專利名稱：一種微波天線的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及PECVD設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，更具體地說，涉及一種微波天線。
背景技術(shù)：
等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PlasmaEnhanced Chemical VaporDeposition,縮寫為PECVD)是借助微波或射頻等，使含有薄膜組成原子的氣體發(fā)生電離，在局部形成等離子體，由于等離子體化學(xué)活性很強(qiáng)，容易發(fā)生反應(yīng)，從而能夠在基片上沉積出所希望得到的薄膜。在光伏組件的生產(chǎn)過程中，通常使用該方法為硅片進(jìn)行鍍膜。在現(xiàn)有的PECVD設(shè)備中，利用一根管徑均勻的銅管作為微波天線。由于微波天線管徑均勻分布的形狀，在電磁波傳輸過程中發(fā)生衰減時(shí)，空間中靠近天線中間部分的能量強(qiáng)度要低于兩端，這導(dǎo)致硅片上鍍膜不均勻的問題。由以上所述，如何對(duì)現(xiàn)有的微波天線進(jìn)行改進(jìn)，以改善硅片鍍膜不均勻的問題，成為本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的技術(shù)問題。

實(shí)用新型內(nèi)容有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種微波天線，以改善現(xiàn)有PECVD設(shè)備對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜時(shí)硅片鍍膜不均勻的問題。為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供如下技術(shù)方案:—種微波天線，包括等管徑的小管徑段、設(shè)置在小管徑段兩側(cè)的過渡段和與過渡段相連接且等管徑的大管徑段；過渡段的管徑由小管徑段向大管徑段的方向逐漸增大。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，微波天線以小管徑段的中點(diǎn)為對(duì)稱中點(diǎn)。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，大管徑段的內(nèi)徑為6mm，長(zhǎng)度為30cm。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，小管徑段的內(nèi)徑為3mm，長(zhǎng)度為49cm。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，大管徑段的內(nèi)徑比小管徑段的內(nèi)徑大2mm至3mm。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，過渡段的長(zhǎng)度為2mm至3mm。優(yōu)選地，在上述的微波天線中，過渡段的內(nèi)徑變化規(guī)律符合雙曲線函數(shù)關(guān)系。本實(shí)用新型提供了一種微波天線，包括小管徑段、位于小管徑段兩側(cè)的過渡段和與變管徑段相連的大管徑段。其中，小管徑段和大管徑段上的各處管徑相等，過渡段的管徑由小管徑段向大管徑段的方向逐漸增大。在本實(shí)用新型所提供的微波天線中，位于中間的小管徑段的直徑小于位于兩端的大管徑段的直徑，增加了微波天線中間部分的電磁波能量強(qiáng)度，從而增加了石墨舟中間部分硅片的PECVD膜厚度，改善了硅片膜厚的均勻性。

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。圖1為現(xiàn)有的微波天線的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的微波天線的結(jié)構(gòu)示意圖。以上圖1-2中:小管徑段1、過渡段2和大管徑段3。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型實(shí)施例公開了一種微波天線，以改善現(xiàn)有PECVD設(shè)備對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜時(shí)硅片鍍膜不均勻的問題。下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。請(qǐng)參考圖2，本實(shí)施例提供了一種微波天線，包括小管徑段1、過渡段2和大管徑段3。其中，過渡段2位于小管徑段I的兩側(cè)，大管徑段3位于過渡段2的外側(cè)；小管徑段I和大管徑段3上的各處管徑相等，過渡段2的管徑由小管徑段I向大管徑段3的方向逐漸增大。在本實(shí)施例所提供的微波天線中，位于中間的小管徑段I的直徑小于位于兩端的大管徑段3的直徑，增加了微波天線中間部分的電磁波能量強(qiáng)度，從而增加了石墨舟中間部分硅片的PECVD膜厚度，改善了硅片膜厚的均勻性。具體的，在上述實(shí)施例所提供的微波天線中，微波天線以小管徑段I的中點(diǎn)為對(duì)稱中點(diǎn)。大管徑段3的長(zhǎng)度為33cm左右，優(yōu)選地，大管徑段3的長(zhǎng)度為30cm，內(nèi)徑為6mm。小管徑段I的長(zhǎng)度為49cm至60cm,優(yōu)選地,小管徑段I的長(zhǎng)度為49cm,內(nèi)徑為3mm。過渡段2的長(zhǎng)度為2mm-3mm，內(nèi)徑為3mm-6mm。同時(shí)，過渡段2的內(nèi)徑變化規(guī)律符合雙曲線函數(shù)關(guān)系，即過渡段2為以微波天線的軸線為回轉(zhuǎn)軸線，以一條雙曲線為母線的回轉(zhuǎn)體。本說明書中各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，每個(gè)實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似部分互相參見即可。對(duì)所公開的實(shí)施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本實(shí)用新型。對(duì)這些實(shí)施例的多種修改對(duì)本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本實(shí)用新型的精神或范圍的情況下，在其它實(shí)施例中實(shí)現(xiàn)。因此，本實(shí)用新型將不會(huì)被限制于本文所示的這些實(shí)施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點(diǎn)相一致的最寬的范圍。
權(quán)利要求1.一種微波天線，其特征在于，包括等管徑的小管徑段、設(shè)置在所述小管徑段兩側(cè)的過渡段和與所述過渡段相連接且等管徑的大管徑段； 所述過渡段的管徑由所述小管徑段向所述大管徑段的方向逐漸增大。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微波天線，其特征在于，所述微波天線以所述小管徑段的中點(diǎn)為對(duì)稱中點(diǎn)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微波天線，其特征在于，所述大管徑段的內(nèi)徑為6mm，長(zhǎng)度為30cmo
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的微波天線，其特征在于，所述小管徑段的內(nèi)徑為3mm，長(zhǎng)度為49cm。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的微波天線，其特征在于，大管徑段的內(nèi)徑比所述小管徑段的內(nèi)徑大2mm至3mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的微波天線，其特征在于，所述過渡段的長(zhǎng)度為2mm至3mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)中所述的微波天線，其特征在于，所述過渡段的內(nèi)徑變化規(guī)律符合雙曲線函數(shù)關(guān)系。
專利摘要本實(shí)用新型公開了一種微波天線，包括小管徑段、位于小管徑段兩側(cè)的過渡段和與變管徑段相連的大管徑段。其中，小管徑段和大管徑段上的各處管徑相等，過渡段的管徑由小管徑段向大管徑段的方向逐漸增大。在本實(shí)用新型所提供的微波天線中，位于中間的小管徑段的直徑小于位于兩端的大管徑段的直徑，增加了微波天線中間部分的電磁波能量強(qiáng)度，從而增加了石墨舟中間部分硅片的PECVD膜厚度，改善了硅片膜厚的均勻性。
文檔編號(hào)C23C16/511GK203007416SQ20122074869
公開日2013年6月19日 申請(qǐng)日期2012年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2012年12月27日
發(fā)明者袁廣鋒 申請(qǐng)人:英利能源(中國(guó))有限公司