專利名稱:鎢酸鋅單晶體的熱處理去色工藝的制作方法
采用恰克洛斯基(Cgochralski)方法在大氣氣氛中生長(zhǎng)的鎢酸鋅單晶一般需要再進(jìn)行一次熱處理去色工藝才能減弱或消除其自吸收現(xiàn)象，提高其發(fā)光效率。
熱處理去色工藝一般是在大氣氣氛下進(jìn)行的，這時(shí)晶體的顏色由紅玫瑰色變成黃色，發(fā)光強(qiáng)度提高了5～7%左右但不能完全去色。為了解決這個(gè)問(wèn)題，本發(fā)明要求在熱處理時(shí)，于晶片的C方向(〔001〕方向)施加由200～300伏直流電壓形成的電場(chǎng)。此時(shí)爐子的加熱溫度是在1100～1200℃之間，其最佳溫度范圍為1150～1190℃，保溫時(shí)間視晶體厚度而定，其結(jié)果可獲得外觀完全去色的鎢酸鋅單晶。
實(shí)施例按本發(fā)明的要求，在250伏直流電壓下，在1180℃保溫50小時(shí)可獲得15×11×9(mm)外觀完全去色的鎢酸鋅單晶。經(jīng)測(cè)定，其性能指標(biāo)如下光輻射長(zhǎng)度1.1cm發(fā)射譜峰值480μm光衰減時(shí)間4ms8ms12ms24ms光產(chǎn)額890P/Meν能量分辨率12.6～15%
相對(duì)發(fā)光效率～30%無(wú)潮解現(xiàn)象。
參考文獻(xiàn)1.英國(guó)?？? GB 2089777AProcess for heat-treating single crystal of tungstate.
權(quán)利要求
1.鎢酸鋅單晶的熱處理去色工藝，一般是在大氣氣氛中進(jìn)行的，本發(fā)明的特征在于，要求在熱處理時(shí)在晶片的C方向施加電場(chǎng)。
2.根據(jù)權(quán)利要求
1的工藝，其中所說(shuō)的電場(chǎng)其特征在于，它是由200～300伏直流電壓產(chǎn)生的。
3.根據(jù)權(quán)利要求
1或2的工藝，其特征在于爐子的加熱溫度在1100～1200℃之間，最佳溫度范圍是1150～1190℃，其保溫時(shí)間視晶體厚度而定。
專利摘要
這是一種用于制備外觀完全去色的鎢酸鋅單晶的熱處理工藝。其特征在于，在大氣氣氛中進(jìn)行熱處理的同時(shí)，須在晶片的C方向(〔001〕方向)施加電場(chǎng)。這個(gè)電場(chǎng)由200～300伏直流電壓產(chǎn)生，此時(shí)爐子的加熱溫度在1100～1200℃之間，保溫時(shí)間視晶體厚度而定，這樣，就能獲得外觀完全去色的鎢酸鋅單晶，經(jīng)測(cè)定，其性能指標(biāo)均優(yōu)于用一般熱處理方法獲得的同類單晶體。
文檔編號(hào)C30B1/00GK85104093SQ85104093
公開(kāi)日1986年11月26日 申請(qǐng)日期1985年5月29日
發(fā)明者周亞棟, 劉國(guó)慶, 汪良苗, 臧勁存 申請(qǐng)人:北京工業(yè)大學(xué)導(dǎo)出引文BiBTeX, EndNote, RefMan