一種制備金剛石薄膜的簡單裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，包括有反應(yīng)室，其特征在于：在所述的反應(yīng)室下方設(shè)有氣體入口，在所述反應(yīng)室內(nèi)與所述氣體入口對應(yīng)的位置上設(shè)有陰極，在所述的陰極上設(shè)有多個透氣孔，在所述陰極上方設(shè)有水冷陽極，基片設(shè)置在水冷陽極上，所述的水冷陽極與陰極通過導(dǎo)線相連接。本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，制作方便，生產(chǎn)成本低，用于制備金剛石薄膜的簡單裝置。
【專利說明】一種制備金剛石薄膜的簡單裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種制備金剛石薄膜的簡單裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]金剛石薄膜具有很高的硬度、較好的熱導(dǎo)性，耐磨損性，極佳的化學(xué)惰性，和從遠(yuǎn)紅外區(qū)到深紫外區(qū)完全透明等優(yōu)點。金剛石薄膜在焊接刀具、大功率激光器、半導(dǎo)體以及X射線窗口等領(lǐng)域有著廣泛的前景。
[0003]現(xiàn)有用于制備金剛石薄膜的裝置，其結(jié)構(gòu)一般比較復(fù)雜，生產(chǎn)成本高。故此，現(xiàn)有用于制備金剛石薄膜的裝置有待于進一步完善。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處，提供一種結(jié)構(gòu)簡單，制作方便，生產(chǎn)成本低，用于制備金剛石薄膜的簡單裝置。
[0005]為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用以下方案: [0006]一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，包括有反應(yīng)室，其特征在于:在所述的反應(yīng)室下方設(shè)有氣體入口，在所述反應(yīng)室內(nèi)與所述氣體入口對應(yīng)的位置上設(shè)有陰極，在所述的陰極上設(shè)有多個透氣孔，在所述陰極上方設(shè)有水冷陽極，基片設(shè)置在水冷陽極上，所述的水冷陽極與陰極通過導(dǎo)線相連接。
[0007]如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于在所述的陰極上內(nèi)設(shè)有水冷容腔，在所述的陰極設(shè)有與所述水冷容器相連接的進水口。
[0008]如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極與陰極通過導(dǎo)線連接有電源。
[0009]如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極包括有陽極本體，在所述的陽極本體上設(shè)有水冷進口。
[0010]如上所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極與陰極之間的距離為2cm。
[0011]綜上所述，本發(fā)明的有益效果:
[0012]本發(fā)明工藝方法簡單，制作方便，生產(chǎn)成本相對較低。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0013]圖1為本發(fā)明的示意圖。
【具體實施方式】
[0014]下面結(jié)合【專利附圖】

【附圖說明】和【具體實施方式】對本發(fā)明做進一步描述:
[0015]如圖1所示，本發(fā)明一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，包括有反應(yīng)室1，在所述的反應(yīng)室I下方設(shè)有氣體入口 2，在所述反應(yīng)室I內(nèi)與所述氣體入口 2對應(yīng)的位置上設(shè)有陰極3，在所述的陰極3上設(shè)有多個透氣孔4，在所述陰極3上方設(shè)有水冷陽極5，基片6設(shè)置在水冷陽極5上。
[0016]本發(fā)明中所述水冷陽極5與陰極3通過導(dǎo)線7連接有電源8。
[0017]本發(fā)明中在所述的陰極3上內(nèi)設(shè)有水冷容腔，在所述的陰極3設(shè)有與所述水冷容器相連接的進水口 9。
[0018]本發(fā)明中所述水冷陽極5包括有陽極本體51，在所述的陽極本體51上設(shè)有水冷進口 52。所述水冷陽極5與陰極之間的距離為2cm。
[0019]本發(fā)明裝置使用過程中壓力約28KPa的反應(yīng)氣體CH4+H2通過陰極3中的進入反應(yīng)室1，水冷陽極5位于陰極3上方，基片6安裝在水冷陽極上，水冷陽極與陰極的距離為2cm，CH4/H2比率由0.3%變到4%，但流量固定在20SCCm，所使用的典型放電條件為1KV和0.4nm/cm2,基片6溫度上升到800°C，其溫度可通過改變通入陽極的冷卻水的流量來改變。
[0020]采用本發(fā)明裝置制備的金剛石薄膜，其面間距、點陣常數(shù)、維氏硬度與自然金剛石對應(yīng)值相符。
[0021]以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保 護的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。
【權(quán)利要求】
1.一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，包括有反應(yīng)室(1)，其特征在于:在所述的反應(yīng)室(I)下方設(shè)有氣體入口(2)，在所述反應(yīng)室(I)內(nèi)與所述氣體入口(2)對應(yīng)的位置上設(shè)有陰極(3)，在所述的陰極(3)上設(shè)有多個透氣孔(4)，在所述陰極(3)上方設(shè)有水冷陽極(5)，基片(6)設(shè)置在水冷陽極(5)上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極(5)與陰極(3)通過導(dǎo)線(7)連接有電源(8)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于在所述的陰極(3)上內(nèi)設(shè)有水冷容腔，在所述的陰極(3)設(shè)有與所述水冷容器相連接的進水口(9)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極(5 )包括有陽極本體(51)，在所述的陽極本體(51)上設(shè)有水冷進口( 52 )。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種制備金剛石薄膜的簡單裝置，其特征在于所述水冷陽極(5)與陰極之間的距離 為2cm。
【文檔編號】C23C16/50GK103643218SQ201310567348
【公開日】2014年3月19日 申請日期:2013年11月14日 優(yōu)先權(quán)日:2013年11月14日
【發(fā)明者】秦文鋒, 李學(xué)軍, 楊文志 申請人:中山市創(chuàng)科科研技術(shù)服務(wù)有限公司