一種在物體表面制備薄膜的方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種在物體表面制備薄膜的方法，基于薄膜制備裝置進(jìn)行薄膜制備，具體包括如下步驟：（1）三維結(jié)構(gòu)模型輸入；（2）表面工藝點(diǎn)節(jié)點(diǎn)劃分；（3）工藝點(diǎn)參數(shù)設(shè)置；（4）每步移動(dòng)參數(shù)計(jì)算；（5）圖形化定位；（6）機(jī)械手位置控制；（7）薄膜生長(zhǎng)工藝控制。本發(fā)明提供的在物體表面制備薄膜的方法，可以在不同形狀的凸形表面按照要求進(jìn)行薄膜的制備，克服傳統(tǒng)方法難以在不規(guī)則表面制備薄膜的問題。
【專利說明】一種在物體表面制備薄膜的方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種在物體表面制備薄膜的方法，能夠在不規(guī)則形狀物體的凸形表面均勻制備薄膜，屬于薄膜材料制備技術(shù)。
【背景技術(shù)】
[0002]薄膜技術(shù)是隨著近現(xiàn)代科學(xué)技術(shù)的發(fā)展而產(chǎn)生出來的一項(xiàng)技術(shù)。廣義的薄膜包涵了自支撐類型的薄膜，比如日常生活使用的保鮮膜、塑料袋等等有機(jī)高分子薄膜；以及各種附著在物體表面的功能薄膜，比如眼鏡片表面制備的減反膜，工件表面生長(zhǎng)的防氧化膜，用于半導(dǎo)體芯片制造的各種半導(dǎo)體材料薄膜等等。
[0003]在物體表面制備的薄膜包括很多種，按照其功能不同，可以大概分出以下幾種:1)光學(xué)功能薄膜，主要利用其光學(xué)透/反射特性，其中比較常見的例子是鍍有氟化鎂的光學(xué)鏡片；2)電學(xué)功能薄膜，主要利用其導(dǎo)電、絕緣或者半導(dǎo)體特性，其中比較典型的例子是半導(dǎo)體工藝中使用的金屬薄膜、氧化硅薄膜、硅薄膜等等；3)熱學(xué)功能薄膜，主要利用其良好的熱導(dǎo)或熱阻特性，比較典型的例子是各種熱界面薄膜材料；4)機(jī)械功能薄膜，主要利用其較好的機(jī)械特性，起到保護(hù)物體表面的作用；5)其他帶裝飾功能的薄膜，主要利用薄膜特殊的顏色，質(zhì)地等等，起到美化的作用。這些不同功能的薄膜通常需要使用不同的材料，而每種特定的材料均涉及到了在各種不同幾何形狀的物體表面進(jìn)行材料制備的課題。
[0004]目前，薄膜材料制備的方法有很多種，比較典型的有:直流或射頻濺射(DCsputtering、R.F.sputtering)、熱蒸發(fā)(thermal evaporation)、電子束蒸發(fā)(e-beamevaporation)、物理或化學(xué)氣相沉積(PVD、CVD)、分子束外延(MBE)、原子層淀積(ALD)等
坐寸O
[0005]普通用途且低沉本的薄膜多采用直流或射頻濺射、熱蒸發(fā)或電子束蒸發(fā)等方法，這些方法均可以實(shí)現(xiàn)較高效率的、大面積的薄膜制備，并且在合理控制工藝條件的情況下也可以獲得較高質(zhì)量的薄膜，因此很多工業(yè)化生產(chǎn)都是用這些方法進(jìn)行。但是，這些方法有一個(gè)共有的缺點(diǎn)，也即薄膜的電極具有“投影效應(yīng)”:正對(duì)著生長(zhǎng)源的部分薄膜淀積速度要遠(yuǎn)大于偏離生長(zhǎng)源部分的淀積速度；這一特點(diǎn)使得要獲得具有均勻厚度的薄膜材料具有一定的困難，為了克服這一問題，有部分研究者提出了旋轉(zhuǎn)襯底、優(yōu)化工藝參數(shù)、多次生長(zhǎng)工藝等等方法，使得薄膜的均勻性獲得了較好的改進(jìn)。但是，基于投影效應(yīng)，這些改進(jìn)的途徑僅僅可以用于改進(jìn)在平面型結(jié)構(gòu)的樣品表面制備的薄膜的厚度均勻性，對(duì)于具有凸形表面結(jié)構(gòu)的物體，這一方法無法實(shí)現(xiàn)均勻的薄膜制備。
[0006]在現(xiàn)階段，隨著薄膜制備手段的發(fā)展和應(yīng)用領(lǐng)域的拓展，在各種不同形狀的表面制備較高質(zhì)量的均勻薄膜材料成為了一個(gè)需求。雖然有人也提出了使用將物體表面的曲面進(jìn)行分解，分解成比較接近于平面結(jié)構(gòu)的表面后再進(jìn)行薄膜淀積的方法，但是這一方法無疑增加了工藝復(fù)雜性，提高了成本。更重要的，對(duì)于某些不能將物體分解和再拼接，或者分解和再拼接會(huì)嚴(yán)重影響其整體性能的場(chǎng)合，在其表面進(jìn)行較高質(zhì)量的薄膜制備就成為了一個(gè)難題。
【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]發(fā)明目的:為了克服現(xiàn)有技術(shù)中存在的不足，本發(fā)明提供一種在物體表面制備薄膜的方法，能夠在異形表面進(jìn)行高質(zhì)量的、厚度均勻的薄膜制備，利用機(jī)器手臂實(shí)時(shí)精確控制待鍍膜物體或者薄膜生長(zhǎng)源的方位，使生長(zhǎng)源在物體表面進(jìn)行掃描；使用生長(zhǎng)源的生長(zhǎng)速度、掃描時(shí)間等參數(shù)對(duì)薄膜的厚度和生長(zhǎng)質(zhì)量進(jìn)行優(yōu)化控制，實(shí)現(xiàn)對(duì)任意形狀凸形表面的較高質(zhì)量生長(zhǎng)；能夠克服現(xiàn)有薄膜制備過程中的“投影效應(yīng)”，并實(shí)現(xiàn)在物體表面進(jìn)行不同位置的薄膜生長(zhǎng)工藝控制，以達(dá)到特定的使用目的。
[0008]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用的技術(shù)方案為:
[0009]一種在物體表面制備薄膜的方法，其特征在于:基于薄膜制備裝置進(jìn)行薄膜制備，所述薄膜制備裝置包括固定端A、五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B、樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)和生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)，所述樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)包括機(jī)械定位裝置C、樣品臺(tái)D、X軸向攝像機(jī)F和Y軸向攝像機(jī)E，所述生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)包括生長(zhǎng)源定位裝置G和生長(zhǎng)源H ;所述固定端A用于固定五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B和機(jī)械手，所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B用于設(shè)置樣品臺(tái)D和生長(zhǎng)源H的位置，所述械定位裝置C按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定樣品臺(tái)D，所述生長(zhǎng)源定位裝置G按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定生長(zhǎng)源H ;所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的圓心位置為樣品臺(tái)D的中心，其五個(gè)坐標(biāo)參量為X軸、Y軸、Z軸、ALPHA旋轉(zhuǎn)角和BETA旋轉(zhuǎn)角，所述ALPHA旋轉(zhuǎn)角和BETA旋轉(zhuǎn)角是以X軸、Y軸和Z軸中的兩個(gè)軸為轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)角；該方法具體包括如下步驟:
[0010](I)三維結(jié)構(gòu)模型輸入:將樣品固定在樣品臺(tái)上、將生長(zhǎng)源固定在機(jī)械手上，同時(shí)導(dǎo)入樣品的三維模型，樣品位置與三維模型位置對(duì)應(yīng)，將此時(shí)樣品位置作為基準(zhǔn)位置；
[0011](2)表面工藝點(diǎn)節(jié)點(diǎn)劃分:根據(jù)三維模型，考慮生長(zhǎng)源的大小(生長(zhǎng)直徑)以及所需的薄膜厚度和各項(xiàng)薄膜生長(zhǎng)條件，將三維模型的表面劃分為生長(zhǎng)單元，確定每個(gè)生長(zhǎng)單元的工藝節(jié)點(diǎn)；
[0012](3)工藝點(diǎn)參數(shù)設(shè)置:在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上設(shè)置工藝參數(shù)，包括生長(zhǎng)源的各項(xiàng)工藝參數(shù)；
[0013](4)每步移動(dòng)參數(shù)計(jì)算:計(jì)算整個(gè)流程中機(jī)械手在每個(gè)步驟時(shí)的參數(shù)，包括坐標(biāo)、移動(dòng)速度和停留時(shí)間；
[0014](5)圖形化定位:在薄膜生長(zhǎng)過程中，使用攝像機(jī)進(jìn)行視頻采集，采用圖像化技術(shù)對(duì)樣品臺(tái)和生長(zhǎng)源在特定時(shí)刻的位置進(jìn)行判斷，若與步驟(4)的設(shè)定位置超過閾值，則對(duì)樣品臺(tái)和/或生長(zhǎng)源的位置進(jìn)行修正；
[0015](6)機(jī)械手位置控制:根據(jù)步驟(4)的設(shè)定參數(shù)和/或步驟(5)的修訂參數(shù)，控制機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)位置；
[0016](7)薄膜生長(zhǎng)工藝控制:根據(jù)步驟(3)的設(shè)定參數(shù)和步驟(4)的設(shè)定參數(shù)，控制薄膜的生長(zhǎng)工藝，包括功率、氣壓、生長(zhǎng)源和樣品表面的距離。
[0017]在薄 膜生長(zhǎng)過程中，始終保持生長(zhǎng)源與樣品的待生長(zhǎng)位置節(jié)點(diǎn)的切面偏差范圍內(nèi)的平行；以去除“投影效應(yīng)”的影響并獲得最高效率的薄膜淀積，實(shí)現(xiàn)在特異形狀的凸形表面的可控的薄膜淀積。
[0018]有益效果:本發(fā)明提供的在物體表面制備薄膜的方法，可以在不同形狀的凸形表面按照要求進(jìn)行薄膜的制備，克服傳統(tǒng)方法難以在不規(guī)則表面制備薄膜的問題；這一方法可以為日用品，航空、航天、航海等各個(gè)領(lǐng)域中涉及機(jī)械制造鍍膜的問題提供有效的解決方案。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0019]圖1為本發(fā)明樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0020]圖2為現(xiàn)有技術(shù)樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0021]圖3為本發(fā)明生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0022]圖4為現(xiàn)有技術(shù)生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0023]圖5為五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)的坐標(biāo)系示意圖；
[0024]圖6為一種機(jī)械定位裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖7為另一種機(jī)械定位裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖8為本發(fā)明的流程圖；
[0027]圖9為本發(fā)明的制備原理圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明作更`進(jìn)一步的說明。
[0029]一種在物體表面制備薄膜的方法，基于薄膜制備裝置進(jìn)行薄膜制備，所述薄膜制備裝置相較于現(xiàn)有的薄膜制備裝置，增加了位置控制部分，能夠?qū)悠放_(tái)和生長(zhǎng)源進(jìn)行位置控制。具體來說，所述薄膜制備裝置包括固定端A、五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B、樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)和生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)。
[0030]如圖1所示，所述樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)包括機(jī)械定位裝置C、樣品臺(tái)D、X軸向攝像機(jī)F和Y軸向攝像機(jī)E ;相較于如圖2所示的現(xiàn)有樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)，增加了五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B和機(jī)械定位裝置C。
[0031]如圖3所示，所述生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)包括生長(zhǎng)源定位裝置G和生長(zhǎng)源H，因?yàn)樯L(zhǎng)源H—般不用頻繁更換，其位置經(jīng)過初次安裝和調(diào)節(jié)校準(zhǔn)后即可，因此不用隨時(shí)監(jiān)控其位向；相較于如圖4所示的現(xiàn)有生長(zhǎng)源定位裝置，增加了五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B和生長(zhǎng)源定位裝置G。
[0032]如圖1至圖4所示，所述固定端A用于固定五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B和機(jī)械手。
[0033]如圖1至圖4所示，所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B用于設(shè)置樣品臺(tái)D和生長(zhǎng)源H的位置。
[0034]如圖1所示，所述械定位裝置C按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定樣品臺(tái)D。
[0035]如圖3所示，所述生長(zhǎng)源定位裝置G按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定生長(zhǎng)源H。
[0036]如圖5所示，所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的圓心位置為樣品臺(tái)D的中心，其五個(gè)坐標(biāo)參量為X軸、Y軸、Z軸、Z軸旋轉(zhuǎn)ALPHA和Y軸旋轉(zhuǎn)BETA。
[0037]圖6給出了一種可能的械定位裝置C，用于比較準(zhǔn)確地固定樣品臺(tái)D，設(shè)定樣品臺(tái)D的初始位置，方便比較準(zhǔn)確的在樣品表面生長(zhǎng)薄膜。其中，底盤Il和底盤12固定連接在械定位裝置C上,配合固定結(jié)構(gòu)Jl和固定結(jié)構(gòu)J2 —起固定樣品臺(tái)D,所述固定結(jié)構(gòu)Jl和固定結(jié)構(gòu)J2可以為螺栓等件。根據(jù)不同情況和要求，固定結(jié)構(gòu)的數(shù)量和形式可能多種多樣，其主要目的在于將樣品臺(tái)D按照特定的方位比較準(zhǔn)確的固定在械定位裝置C上。
[0038]圖7給出了另外一種可能的械定位裝置C。其中，用于連接和緊固樣品的部分可以在前期的設(shè)計(jì)和制造過程中就預(yù)留出來，比如嵌入在物體的內(nèi)部，這樣可以省去后期再另外加裝底盤的步驟。
[0039]如圖8所示，本發(fā)明所述方法具體包括如下步驟:
[0040](I)三維結(jié)構(gòu)模型輸入:將樣品固定在樣品臺(tái)上、將生長(zhǎng)源固定在機(jī)械手上，同時(shí)導(dǎo)入樣品的三維模型，樣品位置與三維模型位置對(duì)應(yīng)，將此時(shí)樣品位置作為基準(zhǔn)位置；
[0041](2)表面工藝點(diǎn)節(jié)點(diǎn)劃分:根據(jù)三維模型，考慮生長(zhǎng)源的大小(生長(zhǎng)直徑)以及所需的薄膜厚度和各項(xiàng)薄膜生長(zhǎng)條件，將三維模型的表面劃分為生長(zhǎng)單元，確定每個(gè)生長(zhǎng)單元的工藝節(jié)點(diǎn)；
[0042](3)工藝點(diǎn)參數(shù)設(shè)置:在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上設(shè)置工藝參數(shù)，包括生長(zhǎng)源的各項(xiàng)工藝參數(shù);
[0043](4)每步移動(dòng)參數(shù)計(jì)算:計(jì)算整個(gè)流程中機(jī)械手在每個(gè)步驟時(shí)的參數(shù)，包括坐標(biāo)、移動(dòng)速度和停留時(shí)間；
[0044](5)圖形化定位:在薄膜生長(zhǎng)過程中，使用攝像機(jī)進(jìn)行視頻采集，采用圖像化技術(shù)對(duì)樣品臺(tái)和生長(zhǎng)源在特定時(shí)刻的位置進(jìn)行判斷，若與步驟(4)的設(shè)定位置超過閾值，則對(duì)樣品臺(tái)和/或生長(zhǎng)源的位置進(jìn)行修正；
[0045](6)機(jī)械手位置控制:根據(jù)步驟(4)的設(shè)定參數(shù)和/或步驟(5)的修訂參數(shù)，控制機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)位置；
[0046](7)薄膜生長(zhǎng)工藝控制:根據(jù)步驟(3)的設(shè)定參數(shù)和步驟(4)的設(shè)定參數(shù)，控制薄膜的生長(zhǎng)工藝，包括功率、氣壓、生長(zhǎng)源和樣品表面的距離。
[0047]圖9顯示了薄膜生長(zhǎng)的原理，設(shè)定樣品臺(tái)D (即樣品)靜止，而生長(zhǎng)源H沿著其表面輪廓移動(dòng)，比如在三個(gè)時(shí)刻生長(zhǎng)源H分別處于“HO”、“H1”和“H2”三個(gè)不同位置。三個(gè)位置可能對(duì)應(yīng)于不同的生長(zhǎng)工藝參數(shù)，比如圖上雙頭箭頭所示的不同生長(zhǎng)源和物體表面的距離，但是生長(zhǎng)源始終保持其與待生長(zhǎng)位置節(jié)點(diǎn)的切面平行，以去除“投影效應(yīng)”的影響并獲得最高效率的薄膜淀積，實(shí)現(xiàn)在特異形狀的凸形表面的可控的薄膜淀積。
[0048]另外，值得說明的是:一般使用的濺射或蒸發(fā)工藝中，生長(zhǎng)源的直徑為十幾到幾十厘米的范圍。而一般經(jīng)過較好設(shè)計(jì)的機(jī)械系統(tǒng)的誤差的比較容易的控制在這一范圍內(nèi)。因此，在較好的機(jī)械設(shè)計(jì)的條件下，可以獲得較好的、適合于薄膜生長(zhǎng)的定位精度。
[0049]基于以上圖示，敘述系統(tǒng)的工作原理如下:將樣品按照特定的已知幾何位置安裝在機(jī)械定位裝置上。這一位置與導(dǎo)入控制軟件的物體的三維模型圖上的特定位置重合。并將這一位置設(shè)定為基準(zhǔn)位置。根據(jù)三維模型，考慮生長(zhǎng)源的大小(生長(zhǎng)直徑)以及所需的薄膜厚度和各項(xiàng)薄膜生長(zhǎng)條件，將模型表面劃分為生長(zhǎng)單元。計(jì)算和確定生長(zhǎng)步驟，計(jì)算每個(gè)時(shí)間步驟的機(jī)械手的位置，和生長(zhǎng)源的各項(xiàng)工藝參數(shù)。以上步驟結(jié)合軟件設(shè)計(jì)來進(jìn)行。以上步驟完成后，生長(zhǎng)過程按照設(shè)定的工藝流程進(jìn)行，并最終完成薄膜的制備。
[0050]以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出:對(duì)于本【技術(shù)領(lǐng)域】的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種在物體表面制備薄膜的方法，其特征在于:基于薄膜制備裝置進(jìn)行薄膜制備，所述薄膜制備裝置包括固定端A、五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B、樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)和生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)，所述樣品臺(tái)定位機(jī)構(gòu)包括機(jī)械定位裝置C、樣品臺(tái)D、X軸向攝像機(jī)F和Y軸向攝像機(jī)E，所述生長(zhǎng)源定位機(jī)構(gòu)包括生長(zhǎng)源定位裝置G和生長(zhǎng)源H ;所述固定端A用于固定五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B和機(jī)械手，所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B用于設(shè)置樣品臺(tái)D和生長(zhǎng)源H的位置，所述械定位裝置C按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定樣品臺(tái)D，所述生長(zhǎng)源定位裝置G按照五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的設(shè)置要求固定生長(zhǎng)源H ;所述五坐標(biāo)軸位置控制臺(tái)B的圓心位置為樣品臺(tái)D的中心，其五個(gè)坐標(biāo)參量為X軸、Y軸、Z軸、ALPHA旋轉(zhuǎn)角和BETA旋轉(zhuǎn)角，所述ALPHA旋轉(zhuǎn)角和BETA旋轉(zhuǎn)角是以X軸、Y軸和Z軸中的兩個(gè)軸為轉(zhuǎn)軸的旋轉(zhuǎn)角；該方法具體包括如下步驟: (1)三維結(jié)構(gòu)模型輸入:將樣品固定在樣品臺(tái)上、將生長(zhǎng)源固定在機(jī)械手上，同時(shí)導(dǎo)入樣品的三維模型，樣品位置與三維模型位置對(duì)應(yīng)，將此時(shí)樣品位置作為基準(zhǔn)位置； (2)表面工藝點(diǎn)節(jié)點(diǎn)劃分:根據(jù)三維模型，考慮生長(zhǎng)源的大小以及所需的薄膜厚度和各項(xiàng)薄膜生長(zhǎng)條件，將三維模型的表面劃分為生長(zhǎng)單元，確定每個(gè)生長(zhǎng)單元的工藝節(jié)點(diǎn)； (3)工藝點(diǎn)參數(shù)設(shè)置:在每個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)上設(shè)置工藝參數(shù)，包括生長(zhǎng)源的各項(xiàng)工藝參數(shù)； (4)每步移動(dòng)參數(shù)計(jì)算:計(jì)算整個(gè)流程中機(jī)械手在每個(gè)步驟時(shí)的參數(shù)，包括坐標(biāo)、移動(dòng)速度和停留時(shí)間； (5)圖形化定位:在薄膜生長(zhǎng)過程中，使用攝像機(jī)進(jìn)行視頻采集，采用圖像化技術(shù)對(duì)樣品臺(tái)和生長(zhǎng)源在特定時(shí)刻的位置進(jìn)行判斷，若與步驟(4)的設(shè)定位置超過閾值，則對(duì)樣品臺(tái)和/或生長(zhǎng)源的位置進(jìn)行修正； (6)機(jī)械手位置控制:根據(jù)步驟(4)的設(shè)定參數(shù)和/或步驟(5)的修訂參數(shù)，控制機(jī)械手的運(yùn)動(dòng)位置；· (7)薄膜生長(zhǎng)工藝控制:根據(jù)步驟(3)的設(shè)定參數(shù)和步驟(4)的設(shè)定參數(shù)，控制薄膜的生長(zhǎng)工藝，包括功率、氣壓、生長(zhǎng)源和樣品表面的距離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的在物體表面制備薄膜的方法，其特征在于:在薄膜生長(zhǎng)過程中，始終保持生長(zhǎng)源與樣品的待生長(zhǎng)位置節(jié)點(diǎn)的切面偏差范圍內(nèi)的平行。
【文檔編號(hào)】C23C14/54GK103849849SQ201410079445
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2014年3月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年3月5日
【發(fā)明者】萬能, 樊路嘉, 孫立濤 申請(qǐng)人:東南大學(xué)