專利名稱：一種應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種硅片載板，尤其涉及一種應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板。
背景技術(shù)：
在硅太陽(yáng)電池的制工藝過(guò)程之中，通常需要采用薄膜沉積工藝進(jìn)行硅片的鍍膜， 例如可采用PECVD (plasma enhanced chemical vapor d印osition，等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積)的沉積工藝對(duì)硅片進(jìn)行氮化硅的真空鍍膜，使在硅片表面形成防反射層。板式PECVD系統(tǒng)中對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜時(shí)需要用到一種裝載硅片的載板，通過(guò)此載板將硅片帶進(jìn)設(shè)備鍍膜腔體，并作為加熱基體起到對(duì)硅片均勻加熱的作用。該載板所用材料為碳碳復(fù)合材料(Carbon-fiber-reinforced carbon composites) (CFC)是一禾中由高強(qiáng)度碳素纖維和碳素基質(zhì)經(jīng)過(guò)石墨化增強(qiáng)處理后構(gòu)成的材料，可以廣泛應(yīng)用在高溫環(huán)境下的各類結(jié)構(gòu)件，加熱器和容器。與傳統(tǒng)的工程材料相比碳碳復(fù)合材料具有以下優(yōu)勢(shì)1、高強(qiáng)度 (是鋼鐵的5倍)；2、耐高溫(2000°C時(shí)仍能保持優(yōu)良的機(jī)械和電性能)；3、抗熱沖擊性；4、 低熱膨脹系數(shù)；5、熱容量小；6、低密度(1. 7) ；7、優(yōu)秀的抗腐蝕與輻射性能。使用板式設(shè)備對(duì)硅片表面鍍膜時(shí)，首先將未鍍膜的硅片放置在CFC載板的凹槽中，將載有硅片的CFC載板放置在板式設(shè)備的鏈?zhǔn)絺魉脱b置上，傳送進(jìn)入設(shè)備腔體內(nèi)部采用合適的PECVD工藝對(duì)硅片進(jìn)行鍍膜。鍍膜結(jié)束后，CFC載板傳送出設(shè)備腔體，再將鍍膜好的硅片在CFC載板上取下。由于CFC載板是進(jìn)入鍍膜腔體的，所以CFC載板放置硅片那面也會(huì)被鍍上鍍膜材料，當(dāng)CFC載板表面的鍍膜材料過(guò)厚時(shí)會(huì)影響鍍膜工藝的正常，因此需要經(jīng)常性的對(duì)CFC載板進(jìn)行清洗，以清除表面的鍍膜材料。現(xiàn)板式鍍膜設(shè)備所用的CFC載板上有12個(gè)凹槽，呈3 X 4狀，共可以同時(shí)放置12 片硅片同時(shí)進(jìn)行鍍膜工藝?，F(xiàn)用的這種CFC載板有以下缺點(diǎn)1、一塊載板只能適應(yīng)一種規(guī)格硅片的鍍膜要求，在有多種規(guī)格硅片需要鍍膜時(shí)需要經(jīng)常性更換CFC載板的規(guī)格。2、CFC載板的使用周期較短，需要經(jīng)常性的對(duì)CFC載板進(jìn)行清洗，否則將會(huì)影響工藝的穩(wěn)定性；3、清洗的過(guò)于頻繁加大了對(duì)CFC載板的損耗；4、CFC材料的利用率較低，CFC載板的生產(chǎn)成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容實(shí)用新型目的本實(shí)用新型的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供一種可適應(yīng)多種規(guī)格硅片的鍍膜要求的硅片載板。技術(shù)方案本實(shí)用新型所述的應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，包括CFC載板本體，設(shè)置在所述CFC載板本體上的若干個(gè)凹槽，一般為12個(gè)凹槽，所述凹槽中設(shè)置有規(guī)格比所述凹槽小的第二凹槽，用于放置較小規(guī)格的硅片。為了對(duì)CFC載板進(jìn)行充分利用，所述凹槽和第二凹槽同時(shí)設(shè)置在所述CFC載板本體的正反兩面，使得CFC載板的正反兩面均可以用于硅片的鍍膜。[0011]較佳地，所述第二凹槽設(shè)置在所述凹槽的中心位置。本實(shí)用新型與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果是1、本實(shí)用新型應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，在同一塊載板上有多種規(guī)格的凹槽，使一塊載板可適應(yīng)多種規(guī)格硅片的鍍膜要求；2、在CFC載板的兩面都可以用于硅片的鍍膜，減少了對(duì)CFC載板的需求量，降低了清洗周期和因清洗而造成的對(duì)CFC載板的損耗，增加了 CFC載板的使用壽命，降低了生產(chǎn)成本。

圖1為本實(shí)用新型載板的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例1中載板的詳細(xì)參數(shù)圖。圖3為圖2的局部放大圖。圖4為圖2的A-A剖視圖。
具體實(shí)施方式
下面對(duì)本實(shí)用新型技術(shù)方案進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明，但是本實(shí)用新型的保護(hù)范圍不局限于所述實(shí)施例。實(shí)施例1 如圖1、2、3、4所示，本實(shí)用新型所述應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板， 包括CFC載板本體1，其規(guī)格為3 X 4，所述CFC載板本體1的正反兩面上都設(shè)置有的12個(gè)相同規(guī)格的凹槽2，此處以157 X 157 (mm)規(guī)格為例，凹槽深度為250 μ m ；然后在這些每個(gè)凹槽的中心設(shè)計(jì)有一個(gè)較小的第二凹槽3，此處以1 X 126 (mm)規(guī)格為例，凹槽深度為250 μ m。 CFC載板的兩面都設(shè)計(jì)有相同的凹槽用來(lái)裝載硅片。這樣該CFC載板即可適應(yīng)兩種不同規(guī)格的硅片的鍍膜要求，并且此載板的兩面都可以用于裝載硅片鍍膜。如上所述，盡管參照特定的優(yōu)選實(shí)施例已經(jīng)表示和表述了本實(shí)用新型，但其不得解釋為對(duì)本實(shí)用新型自身的限制。在不脫離所附權(quán)利要求定義的本實(shí)用新型的精神和范圍前提下，可對(duì)其在形式上和細(xì)節(jié)上作出各種變化。
權(quán)利要求1.一種應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，包括CFC載板本體(1)，設(shè)置在所述CFC載板本體(1)上的若干個(gè)凹槽O)，其特征在于所述凹槽O)中設(shè)置有規(guī)格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，其特征在于所述凹槽(2) 和第二凹槽(3)同時(shí)設(shè)置在所述CFC載板本體(1)的正反兩面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，其特征在于所述第二凹槽C3)設(shè)置在所述凹槽O)的中心位置。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)一種應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，包括CFC載板本體(1)，設(shè)置在所述CFC載板本體(1)上的若干個(gè)凹槽(2)，所述凹槽(2)中設(shè)置有規(guī)格比所述凹槽(2)小的第二凹槽(3)。本實(shí)用新型應(yīng)用于薄膜沉積工藝的硅片載板，在同一塊載板上有多種規(guī)格的凹槽，使一塊載板可適應(yīng)多種規(guī)格硅片的鍍膜要求。
文檔編號(hào)C23C16/458GK202193845SQ201120268740
公開(kāi)日2012年4月18日 申請(qǐng)日期2011年7月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年7月27日
發(fā)明者勾憲芳, 姜利凱, 孫晨財(cái), 王鵬, 高榮剛, 魏文文 申請(qǐng)人:中節(jié)能太陽(yáng)能科技(鎮(zhèn)江)有限公司