本發(fā)明涉及一種碲化鎘晶體。
背景技術(shù)：
碲化鎘廣泛地應(yīng)用于光譜分析、太陽能電池、紅外調(diào)制器、紅外窗場致發(fā)光器件、光電池、紅外探測、x射線探測、核放射性探測器、接近可見光區(qū)的發(fā)光器件中。
但是目前國內(nèi)還沒有比較成熟配套的生產(chǎn)工藝系統(tǒng)，大部分碲化鎘晶體仍然依賴進口，而采用傳統(tǒng)將熱棒插入碲和鎘混合粉末中加熱的方法制備碲化鎘，其熱棒加熱不夠均勻，反應(yīng)不夠充分；而采用坩堝蒸發(fā)碲和鎘反應(yīng)生成碲化鎘薄膜的方法，難于準(zhǔn)確控制碲和鎘的蒸發(fā)量，并且在大量制備碲化鎘薄膜過程中，工作人員可能接觸鎘粉的機會較多，對工作人員和環(huán)境容易造成污染和損害。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
針對上述技術(shù)問題，本發(fā)明公開一種碲化鎘晶體，包括以下步驟：
將高純碲及高純鎘按照4∶6比例混合裝入高溫爐中；
設(shè)置升溫曲線，使高溫爐在氮氣保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，以使所述高純碲及高純鎘發(fā)生化學(xué)反應(yīng)氣相沉積，形成晶體；所述升溫曲線的最高溫度不超過1200℃；且在最高溫度條件下的保溫時間不超過5小時；
將高溫爐冷卻至室溫，打開后取出碲化鎘晶體；將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑，采用真空鋁塑紙按片分裝，并用真空封裝機封口。
本發(fā)明的有益效果是所述碲化鎘晶體生產(chǎn)過程中沒有添加任何其它的輔助材料或溶劑，整個過程全部在潔凈間中進行，升溫控制安全可靠，反應(yīng)過程中沒有蒸氣外泄，不會對環(huán)境和工作人員的健康造成損害，更不會導(dǎo)致碲化鎘分解，反應(yīng)過程充分，制成的碲化鎘晶體純度高，質(zhì)量好，穩(wěn)定性高。
具體實施方式
下面對本發(fā)明做進一步的詳細(xì)說明，以令本領(lǐng)域技術(shù)人員參照說明書文字能夠據(jù)以實施。
本發(fā)明公開一種碲化鎘晶體，包括以下步驟：將高純碲及高純鎘按照4∶6比例混合裝入高溫爐中；設(shè)置升溫曲線，使高溫爐在氮氣保護條件下按照升溫曲線進行升溫過程，以使所述高純碲及高純鎘發(fā)生化學(xué)反應(yīng)氣相沉積，形成晶體；所述升溫曲線的最高溫度不超過1200℃；且在最高溫度條件下的保溫時間不超過5小時；所述升溫過程為1小時內(nèi)從室溫升至300℃，保溫30min；之后，1小時內(nèi)升至600℃，保溫2h；然后，1小時內(nèi)升至700℃，保溫6h；最后3小時內(nèi)升至1000～1200℃，最高溫度不超過1200℃，并保溫2～5h，且保溫時間不超過5小時；反應(yīng)完成后，將高溫爐冷卻至室溫，打開后取出碲化鎘晶體；將合格的碲化鎘晶體切割成不同直徑，采用真空鋁塑紙按片分裝，并用真空封裝機封口。所述碲化鎘晶體過程中沒有添加任何其它的輔助材料或溶劑，整個過程全部在潔凈間中進行，升溫控制安全可靠，反應(yīng)過程中沒有蒸氣外泄，不會對環(huán)境和工作人員的健康造成損害，更不會導(dǎo)致碲化鎘分解，反應(yīng)過程充分，制成的碲化鎘晶體純度高，質(zhì)量好，穩(wěn)定性高。潔凈間的內(nèi)部和外部環(huán)境空氣均通過高效過濾隔離，同時生產(chǎn)人員必須嚴(yán)格佩戴健康防護用具上崗，一方面是為了保護產(chǎn)品本身的品質(zhì)，另一方面更是加強了對生產(chǎn)人員與外部環(huán)境的保護。對于外形、硬度、顏色、透過率達(dá)到設(shè)定指標(biāo)的碲化鎘晶體合格品，進行下一步的切割分裝，對于不合格的碲化鎘晶體或者邊角料，提純分離或賣給回收公司，更加節(jié)約環(huán)保。
盡管本發(fā)明的實施方案已公開如上，但其并不僅僅限于說明書和實施方式中所列運用，它完全可以被適用于各種適合本發(fā)明的領(lǐng)域，對于熟悉本領(lǐng)域的人員而言，可容易地實現(xiàn)另外的修改，因此在不背離權(quán)利要求及等同范圍所限定的一般概念下，本發(fā)明并不限于特定的細(xì)節(jié)和這里示出與描述的文字。