本發(fā)明涉及半導體器件制造領域，更具體地，涉及氣體分配器及使用該氣體分配器的沉積設備。

背景技術：

近年來，由于光刻最小化部件尺寸已經(jīng)降低至1微米以下，因此增長了集成電路技術中的密度。在這些減小尺寸的精密通孔和接觸開口的制造中，需要形成具有一致濕蝕刻速率的隔離層(金屬間介電(IMD)、層間介電(ILD)層)以使得一致的通孔和接觸開口可以形成。

諸如化學氣相沉積(CVD)室的處理室用于處理諸如半導體晶圓、光晶體二極管、平板顯示器或其它類似襯底的工件。在處理期間，位于處理室中的襯底被暴露至引入室中的反應物氣體并且襯底具有在其上沉積的薄膜。在襯底處理期間，室自身的內(nèi)表面通常會被剩余的沉積材料污染。因此，在襯底于被污染的室內(nèi)的后續(xù)處理中，當反應物氣體與室的表面上的污染物結(jié)合時可形成不期望的微粒，并且微粒可沉積在襯底上且引起薄膜不一致。

技術實現(xiàn)要素：

根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種沉積設備，包括：反應器室；保持架，設置在反應器室中用于保持襯底；噴頭，設置在反應器室中并與保持架相對，噴頭包括多個孔用于允許反應氣體進入反應器室；以及掩模層，形成在噴頭的表面上用于防止噴頭在等離子體清潔工藝期間被蝕刻。

根據(jù)本發(fā)明，反應器室包括室底部、室拱頂以及將室底部連接至室拱頂?shù)亩鄠€室壁，其中，保持架設置在室底部上方，并且噴頭設置在室拱頂處。

根據(jù)本發(fā)明，進一步包括反應物氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室 中提供反應物氣體。

根據(jù)本發(fā)明，進一步包括載具氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供載具氣體。

根據(jù)本發(fā)明，進一步包括射頻(RF)電源供應源，連接至保持架或者噴頭用于在保持架和噴頭之間產(chǎn)生等離子體。

根據(jù)本發(fā)明，進一步包括：凈化氣體供應源，連接至反應器室的通風入口用于向反應器室中提供凈化氣體；以及凈化氣體排空裝置，連接至反應器室的通風出口用于將來自反應器室的凈化氣體排空。

根據(jù)本發(fā)明，進一步包括清潔氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供清潔氣體。

根據(jù)本發(fā)明，清潔氣體為三氟甲烷(CHF₃)、四氟化碳(CF₄)、三氯化硼(BCl₃)、氯氣(Cl₂)、氨氣(NH₃)、溴(Br₂)或者三氟化氮(NF₃)。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層為氮化物層。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層由氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)或氮化鉬(MoN)制成。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層由碳化硅(SiC)制成。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層為陽極氧化的鋁層。

根據(jù)本發(fā)明，沉積設備為化學氣相沉積(CVD)設備或者為原子層沉積(ALD)設備。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種具有原位等離子體清潔功能的沉積設備，沉積設備包括：反應器室；保持架，設置在反應器室中用于保持襯底；噴頭，設置在反應器室的室拱頂處；反應物氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供反應物氣體；清潔氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供清潔氣體；射頻(RF)電源供應源，連接至保持架或者噴頭用于在保持架和噴頭之間產(chǎn)生等離子體；以及掩模層，形成在噴頭的表面上。

根據(jù)本發(fā)明，清潔氣體為三氟甲烷(CHF₃)、四氟化碳(CF₄)、三氯化硼(BCl₃)、氯氣(Cl₂)、氨氣(NH₃)、溴(Br₂)或者三氟化氮(NF₃)。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層為氮化物層或者陽極氧化的鋁層。

根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種在沉積設備中使用的氣體分配器，包 括：噴頭，噴頭包括多個孔；以及掩模層，形成在噴頭的表面上，其中孔穿透穿過掩模層。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層形成在孔的側(cè)壁上、噴頭的內(nèi)表面上以及噴頭的外表面上。

根據(jù)本發(fā)明，噴頭由鋁或鋁合金制成，并且掩模層為陽極氧化的鋁層。

根據(jù)本發(fā)明，掩模層由氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鉬(MoN)或者碳化硅(SiC)制成。

附圖說明

當結(jié)合附圖進行閱讀時，通過以下詳細描述可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。應該注意，根據(jù)工業(yè)的標準實踐，各個部件沒有按比例繪制。實際上，為了清楚討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或縮小。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沉積設備的示意圖。

圖2A是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的噴頭130的正視圖。

圖2B是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的噴頭的放大截面圖。

具體實施方式

以下公開內(nèi)容提供了許多用于實現(xiàn)所提供主題的不同特征的許多不同實施例或?qū)嵗?。以下描述組件或布置的具體實例以簡化本發(fā)明。當然，這些僅僅是實例，而不旨在約束本發(fā)明。例如，在以下的描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可以包括第一部件和第二部件被形成為直接接觸的實施例，并且也可以包括可以在第一部件和第二部件形成其他部件使得第一部件和第二部分不直接接觸的實施例。而且，本發(fā)明在各個實例中可重復參考數(shù)字和/或字母。這些重復是為了簡化和清楚的目的，并且其本身并不表示所討論的多個實施例和/或配置之間的關系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在...下方”、“在...下面”、“下部”、“在...上面”、“上部”等的空間關系術語，以描述如圖中所示的一個元件或部件與另一元件或部件的關系。除圖中所示的定向之外，空間關系術語還包括使用或操作中器件的不同定向。裝置可以以其他方式定向(旋轉(zhuǎn)90度或在 其他方位上)，以及本文使用的空間相對描述符可以同樣地作相應的解釋。

在形成多級集成電路器件中，需要低K(介電常數(shù))金屬間介電(IMD)層以降低由于IC器件尺寸按比例縮小導致的信號延遲和功率損耗效應?；诓牧系牡蚄氧化硅通過使用諸如等離子體增強CVD(PECVD)工藝或者高密度等離子體CVD(HDP-CVD)工藝的化學氣相沉積(CVD)工藝形成或者通過原子層沉積(ALD)工藝形成以沉積介電材料層。

這種沉積工藝的一個問題在于在處理室中IMD層沉積材料的涂層在表面上方的形成。剩余沉積材料的形成在后續(xù)沉積中于多個方面成為問題，這些方面包括在沉積工藝期間剩余的沉積材料剝落在處理晶圓上方，從而向諸如IMD層的新沉積層中引入缺陷。此外，由于沉積等離子體與剩余的沉積材料在室中的相互反應，通過不期望地引入污染物，在先前工藝中諸如氟的當前的摻雜劑趨向于在非摻雜IMD層的后續(xù)沉積中引起問題。

因此，本發(fā)明提供了具有原位清潔功能的沉積設備。該沉積設備能夠定時地清潔以避免襯底的污染物被處理。該沉積設備能夠使用以等離子體激活的氣體清潔劑而原位清潔。

圖1是根據(jù)本發(fā)明的一些實施例的沉積設備的示意圖。沉積設備100包括反應器室110，其中介電材料薄膜隨著沉積工藝沉積。例如，沉積設備100可執(zhí)行諸如等離子體增強CVD(PECVD)工藝或者高密度等離子體CVD(HDP-CVD)工藝的化學氣相沉積(CVD)工藝或者執(zhí)行原子層沉積(ALD)工藝以沉積介電材料層。反應器室110具有室底部112、室拱頂114以及將室底部112連接至室拱頂114的多個室壁116。一個或多個切口閥(slit valve)開口118可呈現(xiàn)為穿過一個或多個室壁116。切口閥開口118允許諸如晶圓122的襯底進入和離開反應器室110。

如圖所示，反應器室110可以為冷壁反應器，反應器室110的室壁116是冷的并且通常在壁上發(fā)生較少的沉積，消除微粒從室壁116掙脫的風險。此外，低的壁溫度降低了污染水蒸氣/壁反應的風險。可替代地，反應室110可以為熱(加熱的)壁反應器。在熱壁反應器室110中，反應器管道被管狀爐環(huán)繞，并且晶圓122與反應器室110的室壁116具有相同的溫度。除了在晶圓122上發(fā)生薄膜生長之外，薄膜生長因此也可以發(fā)生在室壁116的內(nèi)部上。由于室壁 116上的較厚薄膜，存在微粒將從室壁116掙脫并落在生長的薄膜的表面上且在其中引入小孔的風險。因為反應器壁的材料與水蒸氣之間的反應，在這種反應器類型中還存在污染物的供應。

沉積設備100包括晶圓保持架120，其設置在反應器室110中用于在其上保持晶圓122。晶圓保持架120設置在室底部112上方。晶圓122包括半導體襯底，其中半導體襯底例如由硅制成；化合物半導體，諸如碳化硅、砷化銦或磷化銦；或者合金半導體，諸如碳化硅鍺、磷砷化鎵或磷銦化鎵。晶圓122還可以包括半導體襯底中的各種摻雜區(qū)域、電介質(zhì)部件或多級互連件。介電材料的薄膜沉積在晶圓122的表面上。

在一些實施例中，晶圓保持架120包括陶瓷材料。晶圓保持架120通過軸124連接至舉升機構(未示出)。軸124可使晶圓保持架120降低至轉(zhuǎn)移位置以允許晶圓122進入反應器室110并被定位在晶圓保持架120上。軸124可使晶圓保持架120上升至預定處理位置。沉積環(huán)126外接并保護晶圓保持架120避免不必要的沉積。軸124連接至旋轉(zhuǎn)機構(未示出)。晶圓保持架120可被軸124旋轉(zhuǎn)，使得薄膜可以更均勻地沉積在晶圓122上。晶圓保持架120和反應器室110可進一步連接至加熱器150，使得在沉積工藝期間反應器室110、晶圓保持架120以及位于其上的晶圓122可被加熱至預定溫度。

通過使用靜電、機械夾具、真空夾具或重力使得晶圓122保持在晶圓保持架120上。通過實施光學技術(鎢絲燈、激光)、熱輻射技術或者通過使用基座和射頻(RF)感應加熱來對晶圓保持架120上的晶圓122加熱。在一些實施例中，諸如氦氣的氣體可由氣體供應源施加至晶圓122的背側(cè)，以改善從晶圓保持架120至晶圓122的熱傳遞并控制晶圓122北側(cè)額上的沉積。

沉積設備100包括氣體分配器。氣體分配器包括噴頭130，用于將反應物氣體引入至反應器室110中。噴頭130設置在室拱頂114處。噴頭130設置在室拱頂114處。噴頭130與晶圓保持架120相對設置。噴頭130連接至反應物氣體供應源140，并且反應物氣體經(jīng)由噴頭130供給并分配至反應器室110中。噴頭130可以由鋁制成。

噴頭130包括多個孔132，用于允許反應物氣體通過。在一些實施例中，在氧化物沉積中使用的反應物氣體包括硅烷(SiH₄)和氧氣(O₂)，并且氧化 硅層沉積在晶圓122的表面上或者填充晶圓122上的溝槽。例如，SiH₄與O₂的比可以改變，用于形成具有不同特性的電介質(zhì)層，例如不同反射指數(shù)?？蛇x地，可以將合適的摻雜劑引入反應器室110內(nèi)。沉積反應物氣體可以使用其他用于相應沉積工藝的合適的氣體。噴頭130還可以連接至載具氣體源142，諸如氫氣、氮氣或氬氣。

噴頭130經(jīng)由多個管道134連接至反應物氣體源140以及載具氣體源142。管道134的氣體入口分別連接至反應物氣體源140或載具氣體源142的相應的氣體出口，并且管道134的氣體出口引導至噴頭130的氣體入口。在一些實施例中，管道134的氣體出口可以單獨地引導至噴頭130。也就是說，包括反應物氣體和載具氣體的氣體經(jīng)由獨立的管道134引導至噴頭130，并且反應物氣體和載具氣體在噴頭130中混合?？蛇x地，在一些實施例中，管道134的入口連接至相應的氣體源140和142，并且管道134共用一個氣體出口。也就是說，管道134經(jīng)由共同的氣體出口連接至噴頭130，并且包括反應物氣體和載具氣體的氣體在進入噴頭130之前混合。

沉積設備100進一步包括多個閥136，以控制在反應器室110中反應的反應物氣體和載具氣體的量和比例。閥136可通過控制器(未示出)遠程控制。

在室溫下的反應物氣體存儲在反應物氣體源140中。在壓力調(diào)節(jié)之后，例如通過質(zhì)量流量計測量反應物氣體流量。然而，一些反應物為在室溫下的液體或固體，它們以其他方式供給至反應器室110。通過簡單地將它們加熱至沸點或升華點之上，使得它們能夠進入反應器室110。通過改變供應源溫度和/或來自供應源的毛細管尺寸來改變蒸發(fā)率。引入這些物質(zhì)的另一種方式為使用蒸發(fā)器或升華器以及載具氣體。當使用蒸發(fā)器時，載具氣體通過液體起泡來蒸發(fā)或在其表面上流動。載具氣體攜帶液態(tài)物質(zhì)并將其傳送至反應器室110中。蒸發(fā)率取決于液體溫度、容器中液位以及載具氣體的流速。如果需要在工藝中使用兩個或多個反應物液體，則極少有可能使它們在相同蒸發(fā)器中蒸發(fā)同時保持預定的摩爾比例，這是因為它們通常具有不同的蒸發(fā)壓力。

從反應物氣體源140通過噴頭130將一種或多種反應物氣體供應至反應器室110的內(nèi)部。反應物氣體流動通過噴頭130的小孔132并在晶圓122的表面上方流動。由RF電源供應源128供應的RF電源經(jīng)由線圈引導至晶圓保持架 120同時噴頭130接地，或者RF電源被引導至噴頭130同時晶圓保持架120接地。在一些實施例中，可能的情況包括在反應器室110中的500至2000瓦特射頻(RF)電源、5至100mT的壓力和/或50℃至150℃的溫度(在拱頂或室壁處測得)，這在噴頭130和晶圓保持架120之間產(chǎn)生電磁場。電磁場形成流動穿過孔132的反應物氣體的等離子體，從而使得發(fā)生沉積。例如，在聚對二甲苯沉積期間，RF電源供應源124用于產(chǎn)生等離子體以在晶圓122上沉積聚對二甲苯粘合層。一旦產(chǎn)生聚對二甲苯粘合層，則關閉RF電源并且發(fā)生剩余的聚對二甲苯沉積。

沉積設備100包括排氣系統(tǒng)以將氣體排至反應器室110中。在一些實施例中，排氣系統(tǒng)包括連接至反應器室110的通風入口的凈化氣體供應源152，以及連接至反應器室110的通風出口的凈化氣體排空裝置154。利用凈化氣體供應源152以向反應器室110提供凈化氣體，并且利用凈化氣體排空裝置154以排空來自反應器室110的凈化氣體。凈化氣體供應源152包括凈化導管，其配置成與反應器室110的通風入口氣體連通，可以為手動或電動的凈化閥156設置在凈化導管中，用于選擇性地允許諸如清潔干燥的空氣、大氣空氣或氮氣或者其他凈化氣體的凈化氣體流穿過凈化導管并進入反應器室110中。凈化氣體排空裝置154提供反應器室110的排空，從而以凈化氣體替換反應器室110中的氣體。凈化氣體排空裝置154包括與反應器室110的通風出口連接的排空導管和真空泵。凈化氣體共同地引導工藝氣體以朝向真空泵流動。在一些實施例中，在器皿進入/離開(或者晶圓加載/卸載)工藝期間，通過凈化氣體排空裝置154持續(xù)進行排空，用于防止污染物的逆流。然而在一些實施例中，例如在降低的壓力下，需要使用真空泵以及多種總壓力控制以使得在反應器室110中保持恒定的壓力。

由于對晶圓122進行處理，污染物會沉積在反應器室110的內(nèi)部表面上。此外，在特定類型的處理過程中，諸如剩余聚合物的污染物也會沉積在噴頭130的內(nèi)部表面上。噴頭130的內(nèi)部表面通常顯示出高于反應器室110的內(nèi)部表面的沉積率，這是因為噴頭130的溫度低于室壁116的溫度。

周期性地使用原位清潔循環(huán)以將反應器室110中的污染物移除。原位清潔循環(huán)可在通過污染物檢測確定需要進行時來使用，或者可以固定時間間隔執(zhí) 行。例如，提供了由沉積設備進行的用于原位剩余沉積物的干蝕刻方法。簡單來說，在晶圓移除后，關閉反應器室110。然后反應器室110的內(nèi)部填充氣體并形成等離子體，在這之后加入氧氣并且反應器室110被烘焙至升高的溫度一段時間。然后關閉電源并且反應器室110排空。然后進行常規(guī)的清潔步驟，由于在烘焙步驟引起的升高的溫度，需要使用更高清潔效率的清潔氣體。

在一些實施例中，在完成沉積工藝之后，晶圓122從反應器室110卸載，并且反應器室110內(nèi)的氣體通過凈化空氣排空裝置154的真空泵排出。反應器室110烘焙一段時間。預加熱反應器室110的效果是為了提高清潔工藝的效率，因此采用大量清潔氣體和能量。然后，由清潔氣體供應源160提供的一種或多種清潔氣體注入反應器室110中。清潔氣體包括由C、H、F、N、Cl、B、Br及它們的組合組成的組中選擇的至少一種氣體。在一些實施例中，清潔氣體可以為三氟甲烷(CHF₃)、四氟化碳(CF₄)、三氯化硼(BCl₃)、氯氣(Cl₂)、氨氣(NH₃)、溴(Br₂)、三氟化氮(NF₃)等。

在一些實施例中，由清潔氣體供應源160提供的清潔氣體通過噴頭130注入反應器室110中作為反應物氣體。在一些實施例中，清潔氣體可以通過不同于反應物氣體的導管注入反應器室110。然后，清潔氣體被轉(zhuǎn)化成等離子體狀態(tài)。也就是說，操作處理室中的條件以將反應物氣體轉(zhuǎn)化成等離子體狀態(tài)。例如，可能的條件包括在處理室中的500至1800瓦特射頻(RF)電源、10至170瓦特功率偏差、2至5托壓力和/或300℃至500℃溫度(在拱頂或室壁處測得)。清潔氣體可以為三氟甲烷(CHF₃)、四氟化碳(CF₄)、三氯化硼(BCl₃)、氯氣(Cl₂)、氨氣(NH₃)、溴(Br₂)、三氟化氮(NF₃)等，清潔氣體以5sccm至60sccm的范圍提供。在等離子體清潔工藝中采用的載具氣體可以為Ar或N2，其以20sccm至60sccm的范圍提供。等離子體清潔工藝的整個清潔周期為2至30秒。

如果清潔氣體在這種狀態(tài)下轉(zhuǎn)化成等離子體，可相對于反應器室110的內(nèi)部執(zhí)行清潔工藝。在清潔工藝中，使用等離子體微粒對諸如混合至處理室內(nèi)部的剩余聚合物的污染物進行分解。通過排氣系統(tǒng)將分解的聚合物碎片排出至處理室之外，從而完成對反應器室110內(nèi)部的清潔工藝。

然而，噴頭130自身由鋁制成，其在原位等離子體清潔工藝中也會被蝕刻。 在一些情況下，不僅粘附在反應器室110上的污染物在原位等離子體清潔工藝中移除，噴頭130的圍繞孔132的一部分也在等離子體清潔工藝期間被移除。這種不期望的情況可擴大噴頭130上的孔132的孔尺寸。在每次等離子體清潔工藝的循環(huán)之后，噴頭130的孔尺寸會改變。噴頭130的孔尺寸的擴大使得氣體流變得不穩(wěn)定，并且晶圓122上的沉積薄膜的厚度控制變得更加困難。沉積薄膜的不穩(wěn)定厚度可引起器件性能變化。

因此，本發(fā)明的噴頭130包括表面處理表面，使得噴頭130的表面在等離子體清潔工藝期間不會被蝕刻，并且甚至在原位等離子體清潔工藝之后沉積薄膜的厚度也能保持穩(wěn)定。

現(xiàn)參見圖2A和圖2B，其中圖2A是本發(fā)明一些實施例的噴頭130的正視圖，以及圖2B是本發(fā)明的一些實施例的噴頭的放大截面圖。噴頭130、噴頭130的孔132通常以徑向圖案布置，采用這種設計以模仿晶圓的形狀。包括反應物氣體、載具氣體和清潔氣體的工藝氣體通常從晶圓中心向晶圓邊緣流動。

在噴頭130的表面為噴頭130涂覆有掩模層170。掩模層170保護噴頭130，使得在等離子體清潔工藝期間等離子體與噴頭130隔離，并且降低由沉積薄膜的不穩(wěn)定厚度引起的器件變化問題?？?32還穿透穿過掩模層170，使得氣體可以流動穿過孔132。

掩模層170由在等離子體清潔工藝期間防止被蝕刻的材料制成。例如，在一些實施例中，掩模層170可通過噴頭130的表面處理制成，或者在其他實施例中，掩模層170可通過在噴頭130上涂覆薄膜形成。

在掩模層170由表面處理形成的實施例中，噴頭130可由鋁或鋁合金制成。在鋁陽極氧化工藝中，氧化鋁向下生長進入表面中并以等量從表面離開。陽極氧化的鋁層通過使直流電穿過電解液生長并以鋁為目標，即，噴頭130充當陽極(正極)。由于鋁陽極生成氧化鋁堆積，電流在陰極(負極)釋放氫并在噴頭130的表面釋放氧。交流電和脈沖電流也是可能的，但是很少使用。不同溶液所需的電壓在1至300V DC的范圍內(nèi)，雖然其中大部分落入15至21V的范圍內(nèi)。通常需要較高的電壓用于在硫酸和有機酸中形成的較厚的涂覆層。陽極氧化電流隨鋁被陽極氧化的面積改變而變化，并且通常在30至300安培每平 方米(2.8至28安培每平方英尺)的范圍內(nèi)。

在實施例中，通過將薄膜涂覆在噴頭130的表面上形成掩模層170，例如通過沉積工藝形成薄膜。薄膜可以是氮化物薄膜。在一些實施例中，可通過多種方法生長氮化物薄膜，這些方法包括脈沖激光沉積、反應分子束外延附生、真空電弧/陰極電弧沉積、DC/RF反應濺射、離子束濺射、金屬有機物化學氣相沉積(MOCVD)以及其他適當?shù)募夹g。氮化物薄膜可由以下(但不限制于以下)制成：氮化鋁(AlN)、氮化鈦(TiN)、氮化鉭(TaN)、氮化鎢(WN)、氮化鉬(MoN)等。在一些實施例中，薄膜可由碳化硅(SiC)制成。

參見圖2B。掩模層170形成在孔132的側(cè)壁上、噴頭130的朝向室的內(nèi)表面上以及噴頭130的朝向晶圓保持架的外表面上?？?32的直徑D1為0.4mm至0.6mm，兩個相鄰孔132之間的距離D2(即，孔132之間的固體部分的寬度)為2mm至15mm。掩模層170的厚度可以是均勻的?？蛇x地，在一些實施例中，掩模層170的厚度在不同方向處是不同的。例如，由于沿著豎直方向的掩模層170的厚度T2在0.05mm至0.10mm的范圍內(nèi)，因此沿著水平方向的掩模層170的厚度T1在0.02mm至0.07mm的范圍內(nèi)。

由此，形成在噴頭130上的掩模層170可以在于沉積設備中的原位等離子體清潔工藝期間防止噴頭被蝕刻。因此，可以防止由于沉積薄膜的不穩(wěn)定厚度引起的問題。

在本發(fā)明的一些實施例中，提供了沉積設備。沉積設備包括反應器室；保持架，設置在反應器室中用于保持襯底；噴頭，設置在反應器室中并與保持架相對且具有多個孔用于允許反應氣體進入反應器室；以及掩模層，形成在噴頭的表面上用于防止噴頭在等離子體清潔工藝期間被蝕刻。

在本發(fā)明的一些實施例中，提供了具有原位等離子體清潔功能的沉積設備。沉積設備包括反應器室；保持架，設置在反應器室中用于保持襯底；噴頭，設置在反應器室的室拱頂處；反應物氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供反應物氣體；清潔氣體供應源，連接至噴頭用于向反應器室中提供清潔氣體；射頻(RF)電源供應源，連接至保持架或者噴頭用于在保持架和噴頭之間產(chǎn)生等離子體；以及掩模層，形成在噴頭的表面上。

在本發(fā)明的一些實施例中，提供了在沉積設備中使用的氣體分配器。氣體 分配器包括噴頭，噴頭包括多個孔；以及掩模層，形成在噴頭的表面上，其中孔穿透穿過掩模層。

上面論述了多個實施例的部件，使得本領域普通技術人員可以更好地理解本發(fā)明的各個方面。本領域普通技術人員應該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎來設計或修改其他用于執(zhí)行與本文所介紹實施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點的工藝和結(jié)構。本領域普通技術人員還應該意識到，這種等效構造并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進行多種變化、替換以及改變。