專(zhuān)利名稱(chēng)：一種原位清潔mocvd反應(yīng)腔室的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方 法。
背景技術(shù)：
目前，金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積(Metal-organic Chemical VaporDeposition, MOCVD)技術(shù)廣泛用于制備第III族元素和第V族元素的化合物(如GaN、InN、AlN、InGaN、AlGaN、GaP等)。目前工藝水平中，制備第III族元素和第V族元素的化合物之后的MOCVD反應(yīng)腔室存在的一個(gè)主要問(wèn)題是每個(gè)反應(yīng)步驟之后會(huì)在反應(yīng)腔室內(nèi)部形成多余的固態(tài)副產(chǎn)品沉積物(如含碳有機(jī)物或者金屬及其化合物等)，這些沉積物沉積在反應(yīng)腔室內(nèi)部(如噴淋頭、基座及內(nèi)壁等處)，造成工藝偏差(process drift)、性能下降,并且容易在制備第III族元素和第V族元素的化合物的過(guò)程中在基片表面形成顆粒等雜質(zhì)，這些雜質(zhì)會(huì)影響后續(xù)工藝，因此，在使用過(guò)程中，需要對(duì)MOCVD的反應(yīng)腔室進(jìn)行清潔，以去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物，進(jìn)而提高制備第III族元素和第V族元素的化合物的質(zhì)量?，F(xiàn)有技術(shù)中，去除MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物一般采用手動(dòng)去除的方式，即打開(kāi)MOCVD反應(yīng)腔室、然后手動(dòng)去除噴淋頭等處的沉積物。但是，這種清潔方法生產(chǎn)率低、可重復(fù)性差、清潔效率不高。為此，現(xiàn)有技術(shù)發(fā)展了一些采用原位去除MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部沉積物的方法，這些方法主要將含有齒化物(halide chemistries)(如Cl2、HCl、HBr等)的氣體通入MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部以對(duì)沉積物進(jìn)行原位去除。這種清潔方法無(wú)需打開(kāi)MOCVD反應(yīng)腔室、可重復(fù)性好、清潔效率高、生產(chǎn)率高。但是,在溫度相對(duì)較低的表面(如米用水冷的噴淋頭表面或者反應(yīng)腔室內(nèi)壁表面)，由于金屬有機(jī)化合物前驅(qū)反應(yīng)物(precursors)的不完全分解,這些多余的沉積物通常主要包含相對(duì)穩(wěn)定的有機(jī)物配合基(organic ligands)或者關(guān)聯(lián)的聚合物以及金屬及其化合物，其中這些相對(duì)穩(wěn)定的有機(jī)物配合基(organic ligands)或者關(guān)聯(lián)的聚合物主要是高濃度的含碳有機(jī)物，此時(shí)，這種基于簡(jiǎn)單的鹵化物(如Cl2、HCl、HBr等)的原位清潔方法對(duì)去除溫度相對(duì)較低表面的沉積物不起作用。

發(fā)明內(nèi)容
為去除MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度相對(duì)較低的表面的沉積物，本發(fā)明實(shí)施例提供一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部沉積物的方法，所述方法包括執(zhí)行步驟(a):向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第一清潔氣體，并將所述第一清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體；和/或，在所述反應(yīng)腔室外部將所述第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為所述第一清潔等離子體，并將所述第一清潔等離子體通入所述反應(yīng)腔室內(nèi)部；和/或，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入所述第一清潔氣體，并維持所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度在200°C至 500°C之間；并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物；其中，所述第一清潔氣體包括還原氣體，所述還原氣體包括N2/H2的混合氣體、NH3中的一種或其組合；執(zhí)行步驟(b):向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第二清潔氣體，并將所述第二清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體；和/或，在所述反應(yīng)腔室外部將所述第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為所述第二清潔等離子體，并將所述第二清潔等離子體通入所述反應(yīng)腔室內(nèi)部；和/或，向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入所述第二清潔氣體，并維持所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度在200°C至 500°C之間； 并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物；其中所述第二清潔氣體包括第一含鹵素氣體。優(yōu)選地，所述第一清潔氣體還包括Ar ;和/或，所述第二清潔氣體還包括Ar。優(yōu)選地，所述第一清潔氣體還包括第二含鹵素氣體，所述第二含鹵素氣體包括HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。優(yōu)選地，所述第一清潔氣體中所述還原氣體的摩爾分?jǐn)?shù)大于所述第二含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)。優(yōu)選地，所述第二清潔氣體還包括含氧氣體，所述含氧氣體包括02、03、C02、H202、N20、C0中的一種或者幾種的組合。優(yōu)選地，所述第二清潔氣體中所述含氧氣體的摩爾分?jǐn)?shù)小于所述第一含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)。優(yōu)選地，所述第一含鹵素氣體包括HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。優(yōu)選地，所述第一時(shí)間段大于5分鐘，所述第二時(shí)間段大于3分鐘。本發(fā)明實(shí)施例中，采用包括還原氣體的第一清潔氣體和/或其等離子體去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物、采用包括含鹵素氣體的第二清潔氣體和/或其等離子體去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物。本發(fā)明實(shí)施例提供的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法能夠去除含有相對(duì)穩(wěn)定的有機(jī)物配合基或者關(guān)聯(lián)的聚合物以及金屬及其化合物，從而對(duì)于反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度相對(duì)較低表面的沉積物具有良好的清潔效果。


為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，圖中相同的標(biāo)記表示相同的部件，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。在全部附圖中相同的附圖標(biāo)記指示相同的部分。并未刻意按實(shí)際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點(diǎn)在于示出本發(fā)明的主
匕
曰ο圖I是本發(fā)明實(shí)施例一的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法流程圖2是本發(fā)明實(shí)施例中的MOCVD反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是本發(fā)明實(shí)施例二的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法流程圖；圖4是本發(fā)明實(shí)施例三的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法流程圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。為解決現(xiàn)有技術(shù)中去除MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度相對(duì)較低的表面的沉積物的效果不明顯的問(wèn)題，本申請(qǐng)的發(fā)明人經(jīng)過(guò)研究提出了一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法。 以下對(duì)該原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法進(jìn)行詳細(xì)描述。實(shí)施例一如圖I所示，本發(fā)明實(shí)施例一的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法的流程圖，以下結(jié)合MOCVD反應(yīng)腔室的結(jié)構(gòu)示意圖(即圖2)對(duì)該方法進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。步驟SlOl :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，將第一清潔氣體在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體，并將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物；本發(fā)明實(shí)施例一中的第一清潔氣體可以包括N2/H2的混合氣體(本申請(qǐng)中“N2/H2的混合氣體”表示“N2與H2的混合氣體”，其他類(lèi)似描述表示類(lèi)似的含義)、NH3中的一種或幾種的組合。如果第一清潔氣體僅包括一種氣體，則可以通過(guò)一條進(jìn)氣管道(例如進(jìn)氣管道41或者42)將該氣體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部；如果第一清潔氣體包括多種氣體，則可以通過(guò)多條進(jìn)氣管道將這多種氣體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部，以保證這些氣體分別通入反應(yīng)腔室10，即這些氣體在進(jìn)入反應(yīng)腔室10內(nèi)部之后才混合；另外，如果第一清潔氣體包括多種氣體，則這些氣體也可以在通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部之前進(jìn)行混合，然后將該混合之后的氣體通過(guò)進(jìn)氣管道41或者42通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部。N2/H2的混合氣體、NH3均具有較強(qiáng)的還原性，在該步驟中主要利用第一清潔氣體的還原特性與含碳有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，從而將沉積物中的含碳有機(jī)物轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的含碳化合物，并通過(guò)排氣裝置12將該氣態(tài)的含碳化合物排出反應(yīng)腔室10內(nèi)部。例如，在步驟SlOl中，N2/H2的混合氣體、NH3可以與含碳有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，生成氣態(tài)的HCN，氣態(tài)的HCN可以通過(guò)排氣裝置12排出反應(yīng)腔室10內(nèi)部，從而去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物。本步驟SlOl中的第一清潔氣體是在進(jìn)入反應(yīng)腔室10內(nèi)部之后轉(zhuǎn)化為等離子體的。具體地，可以在反應(yīng)腔室10內(nèi)部的噴淋頭11和基座13之間施加一定功率的射頻電壓，通過(guò)該射頻電壓在反應(yīng)腔室10內(nèi)部的反應(yīng)區(qū)M (例如該反應(yīng)區(qū)可以是噴淋頭11與基座13之間的區(qū)域，其中基座13用于安放制備第III族元素和第V族元素的化合物時(shí)所用的基片)將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體；另外，也可以在反應(yīng)腔室10內(nèi)部的反應(yīng)區(qū)之外的區(qū)域?qū)⒌谝磺鍧崥怏w轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體具體可以在反應(yīng)腔室10內(nèi)壁與基座13之間施加一定功率的射頻電壓或者在反應(yīng)腔室10內(nèi)壁與噴淋頭11之間施加一定功率的射頻電壓，通過(guò)該射頻電壓在反應(yīng)區(qū)M以外的區(qū)域(圖2中反應(yīng)腔室10內(nèi)部除區(qū)域M之外的區(qū)域)將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體。當(dāng)然，本發(fā)明實(shí)施例一中將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為等離子體的方式并不局限于這兩種，還可以采用本領(lǐng)域常用的其他方式進(jìn)行，在此不再贅述。當(dāng)?shù)谝磺鍧崥怏w在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一等離子體之后，維持反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力在第一預(yù)定壓力(例如O. Γ10托)范圍內(nèi)第一時(shí)間段(例如大于5分鐘)以使第一步清潔步驟(即去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物的步驟)充分進(jìn)行，例如可以維持反應(yīng)腔室的壓力在O. Γ1托范圍保持5 30分鐘。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在實(shí)際清潔需求的情況下選擇合適的反應(yīng)腔室壓力和反應(yīng)時(shí)間，在此不做一一列舉。
在清潔過(guò)程中，可以保持排氣裝置12 —直處于開(kāi)啟狀態(tài)，一方面可以將第一清潔等離子體與反應(yīng)腔室10內(nèi)部的沉積物發(fā)生反應(yīng)后的氣體產(chǎn)物不斷排出反應(yīng)腔室以加速清潔過(guò)程的進(jìn)行和提高清潔效果，另一方面還可以保持反應(yīng)腔室10內(nèi)部具有一定的壓力以滿(mǎn)足清潔過(guò)程的需要，即，本發(fā)明實(shí)施例一中還可以通過(guò)控制排氣裝置12的開(kāi)啟程度來(lái)控制反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力，即通過(guò)控制排氣裝置12的排氣量控制反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力。本步驟SlOl中，主要利用具有強(qiáng)還原性能的第一清潔氣體與反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物發(fā)生反應(yīng)，從而將碳有機(jī)物轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的含碳化合物并將該氣態(tài)的含碳化合物通過(guò)排氣裝置12排出反應(yīng)腔室10。另外鑒于反應(yīng)腔室10內(nèi)部的沉積物一般是含碳有機(jī)物和金屬及其化合物混合在一起，在沉積物較厚時(shí)，僅采用具有還原性能的第一清潔氣體可能無(wú)法將沉積物中全部的含碳有機(jī)物轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的含碳化合物，這是因?yàn)槌练e物底層的含碳有機(jī)物被其上層的金屬及其化合物覆蓋，因此，為了令沉積物中的含碳有機(jī)物充分反應(yīng)，本步驟中第一清潔氣體中還可以含有一定量的第二含鹵素氣體，此時(shí)，含碳有機(jī)物上層的金屬及其化合物容易與第二含齒素氣體發(fā)生反應(yīng)生成氣態(tài)的金屬齒化物同時(shí)該氣態(tài)的金屬齒化物可以通過(guò)排氣裝置12排出反應(yīng)腔室10內(nèi)部。例如，MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部通常容易殘留GaN、InN、AlN等金屬及其化合物，反應(yīng)腔室10內(nèi)部的第二含鹵素氣體(例如C12)的等離子體可以與GaN、InN、AlN等金屬及其化合物反應(yīng)，生成氣態(tài)的GaC13、InCl、AlC13等。此外，鑒于本步驟中反應(yīng)腔室10內(nèi)部還包括具有還原性能的第一清潔氣體(N2/H2的混合氣體、NH3)的等離子體，因此通過(guò)排氣裝置12排出的氣態(tài)產(chǎn)物還可能包括NH3、N2、NC1以及其他產(chǎn)物，這些氣態(tài)產(chǎn)物的種類(lèi)可以依具體工藝不同而改變。其中，第二含鹵素氣體可以包括HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。鑒于本步驟SlOl的主要目的是去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物，因此，本步驟中第一清潔氣體中的還原氣體的摩爾分?jǐn)?shù)可以大于第二含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)，當(dāng)然這只是一個(gè)優(yōu)選的方式，實(shí)際上第一清潔氣體中的還原氣體的摩爾分?jǐn)?shù)和第二含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)的比例可以不受限制。此外，為提高清潔效果和清潔速度，本步驟中的第一清潔氣體還可以包括一定量的Ar，Ar在反應(yīng)腔室10內(nèi)部可以轉(zhuǎn)化為Ar等離子體，Ar等離子體能夠加速清潔反應(yīng)(包括還原氣體與含碳有機(jī)物反應(yīng)和/或含鹵素氣體與金屬及其化合物反應(yīng))的進(jìn)行。需要說(shuō)明是的，本發(fā)明實(shí)施例一中，可以執(zhí)行下述步驟SIOI-AI和步驟SIOI-A2中的任意一個(gè)或者兩個(gè)步驟，以替代步驟SlOl
步驟SlOl-Al :在反應(yīng)腔室10外部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體，并將第一清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部；步驟S101-A2 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，并維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度在200°C至500°C之間；其中，步驟SlOl-Al和步驟S101-A2中的第一清潔氣體可以與步驟SlOl中的第一清潔氣體具有相同的含義，該處“具有相同的含義”是指該處的第一清潔氣體與步驟SlOl中的第一清潔氣體具有相同的范圍(如都包含還原氣體)，但是，可以選擇此范圍內(nèi)不同種類(lèi)的氣體，下述內(nèi)容中的“具有相同的含義”的描述與此處類(lèi)似。另外，還可以在執(zhí)行步驟SlOl的同時(shí)執(zhí)行步驟SlOl-Al和步驟S101-A2，以此進(jìn)一
步加速清潔反應(yīng)的速度。步驟S102 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第二清潔氣體，將第二清潔氣體在反應(yīng)腔室10 內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體，并將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的金屬及其化合物；本發(fā)明實(shí)施例一中的第二清潔氣體可以包括第一含鹵素氣體，該第一含鹵素氣體可以是HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。具體地，可以通過(guò)進(jìn)氣管道41或者42向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第二清潔氣體。經(jīng)過(guò)步驟S101，反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物基本已經(jīng)被清除，殘余的主要是金屬(例如Ga、Al、In等)及其化合物，因此，本步驟中向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入包括含鹵素氣體的第二清潔氣體，該第二清潔氣體在可以射頻電壓的作用下在反應(yīng)腔室內(nèi)部的反應(yīng)區(qū)M或者反應(yīng)區(qū)M之外的區(qū)域轉(zhuǎn)化為等離子體(參見(jiàn)步驟SlOl中的描述)，該等離子體能夠與沉積物中剩余的金屬及其化合物與含鹵素氣體充分反應(yīng)形成為氣態(tài)的金屬鹵化物，隨后這些氣態(tài)的金屬鹵化物通過(guò)排氣裝置12排出反應(yīng)腔室10內(nèi)部。第二清潔氣體在反應(yīng)腔室10內(nèi)轉(zhuǎn)化為等離子體之后，維持反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力在第二預(yù)定壓力(如O. Γ10托)范圍內(nèi)第二時(shí)間段(例如大于3分鐘)以使第二步清潔步驟(即去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物)充分進(jìn)行，以完全去除反應(yīng)腔室內(nèi)的金屬及其化合物殘余，例如可以將反應(yīng)腔室的壓力在O. fl托范圍內(nèi)保持5 30分鐘。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在實(shí)際清潔需求的情況下選擇合適的反應(yīng)腔室壓力和反應(yīng)時(shí)間，在此不做一一列舉。具體地，可以通過(guò)控制通入反應(yīng)腔室10的第二清潔氣體的流量來(lái)控制反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力，或者也可以通過(guò)控制排氣裝置12的開(kāi)啟程度來(lái)控制反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力。在該步驟中，主要利用轉(zhuǎn)化為等離子體的鹵素與反應(yīng)腔室內(nèi)部的殘余金屬及其化合物反應(yīng)，從而將殘余金屬及其化合物轉(zhuǎn)化為氣態(tài)的金屬鹵化物排出反應(yīng)腔室10。例如，MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)部通常容易殘留Ga、In、Al、GaN、InN、AlN等金屬及其化合物，反應(yīng)腔室10內(nèi)部的第二含鹵素氣體(例如Cl2)的等離子體能夠與Ga、In、Al、GaN、InN、AlN等金屬及其化合物反應(yīng)，生成氣態(tài)的GaC13、InCl3、AlCl3等。此外，鑒于本步驟中反應(yīng)腔室10內(nèi)部還包括具有還原性能的第一清潔氣體(N2/H2的混合氣體、NH3)的等離子體，因此通過(guò)排氣裝置12排出的氣態(tài)產(chǎn)物還可能包括NH3、N2, NCl3以及其他產(chǎn)物，這些氣態(tài)產(chǎn)物的種類(lèi)可以依具體工藝不同而改變。此外，本步驟S102中第二清潔氣體中還可以含有一定量的含氧氣體(如02)，該含氧氣體可以在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為等離子體，然后與可能殘留在反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物反應(yīng)，以全部去除沉積物中的含碳有機(jī)物，進(jìn)一步提高清潔效果。鑒于本步驟S102的主要目的是去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物，因此，本步驟中第二清潔氣體中的第一含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)可以大于含氧氣體的摩爾分?jǐn)?shù)，當(dāng)然這只是一個(gè)優(yōu)選的方式，實(shí)際上第二清潔氣體中的第一含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)和含氧氣體的摩爾分?jǐn)?shù)的比例可以不受限制。同時(shí)，為進(jìn)一步提高清潔效果和清潔速度，在本步驟中，第二清潔氣體中還可以包含適量的Ar，Ar在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為Ar等離子體，Ar等離子體能夠加速反應(yīng)的進(jìn)行。需要說(shuō)明是的，本發(fā)明實(shí)施例一中，可以執(zhí)行下述步驟S102-B1和步驟S102-B2中的任意一個(gè)或者兩個(gè)步驟，以替代步驟S102 步驟S102-B1 :在反應(yīng)腔室10外部將第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體，并將第二清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部； 步驟S102-B2 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第二清潔氣體，并維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度在200°C至500°C之間；其中，步驟S102-B1和步驟S102-B2中的第二清潔氣體可以與步驟S102中的第二清潔氣體具有相同的含義。另外，還可以在執(zhí)行步驟S102的同時(shí)執(zhí)行步驟S102-A1和步驟S102-A2，以此進(jìn)一步加速清潔反應(yīng)的速度。本發(fā)明實(shí)施例一提供的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法，首先向反應(yīng)腔室內(nèi)部通入包括還原氣體的第一清潔氣體，在反應(yīng)腔室內(nèi)部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為等離子體并利用其還原性能去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物；然后向反應(yīng)腔室內(nèi)部通入包括含鹵素氣體的第二清潔氣體，在反應(yīng)腔室內(nèi)部將第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為等離子體用于去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的殘余金屬及其化合物。由第一清潔氣體轉(zhuǎn)化而成的等離子體在適當(dāng)?shù)臏囟燃皦毫Φ葪l件下，可以使含碳有機(jī)物或聚合物的碳鍵斷裂，發(fā)生反應(yīng)生成氣態(tài)的含碳化合物，從而使反應(yīng)腔室內(nèi)部相對(duì)穩(wěn)定的有機(jī)物配合基及聚合物轉(zhuǎn)變?yōu)榛钚暂^高的容易去除的物質(zhì),這些物質(zhì)在特定氣流、壓力、溫度等條件下可隨氣流被泵抽離反應(yīng)腔室，從而達(dá)到清潔的目的。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一中步驟SlOl和步驟S102的執(zhí)行可以連續(xù)的，即執(zhí)行完步驟SlOl之后立即執(zhí)行步驟S102 ;步驟SlOl和步驟S102的執(zhí)行也可以是間歇的，即執(zhí)行完步驟SlOl之后隔一段時(shí)間再執(zhí)行步驟S102，當(dāng)然，在此間歇過(guò)程中，可以保持排氣裝置12—直處于排氣狀態(tài)，這樣能夠?qū)⒉襟ESlOl中產(chǎn)生的氣態(tài)產(chǎn)物全部排出反應(yīng)腔室，進(jìn)而可以提高步驟S102的清潔效率。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一中，可以適當(dāng)延長(zhǎng)步驟SlOl和/或步驟S102執(zhí)行的時(shí)間，以通過(guò)步驟SlOl完全去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物、通過(guò)步驟S102完全去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以采用輔助的檢測(cè)設(shè)備監(jiān)測(cè)反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物和/或金屬及其化合物被完全去除，鑒于該內(nèi)容不是本申請(qǐng)的重點(diǎn)，在此不再詳述。此外，本發(fā)明實(shí)施例中也可以循環(huán)重復(fù)執(zhí)行步驟SlOl和步驟S102，以進(jìn)一步提高
清潔效果。通過(guò)原位清潔方法去除MOCVD反應(yīng)腔室內(nèi)的沉積物(尤其是溫度相對(duì)較低的表面的沉積物)能夠?qū)崿F(xiàn)工藝穩(wěn)定、性能提升，并且能使整個(gè)MOCVD工藝自動(dòng)進(jìn)行。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例中，在原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的過(guò)程(如步驟S101、步驟S101-A1、步驟S102、步驟S102-B1等)中，可以對(duì)反應(yīng)腔室10加熱，使反應(yīng)腔室10內(nèi)部保持一定的溫度。這樣不但能夠提高原位清潔的清潔速率，還能夠保證等離子體與沉積物反應(yīng)之后的產(chǎn)物為氣態(tài)，避免該產(chǎn)物遇到溫度較低的表面變成液態(tài)或者固態(tài)而殘留在反應(yīng)腔室內(nèi)部，例如可以保持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度在7(Tl00°C之間(如70°C、80°C或者100°C等)，具體可以采用對(duì)反應(yīng)腔室外壁或者內(nèi)壁加熱的方式保持反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度。本發(fā)明實(shí)施例中的清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法主要通過(guò)具有還原性能的等離子體與沉積物反應(yīng)從而將沉積物轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài)產(chǎn)物，并通過(guò)排氣裝置將氣態(tài)產(chǎn)物排出反應(yīng)腔室內(nèi)部。
需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例提供的MOCVD反應(yīng)腔室的原位清潔方法還可以采用其他方式。實(shí)施例二本發(fā)明實(shí)施例二的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法與本發(fā)明實(shí)施例一的方法類(lèi)似，有所不同的是，本發(fā)明實(shí)施例二中的等離子體可以在反應(yīng)腔室10的外部產(chǎn)生，然后再通過(guò)進(jìn)氣管道通入反應(yīng)腔室內(nèi)部。為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例二中僅介紹與本發(fā)明實(shí)施例一的不同之處，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易從本發(fā)明實(shí)施例一的相關(guān)描述得到本發(fā)明實(shí)施例二的其他內(nèi)容，在此不再贅述。步驟S301 :在反應(yīng)腔室10外部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體，并將第一清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10的內(nèi)部，將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物；本發(fā)明實(shí)施例二中的還原氣體可以包括N2/H2的混合氣體、NH3中的一種或其組
八
口 ο具體地，該第一清潔等離子體可以利用等離子體轉(zhuǎn)化裝置轉(zhuǎn)化而成，例如，可以首先向等離子體轉(zhuǎn)化裝置內(nèi)部通入第一清潔氣體，然后在等離子體轉(zhuǎn)化裝置內(nèi)部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體。第一清潔等離子體通入反應(yīng)腔室內(nèi)部以后，維持反應(yīng)腔室壓力在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段，例如可以維持反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力在O. f 10托范圍(作為第一預(yù)定壓力范圍的示例)內(nèi)5分鐘以上(例如5 30分鐘)，以使第一清潔等離子體與沉積物中的含碳有機(jī)物反應(yīng)。需要說(shuō)明是的，本發(fā)明實(shí)施例二中，可以執(zhí)行下述步驟S301-A1和步驟S301-A2中的任意一個(gè)或者兩個(gè)步驟以替代步驟S301 步驟S301-A1 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，并將第一清潔氣體在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體；步驟S301-A2 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，并維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度在200°C至500°C之間；其中，步驟S301-A1和步驟S301-A2中的第一清潔氣體可以與步驟S301中的第一清潔氣體具有相同的含義。
另外，還可以在執(zhí)行步驟S301的同時(shí)執(zhí)行步驟S301-A1和步驟S301-A2，以進(jìn)一步加速清潔反應(yīng)的速度。步驟S302 :在反應(yīng)腔室10外部將第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體，并將第二清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部，將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的金屬及其化合物。具體地，該第一清潔等離子體可以利用等離子體轉(zhuǎn)化裝置轉(zhuǎn)化而成，例如，可以首先向等離子體轉(zhuǎn)化裝置內(nèi)部通入第一清潔氣體，然后在等離子體轉(zhuǎn)化裝置內(nèi)部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體。第二清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部以后，可以維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力在O. ITorr^lOTorr (作為第二預(yù)定壓力范圍的示例)之間3分鐘以上(如5 30分鐘)，以使第二清潔等離子體與沉積物中殘留的金屬及其化合物充分反應(yīng)形成氣態(tài)的金屬鹵化物并通過(guò)排氣裝置將這些氣態(tài)的金屬鹵化物排出反應(yīng)腔室。 本發(fā)明實(shí)施例二中的第一清潔氣體與本發(fā)明實(shí)施例一中的第一清潔氣體具有相同的含義、本發(fā)明實(shí)施例二中的第二清潔氣體與本發(fā)明實(shí)施例一中的第二清潔氣體具有相同的含義。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一中的參數(shù)(如壓力、時(shí)間、溫度等)、氣體組分、含量等描述同樣適用于本發(fā)明實(shí)施例二中的方案，為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，在此不再重復(fù)描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員仍然可以將本發(fā)明實(shí)施例二中的方案與本發(fā)明實(shí)施例一中的相應(yīng)內(nèi)容相結(jié)合從而獲得具體的實(shí)現(xiàn)方案，這些實(shí)現(xiàn)方案仍在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。本發(fā)明實(shí)施例二中在反應(yīng)腔室10的外部將第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體、將第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體，并將第一清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10的內(nèi)部以完全去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物、將第二清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10的內(nèi)部以完全去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的金屬及其化合物。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例二中步驟S301和步驟S302的執(zhí)行可以連續(xù)的，即執(zhí)行完步驟S301之后立即執(zhí)行步驟S302 ;步驟S301和步驟S302的執(zhí)行也可以是間歇的，即執(zhí)行完步驟S301之后隔一段時(shí)間再執(zhí)行步驟S302，當(dāng)然，在此間歇過(guò)程中，可以保持排氣裝置12—直處于排氣狀態(tài)，這樣能夠?qū)⒉襟ES301中產(chǎn)生的氣態(tài)產(chǎn)物全部排出反應(yīng)腔室，進(jìn)而可以提高步驟S302的清潔效率。上述實(shí)施例一和實(shí)施例二主要詳細(xì)描述了采用等離子體(第一清潔等離子和/或第二清潔等離子體)去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物(含碳有機(jī)物和/或金屬及其化合物)的情形，實(shí)際上，本發(fā)明實(shí)施例中還可以采用清潔氣體與反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物發(fā)生熱反應(yīng)的方式去除該沉積物。實(shí)施例三本發(fā)明實(shí)施例三提供一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法，該方法與本發(fā)明實(shí)施例一的方法類(lèi)似，有所不同的是，本發(fā)明實(shí)施例三中采用清潔氣體與沉積物發(fā)生熱反應(yīng)的方式去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物。為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例三中僅介紹與本發(fā)明實(shí)施例一的不同之處，本領(lǐng)域技術(shù)人員容易從本發(fā)明實(shí)施例一的相關(guān)描述得到本發(fā)明實(shí)施例三的其他內(nèi)容，在此不再贅述。步驟S401 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度在200°C至500°C之間，并將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的含碳有機(jī)物；本發(fā)明實(shí)施例二中的還原氣體可以包括N2/H2的混合氣體、NH3中的一種或其組
入
口 ο具體地，可以通過(guò)對(duì)反應(yīng)腔室10的內(nèi)壁和/或底座13和/或噴淋頭11加熱的方式使反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍(如O. f 10托)內(nèi)，控制反應(yīng)腔室10內(nèi)部的溫度保持在200°C至500°C之間(如200°c、300°c、50(rc等)，以使第一清潔氣體與沉積物中的含碳有機(jī)物反應(yīng)。采用該方法，可以采用一步的方式完全去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的沉積物中的含碳有機(jī)物。
需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例三中，可以執(zhí)行下述步驟S401-A1和步驟S401-A2中的任意一個(gè)或者兩個(gè)步驟以替代步驟S401 步驟S401-A1 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第一清潔氣體，并將第一清潔氣體在反應(yīng)腔室10內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體；步驟S401-A2 :在反應(yīng)腔室10外部將所述第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體，并將第一清潔等離子體通入反應(yīng)腔室10的內(nèi)部；其中，步驟S401-A1和步驟S401-A2中的第一清潔氣體可以與步驟S401中的第一清潔氣體具有相同的含義。另外，還可以在執(zhí)行步驟S401的同時(shí)執(zhí)行步驟S401-A1和步驟S401-A2，以進(jìn)一步加速清潔反應(yīng)的進(jìn)行。步驟S402 :向反應(yīng)腔室10內(nèi)部通入第二清潔氣體，維持反應(yīng)腔室10的溫度在200°C至500°C之間，并將反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除反應(yīng)腔室10內(nèi)部的金屬及其化合物。當(dāng)?shù)诙鍧崥怏w通入反應(yīng)腔室10內(nèi)部以后，可以維持反應(yīng)腔室10內(nèi)部的壓力在O. ITorr^lOTorr (作為第二預(yù)定壓力范圍的示例)之間3分鐘以上(如5 30分鐘)，以使第二清潔氣體與沉積物中殘留的金屬及其化合物充分發(fā)生熱反應(yīng)形成氣態(tài)的金屬鹵化物通過(guò)排氣裝置排出反應(yīng)腔室。本發(fā)明實(shí)施例三中的第一清潔氣體與本發(fā)明實(shí)施例一中的第一清潔氣體具有相同的含義、本發(fā)明實(shí)施例三中的第二清潔氣體與本發(fā)明實(shí)施例一中的第二清潔氣體具有相同的含義。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例三中步驟S401和步驟S402的執(zhí)行可以連續(xù)的，即執(zhí)行完步驟S401之后立即執(zhí)行步驟S402 ;步驟S401和步驟S402的執(zhí)行也可以是間歇的，即執(zhí)行完步驟S401之后隔一段時(shí)間再執(zhí)行步驟S402，當(dāng)然，在此間歇過(guò)程中，可以保持排氣裝置12—直處于排氣狀態(tài)，這樣能夠?qū)⒉襟ES401中產(chǎn)生的氣態(tài)產(chǎn)物全部排出反應(yīng)腔室，進(jìn)而可以提高步驟S402的清潔效率。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明實(shí)施例一和/或?qū)嵤├械膮?shù)(如壓力、時(shí)間、溫度等)、氣體組分、含量等描述同樣適用于本發(fā)明實(shí)施例三的中的方案，為簡(jiǎn)化起見(jiàn)，在此不再重復(fù)描述，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員仍然可以將本發(fā)明實(shí)施例三中的方案與本發(fā)明實(shí)施例一和/或?qū)嵤├械南鄳?yīng)內(nèi)容相結(jié)合從而獲得具體的實(shí)現(xiàn)方案，這些實(shí)現(xiàn)方案仍在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。
可見(jiàn)，本發(fā)明實(shí)施例中可以采用清潔氣體與反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物發(fā)生熱反應(yīng)從而將該沉積物去除，也可以先將清潔氣體轉(zhuǎn)化為清潔等離子體、然后再采用該清潔等離子體與反應(yīng)腔室內(nèi)部的沉積物發(fā)生反應(yīng)從而將該沉積物去除；其中，該清潔等離子體可以在反應(yīng)腔室的外部形成，也可以在反應(yīng)腔室的內(nèi)部形成(可以在反應(yīng)腔室內(nèi)部的反應(yīng)區(qū)中形成，也可以在反應(yīng)腔室內(nèi)部除反應(yīng)區(qū)之外的區(qū)域形成)。采用本發(fā)明上述實(shí)施例中的方案，能夠采用一步的方式完全去除反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物和金屬及其化合物。以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾，這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng) 視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法，其特征在于，所述方法包括 執(zhí)行步驟(a) 向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第一清潔氣體，并將所述第一清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體；和/或， 在所述反應(yīng)腔室外部將所述第一清潔氣體轉(zhuǎn)化為所述第一清潔等離子體，并將所述第一清潔等離子體通入所述反應(yīng)腔室內(nèi)部；和/或， 向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入所述第一清潔氣體，并維持所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度在200°C至 500°C之間； 并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物；其中，所述第一清潔氣體包括還原氣體，所述還原氣體包括N2/H2的混合氣體、NH3中的一種或其組合； 執(zhí)行步驟(b) 向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第二清潔氣體，并將所述第二清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體；和/或， 在所述反應(yīng)腔室外部將所述第二清潔氣體轉(zhuǎn)化為所述第二清潔等離子體，并將所述第二清潔等離子體通入所述反應(yīng)腔室內(nèi)部；和/或， 向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入所述第二清潔氣體，并維持所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的溫度在200°C至 500°C之間； 并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物；其中所述第二清潔氣體包括第一含鹵素氣體。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括Ar;和/或，所述第二清潔氣體還包括Ar。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體還包括第二含鹵素氣體，所述第二含鹵素氣體包括HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其特征在于，所述第一清潔氣體中所述還原氣體的摩爾分?jǐn)?shù)大于所述第二含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其特征在于，所述第二清潔氣體還包括含氧氣體，所述含氧氣體包括02、03、C02、H202、N20、CO中的一種或者幾種的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其特征在于，所述第二清潔氣體中所述含氧氣體的摩爾分?jǐn)?shù)小于所述第一含鹵素氣體的摩爾分?jǐn)?shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法，其特征在于，所述第一含鹵素氣體包括HC1、BC13、C12、H2/C12的混合氣體、HBr中的一種或者幾種的組合。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-6任一項(xiàng)所述的方法,其特征在于,所述第一時(shí)間段大于5分鐘,所述第二時(shí)間段大于3分鐘。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例提供一種原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法，所述方法包括向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第一清潔氣體，并將所述第一清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第一清潔等離子體，并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第一預(yù)定壓力范圍內(nèi)第一時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的含碳有機(jī)物；向所述反應(yīng)腔室內(nèi)部通入第二清潔氣體，并將所述第二清潔氣體在所述反應(yīng)腔室內(nèi)部轉(zhuǎn)化為第二清潔等離子體，并將所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的壓力保持在第二預(yù)定壓力范圍內(nèi)第二時(shí)間段以去除所述反應(yīng)腔室內(nèi)部的金屬及其化合物。本發(fā)明實(shí)施例提供的原位清潔MOCVD反應(yīng)腔室的方法對(duì)于反應(yīng)腔室內(nèi)部溫度相對(duì)較低表面的沉積物具有良好的清潔效果。
文檔編號(hào)C23C16/44GK102899635SQ20121036495
公開(kāi)日2013年1月30日 申請(qǐng)日期2012年9月26日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月26日
發(fā)明者尹志堯, 杜志游, 孟雙, 汪洋, 張穎 申請(qǐng)人:中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司