專利名稱：生長氮氧硅薄膜的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜制備方法。
濺射生長的氮氧硅(SiON)作為優(yōu)良的絕緣膜材料被廣泛地應(yīng)用于各種薄膜電子器件中，目前濺射生長氮氧硅薄膜采用硅(Si)反應(yīng)濺射方法獲得。由這種方法得到的薄膜表面平整，致密性好，但對其生長的氣體條件要求很嚴(yán)，較難掌握，另外濺射時反應(yīng)不完全，存在富硅現(xiàn)象，影響膜的透過率。
本發(fā)明的目的是提供一種生長SiON薄膜的方法，該方法在生長薄膜時無明顯依賴氣體條件，不存在富硅問題，透過率有較大改善。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案是濺射的陰極材料為石英(SiO2)，濺射氣體為氬氣，反應(yīng)氣體為氮氣，氬氣中摻入5-10％氮氣再通入真空室，壓強為0.5-0.8Pa，襯底溫度200℃，射頻功率可根據(jù)所需的生長速率調(diào)節(jié)。
本發(fā)明采用石英為濺射陰極，硅、氧濺射產(chǎn)額不同造成的失氧由參與反應(yīng)的氮氣補充，因此不存在富硅現(xiàn)象，提高了薄膜的透過率。只需在濺射氣體中摻入一定量的氮氣，膜的質(zhì)量對濺射的氣體條件無明顯地依賴性，易于掌握生長條件。
下面結(jié)合實施例對本發(fā)明作具體說明。
實施例陰極材料為石英(SiO2)、純度為99.99％，濺射壓強控制在0.7Pa，氮氣流量32ml/s，氬氣流量400ml/s，生長速度500A/min，襯底溫度200℃。
權(quán)利要求
1.一種生長氮氧硅薄膜的方法，其特征在于濺射的陰極材料為石英(SiO2)，濺射氣體為氬氣，反應(yīng)氣體為氮氣，氬氣中摻入5-10％氮氣再通入真空室，壓強為0.5-0.8Pa，襯底溫度200℃，射頻功率可根據(jù)所需的生長速率調(diào)節(jié)。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種薄膜制備方法。濺射生長在氮氧硅(SiON)作為優(yōu)良的絕緣膜材料被廣泛地應(yīng)用于各種薄膜電子器件中,目前濺射生長氮氧硅薄膜采用硅(Si)反應(yīng)濺射方法獲得。由這種方法得到的薄膜表面平整,致密性好,但對其生長的氣體條件要求很嚴(yán),較難掌握,另外濺射時反應(yīng)不完全,存在富硅現(xiàn)象,影響膜的透過率。本發(fā)明提供了一種生長SiON薄膜的方法,該方法在生長薄膜無明顯依賴氣體條件,不存在富硅問題,透過率有較大改善。
文檔編號C23C14/06GK1186124SQ96114798
公開日1998年7月1日 申請日期1996年12月26日 優(yōu)先權(quán)日1996年12月26日
發(fā)明者高鵬濤, 葉如華 申請人:中國科學(xué)院長春物理研究所