本發(fā)明涉及一種用于沉積鈍化膜的設(shè)備和一種用于沉積鈍化膜的方法，并且更具體地說(shuō)，涉及一種用于沉積鈍化膜的設(shè)備和一種用于沉積鈍化膜的方法，其在單個(gè)腔室中沉積層壓有多個(gè)材料層的鈍化膜。

背景技術(shù)：

由于例如有機(jī)發(fā)光二極管(organiclight-emittingdiode，oled)、有機(jī)太陽(yáng)能電池或有機(jī)薄膜晶體管(organicthinfilmtransistor，有機(jī)tft)等有機(jī)電子裝置的弱耐水性和弱耐氧氣性，所以需要用于形成鈍化膜(或包封膜)保護(hù)所述裝置的方法。此處，需要用于有機(jī)電子裝置的鈍化膜不僅保護(hù)裝置而且產(chǎn)生柔韌性。

鈍化膜通過(guò)層壓用于防止水分滲透的阻擋膜和用于柔韌性的緩沖膜形成。在相關(guān)技術(shù)中，為了替代地層壓阻擋膜和緩沖膜的多層結(jié)構(gòu)膜，所述膜應(yīng)該通過(guò)在多個(gè)腔室中使用多個(gè)掩模來(lái)沉積，并且因此，局限性在于鈍化膜的沉積工藝繁瑣并且分解設(shè)備尺寸大。

另外，在相關(guān)技術(shù)中，有機(jī)膜用作向鈍化膜提供柔韌性的緩沖膜，但局限性在于有機(jī)膜的防止水分滲透特性差并且因此膜的質(zhì)量差，并且阻擋膜(或無(wú)機(jī)膜)的質(zhì)量還受有機(jī)膜的差的膜質(zhì)量影響，由此降低鈍化膜的總防止水分滲透特性。此外，通過(guò)使用有機(jī)化合物沉積有機(jī)膜，但因?yàn)橛袡C(jī)化合物含有許多碳(c)原子，這是使腔室受到污染的污染物質(zhì)。因此，當(dāng)交替層壓無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜時(shí)，無(wú)機(jī)膜和有機(jī)膜應(yīng)在獨(dú)立腔室中沉積，使例如碳(c)原子等污染物質(zhì)不混合于無(wú)機(jī)膜中，并且因此延長(zhǎng)沉積鈍化膜的加工時(shí)間。

[現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)]

(專利文獻(xiàn)1)韓國(guó)專利第10-0832847號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明提供一種用于沉積鈍化膜的設(shè)備和一種用于沉積鈍化膜的方法，其能夠在單個(gè)腔室中沉積層壓有多個(gè)材料層的鈍化膜，并且通過(guò)使氧化物層或氮化物層包含ch基團(tuán)來(lái)確保柔韌性，但不降低鈍化膜的防止水分滲透特性。

根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例，用于沉積鈍化膜的設(shè)備包含：襯底支撐件，通過(guò)其支撐襯底；線性沉積模塊部件，其包括與第一軸方向平行安置且橫越襯底的線性沉積源并且在襯底上沉積鈍化膜；氣體供應(yīng)部件，其向線性沉積模塊部件選擇性并且交替地供應(yīng)第一沉積氣體和第二沉積氣體；驅(qū)動(dòng)部件，其在與第一軸方向交叉的第二軸方向移動(dòng)襯底支撐件或線性沉積模塊部件，其中可以通過(guò)層壓由第一沉積氣體沉積的第一材料層和由第二沉積氣體沉積的第二材料層形成鈍化膜。

第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)可以是緩沖膜，并且另一個(gè)可以是阻擋膜，其中緩沖膜可包含ch基團(tuán)。

形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含有機(jī)-硅化合物并且可以由等離子體活化。

形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含氫化硅氣體和烴氣并且可以由等離子體活化。

第一材料層可以是氧化物層，并且第二材料層可以是氮化物層。

第一沉積氣體可包含第一源材料和第一反應(yīng)材料，并且第二沉積氣體可包含第二源材料和第二反應(yīng)材料，并且線性沉積源可包含：注入第一源材料或第二源材料的源材料噴嘴；以及注入第一反應(yīng)材料或第二反應(yīng)材料的反應(yīng)材料噴嘴。

源材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴可以交替地安置于線性沉積模塊部件中。

反應(yīng)材料噴嘴可以定位于線性沉積模塊部件的兩端。

線性沉積源可以是原子層沉積(atomiclayerdeposition，ald)源，并且線性沉積模塊部件可以由平行于第一軸方向安置的多個(gè)線性沉積源形成。

根據(jù)另一示范性實(shí)施例，用于沉積鈍化膜的方法可包含：向線性沉積模塊部件供應(yīng)第一沉積氣體用于沉積第一材料層，所述線性沉積模塊部件包含與第一軸方向平行安置且橫越襯底的線性沉積源(s100)；在與第一軸方向交叉的第二軸方向移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件時(shí)向襯底上注入第一沉積氣體(s200)；向線性沉積模塊部件供應(yīng)第二沉積氣體用于沉積第二材料層(s300)；以及在第二軸方向移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件時(shí)在襯底上注入第二沉積氣體(s400)。

用于沉積鈍化膜的方法可以更包含向線性沉積模塊部件供應(yīng)吹掃氣體。

第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)可包含ch基團(tuán)。

形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含有機(jī)-硅化合物并且可以由等離子體活化。

形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含氫化硅氣體和烴氣并且可以由等離子體活化。

第一材料層可以是氧化物層，并且第二材料層可以是氮化物層。

第一沉積氣體可包含第一源材料和第一反應(yīng)材料，第一源材料和第一反應(yīng)材料中的每一個(gè)可以獨(dú)立地在注入第一沉積氣體時(shí)注入，第二沉積氣體可包含第二源材料和第二反應(yīng)材料，并且第二源材料和第二反應(yīng)材料中的每一個(gè)可以獨(dú)立地在注入第二沉積氣體時(shí)注入。

第一材料層和第二材料層可以通過(guò)原子層沉積(ald)來(lái)沉積，并且線性沉積模塊部件可以由與第一軸方向平行安置的多個(gè)線性沉積源形成。

根據(jù)另一示范性實(shí)施例的鈍化膜可包含彼此交替層壓的氧化物層和氮化物層，并且氧化物層和氮化物層中的任一個(gè)可包含ch基團(tuán)。

氧化物層可以是siox層，并且氮化物層可以是sinx層。

附圖說(shuō)明

通過(guò)結(jié)合附圖進(jìn)行的以下描述可以更詳細(xì)地理解示范性實(shí)施例，在附圖中：

圖1a和圖1b為說(shuō)明根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備和由所述設(shè)備沉積的鈍化膜的視圖。

圖2a和圖2b為說(shuō)明根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的線性沉積源和線性沉積模塊部件的橫截面圖。

圖3為說(shuō)明根據(jù)另一示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的方法的流程圖。

附圖標(biāo)號(hào)說(shuō)明：

10：襯底；

11：第一軸方向；

12：第二軸方向；

20：鈍化膜；

21：第一材料層；

22.第二材料層；

110：襯底支撐件；

120：線性沉積模塊部件；

121：線性沉積源；

121a：源材料噴嘴；

121b：反應(yīng)材料噴嘴；

130：氣體供應(yīng)部件；

131：第一沉積氣體供應(yīng)源；

131a：第一源材料供應(yīng)源；

131b：第一反應(yīng)材料供應(yīng)源；

132：第二沉積氣體供應(yīng)源；

132a：第二源材料供應(yīng)源；

132b：第二反應(yīng)材料供應(yīng)源；

133：氣體供應(yīng)管；

133a：源材料氣體供應(yīng)管；

133b：反應(yīng)材料氣體供應(yīng)管；

134：切換部分；

134a：源材料切換部件；

134b：反應(yīng)材料切換部件；

140：驅(qū)動(dòng)部件；

141：電源；

142：電力傳輸部件；

143：連接部分；

s100、s200、s300、s400：步驟。

具體實(shí)施方式

下文將參考附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以用不同形式實(shí)施，并且不應(yīng)被解釋為限于本文所闡述的實(shí)施例。實(shí)際上，提供這些實(shí)施例是為了使得本發(fā)明將是透徹并且完整的，并且這些實(shí)施例將把本發(fā)明的范圍充分傳達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。在說(shuō)明書(shū)中，相同參考編號(hào)用以指相同構(gòu)形。在附圖中，為了清楚說(shuō)明，尺寸可以部分夸大或放大，并且相同參考編號(hào)是指相同元件。

圖1a和圖1b為說(shuō)明根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備和由所述設(shè)備沉積的鈍化膜的視圖，

圖1a是說(shuō)明用于沉積鈍化膜的設(shè)備的示意圖，并且圖1b是鈍化膜的示意性橫截面圖。

參看圖1a和圖1b，根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備包含：襯底支撐件110，其支撐襯底10；線性沉積模塊部件120，其包含與第一軸方向11平行安置且橫越襯底10的線性沉積源121并且其在襯底10上沉積鈍化膜20；氣體供應(yīng)部件130，其向線性沉積模塊部件120選擇性地交替供應(yīng)第一沉積氣體和第二沉積氣體；以及驅(qū)動(dòng)部件140，其在與第一軸方向11交叉的第二軸方向12移動(dòng)襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120，其中可以形成鈍化膜20使得由第一沉積氣體沉積的第一材料層21和由第二沉積氣體沉積的第二材料層22經(jīng)層壓。

可支撐襯底10的襯底支撐件110使用于沉積第一材料層21的第一沉積氣體和用于沉積第二材料層22的第二沉積氣體能夠通過(guò)直接移動(dòng)由此移動(dòng)襯底10或通過(guò)移動(dòng)線性沉積模塊部件注入到襯底10的整個(gè)區(qū)域上。

線性沉積模塊部件120可包含與第一軸方向11平行安置且橫越襯底10的線性沉積源121并且其可在襯底10上沉積鈍化膜20。此處，可以提供一個(gè)或多個(gè)線性沉積源121，但為了實(shí)現(xiàn)高沉積速度，適宜在第一軸方向11提供多個(gè)彼此平行的線性沉積源121。線性沉積模塊部件120可以通過(guò)線性沉積源121在襯底10上注入第一沉積氣體和第二沉積氣體并且可以對(duì)應(yīng)于襯底10的沉積表面定位。此時(shí)，線性沉積模塊部件120還可以定位在襯底10上方，由此注入第一沉積氣體和第二沉積氣體，并且還可以從襯底10下方朝向襯底10的上側(cè)注入第一沉積氣體和第二沉積氣體，但只要線性沉積模塊部件120對(duì)應(yīng)于襯底10的沉積表面在襯底10的沉積表面上注入第一沉積氣體和第二沉積氣體就足夠。

另外，線性沉積模塊部件120可在襯底10上沉積鈍化膜20并且可以通過(guò)層壓多個(gè)材料層形成鈍化膜?？尚纬赦g化膜20使得第一沉積氣體沉積的第一材料層21和第二沉積氣體沉積的第二材料層22層壓在一起。舉例來(lái)說(shuō)，線性沉積模塊部件120以固定時(shí)間沉積第一沉積氣體(或襯底的移動(dòng)時(shí)間段)，接著改變沉積氣體由此以固定時(shí)間沉積第二沉積氣體，并且因此可沉積多層結(jié)構(gòu)的鈍化膜20。

氣體供應(yīng)部件130可向線性沉積模塊部件120選擇性供應(yīng)第一沉積氣體或第二沉積氣體，其可由此在襯底10上選擇性沉積第一材料層21或第二材料層22，并且可分別調(diào)整第一材料層21和第二材料層22的厚度。

另外，氣體供應(yīng)部件130可替代地向同一線性沉積源121供應(yīng)第一沉積氣體或第二沉積氣體，并且第一沉積氣體或第二沉積氣體可由此在單個(gè)腔室中通過(guò)層壓第一材料層21和第二材料層22形成多層結(jié)構(gòu)的鈍化膜20。

因此，可允許第一材料層21或第二材料層22中的僅任何一個(gè)材料層包含ch基團(tuán)，并且因此，可沉積不僅具有柔韌性而且具有極好防止水分滲透特性的鈍化膜20。另外，多層結(jié)構(gòu)的鈍化膜20可僅僅通過(guò)使用第一沉積氣體或第二沉積氣體交替地供應(yīng)到同一線性沉積源(或線性沉積模塊部件)的方法沉積，并且因此可防止沉積設(shè)備的尺寸過(guò)大。

另外，氣體供應(yīng)部件130可包含第一沉積氣體供應(yīng)源131、第二沉積氣體供應(yīng)源132、氣體供應(yīng)管133以及切換部分134。第一沉積氣體供應(yīng)源131可向線性沉積模塊部件120供應(yīng)第一沉積氣體并且可通過(guò)與第二沉積氣體供應(yīng)源132分隔開(kāi)從而僅向線性沉積模塊部件120供應(yīng)第一沉積氣體。第二沉積氣體供應(yīng)源132可向線性沉積模塊部件120供應(yīng)第二沉積氣體并且可通過(guò)與第一沉積氣體供應(yīng)源131分隔開(kāi)從而僅向線性沉積模塊部件120供應(yīng)第二沉積氣體。氣體供應(yīng)管133可在第一沉積氣體源131和第二沉積氣體源132與線性沉積模塊部件120之間提供第一沉積氣體或第二沉積氣體的移動(dòng)路徑。切換部分134用于切換第一沉積氣體和第二沉積氣體并且可提供到氣體供應(yīng)管133。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)氣體供應(yīng)管133將第一沉積氣體供應(yīng)源131和第二沉積氣體供應(yīng)源132中的每一個(gè)連接到線性沉積模塊部件120時(shí)，分別安裝閥，由此能夠在打開(kāi)一側(cè)時(shí)關(guān)閉另一側(cè)。另外，當(dāng)氣體供應(yīng)部件133中存在第一沉積氣體和第二沉氣體的移動(dòng)路徑的連接點(diǎn)時(shí)，可在連接點(diǎn)處提供切換部件134，并且可通過(guò)將切換部件134配置成開(kāi)關(guān)閥型使切換部件134可選擇性供應(yīng)第一沉積氣體或第二沉積氣體，但本發(fā)明的實(shí)施例不限于此。

同時(shí)，氣體供應(yīng)部件130可還包含吹掃氣體供應(yīng)源(未示出)，其向線性沉積模塊部件120供應(yīng)由惰性氣體構(gòu)成的吹掃氣體。吹掃氣體供應(yīng)源(未示出)可向線性沉積模塊部件120供應(yīng)吹掃氣體并且可在供應(yīng)第一沉積氣體和供應(yīng)第二沉積氣體之間供應(yīng)吹掃氣體，由此使第一沉積氣體和第二沉積氣體能夠彼此不混合。

驅(qū)動(dòng)部件140可通過(guò)連接到襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120從而在與第一軸方向11交叉的第二軸方向12移動(dòng)襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120。此處，襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120可以往復(fù)，并且可通過(guò)襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120的往復(fù)運(yùn)動(dòng)(或移動(dòng))在整個(gè)襯底區(qū)域交替地層壓第一材料層21和第二材料層22。驅(qū)動(dòng)部件140可包含：供電的電源141；電力傳輸部件142，其傳輸電源提供的電力；以及連接部分143，其固定到襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120并且連接到電力傳輸部件142，但其構(gòu)形不限于此，并且只要襯底支撐件110或線性沉積模塊部件120可以在第二軸方向12中移動(dòng)(或往復(fù))就足夠。

第一材料層21和第二材料層22中的任一個(gè)可以是緩沖膜，另一個(gè)可以是阻擋膜，并且緩沖膜可包含ch基團(tuán)。此時(shí)，通過(guò)層壓第一材料層21和第二材料層22形成的鈍化層20可以是形成于有機(jī)電子裝置上的鈍化層。當(dāng)鈍化膜20形成為緩沖膜和阻擋膜的多層膜時(shí)，鈍化膜20可具有極好的防止水分滲透效率并且可確保柔韌性。

緩沖膜可包含ch基團(tuán)并且可形成使得向無(wú)機(jī)膜(例如siox、sinx)添加(或摻雜)ch基團(tuán)。當(dāng)通過(guò)添加ch基團(tuán)形成緩沖膜的時(shí)，可通過(guò)添加ch基團(tuán)調(diào)整緩沖膜的柔韌性并且可確保高度靈活的可折疊水平。

此處，ch基團(tuán)可能使緩沖膜(或無(wú)機(jī)膜)的防止水分滲透特性降級(jí)并且還可能影響緩沖膜的膜質(zhì)量。緩沖膜的膜質(zhì)量降級(jí)還可能影響相鄰阻擋膜(或無(wú)機(jī)膜)的膜質(zhì)量，由此使鈍化膜的整體防止水分滲透特性降級(jí)。然而，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，可以致密地沉積包含ch基團(tuán)的材料層(或緩沖膜)，由此提高包含ch基團(tuán)的材料層(或緩沖膜)的膜質(zhì)量并且可由此防止鈍化膜的整體防止水分滲透特性降級(jí)。

同時(shí)，第一材料層21和第二材料層22都可以是阻擋膜。此時(shí)，其柔韌性可能比包含緩沖膜的鈍化膜的柔韌性降級(jí)，但其防止水分滲透效率可達(dá)到最大。另外，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，即使當(dāng)?shù)谝徊牧蠈?1和第二材料層22都形成為阻擋膜時(shí)，因?yàn)榈谝徊牧蠈?1和第二材料層22中的每一個(gè)可形成為具有小厚度，所以由第一材料層21和第二材料層22的多層膜形成的鈍化膜20可具有柔韌性。

另外，可通過(guò)除了第一材料層21和第二材料層22之外進(jìn)一步層壓第三材料層和第四材料層等形成三個(gè)或更多個(gè)材料層的多層膜形式的鈍化膜20，并且可以通過(guò)使用第三沉積氣體、第四沉積氣體等沉積氣體執(zhí)行。

因此，示范性實(shí)施例具有在多層結(jié)構(gòu)中使用兩個(gè)或更多個(gè)材料層從而有效防止水分滲透的作用，并且材料層的類型和數(shù)目不受具體限制。另外，在使用兩個(gè)或更多個(gè)材料層時(shí)，當(dāng)一個(gè)或多個(gè)材料層為阻擋膜時(shí)，材料層可用作鈍化膜20。

形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含有機(jī)-硅化合物并且可由等離子體活化。此處，有機(jī)-硅化合物可以是第一沉積氣體中的第一源材料或第二沉積氣體中的第二源材料?？赏ㄟ^(guò)使用使第一材料層21和第二材料層22中的任一個(gè)包含ch基團(tuán)來(lái)形成緩沖膜的方法，使形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體能夠包含有機(jī)-硅化合物。此處，有機(jī)-硅(有機(jī)-si)化合物可以是硅(si)鍵結(jié)于碳(c)原子以及氮(n)、氫(h)原子等的有機(jī)化合物，并且可以包含雙二乙基氨基硅烷(bisdiethylaminosilane，bdeas)、二異丙基氨基硅烷(diisoprophylaminosilane，dipas)或雙叔丁基氨基硅烷(bistertiarybutylaminosilane，btbas)。當(dāng)形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體包含有機(jī)-硅化合物時(shí)，不能向線性沉積模塊部件120另外供應(yīng)除了第一沉積氣體或第二沉積氣體以外的用于添加(或摻雜)ch基團(tuán)的獨(dú)立烴氣。因?yàn)橛袡C(jī)-硅化合物包含ch基團(tuán)，所以不使用獨(dú)立烴氣就可沉積包含ch基團(tuán)的緩沖膜。

此時(shí)，形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可由等離子體活化來(lái)沉積緩沖膜。有機(jī)-硅化合物含有即使未經(jīng)等離子體活化也與氧(o)原子充分組合的硅(si)。因此，有機(jī)-硅化合物的硅可鍵結(jié)于氧而不形成等離子體并且可由此形成氧化硅層(或siox層)。在特定條件下，氧化物層或氮化物層中的有機(jī)-硅化合物中可含有ch基團(tuán)而不形成等離子體，但為了更容易調(diào)整ch基團(tuán)，包含有機(jī)-硅化合物的第一沉積氣體或第二沉積氣體可通過(guò)等離子體活化，由此注入到襯底10上。因此，包含ch基團(tuán)的第一材料層21和第二材料層22可穩(wěn)定地沉積。

另外，形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含氫化硅氣體和烴氣并且可以由等離子體活化。可通過(guò)使用使第一材料層21和第二材料層22中的任一個(gè)包含ch基團(tuán)來(lái)形成緩沖膜的方法，使形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體能夠包含氫化硅氣體和烴氣。氫化硅氣體是能夠形成作為無(wú)機(jī)膜的硅化合物層的氣體，并且烴氣是向作為無(wú)機(jī)膜的硅化合物層添加(或摻雜)ch基團(tuán)的氣體。包含ch基團(tuán)的第一材料層21或第二材料層22可通過(guò)氫化硅氣體和烴氣沉積，并且向具有極好防止水分滲透特性的無(wú)機(jī)膜添加(或摻雜)ch基團(tuán)由此使無(wú)機(jī)膜具有柔韌性。因此，可僅僅形成緩沖膜。氫化硅氣體可包含單硅烷(sih4)、二硅烷(si2h6)、四硅烷(si4h10)、三硅烷(si3h8)等，并且烴氣可包含甲烷(ch4)、乙烷(c2h6)、乙烯(c2h4)、乙炔(c2h2)、丙烷(c3h8)、環(huán)丙烷(c3h6)、異丁烷(c4h10)等。

另外，在此時(shí)，形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可由等離子體活化來(lái)沉積緩沖膜。當(dāng)形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體由等離子體活化時(shí)，硅可與氫化硅氣體充分分離，硅化合物層(或材料層)可在襯底10上充分沉積，并且包含ch基團(tuán)的第一材料層21或第二材料層22因?yàn)閏h基團(tuán)的吸附得以改良而可以致密沉積。因此，包含ch基團(tuán)的第一材料層21或第二材料層22的膜質(zhì)量可不影響其它相鄰材料層的膜質(zhì)量。因此，可形成具有極好預(yù)防水分滲透特性的鈍化膜20。

同時(shí)，含有氫化硅氣體及有機(jī)-硅化合物的沉積氣體也可作為形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體來(lái)使用。在此情形下，根據(jù)是否供應(yīng)氫化硅氣體，可沉積包含ch基團(tuán)的緩沖膜和不包含ch基團(tuán)的阻擋膜。舉例來(lái)說(shuō)，可通過(guò)僅供應(yīng)有機(jī)-硅化合物形成siox層，并且可通過(guò)一起供應(yīng)氫化硅氣體和有機(jī)-硅化合物形成包含ch基團(tuán)的sinx層。相對(duì)來(lái)說(shuō)，可僅通過(guò)有機(jī)-硅化合物形成sinx層，并且可通過(guò)氫化硅氣體和有機(jī)-硅化合物形成包含ch基團(tuán)的siox層。另外，包含氫化硅氣體、有機(jī)-硅化合物和烴氣的沉積氣體還可用作形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體。在這一情形下，有機(jī)-硅化合物可用以補(bǔ)充缺乏的硅(si)或缺乏的ch基團(tuán)。

另外，形成阻擋膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含有機(jī)-硅化合物或氫化硅氣體?？赏ㄟ^(guò)使用包含有機(jī)-硅化合物的氣體或包含氫化硅氣體的氣體沉積硅化合物層作為無(wú)機(jī)膜，并且由此，可沉積具有極好的防止水分滲透特性的阻擋膜。

第一材料層21可以是氧化物層，并且第二材料層22可以是氮化物層。氧化物層和氮化物層是致密的并且由此具有極好的防止水分滲透特性，并且當(dāng)向其中添加ch基團(tuán)時(shí)，還可確保柔韌性，并且因此容易形成緩沖膜。由于此類緩沖膜，可形成柔韌并且具有極好的防止水分滲透特性的鈍化層20。

因?yàn)檠趸飳涌捎捎谘踉拥臉O好反應(yīng)性而充分沉積于襯底10上，所以原子層沉積(ald)可能由于氧原子的極好反應(yīng)性而有效，并且因?yàn)檠趸飳拥哪そY(jié)構(gòu)可通過(guò)原子層沉積(ald)而致密形成，所以可改善氧化物層的防止水分滲透特性。因此，可以沉積第一材料層21作為氧化物層，從而使打算首先沉積的材料層可充分沉積于襯底10上。另外，可使用包含氧(o)原子的氣體(例如o2、n2o、no等)來(lái)形成氧化物層。

氮化物層為疏水性的并且由此具有高防止水分滲透特性。因此，當(dāng)沉積氮化物層作為第二材料層22時(shí)，氮化物層可有效改善鈍化層20的防止水分滲透特性。另外，為了形成氮化物層，可使用包含氮(n)原子的氣體(例如nh3、n2等)。

舉例來(lái)說(shuō)，第一材料層21可以是siox層，并且第二材料層22可以是sinx層。因?yàn)閟iox層(氧化硅層)具有與氧(o)原子良好鍵結(jié)的硅(si)，所以可在未由等離子體活化硅(si)原子的情況下沉積第一材料層21，并且原子層沉積(ald)可由于硅和氧的高結(jié)合力而有效。

因?yàn)閟inx層(氮化硅層)是疏水性的并且由此具有高防止水分滲透特性。因此，當(dāng)沉積sinx層作為第二材料層22時(shí)，sinx層可有效改善鈍化層20的防止水分滲透特性。

因?yàn)閟iox層由于致密膜結(jié)構(gòu)而具有極好的防止水分滲透特性，并且因?yàn)閟inx層是疏水性的并且由此具有極高防止水分滲透特性，所以當(dāng)在siox層和sinx層的多層結(jié)構(gòu)中形成鈍化層20時(shí)，鈍化層20的防止水分滲透可能更有效。

另外，當(dāng)siox層中包含ch基團(tuán)時(shí)，siox層中的氧還良好鍵結(jié)于ch基團(tuán)，并且由此，緩沖膜可具有極好的膜質(zhì)量，并且鈍化層20的防止水分滲透特性由于sinx層的高防止水分滲透特性而可以是非常好的。因此，可提供具有極好的防止水分滲透效率并且可確保高柔韌性的鈍化層20，并且其最適宜在siox層中包含ch基團(tuán)。同時(shí)，在一示范性實(shí)施例中，甚至當(dāng)sinx層中包含ch基團(tuán)時(shí)，可致密沉積sinx層，并且由此緩沖膜可具有極好的膜質(zhì)量，并且siox層還可由于硅和氧的高結(jié)合力而具有致密和極好的膜質(zhì)量。

圖2a和圖2b為說(shuō)明根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的線性沉積源和線性沉積模塊部件的橫截面圖，圖2a是說(shuō)明線性沉積源的橫截面圖，并且圖2b是說(shuō)明線性沉積模塊部件的橫截面圖。

參看圖2a和圖2b，線性沉積源121可包含源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b。源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b可與第一軸方向11平行安置。第一沉積氣體可包含第一源材料和第一反應(yīng)材料，并且第二沉積氣體可包含第二源材料和第二反應(yīng)材料。第一源材料或第二源材料可根據(jù)供應(yīng)順序供應(yīng)到源材料噴嘴121a，并且第一反應(yīng)材料或第二反應(yīng)材料可根據(jù)供應(yīng)順序供應(yīng)到反應(yīng)材料噴嘴121b。此時(shí)，第一源材料可通過(guò)源材料氣體供應(yīng)管133a從第一源材料供應(yīng)源131a供應(yīng)到源材料噴嘴121a，第一反應(yīng)材料可通過(guò)反應(yīng)材料氣體供應(yīng)管133b從第一反應(yīng)材料供應(yīng)源131b供應(yīng)到反應(yīng)材料噴嘴121b，第二源材料可通過(guò)源材料氣體供應(yīng)管133a從第二源材料供應(yīng)源132a供應(yīng)到源材料噴嘴121a，第二反應(yīng)材料可通過(guò)反應(yīng)材料氣體供應(yīng)管133b從第二反應(yīng)材料供應(yīng)源132b供應(yīng)到反應(yīng)材料噴嘴121b。另外，切換部件134可包含切換第一源材料和第二源材料的源材料切換部件134a以及切換第一反應(yīng)材料和第二反應(yīng)材料的反應(yīng)材料切換部件134b。因此，源材料噴嘴121a可在襯底10上注入第一源材料或第二源材料，反應(yīng)材料噴嘴121b可在襯底上注入第二反應(yīng)材料，并且通過(guò)這一方式，源材料和反應(yīng)材料中的每一個(gè)可獨(dú)立地注入到襯底上。

此處，第一材料層21由第一源材料和第一反應(yīng)材料形成。第一源材料和第一反應(yīng)材料中的每一個(gè)可在不發(fā)生氣相反應(yīng)的情況下通過(guò)源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b依序到達(dá)襯底10，并且僅在襯底10上彼此反應(yīng)并且因此可以沉積到襯底10上。另外，第二材料層22由第二源材料和第二反應(yīng)材料形成。第二源材料和第二反應(yīng)材料中的每一個(gè)可在不發(fā)生氣相反應(yīng)的情況下通過(guò)源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b依序到達(dá)襯底10并且在襯底10上彼此反應(yīng)，并且因此可以沉積在襯底10上。

當(dāng)源材料和反應(yīng)材料中的每一個(gè)通過(guò)此類沉積方法獨(dú)立地注入時(shí)，膜結(jié)構(gòu)比在同時(shí)供應(yīng)源材料和反應(yīng)材料的情況下可獲得的膜結(jié)構(gòu)致密。因此，用作緩沖膜的包含ch基團(tuán)的第一材料層21和第二材料層22可具有極好的膜質(zhì)量，并且用作阻擋膜的不包含ch基團(tuán)的其余材料層可具有通過(guò)致密膜結(jié)構(gòu)改善的防止水分滲透特性。

同時(shí)，泵吸構(gòu)件(未示出)可安置于彼此相鄰的噴嘴(例如源材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴；以及反應(yīng)材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴)之間的每一個(gè)空間，并且泵吸構(gòu)件可排出不利于沉積的過(guò)量氣體材料和沉積副產(chǎn)物。

源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b可在線性沉積模塊部件120中交替地安置。當(dāng)源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b可以交替安置時(shí)，源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b配置成滿足用于形成材料層的反應(yīng)速率(例如化學(xué)計(jì)量)，并且因此可獲得致密和極好的膜質(zhì)量。另外，源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b不彼此重疊，并且由此，可減少不必要的間隔。因此，第二軸方向12中的線性沉積模塊部件120的長(zhǎng)度可減小，并且由此，沉積設(shè)備(或沉積腔室)的尺寸可進(jìn)一步減小。

另外，反應(yīng)材料噴嘴121b可位于線性沉積模塊部件120的兩端。當(dāng)源材料噴嘴121a位于線性沉積模塊部件120的最外部時(shí)，限制條件在于注入到襯底10的外部的源材料的一部分不參與膜的沉積反應(yīng)并且散射，由此污染沉積腔室。具體來(lái)說(shuō)，當(dāng)有機(jī)-硅化合物(例如edeas)用作源材料時(shí)，因?yàn)橛袡C(jī)-硅化合物含有許多ch基團(tuán)，所以可產(chǎn)生多得多的污染物質(zhì)。然而，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，反應(yīng)材料噴嘴121b位于線性沉積模塊部件120的兩端，反應(yīng)材料可由此從源材料的兩側(cè)供應(yīng)，并且由此源材料和反應(yīng)材料可彼此充分反應(yīng)并且可穩(wěn)定沉積膜。此外，因?yàn)樵床牧蠂娮?21a不位于線性沉積模塊部件120的最外部，所以還可防止一部分源材料不參與膜沉積從而散射。因此，可解決不參與膜沉積從而散射的一部分源材料引起沉積腔室的污染的局限性。

另外，當(dāng)反應(yīng)材料噴嘴121b位于線性沉積模塊部件120的兩端時(shí)，材料層可在襯底10上充分沉積。舉例來(lái)說(shuō)，第一反應(yīng)材料可包含氧(o)原子，并且因?yàn)檠踉泳哂袠O好的反應(yīng)性，所以不僅氧層(或第一反應(yīng)材料層)可在襯底10上充分沉積，而且第一源材料層(例如硅化合物層)可在氧層(或第一反應(yīng)材料層)上充分沉積，并且因此，可在襯底10上有效地形成第一材料層21。另外，即使在形成第一材料層之后，當(dāng)注入包含氧原子并且具有極好反應(yīng)性的第一反應(yīng)材料時(shí)，于切換沉積氣體時(shí)，第一反應(yīng)材料不僅與下一個(gè)源材料噴嘴121a注入的第一源材料充分反應(yīng)，而且與第二反應(yīng)材料充分反應(yīng)，并且由此在氧層(或第一反應(yīng)材料層)上形成第二反應(yīng)材料層。因此，可在第一材料層21上充分形成第二材料層22。

另外，因?yàn)樵诘谝环磻?yīng)材料上注入第二反應(yīng)材料，所以有效進(jìn)行第一反應(yīng)材料和第二反應(yīng)材料之間的反應(yīng)，并且由此第一材料層21和第二材料層22之間的結(jié)合力可變得極好。由此，盡管相鄰材料層中包含ch基團(tuán)，但第一材料層21和第二材料層22可維持致密膜結(jié)構(gòu)，并且由此，可防止鈍化膜20的整體防止水分滲透特性降級(jí)。

此處，即使在未由等離子體活化的情況下也容易吸附到氧原子的化學(xué)材料(例如有機(jī)-硅化合物)可用作第一源材料。在這一情況下，當(dāng)初始沉積期間襯底10上不存在氧原子時(shí)，第一源材料不能充分吸附到襯底10。相對(duì)來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)使用等離子體以氧自由基形式供應(yīng)可用作第一反應(yīng)材料的氧氣時(shí)，氧氣可充分吸附到襯底10，但沒(méi)有充分氧化的新穎材料(例如金、鉑等)除外。因此，當(dāng)包含氧原子的第一反應(yīng)材料首先吸附到襯底10的表面并且接著注入第一源材料時(shí)，例如硅的第一源材料可充分吸附到由第一反應(yīng)材料形成的第一反應(yīng)材料層。因此，可使用即使在不使用等離子體的情況下也容易吸附到氧原子的化學(xué)材料作為第一源材料。

化學(xué)材料可以是有機(jī)-硅化合物(例如bdeas)，其特征在于可沉積第一材料層(例如氧化硅層或siox層)而不產(chǎn)生破壞襯底10或第二材料層22的具有過(guò)度反應(yīng)性的化學(xué)類別或離子。有機(jī)-硅化合物無(wú)需在第一材料層21的沉積工藝期間直接或遠(yuǎn)程產(chǎn)生等離子體并且可通過(guò)吸附到即使在低溫下也暴露氧(o)原子的膜表面并且與所述膜表面反應(yīng)來(lái)沉積第一材料層21。將如下文示范性描述bdeas。

bdeas與氧反應(yīng)(吸附和反應(yīng))，并且由此，可產(chǎn)生氧化硅(sio)或二氧化硅(sio2)，并且硅(si)和氧(o)可一起充分反應(yīng)而不通過(guò)使用等離子體活化bdeas。在室溫下保持液態(tài)的bdeas可通過(guò)多種方法供應(yīng)到源材料噴嘴121a，并且在一種方法中，bdeas可通過(guò)使用運(yùn)載氣體以蒸氣狀態(tài)供應(yīng)。運(yùn)載氣體可包含氬(ar)氣、氦(he)氣或氮(n2)氣。同時(shí)，當(dāng)bdeas由等離子體活化時(shí)，第一材料層21中包含ch基團(tuán)。

因此，當(dāng)?shù)谝辉床牧习袡C(jī)-硅化合物時(shí)，可不由等離子體活化第一源材料就形成具有致密膜結(jié)構(gòu)的第一材料層21，并且當(dāng)有機(jī)-硅化合物還用作第二材料時(shí)，緩沖膜和阻擋膜可僅僅通過(guò)打開(kāi)/關(guān)閉等離子體的方法形成。另外，為了在緩沖膜中包含ch基團(tuán)，除了形成氧化物層或氮化物層的氣體以外可不使用獨(dú)立烴氣。因此，還可能希望首先沉積到襯底10的第一材料層21為siox層，并且ch基團(tuán)包含于第二材料層22中。

同時(shí)，當(dāng)反應(yīng)材料噴嘴121b位于線性沉積模塊部件120的兩端時(shí)，可防止第二源材料與第一材料層21反應(yīng)，并且可防止第一源材料與第二材料層22反應(yīng)。因此，第一材料層21和第二材料層22的膜質(zhì)量可以是非常好的，并且可向有機(jī)電子裝置等提供具有極好的膜質(zhì)量的鈍化膜20。因此，盡管可通過(guò)源材料噴嘴121a和反應(yīng)材料噴嘴121b中的任一個(gè)注入烴氣，但可能需要通過(guò)源材料噴嘴121a注入烴氣從而使烴氣中的ch基團(tuán)不影響其它相鄰材料層。

線性沉積源121可以是原子層沉積(ald)源，并且線性沉積模塊部件120可由與第一軸方向11平行安置的多個(gè)線性沉積源121形成。原子層沉積(ald)源為沉積材料層所必需的元素交替供應(yīng)使得原子層逐個(gè)吸附到襯底10的沉積源，并且因?yàn)椴牧蠈油ㄟ^(guò)各原子的原子層單元沉積，所以可沉積具有極好均勻性的致密材料層。因此，即使當(dāng)材料層中包含ch基團(tuán)時(shí)，材料層的膜質(zhì)量可能不降低，并且可以解決材料層的降級(jí)影響相鄰材料層的質(zhì)量，并且由此鈍化膜20的整體防止水分滲透特性降級(jí)的限制。

此時(shí)，線性沉積模塊部件120可由與第一軸方向11平行安置的多個(gè)線性沉積源121形成。因?yàn)樵訉映练e(ald)源通過(guò)原子層單元沉積材料層并且由此具有低沉積速度，所以可通過(guò)使用由多個(gè)線性沉積源121形成的線性沉積模塊部件120沉積材料層，從而實(shí)現(xiàn)高沉積速度。因此，通過(guò)提高材料層的沉積速度可在相對(duì)短時(shí)間內(nèi)沉積具有致密膜結(jié)構(gòu)和極好膜質(zhì)量的材料層。

同時(shí)，線性沉積模塊部件120在第二軸方向12中的長(zhǎng)度比襯底10在第二軸方向12中的長(zhǎng)度長(zhǎng)。當(dāng)線性沉積模塊部件120在第二軸方向12中的長(zhǎng)度比襯底10在第二軸方向12中的長(zhǎng)度長(zhǎng)時(shí)，可通過(guò)使襯底10在線性沉積模塊部件120在第二軸方向12中的長(zhǎng)度內(nèi)往復(fù)運(yùn)動(dòng)在襯底10的整個(gè)表面上沉積均勻材料層，并且由此，不需要襯底10從對(duì)應(yīng)于線性沉積模塊部件120的范圍移開(kāi)的獨(dú)立掃描間隔。因此，其與線性沉積模塊部件120在第二軸方向12中的長(zhǎng)度等于或小于襯底10在第二軸方向12中的長(zhǎng)度的情況相比，可使材料層的沉積速度達(dá)到最大而不增加沉積設(shè)備(或沉積腔室)的長(zhǎng)度。因此，可防止材料層的沉積速度增加時(shí)沉積設(shè)備尺寸過(guò)大并且可減少沉積設(shè)備的軌跡。因此，可節(jié)省制造設(shè)備的成本，并且容易確保潔凈室中的空間。

因此，根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備可通過(guò)向包含線性沉積源121的線性沉積模塊部件120選擇性地交替供應(yīng)第一沉積氣體和第二沉積氣體在單個(gè)腔室中沉積多個(gè)材料層。另外，第一材料層21和第二材料層22中的任一個(gè)材料層包含ch基團(tuán)，并且在第一材料層21和第二材料層22之間致密沉積包含ch基團(tuán)的材料層，并且因此可改善鈍化膜的防止水分滲透特性。更具體來(lái)說(shuō)，源材料和反應(yīng)材料中的每一個(gè)獨(dú)立地注入和沉積，并且由此，可致密沉積源材料層和反應(yīng)材料層中的每一個(gè)。另外，ch基團(tuán)與源材料(例如硅)反應(yīng)，并且由此包含ch基團(tuán)的材料層可形成致密膜結(jié)構(gòu)。此時(shí)，當(dāng)反應(yīng)材料包含氧氣時(shí)，ch基團(tuán)和反應(yīng)材料層(或氧層)之間的吸附提高，并且由此，可以獲得更好的膜質(zhì)量。另外，因?yàn)樵诘谝环磻?yīng)材料上注入第二反應(yīng)材料，所以有效進(jìn)行第一反應(yīng)材料和第二反應(yīng)材料之間的反應(yīng)，并且由此第一材料層21和第二材料層22之間的結(jié)合力可變得非常好。由此，盡管相鄰材料層中包含ch基團(tuán)，但第一材料層21和第二材料層22可維持致密膜結(jié)構(gòu)，并且由此，可防止鈍化膜20的整體防止水分滲透特性降級(jí)。

因此，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，可通過(guò)向第一材料層21或第二材料層22添加(或摻雜)ch基團(tuán)提供柔韌并且具有極好的防止水分滲透特性的鈍化膜20。

圖3為說(shuō)明根據(jù)另一示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的方法的流程圖。

參看圖3，將詳細(xì)地描述根據(jù)另一示范性實(shí)施例用于沉積鈍化膜的方法，并且將不提供與上文關(guān)于根據(jù)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備的描述重疊的特征。

根據(jù)另一示例性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的方法可包含：向線性沉積模塊部件供應(yīng)用于沉積第一材料層的第一沉積氣體，所述線性沉積模塊部件包含與第一軸方向平行安置且橫越襯底的線性沉積源(s100)；在與第一軸方向交叉的第二軸方向移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件時(shí)向襯底上注入第一沉積氣體(s200)；向線性沉積模塊部件供應(yīng)用于沉積第二材料層的第二沉積氣體(s300)；以及在第二軸方向移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件時(shí)在襯底上注入第二沉積氣體(s400)。

首先，向線性沉積模塊部件供應(yīng)第一沉積氣體(s100)。此處，第一沉積氣體意思是工序中首先供應(yīng)的沉積氣體，并且其類型不受特別限制。

隨后，第一沉積氣體注入到襯底上，移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件(s200)。第一沉積氣體可通過(guò)注入到襯底上并且與襯底反應(yīng)形成第一材料層。

隨后，向線性沉積模塊部件供應(yīng)第二沉積氣體(s300)。此處，第二沉積氣體意思是工序中稍后供應(yīng)的沉積氣體，其類型不受特別限制，并且第二沉積氣體供應(yīng)到已供應(yīng)有第一沉積氣體的線性沉積源。

隨后，第二沉積氣體注入到襯底上，移動(dòng)襯底或線性沉積模塊部件(s400)。第二沉積氣體可通過(guò)注入到襯底上并且與第一材料層反應(yīng)形成第二材料層。

步驟s100到s400可以重復(fù)進(jìn)行?？山惶鎸訅旱谝徊牧蠈雍偷诙牧蠈佑纱诵纬赦g化層。

根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的方法可更包含向線性沉積模塊部件供應(yīng)吹掃氣體(s250和s450)。此處，吹掃氣體可以是惰性氣體，例如氬氣(ar)或氦氣(he)。步驟s200之后(或形成第一材料層之后)，線性沉積模塊部件中剩余的第一沉積氣體通過(guò)向線性沉積模塊部件供應(yīng)吹掃氣體去除，并且因此，第一沉積氣體和第二沉積氣體可不彼此混合并且可阻止彼此反應(yīng)。另外，步驟s400之后(或形成第二材料層之后)，線性沉積模塊部件中剩余的第二沉積氣體通過(guò)向線性沉積模塊部件供應(yīng)吹掃氣體去除，并且因此，第一沉積氣體和第二沉積氣體可不彼此混合并且可以防止彼此反應(yīng)。

第一材料層和第二材料層中的每一個(gè)可包含ch基團(tuán)。第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)可以是緩沖膜，并且另一個(gè)可以是阻擋膜。緩沖膜可包含ch基團(tuán)。此時(shí)，通過(guò)層壓第一材料層和第二材料層形成的鈍化膜可以是有機(jī)電子裝置上形成的鈍化膜。當(dāng)鈍化膜形成為緩沖膜和阻擋膜的多層膜時(shí)，鈍化膜20可具有極好的防止水分滲透效率并且可以確保柔韌性。

用作緩沖膜的材料層可包含ch基團(tuán)并且可向無(wú)機(jī)膜(例如siox或sinx)添加(或摻雜)ch基團(tuán)。當(dāng)通過(guò)向無(wú)機(jī)膜添加ch基團(tuán)形成緩沖膜時(shí)，可通過(guò)添加ch基團(tuán)調(diào)整緩沖膜的柔韌性并且可確?？烧郫B水平的高柔韌性。

形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含有機(jī)硅化合物并且可由等離子體活化。此處，有機(jī)硅化合物可以是第一沉積氣體中的第一源材料或第二沉積氣體中的第二源材料?？赏ㄟ^(guò)使用第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)包含ch基團(tuán)的方法使形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體包含有機(jī)-硅化合物。此處，有機(jī)-硅化合物可包含bdeas、dipas或btbas作為有機(jī)化合物，其中硅與例如氮、氫等原子一起鍵結(jié)于碳原子。當(dāng)形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體包含有機(jī)-硅化合物時(shí)，除了第一沉積氣體或第二沉積氣體之外，可不另外向線性沉積模塊部件供應(yīng)用于添加(或摻雜)ch基團(tuán)的獨(dú)立烴氣。因?yàn)橛袡C(jī)-硅化合物包含ch基團(tuán)，所以可沉積包含ch基團(tuán)的材料層形成緩沖膜而不使用添加ch基團(tuán)的獨(dú)立烴氣。

此時(shí)，形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體可由等離子體活化從而包含ch基團(tuán)。有機(jī)-硅化合物含有盡管未經(jīng)等離子體活化也與氧原子充分組合的硅。因此，有機(jī)-硅化合物中的硅可鍵結(jié)于氧而不形成等離子體并且可由此形成氧化硅層(或siox層)。在特定條件下，氧化物層或氮化物層中的有機(jī)-硅化合物中可含有ch基團(tuán)而不形成等離子體，但為了更容易調(diào)整ch基團(tuán)，包含有機(jī)-硅化合物的第一沉積氣體或第二沉積氣體可由等離子體活化，由此注入到襯底上。

形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體可包含氫化硅氣體和烴氣并且可由等離子體活化。可通過(guò)使用第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)包含ch基團(tuán)的另一方法使形成包含ch基團(tuán)的材料層的第一沉積氣體或第二沉積氣體包含氫化硅氣體和烴氣。氫化硅氣體是能夠形成作為無(wú)機(jī)膜的硅化合物層的氣體，并且烴氣是向作為無(wú)機(jī)膜的硅化合物層添加(或摻雜)ch基團(tuán)的氣體。包含ch基團(tuán)的第一材料層或第二材料層可通過(guò)氫化硅氣體和烴氣沉積，并且向具有極好防止水分滲透特性的無(wú)機(jī)膜添加(或摻雜)ch基團(tuán)由此使無(wú)機(jī)膜具有柔韌性。因此，可僅僅形成緩沖膜。氫化硅氣體可包含單硅烷(sih4)、二硅烷(si2h6)、四硅烷(si4h10)、三硅烷(si3h8)等，并且烴氣可包含甲烷(ch4)、乙烷(c2h6)、乙烯(c2h4)、乙炔(c2h2)、丙烷(c3h8)、環(huán)丙烷(c3h6)、異丁烷(c4h10)等。

另外，在此時(shí)，形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體可由等離子體活化來(lái)沉積緩沖膜。當(dāng)形成緩沖膜的第一沉積氣體或第二沉積氣體由等離子體活化時(shí)，硅可與氫化硅氣體充分分離，硅化合物層(或材料層)可在襯底上充分沉積，并且包含ch基團(tuán)的第一材料層或第二材料層因?yàn)閏h基團(tuán)的吸附得以改良而可以致密沉積。因此，可形成具有極好的防止水分滲透特性的緩沖膜。

第一材料層可以是氧化物層，并且第二材料層可以是氮化物層。氧化物層和氮化物層是致密的并且由此具有極好的防止水分滲透特性，并且當(dāng)向其中添加ch基團(tuán)時(shí)，還可確保柔韌性，因此容易形成緩沖膜。由于此類緩沖膜，可形成柔韌并且具有極好的防止水分滲透特性的鈍化層。因?yàn)檠趸飳涌捎捎谘踉拥臉O好反應(yīng)性而充分沉積于襯底上，所以原子層沉積(ald)可能由于氧原子的極好反應(yīng)性而有效，并且因?yàn)檠趸飳拥哪そY(jié)構(gòu)可通過(guò)原子層沉積(ald)而致密形成，所以可改善氧化物層的防止水分滲透特性。因此，可沉積第一材料層作為氧化物層從而使首先沉積的材料層可在襯底上充分沉積。

氮化物層為疏水性的并且由此具有高防止水分滲透特性。因此，當(dāng)沉積氮化物層作為第二材料層時(shí)，氮化物層可有效改善鈍化層的防止水分滲透特性。

舉例來(lái)說(shuō)，第一材料層可以是siox層，并且第二材料層可以是sinx層。因?yàn)閟iox層(氧化硅層)具有與氧(o)原子良好鍵結(jié)的硅(si)，所以可在未由等離子體活化硅(si)原子的情況下沉積第一材料層，并且原子層沉積(ald)可能由于硅和氧的高結(jié)合力而有效。

因?yàn)閟inx層(氮化硅層)是疏水性的并且由此具有高防止水分滲透特性。因此，當(dāng)沉積sinx層作為第二材料層時(shí)，sinx層可有效改善鈍化層的防止水分滲透特性。

因?yàn)閟iox層由于致密膜結(jié)構(gòu)而具有極好的防止水分滲透特性并且因?yàn)閟inx層是疏水性的并且由此具有極高防止水分滲透效率，所以當(dāng)siox層和sinx層的多層結(jié)構(gòu)中形成鈍化層時(shí)，鈍化層的防止水分滲透特性可更有效。

另外，當(dāng)siox層中包含ch基團(tuán)時(shí)，緩沖膜的膜質(zhì)量可非常好，因?yàn)閟iox層中的氧還與ch基團(tuán)良好鍵結(jié)，并且鈍化膜的防止水分滲透特性由于sinx層的高防止水分滲透效率而可以是非常好的。因此，可提供具有極好的防止水分滲透效率并且可確保高柔韌性的鈍化膜。另外，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，甚至當(dāng)sinx層中包含ch基團(tuán)時(shí)，可致密沉積sinx層并且由此，緩沖膜可具有極好的膜質(zhì)量，并且siox層還可由于硅和氧的高結(jié)合力而具有致密和極好的膜質(zhì)量。

同時(shí)，因?yàn)檠踉泳哂袠O好的反應(yīng)性，所以不僅氧原子充分沉積到襯底上，而且材料層可充分沉積到吸附(或沉積)有氧原子的氧層上。因此，首先沉積于襯底上的第一材料層適宜為siox層。

第一沉積氣體可包含第一源材料和第一反應(yīng)材料，并且在注入第一沉積氣體時(shí)，可獨(dú)立地注入第一源材料和第一反應(yīng)材料中的每一個(gè)。第一材料層由第一源材料和第一反應(yīng)材料形成。第一源材料和第一反應(yīng)材料可通過(guò)源材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴注入。第一源材料和第一反應(yīng)材料中的每一個(gè)依序到達(dá)襯底而不發(fā)生氣相反應(yīng)并且僅在襯底上反應(yīng)，并且因此，第一材料層可沉積到襯底上。

第二沉積氣體可包含第二源材料和第二反應(yīng)材料，并且在注入第二沉積氣體時(shí)，可獨(dú)立地注入第二源材料和第二反應(yīng)材料中的每一個(gè)。第二材料層可由第二源材料和第二反應(yīng)材料形成。第二源材料和第二反應(yīng)材料可通過(guò)源材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴注入。第一源材料和第一反應(yīng)材料中的每一個(gè)依序到達(dá)襯底而不發(fā)生氣相反應(yīng)并且僅在襯底上反應(yīng)，并且因此，第二材料層可以沉積到襯底上。

舉例來(lái)說(shuō)，線性沉積模塊部件配置成源材料噴嘴和反應(yīng)材料噴嘴交替(或一個(gè)接一個(gè))安置，并且由此，源材料和反應(yīng)材料中的每一個(gè)可獨(dú)立地注入到襯底上。

當(dāng)源材料和反應(yīng)材料中的每一個(gè)通過(guò)此類沉積方法獨(dú)立地注入時(shí)，膜結(jié)構(gòu)比在同時(shí)供應(yīng)源材料和反應(yīng)材料的情況下可獲得的膜結(jié)構(gòu)致密。因此，用作緩沖膜的包含ch基團(tuán)的第一材料層或第二材料層可具有極好的膜質(zhì)量，并且用作阻擋膜的不包含ch基團(tuán)的其余材料層可具有通過(guò)致密膜結(jié)構(gòu)改良的防止水分滲透特性。

同時(shí)，泵吸構(gòu)件可安置于注入源材料或反應(yīng)材料并且彼此相鄰的噴嘴之間的每一個(gè)空間，并且不利于沉積的過(guò)量氣體材料和沉積副產(chǎn)物可通過(guò)泵吸構(gòu)件排出。

第一材料層和第二材料層可通過(guò)原子層沉積(ald)來(lái)沉積，并且線性沉積模塊部件可由與第一軸方向平行安置的多個(gè)線性沉積源形成。原子層沉積(ald)為沉積材料層所必需的元素交替供應(yīng)使得原子層逐個(gè)吸附到襯底的沉積方法，并且因?yàn)椴牧蠈油ㄟ^(guò)各原子的原子層單元沉積，所以可沉積具有極好均勻性的致密材料層。因此，即使當(dāng)材料層中包含ch基團(tuán)時(shí)，材料層的膜質(zhì)量可能不降低，并且可解決材料層的降級(jí)影響相鄰材料層的質(zhì)量，并且由此鈍化膜的整體防止水分滲透特性降級(jí)的限制。

此時(shí)，線性沉積模塊部件可由與第一軸方向平行安置的多個(gè)線性沉積源形成。當(dāng)線性沉積源為原子層沉積(ald)源時(shí)，因?yàn)椴牧蠈油ㄟ^(guò)原子層單元沉積并且由此具有低沉積速度，所以可通過(guò)使用由多個(gè)線性沉積源形成的線性沉積模塊部件沉積材料層來(lái)實(shí)現(xiàn)高沉積速度。因此，通過(guò)提高材料層的沉積速度可在相對(duì)短時(shí)間內(nèi)沉積具有致密膜結(jié)構(gòu)和極好膜質(zhì)量的材料層。

因此，根據(jù)另一示例性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的方法可通過(guò)使用同一線性沉積模塊部件選擇性注入第一沉積氣體和第二沉積氣體，由此在襯底上均勻沉積第一材料層和第二材料層。另外，ch基團(tuán)可包含于第一材料層和第二材料層中的僅任一個(gè)中，由此形成更有效防止水分滲透的鈍化膜。

下文中，將詳細(xì)地描述根據(jù)另一示范性實(shí)施例的鈍化膜，并且將不提供與上文關(guān)于根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備和用于沉積鈍化膜的方法所述重疊的特征。

根據(jù)另一示范性實(shí)施例的鈍化膜可包含彼此交替層壓的氧化物層和氮化物層，并且氧化物層和氮化物層中的任一個(gè)可包含ch基團(tuán)。氧化物層和氮化物層中的任一個(gè)可以是緩沖膜，并且另一個(gè)可以是阻擋膜。緩沖膜可包含ch基團(tuán)。此時(shí)，通過(guò)交替層壓氧化物層和氮化物層形成的鈍化膜可以是形成于有機(jī)電子裝置上的鈍化膜。當(dāng)鈍化膜形成為緩沖膜和阻擋膜的多層膜時(shí)，鈍化膜20可具有極好的防止水分滲透效率并且可確保柔韌性。

氧化物層和氮化物層之間用作緩沖膜的材料層可包含ch基團(tuán)并且ch基團(tuán)可以添加(或摻雜)到無(wú)機(jī)膜(例如siox、sinx)中。當(dāng)通過(guò)向無(wú)機(jī)膜添加ch基團(tuán)形成緩沖膜時(shí)，可通過(guò)添加ch基團(tuán)調(diào)整緩沖膜的柔韌性并且還可確?？烧郫B水平的高柔韌性。

氧化物層可以是sio2層，并且氮化物層可以是sinx層。因?yàn)閟iox層(氧化硅層)具有與氧(o)原子良好鍵結(jié)的硅(si)，所以可在未由等離子體活化硅(si)原子的情況下沉積第一材料層，并且原子層沉積(ald)可能由于硅和氧的高結(jié)合力而有效。

因?yàn)閟inx層(氮化硅層)是疏水性的并且由此具有高防止水分滲透特性。因此，當(dāng)沉積sinx層作為第二材料層時(shí)，sinx層可有效改善鈍化層的防止水分滲透特性。

因?yàn)閟iox層由于致密膜結(jié)構(gòu)而具有極好的防止水分滲透特性并且因?yàn)閟inx層是疏水性的并且由此具有極高防止水分滲透特性，所以當(dāng)siox層和sinx層的多層結(jié)構(gòu)中形成鈍化層時(shí)，鈍化層的防止水分滲透特性可更有效。

另外，當(dāng)siox層中包含ch基團(tuán)時(shí)，緩沖膜的膜質(zhì)量可非常好，因?yàn)閟iox層中的氧還與ch基團(tuán)良好鍵結(jié)，并且鈍化膜的防止水分滲透特性由于sinx層的高防止水分滲透效率而可以是非常好的。因此，可提供具有極好的防止水分滲透效率并且可確保高柔韌性的鈍化膜。另外，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，甚至當(dāng)sinx層中包含ch基團(tuán)時(shí)，可致密沉積sinx層，并且由此，緩沖膜可具有極好的膜質(zhì)量，并且siox層還可由于硅和氧的高結(jié)合力而具有致密和極好的膜質(zhì)量。

因此，示范性實(shí)施例可提供具有非常好的防止水分滲透效率并且可確保高柔韌性的鈍化膜。

因此，在一個(gè)示范性實(shí)施例中，包含線性沉積源的第一沉積氣體和第二沉積氣體選擇性地一個(gè)接一個(gè)供應(yīng)到包含線性沉積源的線性沉積模塊部件。因此，可僅僅進(jìn)行用于鈍化膜的沉積工藝并且可防止沉積設(shè)備尺寸過(guò)大。另外，第一材料層和第二材料層通過(guò)使用同一沉積模塊部件沉積，并且因此多個(gè)材料層可均勻沉積到襯底上。另外，第一沉積氣體和第二沉積氣體可選擇性地供應(yīng)到同一線性沉積模塊部件，并且因此，可調(diào)整第一材料層和第二材料層中的每一個(gè)的厚度。另外，第一材料層和第二材料層中的任一個(gè)材料層包含ch基團(tuán)，并且在第一材料層和第二材料層之間致密沉積包含ch基團(tuán)的材料層，并且因此可改善鈍化膜的防止水分滲透特性。另外，可通過(guò)調(diào)整線性沉積源的數(shù)目來(lái)增加沉積速度，并且可減小襯底的移動(dòng)距離。此外，當(dāng)線性沉積源為原子層沉積(ald)源時(shí)，并且當(dāng)線性沉積模塊部件包含多個(gè)線性沉積源時(shí)，不僅防止水分滲透效率提高，而且可補(bǔ)充原子層沉積源的沉積速度。

根據(jù)一個(gè)示范性實(shí)施例的用于沉積鈍化膜的設(shè)備可向包含線性沉積源的線性沉積模塊部件選擇性地一個(gè)接一個(gè)供應(yīng)第一沉積氣體和第二沉積氣體，由此在單個(gè)腔室中沉積多個(gè)材料層。因此，可僅僅進(jìn)行鈍化膜的沉積工藝并且可防止沉積設(shè)備尺寸過(guò)大。

上文描述中使用的術(shù)語(yǔ)“在x上”的意思包含直接接觸x的情況和朝上或朝下面對(duì)x定位的情況，并且還可以包含不僅面朝整個(gè)上表面或下表面x定位而且部分面對(duì)表面x定位的情況，以及從獨(dú)立位置面對(duì)x或直接接觸上表面或下表面x定位的情況。因此，“在襯底上”意思可以是“在襯底的一個(gè)表面”(例如上表面或下表面)上，并且意思還可以是“在沉積于襯底的表面上的膜表面上”。

盡管已詳細(xì)地描述本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但應(yīng)理解本發(fā)明不限于此，并且所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)它們作出多種修改、取代和改變而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。因此，本發(fā)明的技術(shù)保護(hù)范圍將由所附權(quán)利要求書(shū)的范圍確定。