本技術(shù)涉及晶體加工領(lǐng)域，尤其涉及一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置。

背景技術(shù)：

1、提拉法硅單晶的生長，是將多晶硅原料投入石英坩堝內(nèi)，通過石墨加熱器產(chǎn)生的高溫將硅料熔化，然后，對熔化的硅液稍作降溫，使之產(chǎn)生一定的過冷度，再將一根硅單晶體籽晶插入熔體表面，待籽晶與熔體融合后，將籽晶慢速旋轉(zhuǎn)并向上提升，硅液反向旋轉(zhuǎn)并跟隨上升，晶體便會在籽晶下端生長，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，持續(xù)生長出一定規(guī)格大小的單晶棒，目前大多數(shù)單晶爐，均將卷輪箱上端面設(shè)計為與上傳動回轉(zhuǎn)中心垂直，并將卷輪箱上端面設(shè)定為水平基準，但是，多重配合的零件加工及安裝誤差，卷輪箱上端面已與上傳動回轉(zhuǎn)中心不垂直，造成最終調(diào)整出的籽晶鉛錘精度不高。

2、中國專利申請?zhí)枺?02023088729.9，提供了一種單晶爐上傳動高精度水平調(diào)整裝置，該方案通過千分表打表頂板的上平面，轉(zhuǎn)動上傳動，調(diào)整連桿的長度，將頂板的上平面與上傳動回轉(zhuǎn)中心調(diào)整垂直；將水平儀放置在頂板的上平面，調(diào)整支撐塊，可將頂板的上平面水平精度調(diào)整至0.02mm/1000mm內(nèi)；因此，結(jié)構(gòu)簡單，方便調(diào)整，測量直觀，數(shù)值準確，能夠解決高精度的精確調(diào)整單晶爐籽晶鉛錘的問題，其中，頂板調(diào)節(jié)結(jié)構(gòu)是用一對凸凹球面墊片，具體是頂板上安裝螺釘，螺釘穿過頂板，與連桿連接，螺釘上，頂板與連桿之間的部位，套入一組凸凹球墊，球墊下端旋轉(zhuǎn)螺母，調(diào)整時，把螺母擰松，旋螺釘調(diào)高低，調(diào)好后把螺母鎖緊，將連桿的長度固定，但是，通過擰轉(zhuǎn)螺母固定連桿位置的方法在實際操作中，較為麻煩，需要反復(fù)操作螺母，耗費的人工較多，效率不夠高。

3、因此，有必要提供一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置解決上述技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為解決上述技術(shù)問題，本實用新型提供一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置。

2、本實用新型提供的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，包括支架，所述支架的頂端安裝有調(diào)節(jié)器，所述支架的左側(cè)安裝有晶體生長爐體，所述調(diào)節(jié)器貫穿晶體生長爐體的頂端；所述調(diào)節(jié)器包括殼體，所述殼體的內(nèi)部轉(zhuǎn)動連接有絲桿，所述絲桿的頂端貫穿殼體，所述絲桿的頂端固定連接有旋鈕，所述旋鈕與殼體相適配，所述絲桿的外端適配連接有螺套，所述螺套的右端固定連接有連接桿，所述螺套的左端固定連接有固定桿，所述固定桿貫穿殼體的左端。

3、優(yōu)選的，所述殼體的右端安裝有刻度板，所述刻度板的右端開設(shè)有多個且呈等距排布的刻度齒。

4、優(yōu)選的，所述殼體的內(nèi)部固定連接有限位桿，所述限位桿貫穿連接桿，所述限位桿與連接桿滑動連接，所述限位桿的上下兩端均固定連接有限位塊，所述限位塊與連接桿相適配。

5、優(yōu)選的，所述連接桿的右端固定連接有指示標針，所述指示標針貫穿刻度板的右端與刻度齒相適配。

6、優(yōu)選的，所述固定桿的左端固定連接有立軸，所述立軸貫穿晶體生長爐體的頂端。

7、優(yōu)選的，所述調(diào)節(jié)器還包括籽晶桶，所述籽晶桶安裝于晶體生長爐體的內(nèi)部，所述籽晶桶與立軸固定連接。

8、與相關(guān)技術(shù)相比較，本實用新型提供的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置有如下有益效果：

9、1、一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，通過轉(zhuǎn)動旋鈕，旋鈕帶動絲桿進行轉(zhuǎn)動，絲桿帶動螺套上下移動，螺套帶動固定桿上下移動，固定桿帶動立軸上下移動，立軸帶動籽晶桶上下移動，使得籽晶桶在晶體生長爐體內(nèi)進行上下移動，從而調(diào)節(jié)中心度高度。

10、2、一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，通過螺套帶動連接桿上下移動，連接桿帶動指示標針上下移動，指示標針在刻度板內(nèi)的刻度齒上滑動，使用者在調(diào)節(jié)高度時，可觀察指示標針在刻度齒上的位置并讀取刻度齒上的數(shù)值來確定當(dāng)前籽晶桶在晶體生長爐體內(nèi)的高度。

技術(shù)特征：

1.一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，包括支架(1)，所述支架(1)的頂端安裝有調(diào)節(jié)器(2)，所述支架(1)的左側(cè)安裝有晶體生長爐體(3)，所述調(diào)節(jié)器(2)貫穿晶體生長爐體(3)的頂端；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述殼體(201)的右端安裝有刻度板(202)，所述刻度板(202)的右端開設(shè)有多個且呈等距排布的刻度齒(203)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述殼體(201)的內(nèi)部固定連接有限位桿(205)，所述限位桿(205)貫穿連接桿(209)，所述限位桿(205)與連接桿(209)滑動連接，所述限位桿(205)的上下兩端均固定連接有限位塊(206)，所述限位塊(206)與連接桿(209)相適配。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述連接桿(209)的右端固定連接有指示標針(210)，所述指示標針(210)貫穿刻度板(202)的右端與刻度齒(203)相適配。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述固定桿(211)的左端固定連接有立軸(212)，所述立軸(212)貫穿晶體生長爐體(3)的頂端。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，其特征在于，所述調(diào)節(jié)器(2)還包括籽晶桶(213)，所述籽晶桶(213)安裝于晶體生長爐體(3)的內(nèi)部，所述籽晶桶(213)與立軸(212)固定連接。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)提供的一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，屬于晶體加工領(lǐng)域，一種晶體生長爐籽晶桿中心度調(diào)節(jié)裝置，包括支架，支架的頂端安裝有調(diào)節(jié)器，支架的左側(cè)安裝有晶體生長爐體，調(diào)節(jié)器貫穿晶體生長爐體的頂端；調(diào)節(jié)器包括殼體，殼體的內(nèi)部轉(zhuǎn)動連接有絲桿，絲桿的頂端貫穿殼體，絲桿的頂端固定連接有旋鈕，旋鈕與殼體相適配，它可實現(xiàn)通過支架支撐調(diào)節(jié)器，調(diào)節(jié)器進行上下移動，從而便于在晶體生長爐體內(nèi)進行調(diào)節(jié)中心度高度，其中，轉(zhuǎn)動旋鈕，旋鈕帶動絲桿進行轉(zhuǎn)動，絲桿帶動螺套上下移動，螺套帶動連接桿、固定桿上下移動，從而便于后續(xù)進行調(diào)節(jié)中心度高度，通過絲桿可以對中心度高度更加細致的調(diào)節(jié)，調(diào)節(jié)的精度更高。

技術(shù)研發(fā)人員：宋克銳
受保護的技術(shù)使用者：西安飛秒真空技術(shù)有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20240430
技術(shù)公布日：2025/1/6