專利名稱：非對稱二苯并二噻吩并噻吩化合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉及可提供高的電性能、可溶、并且是空氣穩(wěn)定的半導(dǎo)體化合物。這種化合物可用于薄膜晶體管(TFT)和/或其他包括半導(dǎo)體層的電子器件。本文還公開了制備這種化合物和使用它們的方法。
背景技術(shù)：
TFT通常由襯底上的以下物質(zhì)組成導(dǎo)電柵電極、源電極和漏電極、分隔所述柵電極與源電極和漏電極的電絕緣柵介電層和與所述柵介電層接觸并橋接源電極和漏電極的半導(dǎo)體層。其性能可由整個晶體管的場效應(yīng)遷移率(也稱為載流子遷移率)和通電/斷電比來確定。希望得到高遷移率和高通電/斷電比。有機薄膜晶體管(OTFT)可用于一些應(yīng)用，例如射頻識別(RFID)標簽和顯示器(例如標識牌、閱讀器和液晶顯示器)的底板切換電路，其中高切換速度和/或高密度不是必要的。其還具有吸引人的機械性能，例如外形小巧、輕質(zhì)和柔性。有機薄膜晶體管可以通過使用低成本的基于溶液的圖案化和沉積技術(shù)制作，例如旋涂法、溶液澆鑄法、浸涂法、刻版/絲網(wǎng)印刷法、苯胺印刷法、凹版印刷法、膠版印刷法、噴墨印刷法、微接觸印刷法等。為了能夠在制作薄膜晶體管電路時使用這些基于溶液的方法，需要可溶液加工的材料。然而，通過溶液加工形成的有機或聚合物半導(dǎo)體具有溶解度有限、空氣敏感性、尤其是低的場效應(yīng)遷移率的傾向。希望開發(fā)能克服這些挑戰(zhàn)的新的化合物。

發(fā)明內(nèi)容
在多個實施方案中公開了可用于電子器件的半導(dǎo)體化合物。這些化合物為非對稱或不對稱的二苯并二噻吩并噻吩或二萘并二噻吩并噻吩。在一些實施方案中公開了一種具有式(I)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體化合物
權(quán)利要求
1.一種具有式(I)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體化合物
2.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體化合物，其中該半導(dǎo)體化合物具有式(II)結(jié)構(gòu)
3.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體化合物，其中R1和R2獨立地為烷基。
4.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體化合物，其中m和η為I。
5.權(quán)利要求1的半導(dǎo)體化合物，其中該半導(dǎo)體化合物具有式(III)結(jié)構(gòu)
6.權(quán)利要求5的半導(dǎo)體化合物，其中R3和R4相同并且選自烷基、取代烷基、烯基、取代烯基、炔基、取代炔基、芳基、取代芳基、雜芳基和取代雜芳基。
7.一種半導(dǎo)體組合物，其包括 聚合物粘合劑；和 式(I)的半導(dǎo)體化合物
8.權(quán)利要求7的半導(dǎo)體組合物，其中該半導(dǎo)體化合物具有式(II)結(jié)構(gòu)
9.權(quán)利要求7的半導(dǎo)體組合物，其中m和η為I。
10.一種電子器件，其包括半導(dǎo)體層，該半導(dǎo)體層包括式(I)的半導(dǎo)體化合物
全文摘要
本發(fā)明涉及非對稱二苯并二噻吩并噻吩化合物。具體而言，本文公開了一種式(I)的不對稱半導(dǎo)體化合物，其中R1和R2如說明書所述。該化合物可用于電子器件(例如薄膜晶體管)的半導(dǎo)體層。包括該化合物的器件顯示出高的遷移率和優(yōu)異的穩(wěn)定性。
文檔編號C07D495/14GK103044445SQ20121039274
公開日2013年4月17日 申請日期2012年10月16日 優(yōu)先權(quán)日2011年10月17日
發(fā)明者吳貽良, A·維格勒斯沃斯, 其他發(fā)明人請求不公開姓名 申請人:施樂公司