本發(fā)明屬于化學(xué)領(lǐng)域，具體涉及一種鋁納米顆粒制備方法。
背景技術(shù)：
熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度往往不是很大，而且由于當(dāng)前探測(cè)器靈敏度的限制，特別是在紫外波段由于探測(cè)器本身性質(zhì)的原因，使得熒光檢測(cè)技術(shù)的發(fā)展受到很大程度上的限制。人們一直以來(lái)都在致力于研究如何提高熒光材料的發(fā)光強(qiáng)度，目前可行的一種方式是通過(guò)金屬納米顆粒表面等離子體共振產(chǎn)生的近場(chǎng)增強(qiáng)效應(yīng)來(lái)增強(qiáng)熒發(fā)射強(qiáng)度。
目前金屬納米顆粒的制備方法很多，如電子束刻蝕、溶膠凝膠法、快速熱退火等。真空蒸發(fā)的方式屬于物理氣相沉積法，其工藝為把帶鍍膜的基片或工件置于高真空室里，通過(guò)加熱使蒸發(fā)材料氣化而沉積到某一溫度的基片或工件的表面上，從而形成一層薄膜。在鍍膜的過(guò)程中施加烘烤的方式制備出直徑不同的金屬納米顆粒。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明是為了解決上述問(wèn)題而進(jìn)行的，本發(fā)明的目的在于針對(duì)目前熒光材料發(fā)光強(qiáng)度較低以及不同熒光材料發(fā)射峰位置不同的問(wèn)題，提供一種增強(qiáng)不同熒光物質(zhì)發(fā)光強(qiáng)度的方法。
本發(fā)明提供了一種具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法，其特征在于：使用金屬鋁作為蒸發(fā)材料，在石英基底上制備出具有納米結(jié)構(gòu)的金屬顆粒，包括以下步驟：
步驟1，選用鋁錠作為蒸發(fā)材料，石英作為基底，在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜；
步驟2，對(duì)真空室進(jìn)行抽氣，待真空室達(dá)到預(yù)定的真空度后，進(jìn)入下一步；
步驟3，對(duì)鋁錠進(jìn)行預(yù)熔后得到液態(tài)鋁；
步驟4，對(duì)所述液態(tài)鋁在預(yù)定烘烤溫度下烘烤進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜；
步驟5，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束后得到金屬鋁納米顆粒。
在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟2中的真空度為5×10-4pa。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟3中預(yù)熔的電流為100ma。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟4中預(yù)定烘烤溫度為150℃-300℃。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟4中蒸發(fā)鍍膜采用電子束蒸發(fā)鍍膜。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟4中蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，蒸發(fā)電流為150ma，蒸發(fā)速率為3a/s。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟4中鋁納米薄膜的光學(xué)厚度范圍為5nm-15nm。
另外，在本發(fā)明提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法中，還可以具有這樣的特征：其中，步驟5中金屬鋁納米顆粒吸收峰峰位在324nm-364nm波段。
發(fā)明的作用與效果
根據(jù)本發(fā)明所涉及的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法，使用金屬鋁作為蒸發(fā)材料，在石英基底上制備出具有納米結(jié)構(gòu)的金屬顆粒，包括步驟1，選用鋁錠作為蒸發(fā)材料，石英作為基底，在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜；步驟2，對(duì)真空室進(jìn)行抽氣，待真空室達(dá)到預(yù)定的真空度后，進(jìn)入下一步；步驟3，對(duì)鋁錠進(jìn)行預(yù)熔后得到液態(tài)鋁；步驟4，進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，對(duì)所述液態(tài)鋁在預(yù)定烘烤溫度下烘烤進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜；步驟5，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束后得到金屬鋁納米顆粒。
因?yàn)楸景l(fā)明所提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法采用在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜的方式，不僅解決了金屬鋁膜在空氣中熱處理會(huì)被氧化的問(wèn)題，而且能制備出不同顆粒大小的金屬納米顆粒，從而產(chǎn)生不同位置的表面等離子體共振峰，從而較好的解決不同熒光材料發(fā)射峰峰位不同，發(fā)光強(qiáng)度較低的問(wèn)題。
本發(fā)明所提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法采用真空鍍膜并結(jié)合真空室烘烤的方法，可以針對(duì)不同熒光材料的紫外波段熒光發(fā)射峰位而調(diào)節(jié)吸收峰以達(dá)到增強(qiáng)熒光的效果，制備出了具有不同吸收峰位的鋁納米顆粒，為紫外波段的熒光增強(qiáng)提供了實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)。
附圖說(shuō)明
圖1是本發(fā)明的實(shí)施例中制備出的具有納米結(jié)構(gòu)的金屬納米顆粒表面形貌sem圖的照片；
圖2是本發(fā)明的實(shí)施例中不同烘烤溫度下金屬納米顆粒不同吸收峰峰位的吸光度圖；以及
圖3是本發(fā)明的實(shí)施例中制備出具有納米結(jié)構(gòu)的金屬納米顆粒不同吸收峰峰位的吸光度圖。
具體實(shí)施方式
為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，以下實(shí)施例結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明所提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法作具體闡述。
實(shí)施例
步驟1，選用鋁錠作為蒸發(fā)材料，石英作為基底，在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜；
步驟2，對(duì)真空室進(jìn)行抽氣，待真空室達(dá)到5×10-4pa的真空度后，進(jìn)入下一步的開啟烘烤；
步驟3，對(duì)鋁錠進(jìn)行預(yù)熔后得到液態(tài)鋁，預(yù)熔的電流為100ma。
步驟4，進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，采用電子束蒸發(fā)鍍膜，對(duì)液態(tài)鋁在預(yù)定烘烤溫度下烘烤進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，其中，蒸發(fā)電流為150ma，蒸發(fā)速率為3a/s，預(yù)定烘烤溫度為150℃-300℃，鋁納米薄膜的光學(xué)厚度范圍為5nm-15nm。實(shí)施例中烘烤溫度為280℃，鋁納米薄膜的光學(xué)厚度為10.5nm。
步驟5，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束后得到金屬鋁納米顆粒。
蒸發(fā)鍍膜結(jié)束后，關(guān)閉烘烤開關(guān)，等到溫度下降并低于90℃時(shí)，開啟真空室室門，取件并測(cè)試。
圖1是本發(fā)明的實(shí)施例中制備出的具有納米結(jié)構(gòu)的金屬納米顆粒表面形貌sem圖的照片；
圖2是本發(fā)明的實(shí)施例中不同烘烤溫度下金屬納米顆粒不同吸收峰峰位的吸光度圖；
如圖3所示，實(shí)施例中金屬鋁納米顆粒吸收峰峰位在324nm-364nm波段。
實(shí)施例的作用與效果
根據(jù)本實(shí)施例所涉及的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法，使用金屬鋁作為蒸發(fā)材料，在石英基底上制備出具有納米結(jié)構(gòu)的金屬顆粒，包括步驟1，選用鋁錠作為蒸發(fā)材料，石英作為基底，在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜；步驟2，對(duì)真空室進(jìn)行抽氣，待真空室達(dá)到預(yù)定的真空度后，進(jìn)入下一步；步驟3，對(duì)鋁錠進(jìn)行預(yù)熔后得到液態(tài)鋁；步驟4，進(jìn)行蒸發(fā)鍍膜，對(duì)鋁納米薄膜在預(yù)定烘烤溫度下進(jìn)行烘烤；步驟5，蒸發(fā)鍍膜結(jié)束后得到金屬鋁納米顆粒。
因?yàn)楸緦?shí)施例所提供的具有增強(qiáng)紫外熒光強(qiáng)度的鋁納米顆粒制備方法采用在真空室中進(jìn)行在石英基底上蒸鍍成膜的方式，不僅解決了金屬鋁膜在空氣中熱處理會(huì)被氧化的問(wèn)題，而且能制備出不同顆粒大小的金屬納米顆粒，從而產(chǎn)生不同位置的表面等離子體共振峰，從而較好的解決不同熒光材料發(fā)射峰峰位不同，發(fā)光強(qiáng)度較低的問(wèn)題。
另外，實(shí)施例中的真空度為5×10-4pa，解決了金屬鋁膜在空氣中熱處理會(huì)被氧化的問(wèn)題。
上述實(shí)施方式為本發(fā)明的優(yōu)選案例，并不用來(lái)限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。