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一種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法

文檔序號:3261127閱讀:154來源:國知局
專利名稱:一種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于記憶合金技術(shù)領(lǐng)域,特指ー種控制低招高猛CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法。
背景技術(shù)
低溫閥門(工作溫度低于200K的閥門)是石油化工、空氣分離、天然氣等エ業(yè)不可缺少的重要設(shè)備之一,其質(zhì)量的優(yōu)劣決定著能否安全、經(jīng)濟(jì)、持續(xù)地生產(chǎn)。目前在利用液氮制冷的裝置中使用的液氮瓶都有一定的縫隙,即使當(dāng)周圍的環(huán)境達(dá)到所需要的低溫時(shí),液氮瓶內(nèi)的液氮也仍然繼續(xù)向外流,所以在制冷的工作過程中造成液氮的很大浪費(fèi),并且也減少了制冷裝置的工作時(shí)間。CuAlMn低溫記憶合金可以應(yīng)用在超低溫環(huán)境,如液氮溫度 下的工作環(huán)境。如果利用該合金來制作ー個(gè)控溫閥,使其在高溫時(shí)自動把液氮瓶ロ打開,釋放出液氮制冷,當(dāng)溫度降低到所需要的低溫時(shí)又自動把瓶ロ關(guān)閉,這樣就可以減少低溫系統(tǒng)中液氮的流量,從而能夠有效地減少液氮的消耗量,延長制冷裝置的工作時(shí)間。為了使CuZnAl合金記住低溫形狀、具有隨溫度的升降進(jìn)行反復(fù)可逆動作的雙程特性,需要進(jìn)行恰當(dāng)?shù)挠洃浱幚?。一般采用約束訓(xùn)練法,就是將一定直徑的訓(xùn)練約束棒對材料進(jìn)行反復(fù)常溫約束ー加溫一冷卻ー約束,如此循環(huán)20次,合金就具備雙程記憶性能。但是約束棒直徑(預(yù)應(yīng)變量ε )不同,對材料雙程記憶回復(fù)率有不同的影響,本發(fā)明提出了ー種低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法,其特征在于低鋁高錳CuAlMn記憶合金絲材,尺寸為Φ0. 5 2mm,將成分為A114 16wt%, Mn8 9wt%,復(fù)合稀土添加劑O. 3 O. 8wt%,其余為銅。復(fù)合稀土添加劑化學(xué)成分為Y 20 28wt%、La 8 15wt%、Ce5 12wt%、Nb +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm+Lu 為 10 18wt%,V2 6wt%、B2 5wt%,Zr2 5wt%,余為銅。對上述絲材選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%,12%,14%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量大于2%以后,隨著預(yù)應(yīng)變量的増加,低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高。但是預(yù)變形量超過12%以后,雙程記憶回復(fù)率有所下降。所以對于低鋁高錳CuAlMn記憶合金,預(yù)應(yīng)變量應(yīng)控制在8% 12%范圍內(nèi)。


圖I預(yù)應(yīng)變量與記憶回復(fù)率的關(guān)系
由圖I可以看出預(yù)應(yīng)變量應(yīng)在8% 12%范圍內(nèi),低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金的記憶回復(fù)率最高。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例I
選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量為2%吋,CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是80%。實(shí)施例2
選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為6%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量為85%吋,CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是85%。實(shí)施例3 選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為8%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量為8%吋,CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是90%。實(shí)施例4
選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為12%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量為12%吋,CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是90%。實(shí)施例5
選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為14%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量為14%吋,CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率是86%。
權(quán)利要求
1.一種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法,其特征在于低鋁高錳CuAlMn記憶合金絲材,尺寸為Φ0. 5 2mm,將成分為A114 16wt%, Mn8 9wt%,復(fù)合稀土添加劑O. 3 O. 8wt%,其余為銅;復(fù)合稀土添加劑化學(xué)成分為Y 20 28wt%、La 8 15wt%、Ce5 12wt%、Nb +Pr + Eu +Gd +Tb +Ho +Er +Tm +Lu 為 10 18wt%, V2 6wt%、B2 5wt%, Zr2 5wt%,余為銅。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述ー種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法,對上述絲材選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%,12%,14%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定;其結(jié)果是,預(yù)應(yīng)變量大于2%以后,隨著預(yù)應(yīng)變量的増加,低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金雙程記憶回復(fù)率提高,但是預(yù)變形量超過12%以后,雙程記憶回復(fù)率有所下降。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述ー種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法,對于低鋁高錳CuAlMn記憶合金,預(yù)應(yīng)變量應(yīng)控制在8% 12%范圍內(nèi),雙程記憶回復(fù)率達(dá)到最大值90%。
全文摘要
一種控制低鋁高錳CuAlMn記憶合金雙程記憶回復(fù)率的方法,屬于記憶合金技術(shù)領(lǐng)域,其特征在于低鋁高錳CuAlMn記憶合金絲材,尺寸為Ф0.5~2mm,將成分為Al14~16wt%,Mn8~9wt%,復(fù)合稀土添加劑0.3~0.8wt%,其余為銅。對低鋁高錳CuAlMn記憶合金絲材選取預(yù)應(yīng)變量ε分別為2%、4%、6%、8%、10%,12%,14%,將低鋁高錳CuAlMn低溫記憶合金按照設(shè)定的不同預(yù)應(yīng)變量做成園狀,然后進(jìn)行記憶回復(fù)率測定。
文檔編號C22F1/08GK102828062SQ201210346128
公開日2012年12月19日 申請日期2012年9月18日 優(yōu)先權(quán)日2012年9月18日
發(fā)明者劉光磊, 李曉薇, 齊克堯, 司松海, 劉海霞, 楊嵩 申請人:鎮(zhèn)江憶諾唯記憶合金有限公司
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