【技術(shù)領(lǐng)域】

本發(fā)明涉及納米材料技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種三維金屬納米線及其制備方法。

背景技術(shù)：

近年來，針對開發(fā)高性能的導電骨架材料，學術(shù)界進行了一系列的嘗試。常見的鎳金屬多孔材料主要由模板法或脫合金法制得，如常用的泡沫鎳，具有開放和無序排列的孔結(jié)構(gòu)，孔尺寸通常在幾百微米。脫合金化方法屬于自上而下的制備方法，采用這一方法得到的三維多孔電極孔徑較小，同時對金屬種類有局限，孔分布也難以實現(xiàn)高度有序。通過靜電紡絲纖維(直徑300-400nm)化學鍍鎳可獲得尺寸更小的鎳納米纖維無紡布，但是空間利用率低、孔結(jié)構(gòu)也是無序分布。目前已知的多孔金屬導電骨架網(wǎng)絡(luò)的制作方法大多仍未能獲得大范圍結(jié)構(gòu)有序的納米多孔結(jié)構(gòu)。而成功開發(fā)三維金屬納米線結(jié)構(gòu)材料，不但對于開發(fā)高性能的電極導電骨架結(jié)構(gòu)意義重大，也對人們進一步認識滲流理論、電化學反應動力學、以及開發(fā)新型電催化材料、傳感器、生物制藥等技術(shù)意義重大。

以上背景技術(shù)內(nèi)容的公開僅用于輔助理解本發(fā)明的發(fā)明構(gòu)思及技術(shù)方案，其并不必然屬于本專利申請的現(xiàn)有技術(shù)，在沒有明確的證據(jù)表明上述內(nèi)容在本專利申請的申請日已經(jīng)公開的情況下，上述背景技術(shù)不應當用于評價本申請的新穎性和創(chuàng)造性。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是：彌補上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，提出一種三維金屬納米線及其制備方法，可制得有序排列的三維結(jié)構(gòu)金屬納米線。

本發(fā)明的技術(shù)問題通過以下的技術(shù)方案予以解決：

一種三維金屬納米線的制備方法，包括以下步驟：s1，配制濃度為0.01～1mol/l的金屬離子溶液，加入絡(luò)合劑、成核劑，通過堿溶液調(diào)節(jié)ph值為10.0～13.5，制得a溶液；其中，所述金屬離子為磁性金屬離子或者磁性金屬離子和非磁性金屬離子的混合；s2，配制0.1～3mol/l的強還原性的還原劑溶液，調(diào)節(jié)堿溶液調(diào)節(jié)ph值為10.0～13.5，制得b溶液；s3，提供一反應容器，將經(jīng)活化處理的基底置于所述反應容器中，將所述a溶液與所述b溶液置于所述反應容器中充分混合，在50～100℃和0.005～1t的磁場條件下反應t時間，其中，以第一磁場方向反應t1時間，以第二磁場方向反應t2時間，以第三磁場方向反應時間t3時間，所述第一磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向平行，所述第二磁場方向和所述第三磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向垂直，且所述第二磁場方向和所述第三磁場方向之間夾角為90°，t1+t2+t3＝t，t滿足在反應容器中出現(xiàn)團聚現(xiàn)象之前終止反應，制得含有由磁性金屬納米線或者合金納米線構(gòu)筑的三維金屬納米線的反應原液。

一種根據(jù)如上所述的制備方法制得的三維金屬納米線。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)對比的有益效果是：

本發(fā)明的金屬納米線的制備方法中，由強還原性的還原劑對金屬離子進行還原反應，保證金屬離子快速被還原成金屬單質(zhì)，同時引入的成核劑可以保證反應初期通過還原劑的作用產(chǎn)生大量的晶核，保證了后續(xù)磁性金屬納米結(jié)構(gòu)的生長。配合反應過程中的磁場調(diào)控以及絡(luò)合劑的作用，在特定階段沿三個特定方向上施加磁場，在磁場誘導和絡(luò)合劑調(diào)控的作用下，控制磁性金屬納米結(jié)構(gòu)生長速度和晶粒尺寸，調(diào)控不同方向的勻強磁場誘導，使得磁性金屬納米結(jié)構(gòu)在多個方向上實現(xiàn)定向生長、排列和冷焊作用下，構(gòu)建成多維度高度有序的納米金屬材料。這一結(jié)構(gòu)除了具有能提供給電子和離子進行高效輸運的通道外，由于它具有金屬鍵交聯(lián)結(jié)構(gòu)，因此在力學性能方面與無序的納米線纏繞體結(jié)構(gòu)有顯著區(qū)別------有序的交聯(lián)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)可使宏觀上形成在基底上的金屬具有一定的可壓縮性和柔軟度，特別有利于應用在柔性可彎曲儲能器件領(lǐng)域：一方面，該金屬材料作為電極在充放電過程中具有釋放應力的特性，有助于緩解活性材料的結(jié)構(gòu)坍塌，從而提升器件的循環(huán)穩(wěn)定性；另一方面，其充裕的空間結(jié)構(gòu)也有利于提高單位面積和單位體積的活性物質(zhì)的載量，從而提升器件的比容量。

【附圖說明】

圖1是本發(fā)明具體實施方式中制備三維金屬納米線的過程示意圖；

圖2是本發(fā)明具體實施方式中實施例1制得的三維鎳納米線的掃描電子顯微鏡照片；

圖3是本發(fā)明具體實施方式中實施例2制得的三維鎳鈷合金納米線的掃描電子顯微鏡照片。

【具體實施方式】

下面結(jié)合具體實施方式并對照附圖對本發(fā)明做進一步詳細說明。

本具體實施方式中提供一種金屬納米線的制備方法，包括以下步驟：

s1，配制濃度為0.01～1mol/l的金屬離子溶液，加入絡(luò)合劑、成核劑，通過堿溶液調(diào)節(jié)ph值為10.0～13.5，制得a溶液。其中，所述金屬離子為磁性金屬離子或者磁性金屬離子和非磁性金屬離子的混合。

該步驟中，金屬離子溶液優(yōu)選為金屬鹽溶液。其中，磁性金屬離子可為鎳、鈷、鐵的二價金屬離子中的一種或多種的混合。金屬離子的濃度在0.01～1mol/l，一方面，如果濃度太低，得到的金屬納米線很少，產(chǎn)率低，不利于應用。但如果濃度高于1mol/l時，在后續(xù)步驟s3中被還原過程中會產(chǎn)生大量金屬納米線，如果金屬納米線濃度過高，納米線之間由于相互“焊接”“糾纏”在一起，最終制得的產(chǎn)物是類似海綿的一團金屬物質(zhì)。強調(diào)金屬離子至少包括磁性金屬離子，則是基于后續(xù)能接受外加磁場的作用而排列生長為納米線。當包括磁性金屬離子和非磁性金屬離子時，生長過程中以磁性金屬作為模板引導非磁性金屬的生長，最終制得由磁性金屬和非磁性金屬構(gòu)成的合金納米線。

配制過程中，絡(luò)合劑可為na3c6h5o7、h3c6h5o7、h2c2o4、na2c2o4、c10h14n2na2o8中的一種或多種的混合。優(yōu)選為na3c6h5o7、na2c2o4，具有良好的絡(luò)合作用效果，更易實現(xiàn)對反應速度的調(diào)控，從而獲得設(shè)計尺寸下的金屬納米線。成核劑可為貴金屬鹽和/或貴金屬酸，例如選自氯鉑酸、氯鈀酸、氯金酸，要求成核劑中所含金屬離子比所制備的磁性金屬離子更容易被還原。

配制a溶液后，用于后續(xù)與b溶液混合后發(fā)生還原反應。

s2，配制0.1～3mol/l的強還原性的還原劑溶液，調(diào)節(jié)堿溶液調(diào)節(jié)ph值為10.0～13.5，制得b溶液。

該步驟中，強還原性的還原劑可為硼氫化鈉、硼氫化鉀、醛類、水合肼、羥胺、氯化亞錫中的一種或幾種的混合。優(yōu)選地，還原劑為n2h4·h2o、nabh4、nh2oh中的一種或多種的混合。其中，采用n2h4·h2o可以在較短時間內(nèi)制備出所需結(jié)構(gòu)的鎳納米線，在實際生產(chǎn)中可以提高生產(chǎn)效率。

配制時，還原劑的濃度在0.1～3mol/l，如低于0.1mol/l時，金屬納米線產(chǎn)率低，同時低濃度下還原性不夠，也不能很好的形成納米線結(jié)構(gòu)，高于3mol/l的濃度時，還原劑過量，特別是水合肼，由于本身是劇毒類的還原劑，對于后續(xù)處理會有影響。另一方面隨著還原劑濃度的提高，反應速率會相應的加快，還原劑濃度太高，還原性強，金屬納米線之間很容易被“冷焊”在一起，形成海綿狀的一團物質(zhì)。當還原劑過量太多，還原性很強的情況下，一旦體系中被還原出大量納米線結(jié)構(gòu)，納米線之間搭接在一起時，很容易在被搭接處還原出的金屬單質(zhì)焊接在一起，不容易可控地使納米線按設(shè)定的磁場方向來進行逐步生長排列。

s3，提供一反應容器，將經(jīng)活化處理的基底置于所述反應容器中，將所述a溶液與所述b溶液置于所述反應容器中充分混合，在50～100℃和0.005～1t的磁場條件下反應t時間，其中，以第一磁場方向反應t1時間，以第二磁場方向反應t2時間，以第三磁場方向反應時間t3時間，所述第一磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向平行，所述第二磁場方向和所述第三磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向垂直，且所述第二磁場方向和所述第三磁場方向之間夾角為90°，t1+t2+t3＝t，t滿足在反應容器中出現(xiàn)團聚現(xiàn)象之前終止反應，制得含有由磁性金屬納米線或者合金納米線構(gòu)建的三維金屬納米線的反應原液。

該步驟中，基底材料可以是任意穩(wěn)定存在的金屬或非金屬的片狀材料，優(yōu)選為鈦片、鎳片、不銹鋼片、銅片、硅片、pet膜、pi膜?；罨幚頃r，可通過電鍍、化學鍍、化學氣相沉積、磁控濺射、蒸鍍方法中的任意一種在基底上構(gòu)建活化種子層?；罨N子層可包括多個金屬納米顆粒；所述多個金屬納米顆粒為鈀納米顆粒、金納米顆粒、鉑納米顆粒、銥納米顆粒、銠納米顆粒、釕納米顆粒中的一種或者多種的混合。

將活化處理的基底置于反應容器中，a、b溶液也混合在加熱的反應容器中，設(shè)定好溫度，然后將該反應器整個置于一定強度一定方向的磁場下，保持反應一定時間，最后關(guān)閉磁場、停止加熱，得到含有由磁性金屬納米線或者合金納米線構(gòu)筑的三維金屬納米線的反應原液。如步驟s1中的金屬離子是磁性金屬離子，得到的金屬納米線是純的磁性金屬納米線，其中，純金屬納米線是鐵、鈷、鎳等磁性金屬中的一種。如步驟s1中的金屬離子是磁性金屬離子與非磁性金屬離子的混合或者多種磁性金屬離子的混合，得到的金屬納米線即為合金(磁性金屬與非磁性金屬構(gòu)成的合金或者兩種磁性金屬構(gòu)成的合金)的納米線。

反應中施加磁場時，沿三個方向施加，具體地，以控制反應時長為t時間段為例，以第一磁場方向反應t1時間，以第二磁場方向反應t2時間，以第三磁場方向反應時間t3時間，所述第一磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向平行，所述第二磁場方向和所述第三磁場方向使得對所述反應容器中的物質(zhì)產(chǎn)生的磁力的方向與物質(zhì)所受重力方向垂直，且所述第二磁場方向和所述第三磁場方向之間夾角為90°。通過上述調(diào)控，如圖1所示，在第一磁場方向的作用下，納米線沿重力方向生長成具有一定長度的線狀基材，在第二磁場方向和第三磁場方向下，則沿垂直方向上生長，從而形成三維網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，各段反應時間滿足：t1≤t2＜t3。通過時間區(qū)間設(shè)定為t1≤t2＜t3，能夠保證在反應初期納米線結(jié)構(gòu)能夠在基底上進行垂直生長形成一定長度的單取向納米線陣列，隨后在改變磁場方向后，適當延長反應時間，確保在第一階段反應后的離子濃度和還原劑濃度下能構(gòu)建與上述單取向陣列垂直的納米線結(jié)構(gòu)，最后，在第三階段，通過延長反應時間，確保第三方向上納米線結(jié)構(gòu)反應完全，由于該階段時的離子濃度和還原劑濃度處于整個過程中最低的階段，故控制反應時間較長，從而使第三階段的納米線結(jié)構(gòu)與前兩個階段盡可能地均勻一致。

進一步優(yōu)選地，反應中還包括在所述反應容器內(nèi)加入可形成水凝膠的物質(zhì)。可形成水凝膠的物質(zhì)包括聚丙烯酰胺、丙烯酰胺-丙烯酸鈉共聚物、聚甲基丙烯酸羥乙酯、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯醇、殼聚糖中的一種或多種的混合。在容器中加入可形成水凝膠的物質(zhì)后，一方面，由于凝膠中的有機網(wǎng)絡(luò)可對反應體系起一定的形狀固定作用，使得反應過程中各個階段的納米線結(jié)構(gòu)能夠穩(wěn)定不受外力破壞，保持高度的規(guī)整性，對三維金屬納米線網(wǎng)絡(luò)的構(gòu)建具有一定的支撐作用；另一方面，由于凝膠網(wǎng)絡(luò)中的金屬鹽離子和還原劑可以自由交換，可在反應持續(xù)進行的條件下，進一步控制反應速度，從而使得反應的各個階段磁場方向轉(zhuǎn)變和納米線定向的生長更加可控。通過上述兩方面的作用，從而使得最終得到的三維金屬納米線網(wǎng)絡(luò)更加穩(wěn)定可靠。

需說明的是，該步驟中，反應需在出現(xiàn)團聚現(xiàn)象之前及時終止反應。如出現(xiàn)團聚現(xiàn)象，則表明溶液中的金屬已團聚成團狀海綿結(jié)構(gòu)，不再是可便于后續(xù)有效收集金屬納米線的反應原液。由于a溶液和b溶液的具體類別、濃度、以及加熱溫度等因素的影響，反應所需的時間t不一。例如，濃度高時，反應較短的時間t即可，稍長即會出現(xiàn)團聚；濃度低時，則需反應較長的時間t。一般地，反應時間t大概在5～300分鐘的范圍內(nèi)，具體時長則因具體反應條件的不同而不同，具體時長的確定依據(jù)出現(xiàn)團聚現(xiàn)象來確定。例如，當前條件下反應90分鐘出現(xiàn)了團聚現(xiàn)象，則調(diào)節(jié)下一次相同條件時反應80分鐘或者85分鐘后及時終止反應，以避免出現(xiàn)團聚，制得線狀結(jié)構(gòu)的反應原液。終止反應可通過停止加熱，或者加入溶液以降低反應后溶液的ph值為中性等手段實現(xiàn)。

a、b溶液混合反生還原反應，強還原性的還原劑還原金屬離子，使得金屬離子快速被還原成金屬單質(zhì)。在反應過程中，成核劑用于保證反應初期通過還原劑的作用產(chǎn)生大量的晶核，保證了后續(xù)金屬納米結(jié)構(gòu)的生長。還原反應過程中，施加磁場誘導，通過磁場的磁力使得初期的金屬晶粒沿磁場方向生長排列成線，絡(luò)合劑相配合，控制反應速率不至于過快，而來不及發(fā)揮磁場誘導力進行引導排列，就直接生長成為大的顆粒。通過上述還原反應，配合各組分的協(xié)同作用，最終通過還原反應，不需要依靠模板，即制得金屬納米線。也因此，可實現(xiàn)在低溫(50～100℃)下制得金屬納米線。

磁場強度控制在0.005～1t，如磁場強度低于0.005t，強度太低，被還原的金屬晶體不容易受弱磁場作用而排列成線；如磁場強度高于1t，磁場作用太強，金屬晶?？焖俦贿€原和排列生長，易聚集冷焊，形成團狀物質(zhì)。

需說明的是，制備過程中，配制的a溶液和b溶液混合后，溶液中僅存在金屬鹽、絡(luò)合劑、還原劑、成核劑這四種物質(zhì)，不涉及高分子物質(zhì)或者其它模板劑，這樣，在反應后，制得的納米線表面不存在其它物質(zhì)(例如高分子化合物層)，因此得到的金屬納米線的表面非常潔凈，導電性也高。

上述制備過程中，優(yōu)選地，步驟s3為：將a溶液與b溶液分別于50～100℃下預熱5～60分鐘后再將兩者充分混合，在50～100℃和0.005～1t的磁場條件下反應t時間，在出現(xiàn)團聚現(xiàn)象之前終止反應，制得含三維金屬納米線的反應原液。通過預熱的a溶液與b溶液，在混合時即反應初期，還原劑能使成核劑(例如貴金屬鹽)形成大量且均勻分散的晶核，從而給磁性金屬原子生長提供了大量的反應起始位點(晶種)，保證反應的整個過程處于恒定的溫度下，從而使得合成的納米線具有極佳的尺寸均一性。

進一步優(yōu)選地，步驟s3中包括：反應t時間后，加入質(zhì)量分數(shù)為0.5％～10％的酸溶液調(diào)節(jié)反應后的溶液的ph值為6.0～8.5，制得所述反應原液。反應時長達到后，通過加入稀酸溶液，酸與體系中的堿反應降低ph，調(diào)節(jié)ph為中性左右，從而使還原劑的還原性大大降低，另外，加入的酸還可以與部分還原劑反應從而最終使還原反應有效終止。通過有效終止還原反應，可以有效避免體系中的磁性金屬離子繼續(xù)被還原，避免造成過量的納米線間發(fā)生纏結(jié)、焊接從而團聚的現(xiàn)象。采用稀濃度的、適量的酸來終止可以有效避免三維金屬納米線結(jié)構(gòu)進一步生長團聚而出現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)不穩(wěn)定的不利因素，同時通過對濃度和用量的設(shè)計也可以避免磁性金屬納米線的結(jié)構(gòu)不至于被酸腐蝕破壞。

優(yōu)選地，步驟s1中，所述金屬離子濃度為0.1～0.75mol/l，通過堿溶液調(diào)節(jié)ph值為12.0～13.0。在該濃度范圍下，生成的金屬納米線尺寸均一，直徑為30nm～300nm、長度為1μm～100μm。在該范圍下金屬納米線的導電性、納米線后續(xù)分散的穩(wěn)定性較佳。此外，可實現(xiàn)在上述濃度下的制備，是由于依靠還原劑還原反應，體系中僅為鹽溶液、還原劑溶液以及成核劑和絡(luò)合劑，體系中未引入高分子，體系粘度不會因為納米線產(chǎn)率增加而快速提高，納米線間仍能彼此分散。而現(xiàn)有制備過程中，通過軟模板引導生長，金屬離子的濃度通過較低，僅為幾十μmol/g以下，這樣設(shè)置，主要考慮濃度高難以形成納米線，且容易沉降的問題。本具體實施方式中不存在這些問題，從而可在該濃度下反應，產(chǎn)量相應也較高。

優(yōu)選地，步驟s3中，反應溫度為50℃～80℃；磁場強度為0.01～0.1t；t時間為15～60分鐘。通過在該反應條件下，反應過程溫和、還原反應進行的速率較為合適，所制得的金屬納米線尺寸均一，且可以按需調(diào)控金屬納米線的尺寸和形貌特征。

綜上，通過本具體實施方式所述的金屬納米線的制備方法，不需要使用任何軟模板或硬模板，通過磁場誘導的方法調(diào)控磁性金屬顆粒沿磁場方向排列、生長、冷焊連接，可實現(xiàn)在低溫條件下大批量可控制備直徑和長度可調(diào)、純凈、單分散的磁性金屬納米線或者合金納米線，且制得的金屬納米線有序排列成三維的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。本具體實施方式中，通過磁場、還原劑、成核劑、原材料濃度、溫度和反應時間這些因素的綜合調(diào)控，只在一定范圍內(nèi)獲得金屬納米線，否則得到的是類似于微納米顆粒、納米海綿等納米材料。本具體實施方式具有不需要模板、直接在溶液中一鍋合成、反應溫度低(50～100℃)、尺寸形貌均一且可調(diào)控等特點。本具體實施方式工藝簡單可靠、反應條件溫和、納米線導電性高、形貌單一、生產(chǎn)效率高、生產(chǎn)成本較低，制得的產(chǎn)品具有純度高、質(zhì)量好、尺寸分布均勻、排列有序等特點，易于進行擴大生產(chǎn)，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。

如下，通過具體實施例驗證本具體實施方式的金屬納米線的制備方法制得的金屬納米線的形貌和尺寸范圍。

實施例1

(1)配制金屬離子溶液(a溶液)：

以水為溶劑按下列濃度配置a溶液400ml，并使用堿溶液調(diào)節(jié)該溶液的ph為12.0：

nicl20.1mol/l

na2c2o40.035mol/l

h2pdcl40.2×10^-3mol/l

(2)配置強還原劑溶液(b溶液)：

配置濃度為0.25mol/l水合肼溶液400ml，再使用堿溶液調(diào)節(jié)到ph值為12.5.

(3)溶液相中還原：

將a溶液與b溶液于60℃水浴條件下分別預熱30分鐘，然后充分混合，將磁控濺射pd的鈦片置于反應容器中，并倒入60℃聚丙烯酰胺溶液，將所述a溶液與所述b溶液置于反應容器中充分混合，并在60℃和0.1t的與重力方向平行的第一磁場方向條件下反應15分鐘，隨后將磁場方向設(shè)置為與重力方向垂直的第二磁場方向，繼續(xù)反應15分鐘，隨后將磁場方向設(shè)置為與重力方向垂直且與第二磁場方向呈90°的第三磁場方向，繼續(xù)反應30分鐘，最后加入質(zhì)量分數(shù)為2％的鹽酸調(diào)節(jié)溶液的ph為7.5，制得三維鎳納米線材料。

經(jīng)過掃描電子顯微鏡(sem)測試，如圖2所示，所得到鎳納米線平均直徑為110納米，且鎳納米線在立體空間上排列搭建成穩(wěn)定的三維網(wǎng)格形狀。

實施例2

(1)配制金屬離子溶液(a溶液)：

以水為溶劑按下列濃度配置a溶液400ml，并使用堿溶液調(diào)節(jié)該溶液的ph為12.0：

(2)配置強還原劑溶液(b溶液)：

配置濃度為0.2mol/l水合肼溶液400ml，再使用堿溶液調(diào)節(jié)到ph值為12.0.

(3)溶液相中還原：

將a溶液與b溶液于50℃水浴條件下分別預熱30分鐘，然后充分混合，將電沉積金屬鉑的鎳片置于反應容器中，并倒入50℃的丙烯酰胺-丙烯酸鈉共聚物溶液，將所述a溶液與所述b溶液置于反應容器中充分混合，并在50℃和0.08t的與重力方向平行的第一磁場方向條件下反應20分鐘，隨后將磁場方向設(shè)置為與重力方向垂直的第二磁場方向，繼續(xù)反應25分鐘，隨后將磁場方向設(shè)置為與重力方向垂直且與第二磁場方向呈90°的第三磁場方向，繼續(xù)反應40分鐘，最后加入質(zhì)量分數(shù)為1％的鹽酸調(diào)節(jié)溶液的ph為7.0，制得三維鎳鈷合金納米線材料。

經(jīng)過掃描電子顯微鏡(sem)測試，如圖3所示，所得到鎳鈷納米線平均直徑為210納米，且鎳鈷納米線在立體空間上排列搭建成穩(wěn)定的三維網(wǎng)格形狀。

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本發(fā)明所作的進一步詳細說明，不能認定本發(fā)明的具體實施只局限于這些說明。對于本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下做出若干替代或明顯變型，而且性能或用途相同，都應當視為屬于本發(fā)明的保護范圍。