便捷石墨舟的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本發(fā)明涉及真空鍍膜設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種便捷石墨舟。其包括舟體、舟片、支腳、上電極和下電極，舟片設(shè)置在舟體內(nèi)，支腳安裝在舟體底部，上電極和下電極分別位于舟體的上部和下部，舟片上設(shè)有缺口。在每一片舟片的同一位置設(shè)置半圓形缺口，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利說(shuō)明】便捷石墨舟
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及真空鍍膜設(shè)備【技術(shù)領(lǐng)域】，尤其是一種便捷石墨舟。
【背景技術(shù)】
[0002]PECVD是等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)的簡(jiǎn)稱(chēng)，其原理是利用低溫等離子體作能量源，樣品置于低氣壓下輝光放電的陰極上，利用輝光放電使樣品升溫到預(yù)定的溫度，然后通入適量的反應(yīng)氣體，氣體經(jīng)一系列化學(xué)反應(yīng)和等離子體反應(yīng)，在樣品表面形成固態(tài)薄膜。石墨舟是其中的重要部件，直接影響到電場(chǎng)的分布、等離子的產(chǎn)生、氣流的走向、膜的品質(zhì)等?，F(xiàn)有的石墨舟由于舟片緊湊，作業(yè)員在插、取硅片時(shí)會(huì)產(chǎn)生碎片的現(xiàn)象，影響了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]為了克服現(xiàn)有的石墨舟插、取硅片時(shí)易發(fā)生碎片現(xiàn)象，影響硅片鍍膜生產(chǎn)效率的不足，本發(fā)明提供了一種便捷石墨舟。
[0004]本發(fā)明解決其技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是:一種便捷石墨舟,包括舟體、舟片、支腳、上電極和下電極，舟片設(shè)置在舟體內(nèi)，支腳安裝在舟體底部，上電極和下電極分別位于舟體的上部和下部，舟片上設(shè)有缺口。
[0005]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例，進(jìn)一步包括缺口為半圓形，位于舟片中央。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另 一個(gè)實(shí)施例，進(jìn)一步包括舟片均勻分布在舟體內(nèi)腔。
[0007]本發(fā)明的有益效果是，在每一片舟片的同一位置設(shè)置半圓形缺口，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0008]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步說(shuō)明。
[0009]圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0010]圖中1.舟體，2.舟片，3.支腳，4.上電極，5.下電極，6.缺口。
【具體實(shí)施方式】
[0011]如圖1是本發(fā)明的結(jié)構(gòu)示意圖，一種便捷石墨舟，包括舟體1、舟片2、支腳3、上電極4和下電極5，舟片2設(shè)置在舟體I內(nèi)，支腳3安裝在舟體I底部，上電極4和下電極5分別位于舟體I的上部和下部，舟片2上設(shè)有缺口 6。缺口 6為半圓形，位于舟片2中央。舟片2均勻分布在舟體I內(nèi)腔。
[0012]在每一片舟片2的同一位置設(shè)置半圓形的缺口 6，為插、取硅片提供了方便，避免了破損，從而大大提高了硅片鍍膜生產(chǎn)效率。
【權(quán)利要求】
1.一種便捷石墨舟，包括舟體(1)、舟片(2)、支腳(3)、上電極(4)和下電極(5)，舟片(2)設(shè)置在舟體(1)內(nèi)，支腳(3)安裝在舟體(1)底部，上電極(4)和下電極(5)分別位于舟體(1)的上部和下部，其特征是，舟片(2)上設(shè)有缺口(6)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便捷石墨舟，其特征是，缺口(6)為半圓形，位于舟片(2)中央。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的便捷石墨舟，其特征是，舟片(2)均勻分布在舟體(1)內(nèi)腔。
【文檔編號(hào)】C23C16/50GK103510078SQ201210217315
【公開(kāi)日】2014年1月15日 申請(qǐng)日期:2012年6月28日 優(yōu)先權(quán)日:2012年6月28日
【發(fā)明者】沈文偉 申請(qǐng)人:沈文偉