專利名稱：一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
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本發(fā)明涉及化工領(lǐng)域，尤其涉及塑料，特別涉及熱轉(zhuǎn)移薄膜，具體的 是一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜。
背景技術(shù)：
電子化倉儲管理、超市對標簽、條碼打印的市場需求越來越大，而現(xiàn) 有技術(shù)中，用于傳真機以及標簽打印的打印色帶基材均采用超薄型的聚酯 薄膜，由于其加工溫度、使用溫度都在IO(TC上下，且標簽打印要求圖案、 色澤清晰，因此薄膜需要有超薄的厚度、優(yōu)良的拉伸性能和抗熱性能。但 是目前的聚酯薄膜的最薄厚度在8um以上，達不到使用要求；另外超薄型 薄膜在生產(chǎn)過程中，其拉伸強度和耐熱性是一對矛盾，限制了聚酯薄膜在
標簽打印上的應用。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，所述的這 種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜要解決現(xiàn)有技術(shù)中聚酯薄膜的厚度不能 達到標簽打印的使用要求、不能同時實現(xiàn)超薄性和高拉伸強度的技術(shù)問 題。
本發(fā)明的這種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，由聚酯母料切片經(jīng)過加 熱和拉伸加工獲得，其中，所述的聚酯母料切片中含有聚酯切片和納米級 球形Si02，所述的納米級球形Si02的添加量為2500 3800ppm，所述的 聚酯母料切片中還含有納米級氧化鎂，所述的納米級氧化鎂的添加量為 280 330ppm。
進一步的，所述的納米級球形Si02的平均粒徑在80 120nrn之間。進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的厚度在3.5 8um 之間。
進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的拉伸強度在200 300MPa之間。
進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的熱收縮《3. 5%。 進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的薄膜表面摩擦系數(shù) 《0.6。
本發(fā)明還提供了一種制造上述用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的方法， 其中所述的方法中包括一個制備納米級Si02乙二醇分散體的步驟、一個制
備納米級氧化鎂乙二醇分散體的步驟和一個制備聚酯母料切片的過程，在
所述的制備納米級Si02乙二醇分散體的步驟中，首先對納米級Si02進行
表面處理，然后通過高速離心攪拌、研磨并且通過超聲波分散法制成均勻
的納米級Si02乙二醇分散體，在所述的制備納米級氧化鎂乙二醇分散體的
步驟中，首先對納米級氧化鎂進行表面處理，然后通過高速離心攪拌、研 磨并且通過超聲波分散法制成均勻的納米級氧化鎂乙二醇分散體，在所述
的制備聚酯母料切片過程中的酯化結(jié)束階段，分別加入納米級Si02、納米
級氧化鎂的乙二醇分散體，通過直接分散法原位聚合得到所述的聚酯母料 切片，最后通過拉伸設備拉伸聚酯母料切片。
進一步的，在本發(fā)明的制備聚酯母料切片的步驟中，采用PTA法合成 聚酯母料切片，具體的是采用高純度的對苯二甲酸(PTA)或中純度對苯二 甲酸(MTA)與乙二醇(EG)直接酯化，縮聚成聚酯。由于PTA法制備聚酯薄 膜為本領(lǐng)域的公知技術(shù)，本發(fā)明在此不再贅述。
本發(fā)明使用納米級Si02是利用其具有比表面極大、表層原子數(shù)多、表 面活性高等特點，填充到聚合物后與聚合物的界面粘結(jié)強度就高，減小了 添加劑從薄膜表面剝落的可能性。而且球形納米級Si02可以提高薄膜的加工性能，使薄膜具有良好的收巻性能和分切性能。本發(fā)明使用納米級氧化 鎂是利用其金屬離子特性，改善切片的熔融比電阻，從而改進薄膜的成膜 性能、提高生產(chǎn)的穩(wěn)定性。同時氧化鎂不同于常規(guī)采用的具有弱堿性的
CaC03，從而避免了必須采用DMT法制備聚酯母切片的弊端。
本發(fā)明和己有技術(shù)相比，其效果是積極和明顯的。本發(fā)明的聚酯薄膜 在保證厚度的情況下，既有較高的拉伸強度，也有優(yōu)異的耐熱性能。并且 通過提高了聚酯薄膜中Si02的含量，達到2000ppm以上，同時改善了聚 酯薄膜表面的摩擦系數(shù)，提高了產(chǎn)品的后加工性能。本發(fā)明的聚酯薄膜的 厚度極薄(》3.5um，最常用厚度4.5um)、拉伸強度高(》200MPa)、熱 收縮低(MD向《3.5。/。，)，薄膜表面摩擦系數(shù)低(《0.6)，適合于做傳真 機、標簽打印等方面的熱轉(zhuǎn)移用基材薄膜。
具體實施例方式
本發(fā)明一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，所述的聚酯薄膜由聚酯母 料切片構(gòu)成，所述的聚酯母料切片中含有納米級球形Si02，所述的納米級 球形Si02的添加量為2500 3800ppm，所述的聚酯母料切片中還含有納米 級氧化鎂，所述的納米級氧化鎂的添加量為280 330ppm。
進一步的，所述的納米級球形Si02的平均粒徑在80 120nrn之間。
進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的厚度在3.5 8um之間。
進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的拉伸強度在200 300MPa之間。
進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的熱收縮《3. 5%。 進一步的，所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的薄膜表面摩擦系數(shù)
本發(fā)明還提供了上述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的制造方法，包括一個制備納米級Si02乙二醇分散體的步驟，在所述的制備納米級Si02
乙二醇分散體的步驟中，首先對納米級Si02進行表面處理，然后通過高速
離心攪拌、研磨并且通過超聲波分散法制成均勻的納米級Si02乙二醇分散
體，還包括一個制備納米級氧化鎂乙二醇分散體的步驟，在所述的制備納 米級氧化鎂乙二醇分散體的步驟中，首先對納米級氧化鎂進行表面處理， 然后通過高速離心攪拌、研磨并且通過超聲波分散法制成均勻的納米級氧 化鎂乙二醇分散體，還包括一個制備聚酯母料切片的步驟，在制備聚酯母
料切片步驟的酯化結(jié)束階段分別加入納米級Si02、納米級氧化鎂的乙二醇
分散體，通過直接分散法原位聚合得到所述的薄膜的聚酯母切片，最后通 過拉伸設備拉伸聚酯母切片獲得本發(fā)明的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜。
進一步的，本發(fā)明的制備聚酯母料切片的步驟中，采用PTA法合成聚 酯母料切片，具體的是采用高純度的對苯二甲酸(PTA)或中純度對苯二甲 酸(MTA)與乙二醇(EG)直接酯化，縮聚成聚酯。由于PTA法制備聚酯薄膜 為本領(lǐng)域的公知技術(shù)，本發(fā)明在此不再贅述。
權(quán)利要求
1.一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，由聚酯母料切片經(jīng)過加熱和拉伸加工獲得，其特征在于所述的聚酯母料切片中含有聚酯切片和納米級球形SiO2，所述的納米級球形SiO2的添加量為2500～3800ppm，所述的聚酯母料切片中還含有納米級氧化鎂，所述的納米級氧化鎂的添加量為280～330ppm。
2. 如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，其特征在于所述 的納米級球形Si02的平均粒徑在80 120nrn之間。
3. 如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，其特征在于所述 的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的厚度在3.5 811111之間。
4. 如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，其特征在于所述 的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的拉伸強度在200 300MPa之間。
5. 如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，其特征在于所述 的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的熱收縮《3. 5%。
6. 如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，其特征在于所述 的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的薄膜表面摩擦系數(shù)《0.6。
7. —種制造如權(quán)利要求1所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的方法，其 特征在于所述的方法中包括一個制備納米級Si02乙二醇分散體的步 驟、 一個制備納米級氧化鎂乙二醇分散體的步驟和一個制備聚酯母料切 片的過程，在所述的制備納米級Si02乙二醇分散體的步驟中，首先對 納米級Si02進行表面處理，然后通過高速離心攪拌、研磨并且通過超 聲波分散法制成均勻的納米級Si02乙二醇分散體，在所述的制備納米 級氧化鎂乙二醇分散體的步驟中，首先對納米級氧化鎂進行表面處理， 然后通過高速離心攪拌、研磨并且通過超聲波分散法制成均勻的納米級氧化鎂乙二醇分散體，在所述的制備聚酯母料切片過程中的酯化結(jié)束階段，分別加入納米級Si02、納米級氧化鎂的乙二醇分散體，通過直接分散法原位聚合得到所述的聚酯母料切片，最后通過拉伸設備拉伸聚酯 母料切片。
8.如權(quán)利要求7所述的用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的制造方法，其特征在于在所述的制備聚酯母料切片過程中，所述的聚酯母料切片是采用高純度的對苯二甲酸或中純度對苯二甲酸與乙二醇直接酯化，縮聚成聚 酯。
全文摘要
一種用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜，由聚酯母料切片經(jīng)過加熱和拉伸加工獲得，其中，所述的聚酯母料切片中含有聚酯切片和納米級球形SiO<sub>2</sub>，所述的納米級球形SiO<sub>2</sub>的添加量為2500～3800ppm，所述的聚酯母料切片中還含有納米級氧化鎂，所述的納米級氧化鎂的添加量為280～330ppm。本發(fā)明還提供制造上述用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜的方法，包括一個制備納米級SiO<sub>2</sub>乙二醇分散體的步驟、一個制備納米級氧化鎂乙二醇分散體的步驟和一個制備聚酯母料切片的步驟，最后通過拉伸設備拉伸聚酯母切片獲得用于熱轉(zhuǎn)移的超薄型聚酯薄膜。本發(fā)明的聚酯薄膜在保證厚度的情況下，既有較高的拉伸強度，也有優(yōu)異的耐熱性能。適用于傳真機、標簽打印等方面的熱轉(zhuǎn)移用基材薄膜。
文檔編號C08K3/36GK101560324SQ200810036029
公開日2009年10月21日 申請日期2008年4月15日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月15日
發(fā)明者陳國剛, 黃耀斌 申請人:上海紫東薄膜材料股份有限公司