一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法。本發(fā)明的研磨方法本通過定位設(shè)備獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置，保證了研磨起始位置的準確。用100～400目的粗砂紙進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到20微米；接著使用600～1500目砂紙研磨，直至研磨面距離打線位置達到10微米；然后，用2000～2500目砂紙進行研磨，直至半導(dǎo)體芯片完全外露出金屬線；最后，使用3000～4000目砂紙進行充分研磨。不同的階段采用不同目數(shù)的砂紙，由此保證的研磨的精確性，從而減少或消除研磨偏差造成的對元件失效分析的時效性，降低了元件的破壞數(shù)量。
【專利說明】一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體芯片的加工的【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其涉及一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體行業(yè)的芯片上需要打金線來用于電信號的傳輸。但隨著金價的進一步提高，對于IC半導(dǎo)體行業(yè)來說，成本是越來越大，為了節(jié)省成本，現(xiàn)在許多企業(yè)使用銅線來代替金線作為信號線。但是由于銅線很細，大約在幾個微米，因此對于IC元件失效時的檢測帶來了麻煩，是否能清楚的看到銅線的焊點與芯片結(jié)合的良好，是檢測IC元件失效的關(guān)鍵所在。這給失效元件的檢測帶來了挑戰(zhàn)。現(xiàn)有技術(shù)中對半導(dǎo)體芯片的研磨精確性較差，研磨過程中所存在的偏差無法準確將銅線焊點外露出來。本項目的研發(fā)可以較好的去解決此問題，可以很好的去定位銅線焊點的位置，這樣往往會導(dǎo)致的元件失效。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]有鑒于此，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法，該研磨方法可較為精確地對半導(dǎo)體芯片進行研磨。
[0004]一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法，包括以下步驟:
[0005](I)采用定位設(shè)備獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置，；
[0006](2)對半導(dǎo)體芯片采用100?400目的粗砂紙進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到20微米；
[0007](3)使用600?1500目砂紙對經(jīng)步驟⑵的半導(dǎo)體芯片進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到10微米；
[0008](4)對經(jīng)步驟(3)的半導(dǎo)體芯片使用2000?2500目砂紙進行研磨，直至半導(dǎo)體芯片完全外露出金屬線；
[0009](5)對所述金屬線使用3000?4000目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。
[0010]上述“金屬線”指用于半導(dǎo)體芯片中用來連接元件的金屬材質(zhì)的導(dǎo)線，例如銅線、鋁線、金線等。較適用于本發(fā)明的“金屬線”為原子序數(shù)較大的金屬元素單質(zhì)，例如銅，而鋁被排除于該適用范圍之外。金屬線通過塑封膠被埋入半導(dǎo)體芯片內(nèi)。可以理解的是，“研磨面”指代的是對研磨對象(例如，本發(fā)明中的半導(dǎo)體芯片)的研磨所產(chǎn)生的截面。步驟(3)中的研磨過程中可以使用定位設(shè)備對金屬線的打線位置進行再次確認或校正，以保證研磨不會發(fā)生偏差。值得說明的是，研磨面距離打線位置的距離可以通過本領(lǐng)域技術(shù)人員所熟知的任何一種方法或所借助的設(shè)備來實現(xiàn)，于此不再說明。
[0011]其中，步驟(2)中所述粗砂紙的目數(shù)優(yōu)選為300目。
[0012]其中，步驟(3)中所述砂紙的目數(shù)優(yōu)選為1200目。
[0013]其中，所述步驟(4)中所述砂紙的目數(shù)優(yōu)選為2400目。
[0014]其中，所述步驟(5)中所述砂紙的目數(shù)優(yōu)選為4000目。[0015]其中，步驟(5)中所述拋光處理采用0.1um?0.3um氧化鋁粉。
[0016]其中,所述定位設(shè)備為x-ray定位儀器。x_ray定位儀器為本領(lǐng)域所熟知的設(shè)備，其使用操作方法在此不再贅述。
[0017]本發(fā)明的半導(dǎo)體芯片的研磨方法通過定位設(shè)備獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置，保證了研磨起始位置的準確。用100?400目的粗砂紙進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到20微米；接著使用600?1500目砂紙研磨，直至研磨面距離打線位置達到10微米；然后，用2000?2500目砂紙進行研磨，直至半導(dǎo)體芯片完全外露出金屬線；最后，使用3000?4000目砂紙進行充分研磨。不同的階段采用不同目數(shù)的砂紙，由此保證的研磨的精確性，從而減少或消除研磨偏差造成的對元件失效分析的時效性，降低了元件的破壞數(shù)量。
【具體實施方式】
[0018]下面結(jié)合實施例來進一步說明本發(fā)明的技術(shù)方案。
[0019]實施例1
[0020]采用x-ray定位儀獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置。分以下四階段進行研磨:首先，采用300目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到20微米；接著，采用1200目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到10微米；然后，采用2400目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至金屬線完全外露出從半導(dǎo)體芯片中露出。最后，對所述金屬線使用4000目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。研磨完畢后，采用用超聲波用去離子水清洗。
[0021]實施例2
[0022]采用x-ray定位儀獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置。分以下四階段進行研磨:首先，采用100目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到19微米；接著，采用1500目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到11微米；然后，采用2000目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至金屬線完全外露出從半導(dǎo)體芯片中露出。最后，對所述金屬線使用4000目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。研磨完畢后，采用用超聲波用去離子水清洗。
[0023]實施例3:
[0024]采用x-ray定位儀獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置。分以下四階段進行研磨:首先，采用400目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到21微米；接著，采用600目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到9微米；然后，采用2500目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至金屬線完全外露出從半導(dǎo)體芯片中露出。最后，對所述金屬線使用3000目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。研磨完畢后，采用用超聲波用去離子水清洗。
[0025]實施例4:
[0026]采用x-ray定位儀獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置。分以下四階段進行研磨:首先，采用300目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到20微米；接著，采用1000目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到10微米；然后，采用2200目的粗砂紙對半導(dǎo)體芯片沿著平行于打線位置的方向進行研磨，直至金屬線完全外露出從半導(dǎo)體芯片中露出。最后，對所述金屬線使用3500目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。研磨完畢后，采用用超聲波用去離子水清洗。
[0027]本發(fā)明的銅線焊點研磨成功率由50%提升到85%，研磨時間有每個3小時提高到大約1.5小時。提高了失效分析的時效性以及降低了元件的破壞數(shù)量。
[0028] 申請人:聲明，本發(fā)明通過上述實施例來說明本發(fā)明的詳細工藝設(shè)備和工藝流程，但本發(fā)明并不局限于上述詳細工藝設(shè)備和工藝流程，即不意味著本發(fā)明必須依賴上述詳細工藝設(shè)備和工藝流程才能實施。所屬【技術(shù)領(lǐng)域】的技術(shù)人員應(yīng)該明了，對本發(fā)明的任何改進，對本發(fā)明產(chǎn)品各原料的等效替換及輔助成分的添加、具體方式的選擇等，均落在本發(fā)明的保護范圍和公開范圍之內(nèi)。
【權(quán)利要求】
1.一種半導(dǎo)體芯片的研磨方法，其特征在于，包括以下步驟: (1)采用定位設(shè)備獲得半導(dǎo)體芯片中金屬線的打線位置； (2)對半導(dǎo)體芯片采用100?400目的粗砂紙進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到19?21微米； (3)使用600?1500目砂紙對經(jīng)步驟(2)的半導(dǎo)體芯片進行研磨，直至研磨面距離打線位置達到9?11微米； (4)對經(jīng)步驟(3)的半導(dǎo)體芯片使用2000?2500目砂紙進行研磨，直至半導(dǎo)體芯片完全外露出金屬線； (5)對所述金屬線使用3000?4000目砂紙進行充分研磨，而后進行拋光處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，步驟(2)中所述粗砂紙的目數(shù)為300目。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，步驟(3)中所述砂紙的目數(shù)為1200目。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨方法，其特征在于，步驟(4)中所述砂紙的目數(shù)為2400目。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，步驟(5)中所述砂紙的目數(shù)為4000目。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，步驟(5)中所述拋光處理采用0.1um?0.3um氧化銀粉。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的蝕刻方法，其特征在于，所述定位設(shè)備為Xiay定位儀器。
【文檔編號】B24B1/00GK104029088SQ201410301373
【公開日】2014年9月10日 申請日期:2014年6月27日 優(yōu)先權(quán)日:2014年6月27日
【發(fā)明者】劉振鑫, 陳彥奇, 孟濤濤 申請人:宜特科技(昆山)電子有限公司