可調(diào)節(jié)靶材的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種可調(diào)節(jié)靶材，包含靶座，所述靶座的突肩上設(shè)有磁場，所述靶座的上方設(shè)有靶材，所述靶座與消耗后的靶材之間設(shè)有調(diào)節(jié)墊圈。本實用新型的有益效果主要體現(xiàn)在：減少換靶頻次，延長有效生產(chǎn)時間；靶材和工件之間距離保持穩(wěn)定，有效解決由于靶材消耗導(dǎo)致靶材表面磁場的變化，可以達到靶材表面磁場始終在控制范圍內(nèi)；靶材的利用率得到大幅度提高；靶材的冷卻始終充分；涂層的沉積效率和涂層性能保持穩(wěn)定。
【專利說明】可調(diào)節(jié)靶材

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本實用新型涉及一種PVD鍍膜技術(shù)用的靶材，屬于鍍膜【技術(shù)領(lǐng)域】。

【背景技術(shù)】
[0002] 目前常用的PVD鍍膜技術(shù)主要分為三類，真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍和真空離子 鍍膜。其中，真空濺射鍍膜是用高能粒子轟擊固體表面時使固體表面粒子獲得能量并逸出 表面，沉積在基板上。真空離子鍍膜是指在真空環(huán)境下，被引入的氣體在離子源的電磁場共 同作用下被離化，被離化的離子在施加于基片上偏壓形成的電場作用下被加速，并以高能 粒子的形式轟擊或沉積在基片上，而陰極電弧技術(shù)是一種常用的PVD離子鍍膜方式。關(guān)于 磁場的控制和靶材的利用率始終是困擾工業(yè)生產(chǎn)的難題。解決這一技術(shù)問題，一般常用的 方法是使用可變磁場或者機械式后拉磁場，這種辦法雖然保證了靶材表面的磁場保持在控 制范圍內(nèi)，但是也帶來了工件表面沉積速率和涂層質(zhì)量不穩(wěn)定。 實用新型內(nèi)容
[0003] 針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實用新型提出了一種PVD鍍膜技術(shù)用的新型靶材，同時 提高靶材利用率和工作效率。
[0004] 本實用新型的實用新型目的通過以下技術(shù)方案實現(xiàn)：
[0005] -種可調(diào)節(jié)靶材，包含靶座，所述靶座的突肩上設(shè)有磁場，所述靶座的上方設(shè)有靶 材，所述靶座與消耗后的靶材之間設(shè)有調(diào)節(jié)墊圈。
[0006] 優(yōu)選的，所述靶座與調(diào)節(jié)墊圈之間有相配合的拼接結(jié)構(gòu)。
[0007] 優(yōu)選的，所述靶材與調(diào)節(jié)墊圈之間有相配合的拼接結(jié)構(gòu)。
[0008] 優(yōu)選的，所述靶座、靶材、調(diào)節(jié)墊圈三者形成的內(nèi)部空間為冷卻水的收容空間。
[0009] 優(yōu)選的，所述靶材的初始厚度為30-60mm。
[0010] 本實用新型的有益效果主要體現(xiàn)在：
[0011] (1)減少換靶頻次，延長有效生產(chǎn)時間；
[0012] (2)靶材和工件之間距離保持穩(wěn)定，有效解決由于靶材消耗導(dǎo)致靶材表面磁場的 變化，可以達到靶材表面磁場始終在控制范圍內(nèi)；
[0013] (3)靶材的利用率得到大幅度提高；
[0014] (4)靶材的冷卻始終充分；
[0015] (5)涂層的沉積效率和涂層性能保持穩(wěn)定。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0016] 圖1 :本實用新型靶材的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實施方式】
[0017] 以下通過典型實施例，對本實用新型進一步說明，但本實用新型并不局限于所述 實施例。
[0018] 如圖1所示，本實用新型揭示了一種可調(diào)節(jié)靶材，包含靶座1，所述靶座1的突肩上 設(shè)有磁場2,所述靶座1的上方設(shè)有靶材4,所述靶座1與消耗后的靶材4之間設(shè)有調(diào)節(jié)墊 圈3。所述靶座1與調(diào)節(jié)墊圈3之間有相配合的拼接結(jié)構(gòu)。所述靶材4與調(diào)節(jié)墊圈3之間 有相配合的拼接結(jié)構(gòu)。所述的拼接結(jié)構(gòu)為凹凸相配的拼接結(jié)構(gòu)。所述靶座1、靶材4、調(diào)節(jié) 墊圈3三者形成的內(nèi)部空間5為冷卻水的收容空間。所述靶材4的初始厚度為30-60mm，這 樣可以減少換靶頻次，延長有效生產(chǎn)時間。
[0019] 使用時，全新的靶材4直接安裝在冷卻靶座1上，待靶材4工作消耗到控制厚度 時，在靶材4和冷卻靶座1之間加上調(diào)節(jié)墊圈3,調(diào)節(jié)墊圈3的厚度就是靶材有效消耗控制 范圍。通過這個調(diào)整，靶材又成為一個新的靶材，完全恢復(fù)到消耗之前的狀態(tài)，工藝的控制 和涂層性能得到穩(wěn)定，始終在控制范圍內(nèi)進行生產(chǎn)。
[0020] 表一：涂層性能比較
[0021] _項|沉積效率|涂層附著性|表面質(zhì)量|耙材厚度（mn) |耙材利用率 無墊圈 1. 19um/h 4_Μ_20_32%_ 有墊圈 |2. 34um/h |l | 良 |40 ΙθΟ%
[0022] 。表一中數(shù)據(jù)說明，當(dāng)現(xiàn)有技術(shù)部采用調(diào)節(jié)墊圈時，所有的鍍膜性能均較差。采用 本實用新型的技術(shù)后，極大提高了靶材的利用率，生產(chǎn)效率提升；更重要的是涂層的性能能 夠得到保證，涂層附著性為1級(控制范圍為1-3級，數(shù)字越小說明涂層和基底的結(jié)合力越 大)。而且，采用本實用新型的靶材后，涂層表面細膩穩(wěn)定，避免了由于靶材表面磁場改變超 差涂層結(jié)構(gòu)疏松、表面坑點等導(dǎo)致的不耐磨和表面顏色暗淡等品質(zhì)問題出現(xiàn)。
[0023] 雖然已經(jīng)參考優(yōu)選實施例對本實用新型進行了描述，但在不脫離本實用新型范圍 的情況下，可以對其進行各種改進并且可以用等效物質(zhì)替換其中的物質(zhì)。本實用新型并不 局限于文中公開的特定實施例，而是包括落入權(quán)利要求范圍內(nèi)的所有技術(shù)方案。
【權(quán)利要求】
1. 一種可調(diào)節(jié)靶材，包含靶座（1)，所述靶座（1)的突肩上設(shè)有磁場（2)，所述靶座（1) 的上方設(shè)有靶材（4)，其特征在于：所述靶座（1)與消耗后的靶材（4)之間設(shè)有調(diào)節(jié)墊圈 (3)。
2. 如權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)靶材，其特征在于：所述靶座（1)與調(diào)節(jié)墊圈（3)之間有 相配合的拼接結(jié)構(gòu)。
3. 如權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)靶材，其特征在于：所述靶材（4)與調(diào)節(jié)墊圈（3)之間有 相配合的拼接結(jié)構(gòu)。
4. 如權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)靶材，其特征在于：所述靶座（1)、靶材（4)、調(diào)節(jié)墊圈 (3)三者形成的內(nèi)部空間（5)為冷卻水的收容空間。
5. 如權(quán)利要求1所述的可調(diào)節(jié)靶材，其特征在于：所述靶材（4)的初始厚度為 30-60mm〇
【文檔編號】C23C14/35GK203904449SQ201420248450
【公開日】2014年10月29日 申請日期:2014年5月15日 優(yōu)先權(quán)日:2014年5月15日
【發(fā)明者】焦飛, 樂務(wù)時, 錢濤 申請人:星弧涂層新材料科技（蘇州）股份有限公司