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基于脈沖電子束沉積技術(shù)制備鈦酸鋇納米鐵電薄膜的方法與流程

文檔序號(hào):11613605閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種制備鈦酸鋇納米鐵電級(jí)薄膜的方法,具體步驟如下:首先清洗目標(biāo)基底和反應(yīng)腔室污染物,然后控制反應(yīng)腔室氧氣分壓并生長(zhǎng)鈦酸鋇薄膜,最后鈦酸鋇薄膜原位退火,即獲得所述鈦酸鋇納米鐵電級(jí)薄膜;本發(fā)明利用電火花隧道系統(tǒng)產(chǎn)生的脈沖電子束轟擊鈦酸鋇靶材表面,靶材吸收電子束的能量轉(zhuǎn)化為熱能使材料揮發(fā)和離子化形成的等離子體,在鈦酸鋇靶材表面上方擴(kuò)散,到達(dá)目標(biāo)基底表面,形核成膜,并通過(guò)控制電子束脈沖數(shù)和脈沖頻率進(jìn)一步控制鈦酸鋇薄膜的沉積速度和厚度,制備的鈦酸鋇薄膜致密性好,表面平整,提高了器件的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員:郭萬(wàn)林;陳紅燁;邱婷婷;王遼宇;周建新
受保護(hù)的技術(shù)使用者:南京航空航天大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日:2017.05.04
技術(shù)公布日:2017.08.04
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