本申請(qǐng)案主張2014年6月17日申請(qǐng)的美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)第No.62/013,065號(hào)的優(yōu)先權(quán)，所述美國(guó)臨時(shí)申請(qǐng)的披露內(nèi)容特此以全文引用的方式并入本文中。

背景技術(shù)：

除非在此另有說(shuō)明，否則這部分中描述的材料不是本申請(qǐng)案中的權(quán)利要求書(shū)的先前技術(shù)，并且并不因?yàn)榘谶@部分中就被承認(rèn)為先前技術(shù)。

不同于單晶硅，當(dāng)沉積于柔性襯底上的薄層(例如1到5μm)中時(shí)，二硒化銅銦(CuInSe₂或CIS)是有效的光吸收材料。在一些應(yīng)用中，如鎵或鋁的元素可按比例取代CIS內(nèi)的銦原子以形成如CuIn_1-xGa_xSe₂(CIGS)或CuIn_1-xAl_xSe₂(CIAS)的材料。通過(guò)置換CIS內(nèi)的銦而形成的前述材料群可通常稱(chēng)為CIGS，但出于本文的目的應(yīng)理解為包括如CIAS的這類(lèi)材料。舉例來(lái)說(shuō)，鋁或鎵取代銦可用于增加材料的電子帶隙，其視應(yīng)用而定可引起由所述材料制成的太陽(yáng)能電池的較高輸出電壓。

在襯底上形成CIGS膜的一種方式是經(jīng)由共蒸發(fā)真空腔室內(nèi)的成分材料。共蒸發(fā)包括加熱銅、銦、鎵、鋁、硫或硒源材料，以使其在真空腔室內(nèi)蒸發(fā)、在加熱襯底上冷凝并反應(yīng)以形成CIGS。共蒸發(fā)工藝可產(chǎn)生具有光滑表面的高效CIGS裝置，但可能難以大規(guī)模制造。

另一工藝包括在襯底上濺鍍或共沉積前體膜，并隨后在高溫下將前體膜暴露于硒和/或硫蒸氣下。然而由這種工藝所產(chǎn)生的CIGS膜通常比共蒸發(fā)膜表面粗糙。這些粗糙表面可使完成太陽(yáng)能電池或模塊的額外材料層的后續(xù)沉積復(fù)雜化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

例示性實(shí)施例提供被配置成產(chǎn)生沉積于襯底上的CuInGaSe₂(CIGS)膜的方法。例示性方法可有利地產(chǎn)生具有光滑表面的CIGS膜，能夠沉積例如厚度約50nm到約80nm的CdS薄層和/或沉積例如厚度約200nm到約400nm的薄透明導(dǎo)電氧化物。舉例來(lái)說(shuō)，具有光滑表面的CIGS膜可通過(guò)將如銅/銦/鎵合金或混合物的前體材料加熱到目標(biāo)反應(yīng)溫度，隨后暴露于如硒的反應(yīng)性蒸氣而形成。例示性方法可有利地產(chǎn)生較高效率太陽(yáng)能電池。

因此，一方面，提供一種包括以下步驟的方法：(a)將具有沉積于襯底表面上的前體材料的襯底引入到真空腔室的第一區(qū)域中，其中前體材料包括銅；銦；以及鎵、硒、硫、鈉、銻、硼、鋁和銀中的至少一種；(b)在第一區(qū)域內(nèi)，將前體材料加熱到在約270℃到約490℃范圍內(nèi)的目標(biāo)反應(yīng)溫度；(c)將硒蒸氣維持在真空腔室的第二區(qū)域中；和(d)將前體材料加熱到目標(biāo)反應(yīng)溫度后，將前體材料和襯底引入到真空腔室的第二區(qū)域中。

在另一方面，提供非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體。非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體存儲(chǔ)指令，當(dāng)由控制系統(tǒng)執(zhí)行所述指令時(shí)，使控制系統(tǒng)執(zhí)行功能。功能包括將具有沉積于襯底表面上的前體材料的襯底引入到真空腔室的第一區(qū)域中。前體材料包括銅；銦；以及鎵、硒、硫、鈉、銻、硼、鋁和銀中的至少一種。功能還包括在第一區(qū)域內(nèi)，將前體材料加熱到在約270℃到約490℃范圍內(nèi)的目標(biāo)反應(yīng)溫度。功能進(jìn)一步包括使硒蒸氣維持在真空腔室的第二區(qū)域中，并且在將前體材料加熱到目標(biāo)反應(yīng)溫度后，將前體材料和襯底引入到真空腔室的第二區(qū)域中。

本領(lǐng)域普通技術(shù)人員通過(guò)適當(dāng)?shù)貐⒖几綀D閱讀以下詳細(xì)描述將明白這些以及其它方面、優(yōu)點(diǎn)和替代方案。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例包括前體層的襯底幅材的說(shuō)明。

圖2A是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例用于加工前體材料的系統(tǒng)的說(shuō)明。

圖2B描繪(i)襯底幅材溫度與(ii)襯底幅材所經(jīng)過(guò)的加工時(shí)間之間的例示性關(guān)系。

圖2C描繪CIGS膜粗糙度與初始反應(yīng)溫度之間的例示性關(guān)系。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例通過(guò)硒化前體層而形成的CIGS材料的說(shuō)明。

圖4是根據(jù)一個(gè)實(shí)施例的方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

本文中描述例示性方法和系統(tǒng)。本文所述的任何例示性實(shí)施例或特征未必應(yīng)解釋為比其它實(shí)施例或特征優(yōu)選或有利。本文所述的例示性實(shí)施例不打算為限制性的。將易于理解的是，所披露的系統(tǒng)和方法的某些方面可以多種不同配置來(lái)布置和組合，本文中涵蓋所有所述配置。

此外，圖中示出的特定布置不應(yīng)視為限制性的。應(yīng)理解，其它實(shí)施例可大體上包括給定圖中示出的每一元件。另外，可組合或省略一些所說(shuō)明的元件。又另外，例示性實(shí)施例可包括圖中未說(shuō)明的元件。

圖1顯示沉積于電極層104上的適合前體層106，其又沉積于襯底層102上。襯底層102和電極層104共同構(gòu)成復(fù)合襯底108。另外，當(dāng)前體層106沉積于復(fù)合襯底上時(shí)，所得結(jié)構(gòu)可稱(chēng)為襯底幅材110。

在一個(gè)實(shí)施例中，襯底層102可包括不銹鋼、鋁或鈦以及其它可能性。在另一實(shí)施例中，襯底層102可具有柔性并且被配置成用于卷對(duì)卷加工，其厚度范圍例如在約20μm到約250μm之間。襯底層102可具有已拋光的或粗糙度為約20nm到約100nm的未拋光頂表面。如電極層104的其它材料可作為工藝的一部分沉積于襯底層102的頂表面上以形成太陽(yáng)能電池或模塊。襯底層102可被配置成耐受與本文所披露的材料加工技術(shù)相關(guān)的高溫和高溫度改變速率。在沉積額外層之前，襯底層102可經(jīng)歷從襯底層102頂表面去除可能降低太陽(yáng)能電池性能的污染物的各種化學(xué)沖洗或干燥方法。

在一個(gè)實(shí)施例中，電極層104可包括厚度在約50nm到約1500nm范圍內(nèi)的鉬(Mo)膜?；蛘撸姌O層104可包括其它導(dǎo)電金屬，如Cr、Ti、W、Ta或Nb。另一/其它導(dǎo)電金屬可包括于電極層104的鄰近前體層106的子層中。在一些實(shí)例中，襯底層102和電極層104可變?yōu)樘?yáng)能電池或太陽(yáng)能模塊的一部分，并且電極層104可充當(dāng)用于利用由太陽(yáng)能電池或模塊產(chǎn)生的電能的導(dǎo)電路徑(例如正極或負(fù)極端)。在一個(gè)實(shí)施例中，電極層104可包括具有光滑表面的濺鍍沉積Mo，其被配置成在太陽(yáng)能電池或模塊的電極層104與光吸收層之間形成電接觸。

前體層106可包括銅；銦；以及鎵、硒、硫、鈉、銻、硼、鋁、銀中的至少一種或其某一組合。在一個(gè)實(shí)施例中，如圖1所示，前體層106可包括銅(Cu)、銦(In)和鎵(Ga)，并且厚度可在約400nm到約1000nm范圍內(nèi)。前體層106可以是均質(zhì)的，因?yàn)榍绑w層106的區(qū)域可具有與前體層106的其它區(qū)域基本上一致的化學(xué)計(jì)量。在前體層106內(nèi)，(i)銅與(ii)銦和鎵的比率可在約0.7到約0.96范圍內(nèi)，并且(i)鎵與(ii)鎵和銦的比率可在約0.2到約0.4范圍內(nèi)。

圖2A顯示用于加工前體材料的系統(tǒng)。材料加工系統(tǒng)200可包括第一區(qū)域202A和第二區(qū)域202B。第一區(qū)域202A和第二區(qū)域202B可安置在單個(gè)真空腔室中或可以是獨(dú)立真空腔室。在一個(gè)實(shí)施例中，第一和第二區(qū)域202A和202B可具有獨(dú)立溫度、壓力和氛圍控制能力。舉例來(lái)說(shuō)，控制系統(tǒng)可被配置成監(jiān)測(cè)并維持(i)襯底幅材218的溫度，(ii)氣壓或(iii)第一區(qū)域202A或第二區(qū)域202B內(nèi)的常壓內(nèi)容物。在一個(gè)實(shí)施例中，控制系統(tǒng)可被配置成控制第一區(qū)域加熱器216A和第二區(qū)域加熱器216B以控制第一區(qū)域202A或第二區(qū)域202B內(nèi)的襯底幅材218的各別溫度。在另一實(shí)施例中，控制系統(tǒng)可控制泵204A，其可被配置成將第一區(qū)域202A和第二區(qū)域202B分別抽空到約10^-5托的壓力。(在一些實(shí)施例中，可使用與第一區(qū)域202A和第二區(qū)域202B中的每個(gè)對(duì)應(yīng)的泵。)范圍在10^-6托與10^-2托之間的其它壓力條件是可能的。泵204A可包括一種或多種機(jī)械泵、渦輪分子泵、擴(kuò)散泵、離子泵或低溫泵以及其它可能性?？刂葡到y(tǒng)還可被配置成維持加工氣體，如氬氣、硒、硫或氮?dú)膺M(jìn)入第一區(qū)域202A或第二區(qū)域202B的流速。

在一個(gè)實(shí)施例中，襯底幅材218可包括(i)柔性不銹鋼襯底層與(ii)沉積于襯底層頂表面上的鉬電極層和(iii)沉積于電極層上的CuInGa前體層(參見(jiàn)圖1和上文相關(guān)描述)。在對(duì)襯底幅材218進(jìn)行進(jìn)一步材料加工前，襯底幅材218的至少一部分可在饋入卷軸212上卷起。襯底幅材218可通過(guò)饋入卷軸212打開(kāi)，并且進(jìn)一步通過(guò)收集卷軸214推進(jìn)，使得襯底幅材218可首先通過(guò)第一區(qū)域202A且隨后通過(guò)第二區(qū)域202B饋入。

可通過(guò)控制系統(tǒng)，例如在第一區(qū)域插入點(diǎn)220A處將襯底幅材218引入到第一區(qū)域202A中，所述第一區(qū)域插入點(diǎn)可包括被配置成將襯底幅材218饋入到第一區(qū)域202A中，同時(shí)維持第一區(qū)域202A與周?chē)鷼夥罩g的差壓的饋通(feed-through)。同移動(dòng)通過(guò)第一區(qū)域202A時(shí)，襯底幅材218可通過(guò)第一區(qū)域加熱器216A加熱。在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域加熱器216A可包括鹵素?zé)艏訜崞骰螂娮杓訜嵩?，其被配置成將襯底幅材218加熱到在約270℃到約490℃范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地在約360℃到約380℃范圍內(nèi)的反應(yīng)溫度。收集卷軸214和饋入卷軸212可被配置成使襯底幅材218以允許襯底幅材218達(dá)到目標(biāo)反應(yīng)溫度的速率移動(dòng)通過(guò)第一區(qū)域202A，隨后從第一區(qū)域202A中移出襯底幅材218。在一個(gè)實(shí)施例中，襯底幅材218可維持在目標(biāo)反應(yīng)溫度下約三分鐘到約三十分鐘，以便完成形成CIGS的反應(yīng)。第一區(qū)域202A可基本上不含可在第二區(qū)域202B中蒸發(fā)的硒、硫或其它材料，允許襯底幅材218在暴露于引入到第二區(qū)域202B中的蒸氣之前達(dá)到目標(biāo)反應(yīng)溫度。

到達(dá)第一區(qū)域移出點(diǎn)222A后，將襯底幅材218引入到第二區(qū)域202B中。在一個(gè)實(shí)施例中，第一區(qū)域202A和第二區(qū)域202B可經(jīng)由縫隙耦接，所述縫隙被配置成將襯底幅材218從第一區(qū)域202A轉(zhuǎn)移到第二區(qū)域202B，其中襯底幅材218在進(jìn)入第二區(qū)域202B之前未實(shí)質(zhì)性暴露于周?chē)鷼夥栈蛘魵庀?。襯底幅材218可在第二區(qū)域插入點(diǎn)220B處引入到第二區(qū)域202B中，所述第二區(qū)域插入點(diǎn)可包括類(lèi)似于第一區(qū)域插入點(diǎn)220A或第一區(qū)域移出點(diǎn)222A的饋通。

一旦在第二區(qū)域202B內(nèi)，襯底幅材218可暴露于由蒸氣源，例如226B、228B、230B釋放的蒸氣。在各種實(shí)施例中，第二區(qū)域202B內(nèi)可存在多于或少于三種蒸氣源。另外，蒸氣源226B、228B、230B可如圖2A中顯示位于第二區(qū)域202B內(nèi)，或可位于第二區(qū)域202B外。在蒸氣源226B、228B和230B位于第二區(qū)域202B外的實(shí)例中，蒸氣源226B、228B、230B可經(jīng)由例如由控制系統(tǒng)所控制的管道和閥門(mén)連接到第二區(qū)域202B。在另一實(shí)施例中，由蒸氣源226B、228B、230B釋放的蒸氣可以是硒或硫以及其它可能性，并且優(yōu)選地是硒。蒸氣源226B、228B、230B可以是含有硒丸粒的加熱容器，所述硒丸粒經(jīng)過(guò)加熱而使硒蒸發(fā)并擴(kuò)散在第二區(qū)域202B中。在一個(gè)實(shí)例中，容器內(nèi)硒的溫度可加熱到約335℃并維持在所述溫度下。一旦襯底幅材218達(dá)到在約270℃到約490℃范圍內(nèi)，并且優(yōu)選地在約360℃到約380℃范圍內(nèi)的目標(biāo)反應(yīng)溫度，即可將襯底幅材218插入到第二區(qū)域202B中。在一個(gè)實(shí)施例中，當(dāng)襯底幅材218處于目標(biāo)反應(yīng)溫度時(shí)，襯底幅材218可首先與第二區(qū)域202B中的蒸氣接觸。隨后，在襯底幅材218與由蒸氣源226B、228和230B釋放的蒸氣接觸后，可經(jīng)由第二區(qū)域加熱器216B將第二區(qū)域202B內(nèi)的襯底幅材218的溫度提高到至少約520℃。所得CIGS膜可具有約65nm的平均粗糙度。

襯底幅材218可在第二區(qū)域移出點(diǎn)222B處從第二區(qū)域202B中移出，所述第二區(qū)域移出點(diǎn)可包括類(lèi)似于第二區(qū)域插入點(diǎn)220B的縫隙。在一個(gè)實(shí)例中，在襯底幅材218的一部分從第二區(qū)域202B中移出后，可將其冷卻到環(huán)境溫度或約20℃到約150℃的低溫，隨后在收集卷軸214上卷起。在另一個(gè)實(shí)例中，系統(tǒng)200可包括第三區(qū)域(未圖示)，其中可在真空下和第二區(qū)域202B中不存在蒸氣的情況下將襯底幅材218冷卻到環(huán)境溫度。

圖2B描繪(i)襯底幅材溫度與(ii)襯底幅材所經(jīng)過(guò)的加工時(shí)間之間的例示性關(guān)系。點(diǎn)262描繪當(dāng)襯底幅材218低于目標(biāo)反應(yīng)溫度時(shí)，可將反應(yīng)性蒸氣引入到襯底幅材218中的情形。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)襯底幅材218處于200℃的溫度時(shí)，可引入蒸氣。這可導(dǎo)致粗糙CIGS膜的形成。點(diǎn)264描繪當(dāng)襯底幅材218處于或高于目標(biāo)反應(yīng)溫度時(shí)，可將反應(yīng)性蒸氣引入到襯底幅材218中的情形。在一個(gè)實(shí)施例中，例如當(dāng)襯底幅材218的溫度為375℃時(shí)，可引入蒸氣。這一實(shí)施例可導(dǎo)致光滑CIGS膜的形成。

圖2C描繪CIGS膜粗糙度與初始反應(yīng)溫度之間的例示性關(guān)系。點(diǎn)282表示將襯底幅材加熱到約375℃后，通過(guò)使襯底幅材與硒蒸氣接觸而產(chǎn)生的CIGS膜。這類(lèi)膜具有大致65nm的平均粗糙度。點(diǎn)284表示將襯底幅材加熱到約300℃后，通過(guò)使襯底幅材與硒蒸氣接觸而產(chǎn)生的CIGS膜。這類(lèi)膜具有大致85nm的平均粗糙度。點(diǎn)286表示將襯底幅材加熱到約225℃后，通過(guò)使襯底幅材與硒蒸氣接觸而產(chǎn)生的CIGS膜。這類(lèi)膜具有大致145nm的平均粗糙度。點(diǎn)288提供比較點(diǎn)，因?yàn)槭褂靡阎舭l(fā)技術(shù)產(chǎn)生的CIGS膜通常具有在大致65nm到95nm范圍內(nèi)的粗糙度。因此，圖2C顯示，將CIGS襯底幅材的溫度升高到約375℃，隨后將襯底幅材暴露于硒蒸氣下，會(huì)產(chǎn)生至少與經(jīng)由共蒸發(fā)所產(chǎn)生的膜同樣光滑的CIGS膜。

圖3顯示通過(guò)硒化前體層而形成的CIGS材料。圖3包括襯底層302、電極層304和反應(yīng)產(chǎn)物層306，其共同構(gòu)成襯底幅材310。

襯底層302和電極層304可分別類(lèi)似于如上文所述的圖1的襯底層102和電極層104。襯底層302和電極層304可已暴露于上文關(guān)于圖2A所描述的加工環(huán)境或方法下，但典型地通過(guò)加工環(huán)境或方法基本上保持不變。在一些實(shí)施例中，電極層304的一部分可與Se蒸氣反應(yīng)而例如形成MoSe₂。因此，在某些條件下，圖1的前體層106可與蒸氣反應(yīng)，由此實(shí)質(zhì)上消耗前體層106并形成反應(yīng)產(chǎn)物層306。舉例來(lái)說(shuō)，CuInGa前體層可與Se蒸氣反應(yīng)而形成CuInGaSe₂反應(yīng)產(chǎn)物層306。

在一個(gè)實(shí)施例中，反應(yīng)產(chǎn)物層306可以是通過(guò)硒化圖1的前體層106而形成的CuInGaSe₂(CIGS)層。也就是說(shuō)，包含Cu、In和Ga的前體層106可通過(guò)關(guān)于上文圖2A所描述的反應(yīng)性工藝而基本上轉(zhuǎn)化以形成CIGS。在這種情況下，反應(yīng)產(chǎn)物層306(CIGS)的所得厚度可大致比圖1的前體層106的厚度大兩倍。在其它實(shí)施例中，反應(yīng)產(chǎn)物層306可包括如鋁或硼而不是鎵的材料，以及如硫而不是硒的材料。

包含襯底層302(例如不銹鋼)、電極層304(例如鉬)和反應(yīng)產(chǎn)物層306(例如CIGS光吸收層)的襯底幅材310可被配置成用于額外功能層的進(jìn)一步加工或沉積，如硫化鎘緩沖層；如鋁摻雜氧化鋅的透明導(dǎo)電氧化物層；或如鎳、鋁、銀或銅的金屬觸點(diǎn)網(wǎng)格層以用于使鉬電極層與金屬觸點(diǎn)網(wǎng)格層之間的電路形成通路。

圖4是表示用于加工前體材料的例示性方法的流程圖。方法400可包括一或多種如由方框402到408所說(shuō)明的功能。盡管方框以順序次序示出，但這些方框可在一些情況下以并行和/或不同于本文所述的那些次序來(lái)進(jìn)行。另外，基于所要實(shí)施方案，各種方框可合并成較少方框、分成額外方框和/或去除。

此外，對(duì)于方法400和本文所披露的其它工藝和方法，圖4顯示當(dāng)前實(shí)施例的一種可能實(shí)施方案的功能和操作。在此方面，每個(gè)方框可表示模塊、片段或程序代碼的一部分，其包括可由處理器執(zhí)行的一種或多種指令以實(shí)施工藝中的特定邏輯功能或步驟。程序代碼可存儲(chǔ)在任何類(lèi)型的計(jì)算機(jī)可讀媒體上，例如，包括磁盤(pán)或硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的存儲(chǔ)裝置。計(jì)算機(jī)可讀媒體可包括非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀媒體，例如短時(shí)間段內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的計(jì)算機(jī)可讀媒體，如寄存器存儲(chǔ)器、處理器高速緩沖存儲(chǔ)器和隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)。計(jì)算機(jī)可讀媒體還可包括非暫時(shí)性媒體，如二級(jí)或持久性長(zhǎng)期存儲(chǔ)裝置，例如只讀存儲(chǔ)器(ROM)、光盤(pán)或磁盤(pán)或壓縮光盤(pán)只讀存儲(chǔ)器(CD-ROM)。計(jì)算機(jī)可讀媒體還可以是任何其它易失性或非易失性存儲(chǔ)器系統(tǒng)。計(jì)算機(jī)可讀媒體可視為例如計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)媒體、有形存儲(chǔ)裝置或其它制品。

此外，對(duì)于方法400和本文所披露的其它工藝和方法，圖4中的每個(gè)方框可表示被配置成執(zhí)行方法400的特定邏輯功能的電路。在方框402處，方法400包括將具有沉積于襯底表面上的前體材料的襯底引入到真空腔室的第一區(qū)域中。前體材料可包括銅；銦；以及鎵、硒、硫、鈉、銻、硼、鋁、銀中的至少一種；或其某一組合。真空腔室的第一區(qū)域可以是具有獨(dú)立襯底溫度控制的真空系統(tǒng)的一部分。隨后，在方框404處，方法400進(jìn)一步包括在第一區(qū)域內(nèi)，將前體材料加熱到在約270℃到約490℃范圍內(nèi)的目標(biāo)反應(yīng)溫度。在一個(gè)實(shí)施例中，目標(biāo)反應(yīng)溫度可在約360℃到約380℃范圍內(nèi)，優(yōu)選地為約370℃。在一個(gè)實(shí)施例中，前體材料可通過(guò)上文關(guān)于圖2A所述的第一區(qū)域加熱器216A加熱到目標(biāo)反應(yīng)溫度。隨后，在方框406處，方法400包括將硒蒸氣或硫蒸氣維持在真空腔室的第二區(qū)域中。硒蒸氣可以是Se或H₂Se，并且硫蒸氣可以是S或H₂S。硒蒸氣可通過(guò)例如圖2A的蒸氣源226B、228B和230B維持在第二區(qū)域202B內(nèi)。在方框408處，方法400另外包括將前體材料加熱到目標(biāo)反應(yīng)溫度后，將前體材料和襯底引入到真空腔室的第二區(qū)域中。

在一個(gè)實(shí)施例中，方法400可進(jìn)一步包括當(dāng)襯底在第二區(qū)域內(nèi)時(shí)，將襯底(即襯底層、電極層、反應(yīng)產(chǎn)物層或任何剩余前體層)溫度提高到約520℃或更高。舉例來(lái)說(shuō)，襯底溫度可通過(guò)第二區(qū)域加熱器216B來(lái)提高。一旦引入真空腔室的第二區(qū)域中，前體材料可與硒蒸氣或硫蒸氣反應(yīng)。

上文具體實(shí)施方式參考附圖描述所披露系統(tǒng)和方法的各種特征和功能。雖然本文中已經(jīng)披露各種方面和實(shí)施例，但本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將明白其它方面和實(shí)施例。除非上下文明確指示，否則可結(jié)合處于本發(fā)明的不同方面內(nèi)以及之間的所有實(shí)施例。本文所披露的各種方面和實(shí)施例是出于說(shuō)明的目的，并且不打算為限制性的，其中真實(shí)的范圍和精神由以下權(quán)利要求書(shū)指示。