及甲基碘22.7g(160mmol)溶解在三乙胺80mL及吡啶40mL中，添加碘化銅(II)0.124g(0.66mmol)及三苯基膦0.48g(1.82mmo1)。進而，添加二(三苯基膦)二氯化鈀(II)0.116g(0.164mmo1)，在干燥氮氣環(huán)境、ll(TC下反應5小時。反應后，蒸餾去除三乙胺和吡啶，添加2mol/L鹽酸水溶液lOOOmL，析出沉淀物。過濾沉淀物、用lOOOmL水和lOOOmL甲醇洗凈，利用真空干燥機，在60'C的環(huán)境下干燥24小時，從而得到3，3'"-雙(甲基乙炔基)-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'—八甲基-1，l':3'，r:3"，r"-四金剛烷32.8g。外觀白色固體MS(FD)(m/z):727(M+)元素分析理論值(/%)C:89.19;H:10.81、實測值(/%)C:89.16;H:10.76(2)3，3'"陽雙(甲基乙炔基)-5，7，5'，7'，5"，7"，5"'，7"'-八甲基-l，l':3'，r:3"，r"-四金剛垸的聚合和有機絕緣膜用清漆的制造在實施例1(2)中，除了用上述實施例9(1)中得到的3，3"'-雙(甲基乙炔基)-5，7，5'，7'，5"，7"，5'"，7'"-八甲基-1，l':3'，1":3"，l'"-四金剛垸5g來代替3，3',5，5'-四乙炔基-1，l'-二金剛烷5g以外，其他全部與實施例1(2)相同地操作，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為130900。另夕卜，未反應不飽和鍵的殘存率為23%。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。(3)層間絕緣膜及半導體裝置的制造使用上述得到的有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，得到半導體裝置。比較例1在實施例1(2)中，除了用3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙[3，5-雙(苯基乙炔基)苯基]-l，1'-二金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四乙炔基-l，l'-二金剛烷5g以外，其他全部與實施例1(2)相同地操作，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為550600。所得預聚物不溶于環(huán)戊酮中，無法制作成有機絕緣膜用清漆。比較例2在實施例4(2)中，除了用3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-二乙炔基-l，1'-二金剛烷5g來代替3，3'，5，5'-四甲基-7，7'-雙(苯基乙炔基)-l，l'-二金剛烷5g以夕卜，其他全部與實施例4(2)相同地操作，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為1600。將所得預聚物3g溶解在環(huán)戊酮27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。使用該有機絕緣膜用清漆，通過與實施例1(3)相同的工序進行了涂布，但由于外觀不良，無法形成層間絕緣膜。比較例3將四氫呋喃60mL、四(三苯基膦)鈀1.73g、碘化銅(II)0.72g、哌啶10mL、1，2，4-三碘代苯54.7g(120mmol)加入至燒瓶中。接著，加入4，4'-二乙炔基二苯基醚32.74g(150mmo1)，在25。C下反應20小時。將該反應液滴入到1L酢酸中，收集沉淀物并加以干燥，得到預聚物。所得預聚物的數(shù)均分子量為22900。另外，未反應不飽和鍵的殘存率為28%。將所得預聚物3g溶解在苯甲醚27g中，通過用過濾器過濾，得到有機絕緣膜用清漆。使用該有機絕緣膜用清漆，通過進行與實施例1(3)相同的工序，形成層間絕緣膜，得到半導體裝置。對實施例19及比較例3得到的層間絕緣膜及半導體裝置，進行以下評價。下面，共同顯示評價項目及方法。所得結果示于表l中。1.彈性模量利用elionk公司制的超微小硬度計ENT-llOO，以最大負荷為10mg、負荷速度lmg/sec，對上述得到的絕緣膜進行測定。2.介電常數(shù)根據(jù)J1S-K6911，以100kHz的頻率，利用Hewlett-Packard公司制HP-4284APrecisionLCR儀器，測定上述得到的絕緣膜的容量，并根據(jù)下述計算式算出介電常數(shù)。介電常數(shù)=(容量測定值X膜厚)/(真空介電常數(shù)X測定面積)3.耐熱性耐熱性是用玻璃化轉變溫度及熱分解溫度來評價。玻璃化轉變溫度是，通過動態(tài)粘彈性測定裝置(SeikoInstrumentsInc.制DMS6100)，在氮氣流量300mL/min、升溫速度3°C/min、頻率1Hz的條件下，對所得絕緣膜進行測定，并將tanS的峰值最高溫度作為玻璃化轉變溫度。另夕卜，熱分解溫度是，通過TG/DTA測定裝置((SeikoInstrumentsInc.制TG/DTA220)，在氮氣流量200mL/min、升溫速度10°C/min條件下對所得絕緣膜進行測定，并將質量減少達到5%時的溫度作為熱分解溫度。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>從表1可知，實施例19的彈性模量均都比比較例3的彈性模量高，且機械特性也比比較例3優(yōu)異。另外，實施例19的介電常數(shù)均都比比較例3的介電常數(shù)低，顯示出優(yōu)異的介電特性。而且，實施例19的熱分解溫度均比比較例3的熱分解溫度高，顯示出優(yōu)異的耐熱性。接著，對所得半導體裝置進行布線延遲速度的評價。比較了使用實施例19的層間絕緣膜得到的半導體裝置和具有與該半導評價的標準，采用了由環(huán)形振蕩器的發(fā)送頻率換算得出的信號延遲時間。比較兩者的結果，確認本發(fā)明得到的半導體裝置的布線延遲比具有Si02絕緣月莫的半導體裝置的布線延遲小，平均提高了約25%的速度。工業(yè)實用性根據(jù)本發(fā)明，能夠提供同時具有低介電常數(shù)、高耐熱性且高機械強度的有機絕緣材料以及樹脂膜用清漆。由上述有機絕緣材料及樹脂用清漆得到的樹脂膜具有優(yōu)異的耐熱性、機械特性及電特性，特別是具有低介電常數(shù)，因此，使用該樹脂膜的半導體裝置能夠減少布線延遲。權利要求1.一種有機絕緣材料，其含有籠型結構化合物的預聚物，所述籠型結構化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團和以金剛烷結構作為最小單元的籠型結構，其中，上述預聚物的通過凝膠滲透色譜法測定的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000～500000。2.如權利要求1所述的有機絕緣材料，其中，上述以金剛烷結構作為最小單元的的籠型結構是金剛烷結構、多聯(lián)金剛烷結構、聚(多聯(lián)金剛烷)結構或聚金剛烷結構。3.如權利要求1或2所述的有機絕緣材料，其中，上述預聚物具有上述籠型結構化合物中的上述聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵、或者具有上述聚合性不飽和鍵之間反應而生成的不飽和鍵和未反應的上述聚合性不飽和鍵。4.如權利要求3所述的有機絕緣材料，其中，上述預聚物中上述未反應的聚合性不飽和鍵的殘留率為20%80%。5.如權利要求14中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述籠型結構化合物為用下式(1)表示的化合物，式(l)中，X及Y分別表示具有相同或不同的聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團；W及Z分別表示具有金剛垸結構或多聯(lián)金剛烷結構的基團，它們之間相同或不同；n表示0或l以上的整數(shù)。6.如權利要求1~5中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述籠型結構化合物為用下式(2)表示的化合物，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage2</formula>式(2)中、X,及Y，分別表示具有聚合性不飽和鍵的一個或兩個以上的基團，它們之間相同或不同；R廣R4分別表示氫或有機基，它們之間相同或不同；r^表示0或1以上的整數(shù)。7.如權利要求16中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述聚合性不飽和鍵為碳-碳三鍵。8.如權利要求1~7中任一項所述的有機絕緣材料，其中，上述含聚合性不飽和鍵的基團中的至少一個為式(3)所示的基團或式(4)所示的基團，<formula>formulaseeoriginaldocumentpage3</formula>式中，R5及R^分別獨立地表示氫原子或有機基；m表示l5的整數(shù)。9.一種樹脂膜用清漆，該樹脂膜用清漆含有權利要求1~8中任一項所述的有機絕緣材料和有機溶劑。10.—種樹脂膜，其是通過加熱或活性能量線照射，或者通過加熱和活性能量線照射，使權利要求18中任一項所述的有機絕緣材料或使權利要求9所述的樹脂膜用清漆進行交聯(lián)反應而得到的樹脂膜。11.一種半導體裝置，該半導體裝置具有權利要求10所述的樹脂膜。全文摘要本發(fā)明提供同時具有低介電常數(shù)、高耐熱性及高機械強度的有效的有機絕緣材料、以及使用該有機絕緣材料的樹脂膜和半導體裝置。本發(fā)明的有機絕緣材料含有金剛烷結構化合物的預聚物，該金剛烷結構化合物具有含聚合性不飽和鍵的基團。通過凝膠滲透色譜法測定的上述預聚物的聚苯乙烯換算的數(shù)均分子量為2000～500000。上述含聚合性不飽和鍵的基團最好是含碳-碳三鍵的基團。本發(fā)明的樹脂膜是通過加熱或活性能量線照射，或者通過加熱和活性能量線照射，使上述有機絕緣材料、或使含有該有機絕緣材料的樹脂膜用清漆進行交聯(lián)反應而得到。文檔編號C08F38/00GK101646697SQ200880008368公開日2010年2月10日申請日期2008年3月7日優(yōu)先權日2007年3月20日發(fā)明者佐野曜子,松谷美帆子,藤田一義申請人:住友電木株式會社