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半導體級硅單晶爐底部加熱器的制作方法

文檔序號:12920309閱讀:來源:國知局
技術總結(jié)
本實用新型提供了一種用于半導體級硅單晶爐的底部加熱器,它由發(fā)熱體、支撐柱、連接螺栓、支撐柱絕熱子、墊片組成,其特征在于:發(fā)熱體采用對稱式環(huán)形板狀結(jié)構(gòu),其內(nèi)外環(huán)均勻設置多道溝槽、圓孔;支撐柱裝配于發(fā)熱體兩端設有的安裝定位孔位處,并通過連接螺栓分別與發(fā)熱體緊固連接;發(fā)熱體與支撐柱之間、支撐柱底部分別設有墊片;支撐柱絕熱子裝配于支撐柱內(nèi)孔中,通過與內(nèi)部收緊止口咬合固定。其優(yōu)點在于:增大發(fā)熱面積,提高溫度場的均勻與穩(wěn)定性;增加加熱器的柔性,有助于抵抗高熱負荷條件下的變形,延長其使用壽命;采用高純度石墨、固化碳氈等材料,減少爐內(nèi)污染,晶體純度得以顯著提高。

技術研發(fā)人員:潘清躍;姜宏偉
受保護的技術使用者:南京晶能半導體科技有限公司
文檔號碼:201720392783
技術研發(fā)日:2017.04.14
技術公布日:2017.11.14

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