用于多晶硅還原爐的底盤組件的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及多晶硅生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，具體而言，涉及一種用于多晶硅還原爐的底盤組件。
【背景技術(shù)】
[0002]相關(guān)技術(shù)中的多晶硅還原爐，進氣氣體經(jīng)過底盤后進入爐內(nèi)，為了使進氣氣體在爐內(nèi)分布均勻，往往在底盤上盡量均勻地設(shè)置多個進氣管。當(dāng)然，設(shè)置的進氣管越多則氣體在爐內(nèi)分布越均勻，但這樣的布置導(dǎo)致底盤下部管路多且復(fù)雜，難以布置，工程上實現(xiàn)難度大、成本尚。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明旨在至少在一定程度上解決相關(guān)技術(shù)中的上述技術(shù)問題之一。為此，本發(fā)明提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件，該用于多晶硅還原爐的底盤組件具有進氣均勻、工作穩(wěn)定等優(yōu)點，且同時能夠減少還原爐底盤下部的管路數(shù)量，簡化管路布置。
[0004]為實現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的實施例提出一種用于多晶硅還原爐的底盤組件，所述用于多晶硅還原爐的底盤組件包括:底盤本體，所述底盤本體內(nèi)限定有冷卻腔和位于所述冷卻腔下方的進氣腔，所述底盤本體上設(shè)有與所述冷卻腔連通的冷卻液進口和冷卻液出口 ；多個電極座，多個所述電極座設(shè)置在所述底盤本體上；多個進氣管和多個排氣管，多個所述進氣管和多個所述排氣管設(shè)置在所述底盤本體上，多個所述進氣管分別與所述進氣腔連通且多個所述排氣管分別貫穿所述底盤本體。
[0005]根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件具有進氣均勻、工作穩(wěn)定等優(yōu)點。
[0006]另外，根據(jù)本發(fā)明上述實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件還可以具有如下附加的技術(shù)特征:
[0007]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述底盤本體包括:底盤法蘭；上底板，所述上底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)；下底板，所述下底板設(shè)在所述底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板下方；中隔板，所述中隔板設(shè)在底盤法蘭內(nèi)且位于所述上底板和所述下底板之間，所述中隔板與所述上底板和所述底盤法蘭限定出所述冷卻腔且與所述下底板和所述底盤法蘭限定出所述進氣腔。
[0008]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述底盤本體還包括多個導(dǎo)流板，多個所述導(dǎo)流板設(shè)在所述冷卻腔內(nèi)且在所述冷卻腔內(nèi)限定出多個螺旋流道，所述冷卻液進口和所述冷卻液出口分別與多個所述螺旋流道連通。
[0009]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，多個所述導(dǎo)流板焊接在所述中隔板上。
[0010]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述用于多晶硅還原爐的底盤組件還包括設(shè)在所述底盤本體上的冷卻液進管和多個冷卻液出管，所述冷卻液進口設(shè)置在所述底盤本體的中心處，多個所述進氣管中位于所述底盤本體中心處的所述進氣管嵌套在所述冷卻液進管內(nèi)，多個所述排氣管分別嵌套在多個所述冷卻液出管內(nèi)。
[0011]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述用于多晶硅還原爐的底盤組件還包括:進氣環(huán)管，所述進氣環(huán)管上設(shè)有進氣口且設(shè)置在所述底盤本體下方；多個進氣支管，多個所述進氣支管連接在所述進氣環(huán)管上且分別與所述進氣腔連通。
[0012]根據(jù)本發(fā)明的一個實施例，所述進氣支管與所述進氣腔的連通處設(shè)有進氣擋板。
【附圖說明】
[0013]圖1是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的軸向剖視圖。
[0014]圖2是根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件的徑向剖視圖。
[0015]圖3是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0016]圖4是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的局部結(jié)構(gòu)示意圖。
[0017]圖5是根據(jù)本發(fā)明實施例的多晶硅還原爐的噴嘴的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0018]附圖標(biāo)記:用于多晶硅還原爐的底盤組件10、底盤本體100、螺旋流道110、進氣腔111、冷卻液進口 120、冷卻液出口 130、底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170、冷卻腔180、導(dǎo)流板190、弧形段191、電極座200、進氣管300、排氣管400、冷卻液進管500、冷卻液出管600 ；
[0019]多晶硅還原爐1、爐體20、半球形封頭21、進水管22、出水管23、電極30、上觀察試鏡41、中觀察試鏡42、下觀察試鏡43、噴嘴50、基座51、導(dǎo)向桿52、止擋臺53、支腿54、引流轉(zhuǎn)子55、側(cè)旋流道56、止擋螺母57、進氣環(huán)管61、進氣口 62、進氣支管63、進氣擋板64、排氣環(huán)管71、排氣口 72、排氣支管73、進液管74、出液管75、膨脹節(jié)76。
【具體實施方式】
[0020]下面詳細描述本發(fā)明的實施例，所述實施例的示例在附圖中示出，其中自始至終相同或類似的標(biāo)號表示相同或類似的元件或具有相同或類似功能的元件。下面通過參考附圖描述的實施例是示例性的，旨在用于解釋本發(fā)明，而不能理解為對本發(fā)明的限制。
[0021]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0022]如圖1和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個電極座200、多個進氣管300和多個排氣管400。
[0023]底盤本體100內(nèi)限定有多個螺旋流道110和位于多個螺旋流道110下方的進氣腔111 (上下方向如附圖中的箭頭A所示)，多個螺旋流道110從底盤本體100的中心處旋向底盤本體100的外周緣處，底盤本體100上設(shè)有與多個螺旋流道110連通的冷卻液進口120和多個冷卻液出口 130。多個電極座200設(shè)置在底盤本體100上。多個進氣管300和多個排氣管400設(shè)置在底盤本體100上，多個進氣管300分別與進氣腔111連通，多個排氣管400分別貫穿底盤本體100。
[0024]根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10，通過在底盤本體100內(nèi)設(shè)置從底盤本體100的中心旋向底盤本體100的外周緣的多個螺旋流道110，這樣冷卻液可以通過冷卻液進口 120分別進入多個螺旋流道110，對底盤本體100的上表面、多個進氣管300、多個排氣管400和多個電極座200進行強制冷卻。由于在底盤本體100內(nèi)設(shè)置多個螺旋流道110，使得每個螺旋流道110的流程較短，減少了冷卻液的流動阻力，提高了冷卻效果，且避免了底盤本體100徑向溫差過大，有利于防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0025]此外，底盤本體100內(nèi)進一步限定了與進氣管300連通的進氣腔111，進氣氣體首先進入進氣腔111，均勻分散后由多個進氣管300進入爐體內(nèi)，由此可以提高進氣的均勻性。
[0026]因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10具有冷卻液流動阻力小、冷卻效果好、徑向溫度分布均勻、不易產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形、進氣均勻、工作穩(wěn)定等優(yōu)點，且同時能夠減少還原爐底盤下部的管路數(shù)量，簡化管路布置。
[0027]下面參考附圖描述根據(jù)本發(fā)明具體實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10。
[0028]在本發(fā)明的一些具體實施例中，如圖1和圖2所示，根據(jù)本發(fā)明實施例的用于多晶硅還原爐的底盤組件10包括底盤本體100、多個電極座200、多個進氣管300和多個排氣管400。
[0029]進一步地，多個螺旋流道110的長度相等，且多個螺旋流道110的相同長度處的寬度相等。由此可以進一步提高底盤本體100徑向溫度的均勻性，從而進一步防止底盤本體100產(chǎn)生溫差應(yīng)力和變形。
[0030]可選地，如圖1所示，螺旋流道110為六個，六個螺旋流道110沿底盤本體100的徑向盤繞成七層，冷卻液進口 120設(shè)置在底盤本體100的中心處，冷卻液出口 130設(shè)置在底盤本體100的外周緣處，冷卻液由底盤本體100中心經(jīng)螺旋流道110后排出。
[0031]在本發(fā)明的一些具體示例中，如圖1和圖2所示，底盤本體100包括底盤法蘭140、上底板150、下底板160、中隔板170。底盤法蘭140用于連接爐體。上底板150、下底板160和中隔板170均設(shè)在底盤法蘭140內(nèi)，其中下底板160位于上底板150下方且中隔板170位于上底板150和下底板160之間，中隔板170與上底板150和底盤法蘭140