技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種在采用熱CVD法進(jìn)行的SiC薄膜的外延生長(zhǎng)中能夠提高摻雜密度的面內(nèi)均勻性、并且使SiC薄膜以均勻的膜厚生長(zhǎng)的方法。所述方法為碳化硅的外延生長(zhǎng)方法，是將烴氣體和硅原料氣體以C/Si比成為0.5以上且1.5以下的范圍的方式向碳化硅單晶基板上供給，采用熱CVD法在1500℃以上且低于1800℃的溫度下使其反應(yīng)，從而在碳化硅單晶基板上形成碳化硅薄膜，其特征在于，使烴氣體接觸加熱到1000℃以上且1200℃以下的烴分解催化劑，將烴氣體的至少一部分分解為碳和氫后，向所述碳化硅單晶基板上供給。

技術(shù)研發(fā)人員：伊藤涉;藍(lán)鄉(xiāng)崇;藤本辰雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新日鐵住金株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.02.12
技術(shù)公布日：2017.08.18