本技術(shù)涉及mpcvd設(shè)備，特別是涉及一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

1、mpcvd裝置是用來批量生長單晶、多晶金剛石的一種設(shè)備，化學(xué)氣相沉積(cvd)技術(shù)被廣泛應(yīng)用于金剛石、類金剛石、氧化硅、非晶硅等晶體的制備中，具有沉積溫度低、薄膜成分易控、均勻性好等優(yōu)勢。其中微波等離子體化學(xué)氣相沉積(mpcvd)因?yàn)槠錈o極放電，污染少，等離子體密度高等優(yōu)點(diǎn)，使其成為目前制備高質(zhì)量金剛石最有前景的技術(shù)。mpcvd的反應(yīng)腔體是整體密封的，基板臺整體升降，方便取拿樣品，并調(diào)整基板臺在腔體室的位置，如申請?zhí)枺?02211242465.9，就公開了這樣一種設(shè)計(jì)，但是此類設(shè)計(jì)的腔體均是固定的，高度不變，不便于對腔體室內(nèi)壁進(jìn)行清理，因此需要進(jìn)一步改進(jìn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對上述問題，提供一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)。

2、一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，包括機(jī)箱，第一升降機(jī)構(gòu)，微波源，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，微波反應(yīng)腔體與基板臺，所述第一升降機(jī)構(gòu)豎直向安裝在機(jī)箱的側(cè)壁上，且其輸出端是朝上的，并與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)底部連接，所述微波源的輸出端與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸入端連接，所述波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸出端與微波反應(yīng)腔體的上端連接，所述微波反應(yīng)腔體的上端通過玻璃封閉，所述微波反應(yīng)腔體位于基板臺的正上方，所述微波反應(yīng)腔體的下端與所述機(jī)箱的桌面法蘭活動抵接。

3、優(yōu)選的，所述第一升降機(jī)構(gòu)的輸出端通過軸承與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)活動連接，所述波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)是可旋轉(zhuǎn)的。

4、優(yōu)選的，所述基板臺的臺面上設(shè)置有鉬臺。

5、優(yōu)選的，所述基板臺下方安裝有第二升降機(jī)構(gòu)，所述第二升降機(jī)構(gòu)驅(qū)動基板臺在微波反應(yīng)腔體內(nèi)上下位移。

6、優(yōu)選的，所述第二升降機(jī)構(gòu)外部罩設(shè)有真空波紋管，所述真空波紋管的上端與基板臺下端面連接，所述真空波紋管的下端與第二升降機(jī)構(gòu)連接。

7、優(yōu)選的，所述桌面法蘭的邊部設(shè)置有密封圈，所述密封圈過盈配合在桌面法蘭與微波反應(yīng)腔體的端部之間。

8、優(yōu)選的，所述微波源下方還設(shè)置有功率頭平衡塊。

9、本實(shí)用新型的有益之處在于：利用第一升降機(jī)構(gòu)帶動微波源，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)與微波反應(yīng)腔體整體升降，上升時，微波反應(yīng)腔體與基板臺之間間距增大，方便對微波反應(yīng)腔體內(nèi)壁進(jìn)行清潔工作，從而方便物料的拿取，更重要的是方便對微波反應(yīng)腔體內(nèi)壁進(jìn)行清洗，極大的方便了設(shè)備維護(hù)，同時保障了產(chǎn)品質(zhì)量；當(dāng)下降時，通過壓縮微波反應(yīng)腔體下端的法蘭與桌面法蘭之間的真空密封圈達(dá)到微波反應(yīng)腔體的真空密封，從而提高工作效率。

技術(shù)特征：

1.一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：包括機(jī)箱，第一升降機(jī)構(gòu)，微波源，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，微波反應(yīng)腔體與基板臺，所述第一升降機(jī)構(gòu)豎直向安裝在機(jī)箱的側(cè)壁上，且其輸出端是朝上的，并與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)底部連接，所述微波源的輸出端與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸入端連接，所述波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸出端與微波反應(yīng)腔體的上端連接，所述微波反應(yīng)腔體的上端通過玻璃封閉，所述微波反應(yīng)腔體位于基板臺的正上方，所述微波反應(yīng)腔體的下端與所述機(jī)箱的桌面法蘭活動抵接。

2.如權(quán)利要求1所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第一升降機(jī)構(gòu)的輸出端通過軸承與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)活動連接，所述波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)是可旋轉(zhuǎn)的。

3.如權(quán)利要求1所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板臺的臺面上設(shè)置有鉬臺。

4.如權(quán)利要求3所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述基板臺下方安裝有第二升降機(jī)構(gòu)，所述第二升降機(jī)構(gòu)驅(qū)動基板臺在微波反應(yīng)腔體內(nèi)上下位移。

5.如權(quán)利要求4所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述第二升降機(jī)構(gòu)外部罩設(shè)有真空波紋管，所述真空波紋管的上端與基板臺下端面連接，所述真空波紋管的下端與第二升降機(jī)構(gòu)連接。

6.如權(quán)利要求1所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述桌面法蘭的邊部設(shè)置有密封圈，所述密封圈過盈配合在桌面法蘭與微波反應(yīng)腔體的端部之間。

7.如權(quán)利要求2所述的一種反應(yīng)腔體可整體升降的mpcvd結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述微波源下方還設(shè)置有功率頭平衡塊。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種反應(yīng)腔體可整體升降的MPCVD結(jié)構(gòu)，包括機(jī)箱，第一升降機(jī)構(gòu)，微波源，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)，微波反應(yīng)腔體與基板臺，第一升降機(jī)構(gòu)豎直向安裝在機(jī)箱的側(cè)壁上，且其輸出端是朝上的，并與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)底部連接，微波源的輸出端與波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸入端連接，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)的輸出端與微波反應(yīng)腔體的上端連接，微波反應(yīng)腔體的上端通過玻璃封閉，微波反應(yīng)腔體位于基板臺的正上方，微波反應(yīng)腔體的下端與機(jī)箱的桌面法蘭活動抵接。利用第一升降機(jī)構(gòu)帶動微波源，波導(dǎo)傳輸系統(tǒng)與微波反應(yīng)腔體整體升降，上升時與基板臺之間間距增大，方便對微波反應(yīng)腔體內(nèi)壁進(jìn)行清潔工作及物料的取拿，下降時實(shí)現(xiàn)微波反應(yīng)腔體的真空密封，提高作業(yè)效率。

技術(shù)研發(fā)人員：劉引,張光,羅文波,黃慧娟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：成都騰六光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240517
技術(shù)公布日：2025/1/2