一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置，涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。該下極板包括第一子極板和第二子極板，第二子極板位于第一子極板的下方；第一子極板包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凸起，任意相鄰第一凸起之間設(shè)置有第一槽孔；第二子極板包括與第一槽孔一一對(duì)應(yīng)的第二凸起；第二凸起穿過(guò)第一槽孔與第一凸起的上表面齊平，且第一凸起與第二凸起的上表面拼接在一起，用于承載待沉積薄膜的基板；第二子極板還包括多個(gè)第二槽孔，第二槽孔設(shè)置在相鄰第二凸起之間，用于使支撐柱穿過(guò)，以使第一子極板和第二子極板分離；其中，第一凸起和第二凸起內(nèi)具有加熱結(jié)構(gòu)。用于顯示裝置制造過(guò)程中的薄膜沉積工藝。
【專利說(shuō)明】
一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]沉積裝置廣泛的應(yīng)用于TFT_LCD(ThinFilm Transistor Liquid CrystalDisplay，薄膜晶體管液晶顯示器)、薄膜太陽(yáng)能等產(chǎn)品的制造中，用于在基板上沉積薄膜。
[0003]沉積裝置包括密閉腔室以及設(shè)置在密閉腔室內(nèi)的上極板和下極板?，F(xiàn)有技術(shù)中，如圖1(a)和1(b)所示，下極板01上設(shè)置有支撐桿(Pin)03，支撐桿03由桿體032和桿帽031組成，支撐桿03的桿體032貫穿下極板01，通過(guò)桿帽031懸掛在下極板01上。其中，下極板01上的支撐桿O3分別設(shè)置在下極板OI的外圍區(qū)域和中心區(qū)域，外圍區(qū)域的支撐桿OI的桿體O32和桿帽031均由受熱影響較小的陶瓷材料制成，中心區(qū)域的支撐桿03的桿帽031由導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能較好的材料制成，桿體O32由受熱影響較小的陶瓷材料制成。在沉積過(guò)程中，下極板01需保持零電位(通過(guò)將下極板01接地來(lái)實(shí)現(xiàn))、為工藝提供熱源(通過(guò)在下極板01中設(shè)置加熱結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn))以及承載待沉積薄膜的基板02并將其移動(dòng)到工藝位置進(jìn)行薄膜沉積。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)中沉積裝置的工作過(guò)程為:電機(jī)控制下極板01向下移動(dòng)，支撐桿03接觸腔室底部后，下極板01繼續(xù)向下移動(dòng)，此時(shí)下極板01與桿帽031分離，等到桿帽031與下極板01達(dá)到一定高度差之后，下極板01停止移動(dòng)，機(jī)械手將待沉積薄膜的基板02放置在桿帽031上后，電機(jī)控制下極板01向上移動(dòng)，支撐桿03懸掛在下極板01上，使待沉積薄膜的基板02與下極板01貼合，下極板01繼續(xù)向上移動(dòng)，達(dá)到工藝位置后，下極板01停止移動(dòng)。之后，通過(guò)上極板和下極板01之間電場(chǎng)的作用，在待沉積薄膜的基板02上進(jìn)行薄膜沉積。然后，重復(fù)下極板01向下移動(dòng)的過(guò)程，機(jī)械手先取出沉積薄膜后的基板02，再將新的待沉積薄膜的基板02置于桿帽031上，重復(fù)下極板01向上移動(dòng)的過(guò)程和沉積過(guò)程，以完成對(duì)基板02的薄膜沉積工
-H-
O
[0005]然而，雖然中心區(qū)域的桿帽031由導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能較好的材料制成，但是有桿帽031區(qū)域與無(wú)桿帽031區(qū)域的溫度相差仍較大，使得沉積后的基板02上容易產(chǎn)生光暈(Mura)，從而影響產(chǎn)品的品質(zhì)。此外，由于導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能較好的材料硬度欠佳，導(dǎo)致使用過(guò)程中會(huì)有顆粒(Particle)脫落或者桿帽031直接脫落，而脫落后的顆?；驐U帽031會(huì)粘附在基板02上，影響基板02的透過(guò)率，從而影響產(chǎn)品的品質(zhì)。再者，由于桿體032是由陶瓷材料制成，導(dǎo)致使用過(guò)程中桿體032易發(fā)生斷裂，需要定期更換支撐桿03，從而增加生產(chǎn)成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施例提供一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。
[0007]為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的實(shí)施例采用如下技術(shù)方案:
[0008]第一方面，提供一種用于沉積裝置的下極板，包括第一子極板和第二子極板，所述第二子極板位于所述第一子極板的下方;所述第一子極板包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凸起，任意相鄰所述第一凸起之間設(shè)置有第一槽孔;所述第二子極板包括與所述第一槽孔一一對(duì)應(yīng)的第二凸起;所述第二凸起穿過(guò)所述第一槽孔與所述第一凸起的上表面齊平，且所述第一凸起與所述第二凸起的上表面拼接在一起，用于承載待沉積薄膜的基板;所述第二子極板還包括多個(gè)第二槽孔，所述第二槽孔設(shè)置在相鄰所述第二凸起之間，用于使支撐柱穿過(guò)，以使所述第一子極板和所述第二子極板分離;其中，所述第一凸起和所述第二凸起內(nèi)具有加熱結(jié)構(gòu)。
[0009]優(yōu)選的，所述第二凸起的靠近上表面的部分與所述第一凸起的靠近上表面的部分接觸，以使所第二凸起與所述第一凸起的上表面拼接在一起;所述第一子極板與所述第二子極板的其余部分之間均具有間隙。
[0010]進(jìn)一步優(yōu)選的，所述第二凸起與所述第一凸起的接觸面為楔形面。
[0011]優(yōu)選的，所述間隙的寬度為5?8mm。
[0012]優(yōu)選的，所述第一凸起為條形且沿第一方向延伸，多個(gè)所述第一凸起沿第二方向間隔設(shè)置;其中，所述第一方向與所述第一子極板中一對(duì)平行邊的方向相同，所述第二方向與所述第一子極板中另一對(duì)平行邊的方向相同。
[0013]優(yōu)選的，所述第二槽孔的個(gè)數(shù)為4?8個(gè)。
[0014]基于上述，優(yōu)選的，還包括:位于所述第一子極板遠(yuǎn)離所述第一凸起一側(cè)的第一線管，以及位于所述第二子極板遠(yuǎn)離所述第二凸起一側(cè)的第二線管;所述第一線管與所述第一子極板為一體結(jié)構(gòu)，所述第二線管與所述第二子極板為一體結(jié)構(gòu);所述第一線管用于放置與所述第一凸起內(nèi)的所述加熱結(jié)構(gòu)連接的走線，所述第二線管用于放置與所述第二凸起內(nèi)的所述加熱結(jié)構(gòu)連接的走線;其中，所述第二線管包圍所述第一線管，且所述第一線管與所述第二線管之間設(shè)置密封結(jié)構(gòu)。
[0015]第二方面，提供一種沉積裝置，包括:密閉腔室以及設(shè)置在所述密閉腔室中的第一方面所述的下極板;還包括設(shè)置在所述密閉腔室底部的支撐柱，所述支撐柱與第二子極板上的第二槽孔對(duì)應(yīng)。
[0016]優(yōu)選的，還包括用于控制所述第二子極板上下移動(dòng)的電機(jī)。
[0017]基于上述，優(yōu)選的，所述沉積裝置為等離子體化學(xué)氣象沉積裝置。
[0018]本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于沉積裝置的下極板及沉積裝置，通過(guò)將下極板分為第一子極板和第二子極板，且第一子極板上包括第一凸起和第一槽孔，第二子極板上包括第二凸起。當(dāng)?shù)诙蛊鸫┻^(guò)第一槽孔時(shí)，第一凸起的上表面和第二凸起的上表面平齊且拼接在一起，從而使承載待沉積薄膜的基板的表面為平整無(wú)縫的表面，其中，由于第一凸起和第二凸起內(nèi)均具有加熱結(jié)構(gòu)，使得第一子極板和第二子極板各位置處的溫度較均勻?；诖?，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中有桿帽區(qū)域和無(wú)桿帽區(qū)域存在溫度差而導(dǎo)致沉積薄膜后的基板容易產(chǎn)生Mura，本發(fā)明提供的下極板由于溫度均勻，因而可避免沉積薄膜后的基板產(chǎn)生Mura。
[0019]此外，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)桿帽采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，本發(fā)明實(shí)施例只需使第一子極板和第二子極板材料一致即可保證下極板溫度的均勻性，而無(wú)需采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，因此可以避免使用過(guò)程中產(chǎn)生顆粒，在此基礎(chǔ)上，由于第一子極板和第二子極板為一體結(jié)構(gòu)，也不存在凸起脫落以及斷裂的問(wèn)題，因此無(wú)需定期更換。因而當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例的下極板用于沉積裝置，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。
【附圖說(shuō)明】
[0020]為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0021]圖1(a)為現(xiàn)有技術(shù)提供的一種下極板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖1(b)為圖1(a)中沿A-A向的剖視示意圖；
[0023]圖2(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一子極板的結(jié)構(gòu)不意圖一；
[0024]圖2(b)為圖2(a)中沿B-B向的剖視示意圖；
[0025]圖3(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第二子極板的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖3(b)為圖3(a)中沿C-C向的剖視示意圖；
[0027]圖4(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種下極板的俯視示意圖；
[0028]圖4(b)為圖4(a)中沿D-D向的剖視示意圖；
[0029]圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種下極板在第一極板和第二極板分離時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0030]圖6(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一凸起和第二凸起的拼接結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0031]圖6(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種第一凸起和第二凸起的拼接結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0032]圖7(a)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種下極板在第一極板和第二極板結(jié)合時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0033]圖7(b)為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種下極板在第一極板和第二極板結(jié)合時(shí)的結(jié)構(gòu)示意圖二；
[0034]圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種下極板的結(jié)構(gòu)示意圖四；
[0035]圖9為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0036]圖10為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種沉積裝置控制方法的流程圖。
[0037]附圖標(biāo)記
[0038]01-下極板;02-基板;03-支撐桿;031-桿帽；032-桿體；10-第一子極板；11第一凸起;12-第一槽孔;13-第一線管;20-第二子極板;21-第二凸起;22-第二槽孔;23-第二線管；30-加熱結(jié)構(gòu);40-機(jī)械手;50-密封結(jié)構(gòu);60-支撐柱;70-密閉腔室;71-第三槽孔。
【具體實(shí)施方式】
[0039]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0040]本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于沉積裝置的下極板，如圖2-5所示，包括第一子極板10和第二子極板20，第二子極板20位于第一子極板10的下方;第一子極板10包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凸起11，任意相鄰第一凸起11之間設(shè)置有第一槽孔12;第二子極板20包括與第一槽孔12—一對(duì)應(yīng)的第二凸起21;第二凸起21穿過(guò)第一槽孔12與第一凸起11的上表面齊平，且第一凸起11與第二凸起21的上表面拼接在一起，用于承載待沉積薄膜的基板02。
[0041]第二子極板20還包括多個(gè)第二槽孔22，第二槽孔22設(shè)置在相鄰第二凸起21之間，用于使支撐柱(圖2-4中未示出)穿過(guò)，以使第一子極板10和第二子極板20分離;其中，第一凸起11和第二凸起21內(nèi)具有加熱結(jié)構(gòu)30。
[0042]需要說(shuō)明的是，第一，如圖2(a)、2(b)和圖3(a)、2(b)所示、以及圖4(b)所示、圖5所示，第一子極板10和第二子極板20均為一體化結(jié)構(gòu)，且材料相同。
[0043]其中，第一子極板10和第二子極板20材料可選擇具有導(dǎo)熱性的材料，例如可以為招O
[0044]第二，如圖5所示，當(dāng)?shù)谝蛔訕O板10和第二子極板20分離后，機(jī)械手40通過(guò)插入到相鄰兩個(gè)第一凸起11之間的空間內(nèi)來(lái)取放基板02，因此，不對(duì)第一凸起11的高度和相鄰兩個(gè)第一凸起11之間的間距進(jìn)行限定，能使機(jī)械手40通過(guò)即可。
[0045]此外，不對(duì)第一凸起11的個(gè)數(shù)進(jìn)行限定，可以根據(jù)下極板的大小以及機(jī)械手40的參數(shù)進(jìn)行合理設(shè)置，附圖中第一凸起11均為示意。
[0046]第三，如圖4(a)和圖4(b)所示，當(dāng)?shù)诙訕O板20穿過(guò)第一子極板10后，第一凸起11與第二凸起21的上表面拼接形成一個(gè)平整無(wú)縫的表面。
[0047]其中，如圖6(a)所示，可以只在第一凸起11與第二凸起21側(cè)壁的靠近上表面的部分貼合，或者，如圖6 (b)所示，整個(gè)側(cè)壁都貼合。
[0048]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，沉積裝置中的下極板，一方面是用于承載待沉積薄膜的基板02，另一方面還需為沉積工藝提供熱源。因此，為了確保待沉積薄膜的基板02能夠均勻受熱，第一凸起11和第二凸起21上表面拼接形成的平面的面積應(yīng)不小于待沉積薄膜的基板02。
[0049]第四，不對(duì)第二槽孔22的個(gè)數(shù)及形狀進(jìn)行限定，能分離第一子極板10和第二子極板20，并在支撐柱穿過(guò)第二槽孔22后，能使支撐柱平穩(wěn)的支撐第一子極板10即可。
[0050]第五，為了保證在沉積工藝中，使待沉積薄膜的基板02均勻受熱，在每個(gè)凸起內(nèi)均勻設(shè)置加熱結(jié)如構(gòu)30。
[0051 ]其中，優(yōu)選在第一凸起11和第二凸起21上表面拼接后，加熱結(jié)構(gòu)30與該上表面之間的距離一致。
[0052]第六，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，加熱結(jié)構(gòu)30應(yīng)與第一子極板10和第二子極板20絕緣。例如，當(dāng)加熱結(jié)構(gòu)30為電阻絲時(shí)，加熱結(jié)構(gòu)30外部應(yīng)設(shè)置絕緣膜。
[0053]本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于沉積裝置的下極板，通過(guò)將下極板分為第一子極板10和第二子極板20，且第一子極板10上包括第一凸起11和第一槽孔12，第二子極板20上包括第二凸起21。當(dāng)?shù)诙蛊?1穿過(guò)第一槽孔12時(shí)，第一凸起11的上表面和第二凸起21的上表面平齊且拼接在一起，從而使承載待沉積薄膜的基板02的表面為平整無(wú)縫的表面，其中，由于第一凸起11和第二凸起21內(nèi)均具有加熱結(jié)構(gòu)30，使得第一子極板10和第二子極板20各位置處的溫度較均勻?；诖耍鄬?duì)現(xiàn)有技術(shù)中有桿帽031區(qū)域和無(wú)桿帽031區(qū)域存在溫度差而導(dǎo)致沉積薄膜后的基板02容易產(chǎn)生Mura，本發(fā)明提供的下極板由于溫度均勻，因而可避免沉積薄膜后的基板02產(chǎn)生Mura。
[0054]此外，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)桿帽031采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，本發(fā)明實(shí)施例只需使第一子極板10和第二子極板20材料一致即可保證下極板溫度的均勻性，而無(wú)需采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，因此可以避免使用過(guò)程中產(chǎn)生顆粒，在此基礎(chǔ)上，由于第一子極板10和第二子極板20為一體結(jié)構(gòu)，也不存在凸起脫落以及斷裂的問(wèn)題，因此無(wú)需定期更換。因而當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例的下極板用于沉積裝置，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。
[0055]優(yōu)選的，如圖6(a)、圖7(a)和圖7(b)所示，第二凸起21的靠近上表面的部分與第一凸起11的靠近上表面的部分接觸，以使第二凸起21與第一凸起11的上表面拼接在一起;第一子極板10與第二子極板20的其余部分之間均具有間隙。
[0056]需要說(shuō)明的是，第一，由于第二凸起21與第一凸起11僅在靠近上表面的部分接觸，因此在接觸處，需使第一凸起11的靠近上表面的部分向第二凸起21側(cè)凸出一些，而第二凸起21需收縮一些，或者需使第二凸起21的靠近上表面的部分向第一凸起11側(cè)凸出一些，而第一凸起11需收縮一些。在此基礎(chǔ)上，考慮到第一凸起11的靠近上表面的部分向第二凸起21側(cè)凸出時(shí)，可在第二凸起21穿過(guò)第一槽孔12時(shí)，控制第二凸起21的高度，還可以在水平方向上使第一子極板10和第二子極板20具有間距。因此，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選第一凸起11的靠近上表面的部分向第二凸起21側(cè)凸出，相應(yīng)的第二凸起21收縮。
[0057]其中，沿相鄰第一凸起11之間的間距方向，如圖7(a)所示，第一槽孔12的寬度可以等于相鄰第一凸起11之間的間距，且大于第二凸起21沿該方向的寬度；或者，如圖7(b)所示，第一槽孔12的寬度小于相鄰第一凸起11之間的間距，但等于第二凸起21沿該方向的寬度。
[0058]第二，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，當(dāng)下極板為待沉積薄膜的基板02提供的熱源不均勻時(shí)，沉積薄膜后的基板02會(huì)出現(xiàn)Mura現(xiàn)象，因此，對(duì)于第一子極板10和第二子極板20之間的間隙不宜過(guò)大，優(yōu)選為5?8mm。
[0059]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)在第一子極板10和第二子極板20的非拼接部分設(shè)置有間隙，一方面，可以避免第一子極板10和第二子極板20發(fā)生膨脹后相互擠壓而變形，導(dǎo)致第一凸起11和第二凸起21的上表面拼接形成的表面不平整，而使基板02上出現(xiàn)Mura現(xiàn)象。另一方面，沿相鄰第一凸起11之間的間距方向，當(dāng)?shù)谝徊劭?2的寬度大于第二凸起21沿該方向的寬度時(shí)，還可以避免第一子極板10和第二子極板20在相對(duì)移動(dòng)的過(guò)程中產(chǎn)生摩擦，導(dǎo)致第一凸起11和第二凸起21的上表面拼接位置處局部溫度較高，而使基板02上出現(xiàn)Mura現(xiàn)象。
[0060]進(jìn)一步優(yōu)選的，如圖7(a)和圖7(b)所示，第二凸起21與第一凸起11的接觸面為楔形面。
[0061]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將第二凸起21與第一凸起11的接觸面設(shè)置為楔形面，可以減小因接觸面處熱膨脹導(dǎo)致第一凸起11和第二凸起21的上表面拼接形成的表面不平整的現(xiàn)象。
[0062]優(yōu)選的，如圖2(a)所示，第一凸起11為條形且沿第一方向延伸，多個(gè)第一凸起11沿第二方向間隔設(shè)置;其中，第一方向與第一子極板10中一對(duì)平行邊的方向相同，第二方向與第一子極板10中另一對(duì)平行邊的方向相同。
[0063]其中，由于在相鄰兩個(gè)第一凸起11之間間隔設(shè)置有第一槽孔12，因此，當(dāng)?shù)谝煌蛊?1為條形且沿第一方向延伸時(shí)，第一槽孔12必然也為條形且沿第一方向延伸，多個(gè)第一槽孔12沿第二方向間隔設(shè)置。
[0064]相應(yīng)的，如圖3(a)所示，第二子極板20上的第二凸起21也為條形且沿第一方向延伸。
[0065]需要說(shuō)明的是，如圖2(a)所示，為了保證第一子極板10為一個(gè)整體，第一槽孔12并不是從一側(cè)邊緣延伸至另一側(cè)邊緣，而是在邊緣位置處第一子極板10連接在一起。
[0066]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將第一凸起11和第一槽孔12均設(shè)置為沿第一方向延伸，沿第二方向間隔設(shè)置的結(jié)構(gòu)，可減少第一凸起11和第一槽孔12的個(gè)數(shù)，即減少第一凸起11和第二凸起21的個(gè)數(shù)，從而減少第一凸起11和第二凸起21上表面的個(gè)數(shù)，即減少了第一凸起11和第二凸起21上表面拼接成的平面中拼接縫的條數(shù)，進(jìn)而可避免因拼接縫條數(shù)較多時(shí)，容易出現(xiàn)拼接不良而導(dǎo)致基板02上產(chǎn)生Mura的問(wèn)題。
[0067]優(yōu)選的，第二子極板20上設(shè)置的第二槽孔22的個(gè)數(shù)為4?8個(gè)。
[0068]其中，優(yōu)選第二槽孔22均勻的分布在第二子極板20上。
[0069]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將第二槽孔22的個(gè)數(shù)設(shè)置為4?8個(gè)，可以在保證平穩(wěn)支撐第一子極板10的情況下，簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)。
[0070]基于上述，優(yōu)選的，如圖8所示，所述子極板還包括:位于第一子極板10遠(yuǎn)離第一凸起11 一側(cè)的第一線管13，以及位于第二子極20板遠(yuǎn)離第二凸起21—側(cè)的第二線管23;第一線管13與第一子極板10為一體結(jié)構(gòu)，第二線管23與第二子極板20為一體結(jié)構(gòu);第一線管13用于放置與第一凸起11內(nèi)的加熱結(jié)構(gòu)30連接的走線(圖中未示出)，第二線管23用于放置與第二凸起21內(nèi)的加熱結(jié)構(gòu)30連接的走線(圖中未示出)；其中，第二線管23包圍第一線管13，且第一線管13與第二線管23之間設(shè)置密封結(jié)構(gòu)50。
[0071]需要說(shuō)明的是，由于在第一子極板10和第二子極板20相對(duì)移動(dòng)時(shí)，第一線管13和第二線管23之間也會(huì)相對(duì)移動(dòng)，在相對(duì)移動(dòng)的過(guò)程中會(huì)產(chǎn)生摩擦，且第一線管13和第二線管23受熱之后會(huì)發(fā)生膨脹，因此，本發(fā)明實(shí)施例提供的下極板中，第一線管13和第二線管23之間具有間隙。
[0072]此外，為避免第一子極板10和第二子極板20分離時(shí)，空氣會(huì)通過(guò)第一線管13和第二線管23之間的間隙進(jìn)入到沉積裝置內(nèi)部而影響工藝環(huán)境，本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)密封結(jié)構(gòu)50對(duì)第一線管13和第二線管23之間的間隙進(jìn)行密封。其中，本發(fā)明實(shí)施例中，不對(duì)密封結(jié)構(gòu)50的具體設(shè)置位置以及材料進(jìn)行限定。
[0073]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)將第一子極板10和第二子極板20中的走線通過(guò)第一線管13和第二線管23引出到沉積裝置外部，且第二線管23包圍第一線管13，這樣一來(lái)，可以減少在密封腔室上設(shè)置通出走線管的第三槽孔的個(gè)數(shù)。
[0074]本發(fā)明實(shí)施例提供一種沉積裝置，如圖9所示，包括密閉腔室70以及設(shè)置在密閉腔室70中的上述下極板;還包括設(shè)置在密閉腔室70底部的支撐柱60，支撐柱60與第二子極板20上的第二槽孔22——對(duì)應(yīng)。
[0075]需要說(shuō)明的是，第一，為了減小支撐柱60和第二槽孔22之間的摩擦，本發(fā)明實(shí)施例優(yōu)選的，支撐柱60上表面的面積小于第二槽孔22的內(nèi)表面積。
[0076]第二，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，第一線管13和第二線管23需要將走線引出到密閉腔室70外，因此，根據(jù)第一線管13和第二線管23的結(jié)構(gòu)，密閉腔室70與線管接觸的位置處應(yīng)設(shè)置有第三槽孔71，當(dāng)然，為了確保密閉腔室70處于密封狀態(tài)，第三槽孔71周圍應(yīng)設(shè)置有密封結(jié)構(gòu)(圖中未示出)。圖9只是示例性的給出第三槽孔71設(shè)置在腔室70底部處，并不進(jìn)行任何限定。
[0077]第三，沉積裝置，例如可以為等離子體化學(xué)氣象沉積裝置。
[0078]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種沉積裝置，通過(guò)將沉積裝置中的下極板分為第一子極板10和第二子極板20，且第一子極板10上包括第一凸起11和第一槽孔12，第二子極板20上包括第二凸起21。當(dāng)?shù)诙蛊?1穿過(guò)第一槽孔12時(shí)，第一凸起11的上表面和第二凸起21的上表面平齊且拼接在一起，從而使承載待沉積薄膜的基板02的表面為平整無(wú)縫的表面，其中，由于第一凸起11和第二凸起21內(nèi)均具有加熱結(jié)構(gòu)30，使得第一子極板10和第二子極板20各位置處的溫度較均勻?；诖耍鄬?duì)現(xiàn)有技術(shù)中有桿帽031區(qū)域和無(wú)桿帽031區(qū)域存在溫度差而導(dǎo)致沉積薄膜后的基板02容易產(chǎn)生Mura，本發(fā)明提供的下極板由于溫度均勻，因而可避免沉積薄膜后的基板02產(chǎn)生Mura。
[0079]此外，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)桿帽031采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，本發(fā)明實(shí)施例只需使第一子極板10和第二子極板20材料一致即可保證下極板溫度的均勻性，而無(wú)需采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，因此可以避免使用過(guò)程中產(chǎn)生顆粒，在此基礎(chǔ)上，由于第一子極板10和第二子極板20為一體結(jié)構(gòu)，也不存在凸起脫落以及斷裂的問(wèn)題，因此無(wú)需定期更換。因而當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例的下極板用于沉積裝置，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。
[0080]優(yōu)選的，所述沉積裝置還包括用于控制第二子極板20上下移動(dòng)的電機(jī)。
[0081]其中，當(dāng)電機(jī)控制第二子極板20向下移動(dòng)時(shí)，第一子極板10在重力作用下會(huì)跟隨第二子極板20—起向下移動(dòng)，當(dāng)?shù)谝蛔訕O板10與穿過(guò)第二槽孔22的支撐柱60接觸后，第二子極板20在電機(jī)的控制下繼續(xù)向下移動(dòng)，此時(shí)，第一子極板10與第二子極板20分離，當(dāng)?shù)谝蛔訕O板10與第二子極板20距離一定高度時(shí)，機(jī)械手40便可穿過(guò)第一凸起11之間的間隙取放基板02。之后，電機(jī)控制第二子極板20向上移動(dòng)，當(dāng)?shù)谝蛔訕O板10的上表面和第二子極板20的上表面拼接在一起后，電機(jī)帶動(dòng)第一子極板10和第二子極板20—起移動(dòng)到工藝位置。
[0082]此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，電機(jī)是通過(guò)控制與第二子極板20連接的伸縮結(jié)構(gòu)的上下移動(dòng)來(lái)控制第二子極板20上下移動(dòng)的。
[0083]本發(fā)明實(shí)施例通過(guò)使用一個(gè)電機(jī)控制沉積裝置中子極板的上下移動(dòng)，可以簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，降低成本。
[0084]本發(fā)明實(shí)施例還提供一種沉積裝置的控制方法，如圖10所示，所述控制方法具體包括:
[0085]S10、當(dāng)位于下極板上的基板02沉積薄膜后，控制下極板中的第二子極板20向下移動(dòng)，在重力作用下，下極板中的第一子極板10跟隨第二子極板20—起移動(dòng)，直至第一子極板10與支撐柱60接觸。
[0086]其中，當(dāng)?shù)谝蛔訕O板10與支撐柱60接觸后，支撐柱60會(huì)阻礙第一子極板10繼續(xù)向下移動(dòng)。
[0087]S20、控制第二子極板20繼續(xù)向下移動(dòng)，直至到達(dá)第一預(yù)定位置，以使第二子極板20與第一子極板10分咼。
[0088]其中，第二子極板20移動(dòng)到的第一預(yù)定位置為使第二子極板20與第一子極板10分離且機(jī)械手40能取走基板02的位置。
[0089]S30、當(dāng)機(jī)械手40從第一子極板10上取走基板02后，控制第二子極板20向上移動(dòng)，直至第二子極板20中第二凸起21與第一子極板10中第一凸起11的上表面拼接在一起。
[0090]其中，在這一控制過(guò)程中，機(jī)械手40取走沉積薄膜后的基板02后，會(huì)放入新的待沉積薄膜的基板02，然后電機(jī)控制第二子極板20向上移動(dòng)。
[0091]S40、控制第二子極板20向上移動(dòng)至第二預(yù)定位置，以對(duì)位于下極板上的待沉積薄膜的基板02進(jìn)行薄膜沉積。
[0092]此時(shí)，當(dāng)?shù)诙訕O板20向上移動(dòng)時(shí)，會(huì)帶動(dòng)第一子極板10—起向上移動(dòng)，即下極板整體向上移動(dòng)。
[0093]其中，第二預(yù)定位置為滿足沉積工藝中對(duì)上極板和下極板之間距離要求的工藝位置。
[0094]本發(fā)明實(shí)施例提供一種沉積裝置的控制方法，通過(guò)將沉積裝置中的下極板分為第一子極板10和第二子極板20，且第一子極板10上包括第一凸起11和第一槽孔12，第二子極板20上包括第二凸起21。當(dāng)?shù)诙蛊?1穿過(guò)第一槽孔12時(shí)，第一凸起11的上表面和第二凸起21的上表面平齊且拼接在一起，從而使承載待沉積薄膜的基板02的表面為平整無(wú)縫的表面，其中，由于第一凸起11和第二凸起21內(nèi)均具有加熱結(jié)構(gòu)30，使得第一子極板10和第二子極板20各位置處的溫度較均勻?；诖耍鄬?duì)現(xiàn)有技術(shù)中有桿帽031區(qū)域和無(wú)桿帽031區(qū)域存在溫度差而導(dǎo)致沉積薄膜后的基板02容易產(chǎn)生Mura，本發(fā)明提供的下極板由于溫度均勻，因而可避免沉積薄膜后的基板02產(chǎn)生Mura。
[0095]此外，相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)桿帽031采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，本發(fā)明實(shí)施例只需使第一子極板10和第二子極板20材料一致即可保證下極板溫度的均勻性，而無(wú)需采用高導(dǎo)熱和導(dǎo)電性能的材料，因此可以避免使用過(guò)程中產(chǎn)生顆粒，在此基礎(chǔ)上，由于第一子極板10和第二子極板20為一體結(jié)構(gòu)，也不存在凸起脫落以及斷裂的問(wèn)題，因此無(wú)需定期更換。因而當(dāng)本發(fā)明實(shí)施例的下極板用于沉積裝置，可提高產(chǎn)品品質(zhì)，降低生產(chǎn)成本。
[0096]以上所述，僅為本發(fā)明的【具體實(shí)施方式】，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)以所述權(quán)利要求的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于沉積裝置的下極板，其特征在于，包括第一子極板和第二子極板，所述第二子極板位于所述第一子極板的下方； 所述第一子極板包括間隔設(shè)置的多個(gè)第一凸起，任意相鄰所述第一凸起之間設(shè)置有第一槽孔； 所述第二子極板包括與所述第一槽孔一一對(duì)應(yīng)的第二凸起;所述第二凸起穿過(guò)所述第一槽孔與所述第一凸起的上表面齊平，且所述第一凸起與所述第二凸起的上表面拼接在一起，用于承載待沉積薄膜的基板； 所述第二子極板還包括多個(gè)第二槽孔，所述第二槽孔設(shè)置在相鄰所述第二凸起之間，用于使支撐柱穿過(guò)，以使所述第一子極板和所述第二子極板分離； 其中，所述第一凸起和所述第二凸起內(nèi)具有加熱結(jié)構(gòu)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下極板，其特征在于，所述第二凸起的靠近上表面的部分與所述第一凸起的靠近上表面的部分接觸，以使所第二凸起與所述第一凸起的上表面拼接在一起； 所述第一子極板與所述第二子極板的其余部分之間均具有間隙。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下極板，其特征在于，所述第二凸起與所述第一凸起的接觸面為楔形面。4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的下極板，其特征在于，所述間隙的寬度為5?8mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下極板，其特征在于，所述第一凸起為條形且沿第一方向延伸，多個(gè)所述第一凸起沿第二方向間隔設(shè)置； 其中，所述第一方向與所述第一子極板中一對(duì)平行邊的方向相同，所述第二方向與所述第一子極板中另一對(duì)平行邊的方向相同。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的下極板，其特征在于，所述第二槽孔的個(gè)數(shù)為4?8個(gè)。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的下極板，其特征在于，還包括:位于所述第一子極板遠(yuǎn)離所述第一凸起一側(cè)的第一線管，以及位于所述第二子極板遠(yuǎn)離所述第二凸起一側(cè)的第二線管； 所述第一線管與所述第一子極板為一體結(jié)構(gòu)，所述第二線管與所述第二子極板為一體結(jié)構(gòu)； 所述第一線管用于放置與所述第一凸起內(nèi)的所述加熱結(jié)構(gòu)連接的走線，所述第二線管用于放置與所述第二凸起內(nèi)的所述加熱結(jié)構(gòu)連接的走線； 其中，所述第二線管包圍所述第一線管，且所述第一線管與所述第二線管之間設(shè)置密封結(jié)構(gòu)。8.—種沉積裝置，其特征在于，包括:密閉腔室以及設(shè)置在所述密閉腔室中的權(quán)利要求1 -7任一項(xiàng)所述的下極板； 還包括設(shè)置在所述密閉腔室底部的支撐柱，所述支撐柱與第二子極板上的第二槽孔一一對(duì)應(yīng)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的沉積裝置，其特征在于，還包括用于控制所述第二子極板上下移動(dòng)的電機(jī)。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的沉積裝置，其特征在于，所述沉積裝置為等離子體化學(xué)氣象沉積裝置。
【文檔編號(hào)】C23C16/458GK106086807SQ201610589352
【公開(kāi)日】2016年11月9日
【申請(qǐng)日】2016年7月22日 公開(kāi)號(hào)201610589352.4, CN 106086807 A, CN 106086807A, CN 201610589352, CN-A-106086807, CN106086807 A, CN106086807A, CN201610589352, CN201610589352.4
【發(fā)明人】楊曉東, 董杰, 金哲山, 周東淇, 張興洋, 胡毓龍, 王謙, 高歡, 龔勛
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