本發(fā)明屬于電致變色產(chǎn)品，涉及一種透明導(dǎo)電基層的制備方法及電致變色組件。

背景技術(shù)：

1、隨著電致變色產(chǎn)品尺寸越來越大，變色響應(yīng)時(shí)間要求越來越短，便對底層透明導(dǎo)電薄膜的方阻穩(wěn)定性要求越來越高，既要保證方阻穩(wěn)定也需要保證方阻在一定的膜厚基礎(chǔ)上越低越好，所以底層導(dǎo)電層穩(wěn)定且較低的方阻是解決電致變色產(chǎn)品以上高要求的關(guān)鍵。

2、現(xiàn)有技術(shù)方案公開了一種制造具結(jié)晶結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電薄膜的方法，方法包括下列步驟：基板進(jìn)入真空腔體后，基板溫度維持室溫或不超過50℃；利用磁控濺鍍方式在基板一表面沉積一層透明導(dǎo)電薄膜；利用磁控濺鍍方式在沉積的透明導(dǎo)電薄膜上再沉積另一不同成分的透明導(dǎo)電薄膜；將鍍有透明導(dǎo)電薄膜的基板進(jìn)行溫度低于160℃的加熱處理。

3、現(xiàn)有技術(shù)方案公開了一種具p型非晶質(zhì)硅及透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板及制備方法，該方法包括齊備一具有透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板；于該具有透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板的表面形成紋理，得到一具有紋理表面結(jié)構(gòu)的具有透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板；以及使用物理氣相沉積法在該具有紋理表面結(jié)構(gòu)的具有透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板上形成一非晶質(zhì)硅p型層，得到一具備p型非晶質(zhì)硅及透明導(dǎo)電氧化物薄膜的基板。

4、現(xiàn)有技術(shù)方案公開了一種新型的復(fù)合透明導(dǎo)電氧化物薄膜，尤其適用于薄膜太陽能電池技術(shù)，具體包括至少一層低壓化學(xué)氣相沉積或者金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積方法制備的具有絨面結(jié)構(gòu)的本征氧化鋅薄膜或摻雜氧化鋅薄膜和至少一層摻雜的透明導(dǎo)電氧化物薄膜，構(gòu)成復(fù)合透明導(dǎo)電氧化物薄膜。

5、但是，現(xiàn)有技術(shù)還存在底部透明導(dǎo)電層經(jīng)過后后續(xù)疊層工藝時(shí)，方阻會(huì)大幅上升；導(dǎo)致電致變色膜層下部導(dǎo)電層阻抗變大無法實(shí)現(xiàn)有效的變色功能等問題；目前也會(huì)采用氟摻雜氧化錫薄膜材料代替透明導(dǎo)電薄膜材料，或者將透明導(dǎo)電薄膜厚度提升至數(shù)倍以上來削弱方阻熱穩(wěn)定性不穩(wěn)定的影響，但該現(xiàn)有氟摻雜氧化錫薄膜材料因其表面粗糙度較大嚴(yán)重影響產(chǎn)品使用壽命；部分廠商增加了對氟摻雜氧化錫薄膜材料的拋光研磨工藝，但大幅的增加成本；透明導(dǎo)電薄膜厚度提升同樣增加生產(chǎn)成本，同時(shí)也降低產(chǎn)品的透過性能。因此，亟需設(shè)計(jì)開發(fā)一種透明導(dǎo)電基層的制備方法，克服現(xiàn)有技術(shù)缺陷，以滿足實(shí)際應(yīng)用需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、針對現(xiàn)有技術(shù)存在的不足，本發(fā)明的目的在于提供一種透明導(dǎo)電基層的制備方法及電致變色組件，在本發(fā)明中，通過限定透明導(dǎo)電基層的制備方法和參數(shù)，在不改變透明導(dǎo)電薄膜厚度的前提下即可以保證方阻不會(huì)升高，甚至下降到更低水平，與氟摻雜氧化錫材料相比有更好的透過率及粗糙度，與傳統(tǒng)工藝的透明導(dǎo)電薄膜相比有更穩(wěn)定、更低的方阻，極大提升了產(chǎn)品性能。

2、為達(dá)此目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案：

3、第一方面，本發(fā)明提供了一種透明導(dǎo)電基層的制備方法，所述制備方法包括：

4、基板的一側(cè)表面通過物理氣相沉積至少一層透明導(dǎo)電薄膜后，進(jìn)行真空烘烤處理，得到所述透明導(dǎo)電基層；所述物理氣相沉積的溫度≤120℃，所述真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃。

5、在本發(fā)明中，通過限定透明導(dǎo)電基層的制備方法和參數(shù)，在不改變透明導(dǎo)電薄膜厚度的前提下即可以保證方阻不會(huì)升高，甚至下降到更低水平，與氟摻雜氧化錫材料相比有更好的透過率及粗糙度，與傳統(tǒng)工藝的透明導(dǎo)電薄膜相比有更穩(wěn)定、更低的方阻，極大提升了產(chǎn)品性能。

6、需要說明的是，本發(fā)明中物理氣相沉積的溫度≤120℃，例如可以是20℃、30℃、40℃、50℃、60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、119℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用；真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃，例如可以是200℃、220℃、240℃、260℃、300℃、320℃、340℃、360℃、380℃、400℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

7、本發(fā)明物理氣相沉積的溫度≤120℃，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得ito不會(huì)有微晶態(tài)產(chǎn)生，進(jìn)一步選擇60℃～120℃，(本發(fā)明ito指的是透明導(dǎo)電薄膜)是因?yàn)榭梢愿玫姆艑抜to?power的范圍；若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致ito真空退火后方阻效果不理想，這是因?yàn)閕to結(jié)晶微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生了變化。

8、本發(fā)明真空烘烤處理的溫度為200℃～400℃，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得ito方阻下降，進(jìn)一步選擇260℃～380℃，是因?yàn)榭梢员ＷC設(shè)備升降溫時(shí)間不會(huì)較長，也對設(shè)備壽命是一種保護(hù)；若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致破片或者ito方阻無法下降，這是因?yàn)闇囟容^低時(shí)退火效果達(dá)不到，溫度過高玻璃應(yīng)力性破片。

9、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述物理氣相沉積的溫度為60℃～120℃，例如可以是60℃、70℃、80℃、90℃、100℃、110℃、120℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

10、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述物理氣相沉積的氧含量＜1.5％，例如可以是1.48％、1.4％、1.3％、1.2％、1％、0.9％、0.8％、0.6％、0.5％、0.3％、0.2％、0％等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

11、本發(fā)明物理氣相沉積的氧含量＜1.5％，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得ito有較佳的氧空穴，若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致空穴與電子的比例失調(diào)，方阻降幅不理想，這是因?yàn)閕to是n型半導(dǎo)體主要依靠空穴和電子導(dǎo)電。

12、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述透明導(dǎo)電薄膜的厚度為120nm～800nm，例如可以是120nm、150nm、200nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、800nm等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

13、本發(fā)明透明導(dǎo)電薄膜的厚度為120nm～800nm，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得電致變色產(chǎn)品有較好的快速變色功能，若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致變色慢或者無法變色，這是因?yàn)殡娭伦兩┘拥耐獠侩妷狠^低，方阻較大時(shí)電流較小實(shí)現(xiàn)不了變色。

14、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空烘烤處理的溫度為230℃～300℃，例如可以是230℃、240℃、250℃、260℃、270℃、280℃、290℃、300℃等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

15、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001pa～2000pa，例如可以是0.0001pa、0.1pa、1pa、10pa、100pa、1000pa、1200pa、1400pa、1600pa、1800pa、2000pa等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

16、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空烘烤處理的壓力為0.0001pa～0.001pa，例如可以是0.0001pa、0.0003pa、pa、0.0006pa、0.0009pa、0.001pa等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

17、本發(fā)明真空烘烤處理的壓力為0.0001pa～2000pa，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得ito方阻下降，進(jìn)一步選擇0.0001pa～0.001pa，是因?yàn)殡s氣較少可以獲得膜層更單一致密的ito；若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致ito方阻下降幅度較小及膜層純度較差，這是因?yàn)殡s氣會(huì)與ito薄膜反應(yīng)改變膜質(zhì)。

18、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空烘烤處理的時(shí)間為10min～120min，例如可以是10min、20min、40min、60min、80min、100min、110min、120min等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

19、作為本發(fā)明一種優(yōu)選的技術(shù)方案，所述真空烘烤處理的時(shí)間為30min～90min，例如可以是30min、35min、40min、45min、50min、55min、60min、65min、70min、75min、80min、85min、90min等，但并不僅限于所列舉的數(shù)值，該數(shù)值范圍內(nèi)其他未列舉的數(shù)值同樣適用。

20、本發(fā)明真空烘烤處理的時(shí)間為10min～120min，是因?yàn)樵诖朔秶鷥?nèi)可以使得ito方阻下降，進(jìn)一步選擇30min～90min，是因?yàn)閕to方阻可以大幅下降并保持穩(wěn)定；若不在此范圍內(nèi)可能會(huì)導(dǎo)致ito方阻下降不夠達(dá)不到效果，這是因?yàn)閕to薄膜結(jié)晶需要時(shí)間，時(shí)間不足會(huì)導(dǎo)致結(jié)晶不充分。

21、第二方面，本發(fā)明提供了一種電致變色組件，所述電致變色組件包括第一方面所述制備方法制備得到的透明導(dǎo)電基層，以及所述透明導(dǎo)電基層設(shè)置有所述透明導(dǎo)電薄膜的一側(cè)表面層疊設(shè)置的電致變色層。

22、需要說明的是，本發(fā)明通過制備得到的透明導(dǎo)電基層上層疊設(shè)置電致變色層，其中，電致變色層可以通過濺鍍方式設(shè)置在透明導(dǎo)電基層上，濺鍍的溫度可以是280～400℃，時(shí)間可以是5～60min；使得經(jīng)過后面高溫有氧制程后的透明導(dǎo)電基層方阻不但不會(huì)升高反而會(huì)有一定幅度下降，保證電致變色層下部的導(dǎo)電層阻抗更低，較低電壓時(shí)即可有較好的變色效率。

23、需要說明的是，本發(fā)明中的電致變色層可以是一層，也可以是多層，對其材質(zhì)沒有具體限定，可以是氧化鎢層、鋰層、鎳層等，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際情況進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整。

24、本發(fā)明所述的數(shù)值范圍不僅包括上述例舉的點(diǎn)值，還包括沒有例舉出的上述數(shù)值范圍之間的任意的點(diǎn)值，限于篇幅及出于簡明的考慮，本發(fā)明不再窮盡列舉所述范圍包括的具體點(diǎn)值。

25、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果為：

26、在本發(fā)明中，通過限定透明導(dǎo)電基層的制備方法和參數(shù)，在不改變透明導(dǎo)電薄膜厚度的前提下即可以保證方阻不會(huì)升高，甚至下降到更低水平，與氟摻雜氧化錫材料相比有更好的透過率及粗糙度，與傳統(tǒng)工藝的透明導(dǎo)電薄膜相比有更穩(wěn)定、更低的方阻，極大提升了產(chǎn)品性能。