專利名稱：具有交替電磁場的矩形平面磁控靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種具有交替電磁場的矩形平面 磁控靶結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)代薄膜技術(shù)經(jīng)過半個(gè)世紀(jì)的發(fā)展，其應(yīng)用已遍及國民經(jīng)濟(jì)各個(gè)領(lǐng)域。高速低溫 的濺射鍍膜設(shè)備已在各個(gè)行業(yè)中廣泛應(yīng)用，它可以在任何基材上沉積任何鍍材的薄膜。目 前市場使用的矩形平面靶，如圖1所示，這種靶的磁體采用永磁體(鍶鐵氧體或鋁鎳鈷等)， 矩形平面靶結(jié)構(gòu)簡單，通用性強(qiáng)。但實(shí)際使用過程中因?yàn)榇艌龇植技八綀鰪?qiáng)的局限性，如 圖2和3所示，靶材利用率極低只有30%左右，極大的浪費(fèi)了成本，并在更換維護(hù)過程中消 耗大量勞動力成本與設(shè)備成本。同時(shí)永磁體在使用過程中會產(chǎn)生一種漸變的消磁過程，在 生產(chǎn)過程中產(chǎn)品的品質(zhì)受到此磁場變化的影響，穩(wěn)定性差。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)中矩形平面磁控靶中永磁體磁場分布及水平場強(qiáng)的局限性，造 成靶材利用率較低，同時(shí)永磁體磁性穩(wěn)定性較差的問題，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，使用 方便，能夠增加靶材利用率的具有交替電磁場的矩形平面磁控靶。為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于還包括磁 體，所述磁體設(shè)置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設(shè)置。本發(fā)明的有益效果是本發(fā)明設(shè)有兩組交替的電磁鐵，通過電流方向與通電的有 無來啟動其中一個(gè)或二個(gè)電磁鐵，使靶材能夠交錯平均消耗，靶材利用率可提升到65%左 右，降低了靶材成本，延長換靶周期降低停機(jī)時(shí)間。并可根據(jù)產(chǎn)品的不同改變電流的大小來 改變磁場的強(qiáng)弱，以達(dá)到產(chǎn)能最優(yōu)化的性價(jià)比。電磁鐵在使用過程中不會產(chǎn)生消磁現(xiàn)象，能 夠穩(wěn)定產(chǎn)品的品質(zhì)，節(jié)約了成本。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶中永磁體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶靶材本體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶消耗后靶材本體結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明矩形平面磁控靶交替電磁場的分布結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明具有交替電磁場的矩形平面磁控靶結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明矩形平面磁控靶消耗后靶材本體結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式如圖所示，圖1是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶中永磁體的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是現(xiàn)有技 術(shù)矩形平面磁控靶靶材本體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶消耗后靶材本體 結(jié)構(gòu)示意圖；圖4是本發(fā)明矩形平面磁控靶交替電磁場的分布結(jié)構(gòu)示意圖；圖5是本發(fā)明 具有交替電磁場的矩形平面磁控靶結(jié)構(gòu)示意圖；圖6是本發(fā)明矩形平面磁控靶消耗后靶材 本體結(jié)構(gòu)示意圖。下面結(jié)合附圖對本發(fā)明做進(jìn)一步的描述。如圖1所示，一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體1和磁2體， 所述磁體2設(shè)置在靶材本體1的上部，所述磁體2包含電磁鐵3和電磁鐵4，電磁鐵3和電 磁鐵4相互交叉設(shè)置，可形成兩組交錯的磁場，其磁場分布均勻穩(wěn)定，通過電流方向與通電 的有無來啟動其中一個(gè)或二個(gè)電磁鐵，并可根據(jù)產(chǎn)品的不同來改變電流的大小來改變磁場 的強(qiáng)弱，靶材可達(dá)到較高的使用效率，產(chǎn)品的品質(zhì)也較為穩(wěn)定。顯示和描述了本發(fā)明的基本原理和主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員 應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明 的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會有各種變化和改進(jìn)，這些變化和 改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效 物界定。
權(quán)利要求
一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，包括靶材本體，其特征在于還包括磁體，所述磁體設(shè)置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設(shè)置。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種具有交替電磁場的矩形平面磁控靶，涉及濺射鍍膜設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，包括靶材本體，其特征在于還包括磁體，所述磁體設(shè)置在靶材本體的上部，所述磁體包含兩組電磁鐵，兩組電磁鐵相互交叉設(shè)置。本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)矩形平面磁控靶中永磁體磁場分布及水平場強(qiáng)的局限性，造成靶材利用率較低，靶材利用率在30％左右，同時(shí)永磁體磁性穩(wěn)定性較差的問題，本發(fā)明提供了一種結(jié)構(gòu)簡單，使用方便，能夠增加靶材利用率的具有交替電磁場的矩形平面磁控靶。靶材利用率可提升到65％左右，降低了靶材成本，延長換靶周期降低停機(jī)時(shí)間。同時(shí)本發(fā)明采用電磁鐵在使用過程中不會產(chǎn)生消磁現(xiàn)象，能夠穩(wěn)定產(chǎn)品的品質(zhì)，節(jié)約了成本。
文檔編號C23C14/35GK101935822SQ20101016881
公開日2011年1月5日 申請日期2010年5月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月11日
發(fā)明者黃國興 申請人:赫得納米科技(昆山)有限公司