專利名稱：一種快速制備n型Bi<sub>2</sub>(Se<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub>熱電材料的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于新能源材料領(lǐng)域，具體涉及一種快速制備n型Bi2(Se/Teh)3熱電材料的方法。
背景技術(shù)：
熱電轉(zhuǎn)換技術(shù)是利用半導(dǎo)體材料的賽貝克(Seebeck)效應(yīng)和帕爾帖(Peltier)效應(yīng)進(jìn) 行能量直接轉(zhuǎn)換的技術(shù)，轉(zhuǎn)換效率主要取決于材料的無量綱性能指數(shù)ZT值(ZT=^o"r//^，其 中a為Seebeck系數(shù)；a為電導(dǎo)率；r為絕對溫度；K為熱導(dǎo)率)。由于不含傳統(tǒng)能量轉(zhuǎn)化技術(shù) 所需要的龐大傳動機(jī)構(gòu)，因而具有體積小、可靠性高、制造及運(yùn)行成本低、壽命長、制造工 藝簡單、應(yīng)用面非常廣等特點(diǎn)，因而作為二十一世紀(jì)的一種新型、環(huán)境協(xié)調(diào)型潔凈能源轉(zhuǎn)換 技術(shù)，可望廣范應(yīng)用于大量而分散存在的低密度熱能(如太陽熱、垃圾燃燒爐余熱、工廠排 熱以及汽車尾氣排熱等)的熱電發(fā)電。此外，在航空宇宙，海洋開發(fā)，軍用特殊電源等領(lǐng)域 也具有廣闊的應(yīng)用前景。
碲化鉍化合物是研究最早，也是目前發(fā)展最為成熟的熱電材料之一，廣泛應(yīng)用于制冷器 件及低溫區(qū)發(fā)電。傳統(tǒng)工藝(區(qū)熔法)所制備的n型碲化鉍化合物最大熱電性能優(yōu)值I為 0.7 0.9，而且需要較長的制備時間，為3 5天，并且能源消耗量較大。因此對于碲化鉍 熱電材料的研究重點(diǎn)在于尋求新型制備工藝，以獲得熱電性能優(yōu)異的塊體材料。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種快速制備n型Bi2(Se;re卜j3熱電材料的方法，該方法具有工 藝簡單、制備時間短的特點(diǎn)。
為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案是 一種快速制備n型B:U(Se;reh)3熱電材料的 方法，其特征在于它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2 : 3x : (3-3x)，稱取Bi粉、Te粉和Se粉(即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(SexTei-J3化學(xué)計量比配料}，其中x為0. 08 0. 12; 將Bi粉、Te粉和Se粉混合后在壓片機(jī)上壓成塊體材料；其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均 》99.99% (質(zhì)量);
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻 感應(yīng)加熱方式，在電流為2 11A，電壓為100 500V下將塊體材料加熱烙融(加熱時間為 15 30秒)，獲得均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力大于 0.01MPa，銅輥的旋轉(zhuǎn)速度為500 5000r/min (以不同的冷卻速度將熔體甩出，液相急冷法 的冷卻速度控制在105 10"C/sec之間，冷卻速度通過銅輥的旋轉(zhuǎn)速度調(diào)節(jié)，相應(yīng)的銅輥轉(zhuǎn) 速為500 5000r/min )，得到薄帶材料{即得到具有納米層狀結(jié)構(gòu)的Bi2(SexTei—x)3 (0. 08《x《0. 12)薄帶材料，薄帶寬度為1 3醒、厚度為5 60^;薄帶的接觸銅輥面呈無 結(jié)晶狀，薄帶自由面(不接觸銅輥面)呈枝狀h3).將薄帶材料碾碎，裝入石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等離子體燒 結(jié)(SPS)設(shè)備(或稱爐)中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為40 10(TC/min， 燒結(jié)溫度為350 500°C，壓力為20 200 MPa，燒結(jié)致密化時間為4 6min;燒結(jié)結(jié)束后冷 卻至室溫取出，得到n型Bi2(SeJeh)3熱電材料(即晶粒大小均勻的層狀納米結(jié)構(gòu)塊體樣品)。
SPS燒結(jié)過程中升溫方式為自動調(diào)節(jié)的程序升溫，加壓方式包括升溫前加壓力和升溫后 在被燒結(jié)物質(zhì)致密化之前。
當(dāng)銅輥的旋轉(zhuǎn)速度為1000 5000rpm時，SPS燒結(jié)溫度為450°C ，燒結(jié)時間為5min時得 到的Bi2(SexTe卜丄熱電材料的熱電性能優(yōu)值Z7在300 460K達(dá)到0. 7以上，并在420K附近 達(dá)到最大值為0. 76。
所謂單輥急冷法，是通過高頻加熱方式將初始原料加熱成均勻的熔體，熔體在一定的氬 氣噴射壓力下從石英玻璃管底部的小孔被吹出，噴射到飛速旋轉(zhuǎn)的銅輥上被甩出，通過調(diào)節(jié) 氬氣噴射壓力和銅輥的旋轉(zhuǎn)速度來改變?nèi)垠w的冷卻速度，從而得到不同尺寸的薄帶狀樣品。 此制備工藝的顯著特點(diǎn)是速度快和所得到的樣品晶粒細(xì)小。
所述的單輥急冷設(shè)備采用日本真壁公司生產(chǎn)的VF-RQT50型氣氛液態(tài)急冷裝置。
所謂放電等離子體燒結(jié)(Spark Plasma Sintering,簡稱SPS)，是在真空條件下通過上 下的石墨壓頭，在對燒結(jié)體加壓的同時利用脈沖電流直接加熱和表面活化，在相對較低的溫 度和很短的時間下實(shí)現(xiàn)材料的快速致密化。與傳統(tǒng)的燒結(jié)方法相比，可以節(jié)約能源，提高設(shè) 備的效率、降低成本，且所制備的塊體材料晶粒均勻、致密度高。
木發(fā)明的有益效果是
1) 、制備工藝簡單，制備時間短，工藝參數(shù)容易控制；材料的整個制備過程從原料到致 密的塊體樣品，僅僅需要30min左右，其制備時間不到傳統(tǒng)區(qū)融法制備塊體n型Bi2Te3材料 的百分之一，節(jié)省了大量的時間和能源。
2) 、本發(fā)明采用放電等離了體燒結(jié)的溫度低，時間短，節(jié)能省時。
3) 、本發(fā)明所得到的n型Bi2(Se,Te卜丄熱電材料的熱電性能可與商用區(qū)熔樣品的性能相 媲美，并有進(jìn)一步提高性能的空間。本發(fā)明熱電性能優(yōu)值Zr在300 460K達(dá)到0. 7以上， 并在420K附近達(dá)到最大值為0. 76。
圖1為實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3的薄帶樣品及區(qū)熔樣品的X射線衍射圖譜；
圖2a為實(shí)施例2的薄帶樣品接觸面的場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片；
圖2b為實(shí)施例2的薄帶樣品自由面的場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片；
圖2c為實(shí)施例2的燒結(jié)后塊體樣品的低倍場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片；
圖2d為實(shí)施例2的燒結(jié)后塊體樣品的高倍場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)照片；
圖3a為實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3所制備的材料及區(qū)熔樣品的塞貝克系數(shù)和溫度的
關(guān)系；
圖3b為實(shí)施例1、實(shí)施例2和實(shí)施例3所制備的材料及區(qū)熔樣品的電導(dǎo)率和溫度的關(guān)系； 圖3c為實(shí)施例l、實(shí)施例2和實(shí)施例3所制備的材料及區(qū)熔樣品的熱導(dǎo)率和溫度的關(guān)系；圖3d為實(shí)施例i、實(shí)施例2和實(shí)施例3所制備的材料及區(qū)熔樣品的無量綱熱電優(yōu)值zr 和溫度的關(guān)系。
具體實(shí)施例方式
為了更好地理解本發(fā)明，下面結(jié)合實(shí)例進(jìn)一步闡明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明的內(nèi)容不僅 僅局限于下面的實(shí)施例。
實(shí)施例1:
一種快速制備Bi2(Sea。Je。.92)3熱電材料的方法，它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2 : 0. 24 : 2. 76，稱取Bi粉、Te粉和Se粉{即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(Se。.。Je。.92)3化學(xué)計量比配料！ ； Bi粉、Te粉和Se 粉總量稱取5g;將Bi粉、Te粉和Se粉混合后放入10mra的鋼模具在壓片機(jī)上壓成塊體材料； 其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均^99.99M (質(zhì)量)；
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻 感應(yīng)加熱方式，在電流為2 11A、電壓為100 500V下加熱15 30秒，將塊體材料加熱熔 融，獲得均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力為0.02MPa，銅輥 的旋轉(zhuǎn)速度為4000r/min，得到薄帶材料{薄帶寬度為1 2mm、厚度為15 20pm;薄帶的接 觸銅輥面呈無結(jié)晶狀，薄帶自由面(不接觸銅輥面)呈枝狀h如圖l (實(shí)施例l)所示，薄 帶為單相的BiJe3結(jié)構(gòu)。
3) .將薄帶材料碾碎，裝入12.7mm的石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等 離子體燒結(jié)(SPS)設(shè)備(或稱爐)中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為10(TC/min， 燒結(jié)溫度為45(TC，壓力為25MPa，燒結(jié)時間為5min;燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至室溫取出，得 到1312(56。.。^。.92)3熱電材料(即晶粒大小均勻的層狀納米結(jié)構(gòu)塊體樣品)。
將Bi2(Se。,。Je固)3熱電材料(即塊體樣品)切割成2醒X2腿X8. 0腿的長方體和厚度為 1.5皿的圓片，用于測量賽貝克(Seebeck)系數(shù)、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。對薄帶材料和塊體樣品 進(jìn)行物相鑒定和顯微結(jié)構(gòu)分析，并對塊體樣品進(jìn)行熱電性能測試。所制備的Bi2(Se。.。8Te。.92)3 熱電材料及區(qū)熔樣品的熱電性能和溫度的關(guān)系見圖3a、圖3b、圖3c、圖3d。
圖1說明了所制備的樣品為單相Bi2Te3，無雜相存在；圖3a-圖3d分別給出了所制備實(shí)
施例一樣品的塞貝克系數(shù)、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率和無量綱熱電優(yōu)值zr。說明了所得到的
Bi2(Se。./Te。.9)3熱電材料樣品的I值在400 480K達(dá)到0. 5以上，且在460K時熱電性能J 達(dá)到O. 53。 實(shí)施例2:
一種快速制備Bi2(Se。./Te。.9)3熱電材料的方法，它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2:0.3:2.70，稱取Bi粉、Te粉和Se粉(即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(Se。.Je。.9) 3化學(xué)計量比配料}; Bi粉、Te粉和Se 粉總量稱取5g;將Bi粉、Te粉和Se粉混合后放入10mm的鋼模具在壓片機(jī)上壓成塊體材料； 其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均^99. 99% (質(zhì)量)；
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻感應(yīng)加熱方式，在電流為2 11A、電壓為100 500V下加熱15 30秒，將塊體材料加熱熔 融，獲得均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力為0.02MPa，銅輥 的旋轉(zhuǎn)速度為4000r/min，得到薄帶材料{薄帶寬度為1 2ram、厚度為15 2(^m;薄帶的接 觸銅輥面呈無結(jié)晶狀，薄帶自由面(不接觸銅輥面)呈枝狀h如圖l (實(shí)施例2)所示，薄 帶為單相的Bi2Te3結(jié)構(gòu)。
3).將薄帶材料碾碎，裝入12.7mm的石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等 離子體燒結(jié)(SPS)設(shè)備(或稱爐)中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為10(TC/min， 燒結(jié)溫度為45(TC，壓力為25MPa，燒結(jié)時間為5min;燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至室溫取出，得 到812(56。./^。.9)3熱電材料(即晶粒大小均勻的層狀納米結(jié)構(gòu)塊體樣品)。
將Bi2(SeuTe。.9)3熱電材料(即塊體樣品)切割成2mmX2mmX8. 0腿的長方體和厚度為 1.5mm的圓片，用于測量賽貝克(Seebeck)系數(shù)、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。對薄帶材料和塊體樣品 進(jìn)行物相鑒定和顯微結(jié)構(gòu)分析，并對塊體樣品進(jìn)行熱電性能測試。所制備的Bi2(Se。,/re。.9)3 熱電材料及區(qū)熔樣品的熱電性能和溫度的關(guān)系見圖3a、圖3b、圖3c、圖3d。
圖1說明了所制備的樣品為單相Bi2Te3，無雜相存在；圖3a-圖3d分別給出了所制備實(shí)
施例一樣品的塞貝克系數(shù)、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率和無量綱熱電優(yōu)值zr。說明了所得到的
Bi2(SeuTe。,9)3熱電材料樣品的 〃值在300 460K達(dá)到0. 7以上，且在420K時熱電性能Z7， 達(dá)到0. 76。
實(shí)施例3:
一種快速制備Bi2(Se。.,2Te。)3熱電材料的方法，它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2 : 0. 36 : 2.64，稱取Bi粉、Te粉和Se粉(即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(Se。.12Te。.88)3化學(xué)計量比配料}; Bi粉、Te粉和Se 粉總量稱取5g;將Bi粉、Te粉和Se粉混合后放入10mm的鋼模具在壓片機(jī)上壓成塊體材料； 其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均^99.99。/。(質(zhì)量)；
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻 感應(yīng)加熱方式，在電流為2 11A、電壓為100 500V下加熱15 30秒，將塊體材料加熱熔 融，獲得均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力為0.02MPa，銅輥 的旋轉(zhuǎn)速度為4000r/min，得到薄帶材料{薄帶寬度為1 2mm、厚度為15 2(Vm;薄帶的接 觸銅輥面呈無結(jié)晶狀，薄帶自由面(不接觸銅輥面)呈枝狀};如圖l (實(shí)施例3)所示，薄 帶為單相的Bi2Te3結(jié)構(gòu)。
3) .將薄帶材料碾碎，裝入小12.7mm的石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電 等離子體燒結(jié)(SPS)設(shè)備(或稱爐)中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為 100。C/min，燒結(jié)溫度為45(TC，壓力為25 MPa，燒結(jié)時間為5min;燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至 室溫取出，得到B:U(Seu2Te。.j3熱電材料(即晶粒大小均勻的層狀納米結(jié)構(gòu)塊體樣品)。
將8"(36。.12 6。.88)3熱電材料(即塊體樣品)切割成2腿X2腿X8. Omm的長方體和厚度為 1.5mra的圓片，用于測量賽貝克(Seebeck)系數(shù)、電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率。對薄帶材料和塊體樣品 進(jìn)行物相鑒定和顯微結(jié)構(gòu)分析，并對塊體樣品進(jìn)行熱電性能測試。所制備的Bi2(Se。.12Te。.88)3熱電材料及區(qū)熔樣品的熱電性能和溫度的關(guān)系見圖3a、圖3b、圖3c、圖3d。
圖1說明了所制備的樣品為單相Bi2Te3，無雜相存在；圖3a-圖3d分別給出了所制備實(shí)
施例一樣品的塞貝克系數(shù)、電導(dǎo)率、熱導(dǎo)率和無量綱熱電優(yōu)值zr。說明了所得到的
Bi2(Se。.Je。.j3熱電材料樣品的Zr值在400 500K達(dá)到0. 65以上，且在440K時熱電性能Zr
達(dá)到O. 72。 實(shí)施例4:
一種快速制備n型Bi2(SeJen)3熱電材料的方法，它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2 : 3x : (3-3x)，稱取Bi粉、Te粉和Se粉{即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(Se,Tei-x) 3化學(xué)計量比配料}，其中x為0. 08;將 Bi粉、Te粉和Se粉混合后在壓片機(jī)上壓成塊體材料；其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均》 99.99% (質(zhì)量);
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻 感應(yīng)加熱方式，在電流為2A、電壓為100V下加熱15 30秒，將塊體材料加熱熔融，獲得均 勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力為0.011MPa，銅輥的旋轉(zhuǎn)速度 為500r/min，得到薄帶材料；
3) .將薄帶材料碾碎，裝入石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等離子體燒 結(jié)設(shè)備中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為4(TC/rain，燒結(jié)溫度為350°C， 壓力為20MPa，燒結(jié)時間為4min;燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至室溫取出，得到n型Bi2 (SeJeJ 3 熱電材料(x為0. 08)。
實(shí)施例5:
一種快速制備n型Bi2(SexTei—x) 3熱電材料的方法，它包括如下步驟
1) .按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2 : 3x : (3-3x)，稱取Bi粉、Te粉和Se粉(即 以Bi粉、Te粉和Se粉為原料，按照Bi2(SeJei-x)3化學(xué)計量比配料}，其中x為0. 12;將 Bi粉、Te粉和Se粉混合后在壓片機(jī)上壓成塊體材料；其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均》 99.99% (質(zhì)量);
2) .將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻 感應(yīng)加熱方式，在電流為IIA、電壓為500V下加熱15 30秒，將塊體材料加熱熔融，獲得 均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力為0.2MPa，銅輥的旋轉(zhuǎn)速度 為5000r/min，得到薄帶材料；
3) .將薄帶材料碾碎，裝入石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等離子體燒 結(jié)設(shè)備(或稱爐)中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為10(TC/min，燒結(jié)溫度 為50(TC，壓力為200 MPa，燒結(jié)時間為6min;燒結(jié)結(jié)束后隨爐冷卻至室溫取出，得到n型 Bi2(SeJe卜丄熱電材料(x為0. 12)。
本發(fā)明各原料的上下限取值以及區(qū)間值都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，以及本發(fā)明各工藝參數(shù)的上下 限取值以及區(qū)間值都能實(shí)現(xiàn)本發(fā)明，在此就不一一列舉實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種快速制備n型Bi2(SexTe1-x)3熱電材料的方法，其特征在于它包括如下步驟1).按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2∶3x∶(3-3x)，稱取Bi粉、Te粉和Se粉，其中x為0.08～0.12；將Bi粉、Te粉和Se粉混合后在壓片機(jī)上壓成塊體材料；其中Bi粉、Te粉、Se粉的純度均≥99.99％(質(zhì)量)；2).將壓制好的塊體材料放入單輥急冷設(shè)備的石英管中，在氬氣氣氛保護(hù)下，利用高頻感應(yīng)加熱方式，在電流為2～11A，電壓為100～500V下將塊體材料加熱熔融，獲得均勻的熔體；然后對熔體進(jìn)行甩帶處理，甩帶時氬氣的噴氣壓力大于0.01MPa，銅輥的旋轉(zhuǎn)速度為500～5000r/min，得到薄帶材料；3).將薄帶材料碾碎，裝入石墨模具中壓實(shí)，然后連同模具一起放入放電等離子體燒結(jié)設(shè)備中，在小于10Pa真空條件下進(jìn)行燒結(jié)；升溫速率為40～100℃/min，燒結(jié)溫度為350～500℃，壓力為20～200MPa，燒結(jié)時間為4～6min；燒結(jié)結(jié)束后冷卻至室溫取出，得到n型Bi2(SexTe1-x)3熱電材料。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種快速制備n型Bi<sub>2</sub>(Se<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub>熱電材料的方法。一種快速制備n型Bi<sub>2</sub>(Se<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub>熱電材料的方法，其特征在于它包括如下步驟1)按照Bi粉、Te粉、Se粉的摩爾比為2∶3x∶(3-3x)，稱取Bi粉、Te粉和Se粉，其中x為0.08～0.12；將Bi粉、Te粉和Se粉混合后在壓片機(jī)上壓成塊體材料；2)將壓制好的塊體材料通過高頻感應(yīng)加熱熔融獲得均勻的碲化鉍熔體，然后通過單輥急冷法，控制噴氣壓力和銅輥的轉(zhuǎn)速，得到薄帶材料；3)將薄帶材料碾碎，裝采用放電等離子體燒結(jié)技術(shù)，通過控制燒結(jié)溫度、時間、壓力，得到n型Bi<sub>2</sub>(Se<sub>x</sub>Te<sub>1-x</sub>)<sub>3</sub>熱電材料。該方法具有工藝簡單、制備時間短的特點(diǎn)。
文檔編號C22C1/10GK101613814SQ20091006319
公開日2009年12月30日 申請日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月17日
發(fā)明者唐新峰, 張清杰, 王善禹, 謝文杰, 鄢永高 申請人:武漢理工大學(xué)