專利名稱：內(nèi)裝式磁控濺射靶的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種內(nèi)裝式磁控濺射靶，尤其是磁控濺射靶安裝于真空室內(nèi)的內(nèi)
裝式磁控濺射靶。
背景技術(shù)：
磁控濺射是真空鍍膜的一種鍍膜方式，依靠氬離子輝光放電，使氬離子撞擊靶材表面，從而將靶材粒子濺射出來以沉積在工件表面。磁控濺射的特點(diǎn)在于靶材離子細(xì)膩，膜層致密，膜層光亮度高。通常磁控濺射靶安裝在真空室外壁上，影響了設(shè)備的整體性能。

實(shí)用新型內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種將磁控濺射靶安裝于真空室內(nèi)的內(nèi)裝式磁控濺射靶。 為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型內(nèi)裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩、耙材壓塊、耙材、耙材背板、耙體、外磁靴、屏蔽罩絕緣件、底靴、出水管、內(nèi)磁靴、出水管絕緣件；屏蔽罩包裹靶體，位于靶材上面，耙材背板位于靶材背后，出水管與靶體相連，出水管絕緣件位于出水管與耙體之間，底靴位于耙體的下部，外磁靴，內(nèi)磁靴位于耙體的內(nèi)部，內(nèi)磁靴位于耙體內(nèi)部中間部位，屏蔽罩絕緣件位于屏蔽罩與靶體之間。 采用這樣的結(jié)構(gòu)后，屏蔽罩包裹靶體；靶材壓塊壓緊靶材，使靶材緊貼背板，保持平整；耙材為鍍膜材料；耙材背板是耙材背后襯板，以使冷卻水與耙材隔離；在整塊耙體材料上加工出水道，使冷卻水在其中循環(huán)，冷卻水可冷卻耙材；出水管通入冷卻水；外磁靴與內(nèi)磁靴之間可鑲嵌磁鋼；底靴是磁鋼與靶體之間的蓋板；屏蔽罩絕緣件使屏蔽罩與靶體絕緣；出水管絕緣件使出水管與靶體絕緣。 這樣，可將磁控濺射靶安裝于真空室內(nèi)，有效利用真空室的空間，使真空鍍膜機(jī)外觀更為簡潔，提高了設(shè)備的整體性能，尤為突出的特點(diǎn)在于可以通過簡單的改造，在傳統(tǒng)的鍍膜設(shè)備上迅速安裝，使簡單設(shè)備實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級。

圖1是本實(shí)用新型內(nèi)置式磁控濺射靶的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
圖1所示的本實(shí)用新型內(nèi)置式磁控濺射靶包括屏蔽罩1、靶材壓塊2、靶材3、靶材背板4、耙體5、外磁靴6、屏蔽罩絕緣件7、底靴8、出水管9、內(nèi)磁靴10、出水管絕緣件11 ;屏蔽罩1包裹靶體5，靶材壓塊2位于靶材3上面，耙材背板4位于靶材3背后，出水管9與靶體5相連。 底靴8位于靶體5的下部，外磁靴6、內(nèi)磁靴10位于靶體5的內(nèi)部，內(nèi)磁靴10位于耙體5內(nèi)部中間部位。[0010] 所述屏蔽罩絕緣件7位于屏蔽罩1與靶體5之間，[0011] 所述出水管絕緣件11位于出水管9與耙體5之間。 這樣，可將磁控濺射靶安裝于真空室內(nèi)，依靠氬離子輝光放電，使氬離子撞擊靶材表面，從而將靶材粒子濺射出來以沉積在工件表面。
權(quán)利要求一種內(nèi)裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩(1)、靶材壓塊(2)、靶材(3)、靶材背板(4)、靶體(5)、外磁靴(6)、屏蔽罩絕緣件(7)、底靴(8)、出水管(9)、內(nèi)磁靴(10)、出水管絕緣件(11)；其特征在于，屏蔽罩(1)包裹靶體(5)，靶材壓塊(2)位于靶材(3)上面，靶材背板(4)位于靶材(3)背后，出水管(9)與靶體(5)相連。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)裝式磁控濺靶，其特征在于底靴(8)位于靶體(5)的下 部，外磁靴(6)、內(nèi)磁靴(10)位于耙體(5)的內(nèi)部，內(nèi)磁靴(10)位于耙體(5)內(nèi)部中間位 置。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)裝式磁控濺靶，其特征在于所述屏蔽罩絕緣件(7)位于 屏蔽罩(1)與靶體(5)之間，
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)裝式磁控濺靶，其特征在于所述出水管絕緣件(11)位于 出水管(9)與靶體(5)之間。
專利摘要本實(shí)用新型提供了一種內(nèi)裝式磁控濺射靶，包括屏蔽罩(1)、靶材壓塊(2)、靶材(3)、靶材背板(4)、靶體(5)、外磁靴(6)、屏蔽罩絕緣件(7)、底靴(8)、出水管(9)、內(nèi)磁靴(10)、出水管絕緣件(11)；屏蔽罩(1)包裹靶體(5)，靶材壓塊(2)位于靶材(3)上面，靶材背板(4)位于靶材(3)背后，出水管(9)與靶體(5)相連。這樣，可將可將磁控濺射靶安裝于真空室內(nèi)，有效利用真空室的空間，使真空鍍膜機(jī)外觀更為簡潔，提高了設(shè)備的整體性能，尤為突出的特點(diǎn)在于可以通過簡單的改造，在傳統(tǒng)的鍍膜設(shè)備上安裝，可迅速實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級。
文檔編號C23C14/35GK201512577SQ20092017290
公開日2010年6月23日 申請日期2009年8月14日 優(yōu)先權(quán)日2009年8月14日
發(fā)明者熊劍輝 申請人:熊劍輝