本申請(qǐng)涉及晶體加工設(shè)備,尤其是指一種晶體生長(zhǎng)爐。
背景技術(shù):
1、晶體生長(zhǎng)技術(shù)是利用物質(zhì)(液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài))的物理化學(xué)性質(zhì)控制相變過(guò)程,獲得具有一定結(jié)構(gòu)、尺寸、形狀和性能的晶體的技術(shù)。
2、晶體生長(zhǎng)爐是一種用于晶體生長(zhǎng)培育工作的專業(yè)裝置,其目的是為了通過(guò)環(huán)境調(diào)控的方式,給晶體生長(zhǎng)提供必要條件,并提升晶體生長(zhǎng)的速度。
3、現(xiàn)有的晶體生長(zhǎng)爐,往往是通過(guò)直拉法制備單晶硅棒。直拉法制備單晶硅棒主要將原料多晶硅填入石英坩堝中,利用加熱器對(duì)石英坩堝加熱,以使石英坩堝中的原料多晶硅熔化為硅熔體,將籽晶(單晶)浸入硅熔體中,利用提拉系統(tǒng)邊旋轉(zhuǎn)邊拉動(dòng)籽晶,使硅熔體沿著拉動(dòng)方向生長(zhǎng),從而獲得滿足直徑和長(zhǎng)度需求的晶棒。
4、在晶體生長(zhǎng)爐的實(shí)際工作過(guò)程中,隨著晶棒的生長(zhǎng),石英坩堝內(nèi)的硅熔體逐漸消耗,此時(shí)需要向石英坩堝內(nèi)補(bǔ)充原料多晶硅。由于石英坩堝位于晶體生長(zhǎng)爐的主爐室內(nèi),因此需要打開(kāi)主爐室,從而實(shí)現(xiàn)石英坩堝的原料補(bǔ)充。又由于打開(kāi)主爐室費(fèi)時(shí)費(fèi)力,不利于提高晶體生長(zhǎng)爐的加工效率,因此急需一種能夠不打開(kāi)主爐室即可向石英坩堝內(nèi)補(bǔ)充原料的裝置,從而能夠提高晶體生長(zhǎng)爐的加工效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、為了解決現(xiàn)有技術(shù)的不足,本申請(qǐng)的目的在于提供一種加工效率較高的晶體生長(zhǎng)爐。
2、為實(shí)現(xiàn)上述目的,本申請(qǐng)采用如下的技術(shù)方案:
3、一種晶體生長(zhǎng)爐,該晶體生長(zhǎng)爐包括機(jī)架、提拉組件、副爐室、主爐室、坩堝和復(fù)投組件。提拉組件至少部分設(shè)置于機(jī)架上;副爐室由機(jī)架支撐并至少部分位于提拉組件的下側(cè);主爐室由機(jī)架支撐并至少部分位于副爐室的下側(cè);坩堝至少部分位于主爐室內(nèi);復(fù)投組件包括料倉(cāng)、內(nèi)輸出軸、外輸出軸和傳動(dòng)機(jī)構(gòu),料倉(cāng)內(nèi)置有物料;內(nèi)輸出軸呈空心結(jié)構(gòu)并連通料倉(cāng);外輸出軸呈空心結(jié)構(gòu)并套設(shè)于內(nèi)輸出軸上;傳動(dòng)機(jī)構(gòu)驅(qū)動(dòng)外輸出軸沿內(nèi)輸出軸的軸線移動(dòng),以使外輸出軸具有收納位置和復(fù)投位置;當(dāng)外輸出軸處于收納位置時(shí),外輸出軸位于主爐室外,當(dāng)外輸出軸處于復(fù)投位置時(shí),外輸出軸至少部分位于主爐室內(nèi)并將物料輸送至坩堝中。
4、進(jìn)一步地,傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括具有移動(dòng)自由度的傳動(dòng)件、驅(qū)動(dòng)傳動(dòng)件的驅(qū)動(dòng)件以及位于傳動(dòng)件上的移動(dòng)塊,移動(dòng)塊連接至外輸出軸,傳動(dòng)件和驅(qū)動(dòng)件傳動(dòng)連接。
5、進(jìn)一步地,傳動(dòng)件為傳送帶,移動(dòng)塊套設(shè)并連接至傳送帶。
6、進(jìn)一步地,傳動(dòng)件為絲桿,移動(dòng)塊內(nèi)設(shè)置有螺母,絲桿穿設(shè)于螺母并驅(qū)動(dòng)螺母移動(dòng)。
7、進(jìn)一步地,復(fù)投組件還包括外殼,外殼的一端連接至料倉(cāng),外殼的另一端連接至主爐室,外輸出軸和至少部分傳動(dòng)機(jī)構(gòu)位于外殼內(nèi)。
8、進(jìn)一步地,復(fù)投組件還包括第一閥門,第一閥門位于外殼和主爐室的連接處,并分別連接至外殼和主爐室。
9、進(jìn)一步地,復(fù)投組件還包括第一波紋管段,第一波紋管段位于第一閥門和外殼之間,并分別連接至第一閥門和外殼。
10、進(jìn)一步地,主爐室的上側(cè)開(kāi)設(shè)有連通口,復(fù)投組件還包括連接法蘭,連接法蘭分別連接連通口和第一閥門。
11、進(jìn)一步地,復(fù)投組件還包括第二波紋管段,第二波紋管段位于連接法蘭和第一閥門之間,并分別連接至連接法蘭和第一閥門。
12、進(jìn)一步地,復(fù)投組件還包括第二閥門,第二閥門位于內(nèi)輸出軸和料倉(cāng)之間,第二閥門還分別連接至外殼和料倉(cāng)。
13、上述晶體生長(zhǎng)爐可以使得外輸出軸能夠根據(jù)實(shí)際工作需求調(diào)整與內(nèi)輸出軸的相對(duì)位置,從而實(shí)現(xiàn)復(fù)投組件的復(fù)投作用,以提高晶體生長(zhǎng)爐的加工效率;并在復(fù)投組件處于非工作狀態(tài)時(shí),使得復(fù)投組件能夠節(jié)省空間占用率,以提高復(fù)投組件的結(jié)構(gòu)緊湊性。
1.一種晶體生長(zhǎng)爐,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)包括具有移動(dòng)自由度的傳動(dòng)件、驅(qū)動(dòng)所述傳動(dòng)件的驅(qū)動(dòng)件以及位于所述傳動(dòng)件上的移動(dòng)塊,所述移動(dòng)塊連接至所述外輸出軸,所述傳動(dòng)件和所述驅(qū)動(dòng)件傳動(dòng)連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述傳動(dòng)件為傳送帶,所述移動(dòng)塊套設(shè)并連接至所述傳送帶。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述傳動(dòng)件為絲桿,所述移動(dòng)塊內(nèi)設(shè)置有螺母,所述絲桿穿設(shè)于所述螺母并驅(qū)動(dòng)所述螺母移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述復(fù)投組件還包括外殼,所述外殼的一端連接至所述料倉(cāng),所述外殼的另一端連接至所述主爐室,所述外輸出軸和至少部分所述傳動(dòng)機(jī)構(gòu)位于所述外殼內(nèi)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述復(fù)投組件還包括第一閥門,所述第一閥門位于所述外殼和所述主爐室的連接處,并分別連接至所述外殼和所述主爐室。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述復(fù)投組件還包括第一波紋管段,所述第一波紋管段位于所述第一閥門和所述外殼之間,并分別連接至所述第一閥門和所述外殼。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述主爐室的上側(cè)開(kāi)設(shè)有連通口,所述復(fù)投組件還包括連接法蘭,所述連接法蘭分別連接所述連通口和所述第一閥門。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述復(fù)投組件還包括第二波紋管段,所述第二波紋管段位于所述連接法蘭和所述第一閥門之間,并分別連接至所述連接法蘭和所述第一閥門。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶體生長(zhǎng)爐,其特征在于,所述復(fù)投組件還包括第二閥門,所述第二閥門位于所述內(nèi)輸出軸和所述料倉(cāng)之間,所述第二閥門還分別連接至所述外殼和所述料倉(cāng)。