刻的方式將未受保護(hù)的區(qū)域去除以形成修整粒101，隨后將掩膜200去除干凈，得到拋光墊修整器的結(jié)構(gòu)。
[0074]在本實(shí)施例中，修整粒101的形狀可以為平頭錐柱(如圖3A所示)或尖頭錐柱(如圖3B所示)，也可為其他合適的形狀。如圖3A或圖3B所示，修整粒的高度為h，并且，300 μ m>h>100μ m。
[0075]在本實(shí)施例中，修整粒在基板100上的分布為有規(guī)律的規(guī)則分布，例如，可以為區(qū)域性分布或整面分布。示例性地，修整粒的個(gè)數(shù)由中心向外圈遞減或遞增。其中，修整粒101的大小可以相同也可以不相同，示例性地，修整粒的粒徑由基板的外圈向中心處遞增。優(yōu)選地,位于基板100的中心區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的修整粒的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端，具體地，可以為基板100的表面為平面，但修整粒的高度不一致；也可以為基板100的表面為具有弧度或多種層次的凸出面，而修整粒的高度一致。此時(shí)的修整粒在整體上具有多個(gè)高度不同的層次，其修整粒高低間隙可增加修整粒的有效運(yùn)用。其中，在同一個(gè)拋光墊修整器上定義一種或多種的修整粒高度排列，可以將拋光墊修整出均勻且粗細(xì)相間的纖毛，其中，較高的修整粒(指頂端高的修整粒)能刺入拋光墊表面移除表面阻塞物且刮出較深的溝槽，可以提高拋光墊表面拋光漿的披覆量，而較低的修整粒(指頂端低的修整粒)則可以同時(shí)刮出較淺溝槽，使拋光墊表面得到均勻的細(xì)纖毛結(jié)構(gòu)，而提高拋光效率。
[0076]在本實(shí)施例中，可以采用特定軸向的藍(lán)寶石晶體(C-軸、V-軸、r-軸、a-軸、m_軸)作為基板(修整器基材)，經(jīng)過(guò)刻蝕成型(形成修整粒)后，形成具有多種高度的修整粒的拋光墊修整器，其修整粒排列方式經(jīng)特殊設(shè)計(jì)。
[0077]在進(jìn)行研磨時(shí)，修整器拋光墊的表面一致化及提高修整器拋光墊的拋光效率是一直追求的目標(biāo)，然而，均高的修整粒排列容易使修整的殘屑滯留在拋光墊與拋光墊修整器的表面，不易藉由離心力排除而一直在修整碟內(nèi)部循環(huán)、填塞空隙，因而會(huì)降低移除效率，且一致性的修整粒的尖端磨耗，接觸面積增加，會(huì)導(dǎo)致需持續(xù)增加拋光墊修整器的下壓力以維持整體修整力。而在本實(shí)施例中，當(dāng)拋光墊修整器的基板100的形成修整粒的表面為凸出面(例如:具有弧度的凸出面或具有多個(gè)層次的凸出面)時(shí)，基板100的形狀可以使得中心區(qū)域的修整粒101的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端，因此，在進(jìn)行修整時(shí)，中央凸出部位的修整粒101可以刺入拋光墊的表面移除表面阻塞物且均勻刮出較深的溝槽，而外圍的修整粒101亦可被利用；同時(shí)，如此非完全平面的設(shè)計(jì)，可以提高研磨時(shí)排除殘屑的效率，避免平面結(jié)構(gòu)的排屑不易的問(wèn)題，進(jìn)而提高修整拋光墊的效率。另外，如此之設(shè)計(jì)，使用時(shí)亦可用拋光墊修整器的中央部位抵住拋光墊，承受大部分力量，利用周邊修整粒以層次的方式修整拋光墊表面，因而可以使拋光墊修整器的整體使用壽命得到提升。當(dāng)然，只要位于基板100的中心區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的修整粒的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端(包括基板100的表面為平面、修整粒的高度不一致的情況)，就可以具有前述技術(shù)效果。
[0078]步驟A4:對(duì)基板100以及所述修整粒101進(jìn)行熱處理，以修復(fù)刻蝕造成的損傷。
[0079]當(dāng)基板100為藍(lán)寶石基板時(shí)，在步驟A3進(jìn)行蝕刻制程的過(guò)程中，包含了物理性及化學(xué)性去除氧化鋁的機(jī)制，皆會(huì)造成基板100及修整粒101的損傷(包括:表面晶格缺陷、錯(cuò)位等情況)，導(dǎo)致表面所能承受的應(yīng)力將會(huì)低于穩(wěn)定的藍(lán)寶石結(jié)構(gòu)。因此，本步驟利用熱處理制程修復(fù)刻蝕造成的損傷(即，將表面缺陷進(jìn)行重組，使表面得到較穩(wěn)定的晶格排序)，以提升拋光墊修整器表面所能承受應(yīng)力和拋光墊修整器的壽命。
[0080]示例性地，本實(shí)施例的熱處理制程包括:將基板100(8卩，已完成修整粒制作的藍(lán)寶石拋光墊修整器)，置入高溫爐以一定速率升溫，升溫至一預(yù)定溫度(例如300-180(TC )后保持該溫度若干時(shí)間(例如:1?10小時(shí))，然后降溫至室溫。其中，不同的熱處理溫度將會(huì)對(duì)藍(lán)寶石表面型態(tài)造成不同程度的改變，具體可以根據(jù)實(shí)際需要進(jìn)行選擇，此處并不進(jìn)行限定。
[0081 ] 本發(fā)明實(shí)施例的拋光墊修整器的制造方法制得的拋光墊修整器，由于通過(guò)在基板100上刻蝕形成修整粒，因此，修整粒101與基板100為一體結(jié)構(gòu)，與現(xiàn)有技術(shù)相比，具有修整粒不容易脫落的優(yōu)點(diǎn)，可以提高拋光墊修整器的使用壽命，并提高拋光良率。
[0082]此外，當(dāng)位于基板100的中心區(qū)域(中央?yún)^(qū)域)的修整粒的頂端高于其他區(qū)域的修整粒的頂端時(shí),在進(jìn)行修整時(shí)，中央凸出部位的修整粒101可以刺入拋光墊的表面移除表面阻塞物且均勻刮出較深的溝槽，而外圍的修整粒101亦可被利用；同時(shí)，這一設(shè)計(jì)還可以提高研磨時(shí)排除殘屑的效率，避免修整粒頂端高度一致的結(jié)構(gòu)的排屑不易的問(wèn)題，進(jìn)而提高修整拋光墊的效率。
[0083]參照?qǐng)D6，其中示出了本發(fā)明實(shí)施例的拋光墊修整器的制造方法中的一種典型方法的流程圖，用于簡(jiǎn)要示出整個(gè)制造工藝的流程。具體包括:
[0084]步驟SlOl:提供用于制備拋光墊修整器的基板；
[0085]步驟S102:在所述基板的用于形成修整粒的表面上形成掩膜；
[0086]步驟S103:對(duì)所述基板進(jìn)行刻蝕以在所述基板上形成修整粒，去除所述掩膜。
[0087]本發(fā)明已經(jīng)通過(guò)上述實(shí)施例進(jìn)行了說(shuō)明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說(shuō)明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書(shū)及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種拋光墊修整器，其特征在于，包括基板與位于所述基板的工作面之上并突出所述工作面的多個(gè)修整粒，其中，所述修整粒與所述基板為一體結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整粒在所述基板上規(guī)則排列，并且所述修整粒的頂端具有至少兩個(gè)層次。3.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，位于所述基板的中心區(qū)域的所述修整粒的頂端高于位于其他區(qū)域的所述修整粒的頂端。4.如權(quán)利要求1所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面為平面，或具有弧度的凸出面，或具有至少兩個(gè)階層的凸出面。5.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面為具有弧度的凸出面，其中，所述基板的邊緣區(qū)域與中央?yún)^(qū)域的高度差為R，并且，300 μ m>S>100μ mD6.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面為具有至少兩個(gè)階層的凸出面，其中，相鄰的不同階層的高度差為S，并且，50 μ m>S>10 μ m。7.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述基板的所述工作面為具有至少兩個(gè)階層的凸出面，其中所述階層的數(shù)量范圍為3-10。8.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整粒的數(shù)量由中心向外圈遞減或遞增。9.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述修整粒的形狀包括平頭錐柱或尖頭錐柱；和/或，所述修整粒的高度范圍為100-300 μ m。10.如權(quán)利要求1至4任一項(xiàng)所述的拋光墊修整器，其特征在于，所述基板與所述修整粒的材料為藍(lán)寶石。11.一種拋光墊修整器的制造方法，其特征在于，所述方法包括: 步驟SlOl:提供用于制備拋光墊修整器的基板； 步驟S102:在所述基板的用于形成修整粒的表面上形成掩膜； 步驟S103:對(duì)所述基板進(jìn)行刻蝕以在所述基板上形成修整粒，去除所述掩膜。12.如權(quán)利要求11所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于，所述基板為藍(lán)寶石基板，并且，所述步驟SlOl包括: 步驟SlOll:將氧化鋁原料經(jīng)由高溫爐進(jìn)行熔料，藉由特定軸向晶種進(jìn)行拉晶、冷卻以完成氧化鋁單晶的生長(zhǎng)，形成晶棒； 步驟S1012:沿特定軸向?qū)λ鼍О暨M(jìn)行切片，形成基板； 步驟S1013:對(duì)所述基板的表面進(jìn)行修整。13.如權(quán)利要求11或12所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于，在所述步驟S103之后還包括步驟S104: 對(duì)所述基板以及所述修整粒進(jìn)行熱處理，以修復(fù)刻蝕造成的損傷。14.如權(quán)利要求11或12所述的拋光墊修整器的制造方法，其特征在于，所述修整粒在所述基板上規(guī)則排列，并且所述修整粒的頂端具有至少兩個(gè)層次。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種拋光墊修整器及其制造方法。本發(fā)明的拋光墊修整器，包括基板與位于所述基板的工作面之上并突出所述工作面的多個(gè)修整粒，其中，所述修整粒與所述基板為一體結(jié)構(gòu)。該拋光墊修整器，由于修整粒與基板為一體結(jié)構(gòu)，具有修整粒不易脫落的優(yōu)點(diǎn)，因而可以提高拋光墊修整器的使用壽命和拋光良率。本發(fā)明的拋光墊修整器的制造方法，用于制造該拋光墊修整器，制得的拋光墊修整器同樣具有上述優(yōu)點(diǎn)。
【IPC分類】B24B53/017
【公開(kāi)號(hào)】CN104972398
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410134362
【發(fā)明人】許孝平
【申請(qǐng)人】深圳市平華興科技有限公司
【公開(kāi)日】2015年10月14日
【申請(qǐng)日】2014年4月3日