專利名稱：用于基板的雙面濺射蝕刻的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及基板微制作領(lǐng)域，更具體地，涉及基板例如用于硬盤驅(qū)動器的硬盤的 圖案化(pattern)領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
基板的微制作是在例如半導(dǎo)體、平板顯示器、發(fā)光二極管(LED)、用于硬盤驅(qū)動器 (HDD)的硬盤等的制作中熟知的技術(shù)。如所熟知的，半導(dǎo)體、平板顯示器和LED的制作包括 用于圖案化基板的許多步驟。另一方面，硬盤的傳統(tǒng)制作，一般稱作縱向記錄技術(shù)，并不包 括圖案化。類似地，用于橫向記錄技術(shù)的硬盤制作并不包括圖案化。相當均一的層被淀積 并且記憶單元通常由未圖案化磁層內(nèi)的紋理的自然出現(xiàn)限定。已經(jīng)證明，為了保持與其它形式的存儲器的競爭力，未圖案化的盤片在區(qū)位密度 和成本方面會不能滿足市場的需要。結(jié)果，已經(jīng)提出，下一代盤片應(yīng)當被圖案化。可以想 到，圖案化處理會利用光刻術(shù)，盡管當前并不明確哪種刻印技術(shù)會被商業(yè)化，并且仍然沒有 可用于圖案化介質(zhì)的商業(yè)制作的商業(yè)系統(tǒng)。光刻術(shù)的競爭者是干涉光刻術(shù)、近場刻印術(shù)和 納米壓印刻印術(shù)(NIL)。不管應(yīng)用哪種刻印技術(shù)，一旦光致抗蝕劑被曝光和顯影，盤片就需 要被蝕刻。但是，迄今為止還沒有提出一種在商業(yè)上可行環(huán)境下用于蝕刻盤片的技術(shù)。確信的是，蝕刻技術(shù)是熟知的，并且得到很好的發(fā)展用于半導(dǎo)體、平板顯示器、LED 等。但是，在所有的這些應(yīng)用中，基板的僅一個側(cè)面需要被蝕刻從而允許卡盤從后側(cè)面保持 基板。等離子被激發(fā)以蝕刻前側(cè)面。此外，電極通常嵌入在卡盤中以施加電勢以吸引等離 子體來撞擊基板的前表面。由于上面的情況，需要一種方法和系統(tǒng)以采用等離子蝕刻技術(shù)用于蝕刻硬盤以提 供圖案化的介質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
以下的概述被包括進來以為了提供對本發(fā)明的一些方面和特征的基本理解。該概 述并不是本發(fā)明的廣泛的綜述，因此并不意在用于特別地確定本發(fā)明的重要或者關(guān)鍵要素 或者用于描述本發(fā)明的范圍。它的唯一的目的是以簡化的形式作為下面將要進行的更詳細 的描述的前序以介紹本發(fā)明的一些構(gòu)思。考慮到等離子蝕刻技術(shù)在硬盤方面的應(yīng)用，本發(fā)明人已經(jīng)認識到，標準的等離子 蝕刻技術(shù)對于蝕刻圖案化的硬盤存在問題。不同于半導(dǎo)體以及其它應(yīng)用，盤片需要在兩個 側(cè)面上都被蝕刻。因此，僅在一面上進行等離子蝕刻的傳統(tǒng)系統(tǒng)不能用于硬盤。再者，因為 盤片的兩個側(cè)面被制作，所以不能允許制作設(shè)備的元件接觸盤片的任一表面。因此，利用傳 統(tǒng)卡盤的現(xiàn)有技術(shù)的系統(tǒng)不能用于處理硬盤，因為它們接觸后側(cè)面。這引起另一問題，即 如果沒有卡盤能夠用于保持盤片，如何能夠施加偏壓電勢來使得等離子體撞擊盤片的表面 呢？本發(fā)明人已經(jīng)提供對上面的問題的解決方案并研發(fā)出一種能夠使得在可商業(yè)運行的環(huán)境下蝕刻盤片的系統(tǒng)和方法。本發(fā)明的實施方式使得能夠在盤片的兩面上進行等離 子蝕刻，而無需接觸盤片的任何表面。本發(fā)明的實施方式還使得能夠施加偏壓電勢以使得 等離子體撞擊盤片表面而無需使得盤片附著到卡盤。


附圖被引入說明書并構(gòu)成說明書的一部分，附圖示例出本發(fā)明的實施方式，并與 說明書一起用以解釋和示出本發(fā)明的原理。附圖意在以示意性的方式示出示例性實施方式 的主要特征。附圖并不意在描述實際實施方式的每個特征，也不是意在描述所示元件的相 對尺寸，并且附圖也不是按比例繪制的。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于制作圖案化的硬盤的系統(tǒng)的一部分。圖2示出沿著圖1的線A-A剖開的橫截面。圖3示出沿著圖1的線B-B的橫截面。圖4A是示出處于遠離盤片的位置的可動電極的局部軸測圖，而圖4B是示出處于 緊鄰盤片的位置的可動電極的局部軸測圖。圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的盤片蝕刻腔室。圖6示出具有交替的蝕刻腔室和冷卻站的系統(tǒng)的實施方式。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的處理流程。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的替代實施方式。圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的某些替代特征。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的流程的流程圖。
具體實施例方式根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供一種用于蝕刻圖案化介質(zhì)盤片的系統(tǒng)?？蓜拥姆墙?觸電極被利用來執(zhí)行濺射蝕刻，這對于濺射用于硬盤驅(qū)動器(HDD)的硬盤是特別有益的。 本發(fā)明對于在一般稱為圖案化介質(zhì)類型的盤片上的金屬蝕刻是特別有益的。電極移動到幾 乎接觸的距離但是并不接觸基板以耦合RF能量到盤片。待蝕刻材料可以是金屬，例如，Co、 Pt、Cr或類似金屬。不允許系統(tǒng)的任何部分接觸表面。基板被豎直保持在承載器(carrier) 中，并且兩個側(cè)面都必須被蝕刻。在一個實施方式中，一面在一個腔室中被蝕刻，然后第二 面在下一腔室中被蝕刻。隔離閥布置在兩個腔室之間，并且盤片承載器在腔室之間移動盤 片。承載器可以是利用例如磁化輪和直線電機的線性驅(qū)動承載器。在一個實施方式中，腔室在一個側(cè)面上具有噴頭，在另一個側(cè)面上具有可動電極。 噴頭可以接地或者偏壓，并具有用于將氣體例如氬氣、活性氣體，例如CxFy、Cl2、Br2等傳遞 到腔室中的裝置。腔室還具有用于線性驅(qū)動盤片承載器的導(dǎo)引器或者導(dǎo)軌。當盤片承載器 呈現(xiàn)處理位置時，電極移動到接近盤片，但是不接觸盤片。將例如13. 56MHz的RF激勵耦合 到電極，電極電容性地耦接到盤片。等離子然后在盤片和噴頭之間的空隙中被激發(fā)，從而從 盤片的面上濺射材料。在下一腔室中，相同的安置被提供，除了是以相反的面向順序之外， 以使得盤片的相反面被蝕刻。冷卻腔室可以介于上述兩個腔室之間，或者在上述兩個腔室 之后?，F(xiàn)將參照附圖描述本發(fā)明的實施方式。圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于制作圖案化硬盤的系統(tǒng)的一部分。在圖1中，三個處理腔室100、105和110被示出，但是在每 個側(cè)面上的三個點表明可以使用任何數(shù)量的腔室。再者，盡管在此示出三個特定的腔室，但 是并非一定要采用在此所示的腔室安置。而是，可以使用其它腔室安置，并且其它類型的腔 室可以介于所示的腔室之間。用于示例的目的，在圖1的例子中，三個腔室100、105和110是蝕刻腔室，每個腔 室由它自己的真空泵102、104、106進行抽空。處理腔室的每一個具有移送部分122、124和 126、處理部分132、134和136。盤片150安裝到盤片承載器120上。在這個實施方式中，盤 片通過它的周邊被保持，也就是，并不接觸其任何表面，因為兩個表面都被制作以圖案化兩 個側(cè)面。盤片承載器120具有一組騎在軌道(在圖1中未示出)的輪121。在一個實施方 式中，這些輪被磁化以提供更好的牽引和穩(wěn)定性。盤片承載器120騎在設(shè)置在移送部分中 的導(dǎo)軌上以定位盤片在處理部分中。在一個實施方式中，運動力通過直線電機安置(在圖 1中未示出)外部地提供到盤片承載器120。圖2示出沿著圖1的線A-A剖開的橫截面。為簡單起見，在圖2中，盤片250被示 出而未帶有承載器，但是，應(yīng)當認識到，盤片在圖1的系統(tǒng)中執(zhí)行的整個處理過程中保持在 盤片承載器上，并且盤片通過圓盤承載器從一個腔室運輸?shù)搅硪磺皇?，如在圖2中的箭頭 所示例的。在這個示例性實施方式中，在每個腔室200、205和210中，盤片在一個側(cè)面上 進行制作。如圖2所示，當盤片從一個腔室移動到另一腔室時，盤片在交替的側(cè)面上被制 作，但是，應(yīng)當認識到，表面制作的順序可以變化。同樣在圖2中示出的是隔離閥202、206， 該隔離閥202、206在制作過程中隔離每個腔室。每個腔室包括安裝到可動支撐部242'、 244' ,246'上的可動電極(在這個例子中為陰極)242、244、246，以及原氣傳遞設(shè)備262、 264、266，例如噴頭。圖3示出沿著圖1的線B-B剖開的橫截面。盤片350被示出安裝到承載器320上。 承載器320具有輪321，輪321騎在軌道324上。輪321可以是磁性的，在該情形下，軌道 324可以由順磁材料制成。在這個實施方式中，承載器通過直線電機326移動，盡管其它運 動力和/或安置也可以使用。一旦腔室被抽空，原氣就經(jīng)由例如噴頭364供應(yīng)到腔室中。噴 頭接地。等離子通過施加RF偏壓能量到可動陰極344而被激發(fā)和保持。盡管其它用于激 發(fā)和保持等離子的裝置也可以使用，但是，可動陰極提供吸引等離子體并使得等離子體向 著盤片加速以從盤片濺射材料所需的偏壓能量。也就是，當可動陰極344移動到非常接近 盤片的一個表面時，它電容性地耦接RF偏壓能量到盤片，以使得等離子體向著盤片加速以 蝕刻相對表面。應(yīng)當認識到，盡管圖3是關(guān)于可動陰極344進行解釋的，但是能夠通過利用 移動陽極實現(xiàn)相同的效果，如將參照圖9進行解釋的。圖4A是示出可動電極處于遠離盤片的位置的局部軸測圖，而圖4B是示出可動電 極處于緊鄰盤片的位置的局部軸測圖。圖4A示出當盤片剛插入到腔室中或者即將離開腔 室并且沒有執(zhí)行處理的情形。圖4B示出在處理過程中，也就是在盤片的蝕刻過程中腔室的 情形。盤片450通過承載器420的夾子423 (在這個例子中利用四個夾子)保持它的周邊。 可動電極組件444包括電極殼體441、電極蓋443和電極447。在這個例子中，電極蓋443具 有與夾子423匹配的凹口 449，以使得在它的緊鄰位置，如圖4B所示，蓋并不接觸夾子。再 者，盡管有一點不清楚，電極為環(huán)形形狀，與盤片的形狀相匹配，也就是，具有匹配盤片的中 心孔的中心孔。
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圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的蝕刻腔室。在圖5中，一些元件被剖開，一些元 件被移除，以為了露出與理解該實施方式相關(guān)的元件。整個組件安裝在主腔室體500上，具 有用作用于承載器運輸?shù)倪\輸腔室下部522和專用于盤片制作也就是蝕刻的上部532。在 該附圖中，通常位于運輸腔室522中的軌道和直線電機已經(jīng)被移除以提供更清楚的視圖。 原氣(precursorgas)從主腔室體500的一側(cè)進行傳遞，而RF能量耦合從另一側(cè)提供。在 這個實施方式中，原氣通過利用噴頭組件562而傳遞到腔室中。RF能量耦合通過利用非常 接近但不接觸盤片的可動電極組件而實現(xiàn)。電極裝置通過利用運動組件585而移動以在盤 片運動過程中處于縮回模式，在蝕刻過程中處于緊鄰模式(參見圖4A和4B)。RF能量從傳導(dǎo)電極電容性地耦合到盤片，然后到等離子。電極組件包括由傳導(dǎo)材 料制成并形狀與盤片表面互補的電極544。電極蓋543設(shè)置在電極周圍，并且延伸超過電極 544以使得當電極處于它的近端激勵位置時，電極蓋543蓋住盤片邊緣。在這個位置，電極 蓋543防止等離子體攻擊盤片的側(cè)面并防止等離子抵達盤片的后側(cè)表面，也就是，防止等 離子接近面對電極的表面和電極之間的空間。對于非活性蝕刻，原氣可以是例如氬氣。因為通常用于磁性盤片的磁性金屬可以 是物理蝕刻的，也就是，通過濺射，所以氬氣是適當?shù)脑瓪?。在處理過程中，腔室可以保持在 減壓下，例如10-80毫托(mT)，盡管某些處理可以在lmT至lOtorr的壓力下進行。RF能量 可以設(shè)置到例如100-3000瓦，例如13. 56MHz的頻率。在圖5的例子中，通過耦接RF匹配 件580到蝕刻腔室而使得結(jié)構(gòu)緊湊。來自匹配件580的RF激勵耦合到傳導(dǎo)電極544。在一 個實施方式中，流體管547提供作為熱交換介質(zhì)的流體以冷卻或者加熱電極544。類似地， 流體管569可以提供熱交換流體到噴頭。為了有效耦合RF能量到盤片，電極544必須布置為非常靠近盤片。在所示實施方 式中，盤片和電極之間的距離可以設(shè)置為0.02" -0.75"。在這些例子中，所述布置可以做 到士0.005"的精度。在一個例子中，布置精度通過能夠通過利用近程式傳感器例如一個 或多個光學傳感器實現(xiàn)。如圖5所示，光纖582提供從電極544到光學傳感器584的光路。 多個光纖和相應(yīng)的傳感器可以被使用，并且各種光學技術(shù)可以被利用以提高布置精度和防 止沖撞到盤片。在一個例子中，電極和噴頭都由硬陽極化鋁制成。顯然，不同于傳統(tǒng)的蝕刻腔室， 在此電極的傳導(dǎo)表面被露出并且沒有被絕緣體覆蓋。如在其它例子中，噴頭接地并固定，也 就是不可動。絕緣部分可以由氧化鋁(其中可暴露到等離子)或Ultem制成。對于所述實 施方式，可以實現(xiàn)每秒高于lOnm的蝕刻速率。圖6示出具有交替的蝕刻腔室和冷卻站的系統(tǒng)的實施方式。如在每個側(cè)面上的三 個點表明的，所述安置可以重復(fù)自身或者耦接到執(zhí)行其它處理的其它腔室或者耦接到冷卻 或者移送腔室。顯然，腔室600定位為蝕刻盤片650的一個表面。隔離閥602然后打開并 且盤片移動到冷卻腔室600'。在下一輪，602'打開并且盤片移動到蝕刻腔室605中。蝕 刻腔室605定位為蝕刻盤片的相反側(cè)面。其后，盤片移動到另一冷卻站605'。圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的處理流程。在步驟700，隔離閥打開，在步驟 705，承載器被運輸以將基板布置在適當位置用于處理。在步驟710，隔離閥閉合，在步驟 715，電極移動到它的近端位置，也就是靠近但不接觸基板。在步驟720，氣體供應(yīng)到腔室， 在步驟725，RF供應(yīng)到電極以激發(fā)和保持等離子。注意到，如果另一安置用于激發(fā)等離子，例如感應(yīng)線圈、遠程微波等，仍然需要到電極的RF以便提供偏壓電勢以使得等離子體向著 基板加速。只要處理進行，氣體和RF就供應(yīng)，并且當在步驟730，處理終止時，RF在735終 止，氣體傳遞在740終止，然后電極移動到它的遠端位置，也就是遠離基板。處理然后可以 被重復(fù)以處理下一盤片并移動當前盤片到另一腔室。圖8示出根據(jù)本發(fā)明的系統(tǒng)的替代實施方式。在圖8中，兩個蝕刻腔室800和805 耦接，而沒有冷卻腔室在它們之間。而是，冷卻腔室800'和805'設(shè)置在蝕刻腔室對與蝕 刻腔室對之間，以使得基板在進入冷卻腔室之前經(jīng)歷雙面蝕刻。圖9示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的某些替代特征。為了示例的目的，圖9的腔室 類似于圖3的腔室，從而突顯下面的差異。例如，在圖9的腔室中，提供一個或多個氣體注 射器972，而不是利用噴頭。相反，腔室可以采用噴頭和氣體注射器。例如，噴頭可以提供一 種類型的氣體，例如惰性氣體，而注射器提供另一類型的氣體，例如活性氣體。圖9的腔室 的另一特征是利用可動陽極。也就是，在圖9的腔室中，RF能量耦合到靜止電極964，該電 極可以嵌入或者可以不嵌入在噴頭中?？蓜雨枠O944耦接到大地。圖10是示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式處理的流程圖。圖10的處理可以利用根據(jù)本 發(fā)明構(gòu)造的任何腔室。在步驟1000，基板移入腔室中。在步驟1005，可動電極移動到緊鄰但 不接觸基板的位置。在步驟1010，氣體被引入腔室中，在步驟1015，能量被耦合到可動或者 靜止電極，以使得在步驟1020等離子被激發(fā)。在這樣的條件下，基板通過例如物理和/或 活性離子蝕刻而進行處理。當處理步驟完成時，要么是通過時序要么通過檢測結(jié)束點，在步 驟1025，RF能量關(guān)閉，在步驟1030電極縮回到其遠端位置，在步驟1035腔室被抽空。在步 驟1040基板移除并且對另一基板重復(fù)該處理。應(yīng)當注意到，盡管移除一個基板并引入另一 基板被示出為兩個單獨的步驟，但是這些步驟可以同時進行，也就是在一個基板被移出時， 另一個基板可以移入。應(yīng)當理解，在此描述的處理和技術(shù)并不內(nèi)在地與任何特定的設(shè)備相關(guān)，而是可以 通過任何部件的適當組合而實現(xiàn)。進一步地，各種類型的通用裝置可以根據(jù)在此描述的教 導(dǎo)進行使用。構(gòu)建專門的設(shè)備來執(zhí)行在此描述的方法步驟也會被證明是有利的。已經(jīng)參照 特定的例子描述了本發(fā)明，這些特定例子在所有方面都是為了示例性目的，而非限制性目 的。本領(lǐng)域技術(shù)人員將認識到，硬件、軟件和固件的許多不同組合將適于實施本發(fā)明。而且， 考慮到在此公開的本發(fā)明的說明書和實施，本發(fā)明的其它實施方式對于本領(lǐng)域技術(shù)人員來 說將是明顯的。所述實施方式的各個方面和/或部件可以單獨使用，或者可以以本領(lǐng)域的 任何組合使用。因此，所述描述和例子應(yīng)當僅視為示例性的，本發(fā)明的實際范圍和精神將由 權(quán)利要求書表明。
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權(quán)利要求
用于盤片蝕刻腔室的可動電極，其包括可動支撐部；耦接到所述可動支撐部的運動組件；具有暴露表面的傳導(dǎo)電極；以及設(shè)置在所述電極周圍并露出所述電極的所述暴露表面的電極蓋。
2.如權(quán)利要求1所述的可動電極，進一步包括傳遞熱交換流體到所述傳導(dǎo)電極的流體管。
3.如權(quán)利要求1所述的可動電極，進一步包括近程式傳感器。
4.如權(quán)利要求3所述的可動電極，其中，所述近程式傳感器包括耦接到光學傳感器的光纖。
5.用于蝕刻基板的蝕刻腔室，其包括 主腔室體；耦接到所述腔室體的原氣傳遞組件； 耦接在所述腔室體的側(cè)面上的可動電極組件； 在所述腔室體內(nèi)部用于接收基板的基板定位機構(gòu)；以及其中所述可動電極構(gòu)造為選擇地采取緊鄰所述基板但不接觸所述基板的任何表面以 便處理的位置，以及遠離所述基板以便基板運輸?shù)奈恢谩?br> 6.如權(quán)利要求5所述的蝕刻腔室，其中，所述可動電極組件包括 可動支撐部；耦接到所述可動支撐部的運動組件；以及 具有暴露表面的傳導(dǎo)電極。
7.如權(quán)利要求6所述的蝕刻腔室，其中，所述可動電極組件進一步包括設(shè)置在所述電 極周圍并露出所述電極的所述暴露表面的電極蓋。
8.如權(quán)利要求7所述的蝕刻腔室，其中，所述電極蓋構(gòu)造為使得采取蓋住所述基板的 周邊的處理位置。
9.如權(quán)利要求6所述的蝕刻腔室，其中，所述可動電極組件構(gòu)造為以使得布置所述電 極的所述暴露表面在距離所述基板0.02"至0.75"之間的距離處。
10.如權(quán)利要求6所述的蝕刻腔室，進一步包括測量所述電極的所述暴露表面和所述 基板之間的距離的近程式傳感器。
11.如權(quán)利要求10所述的蝕刻腔室，其中，所述近程式傳感器包括耦接到光學傳感器 的光纖。
12.如權(quán)利要求5所述的蝕刻腔室，其中，所述原氣傳遞組件包括接地噴頭。
13.如權(quán)利要求6所述的蝕刻腔室，進一步包括傳遞熱交換流體到所述電極的流體管。
14.如權(quán)利要求6所述的蝕刻腔室，進一步包括耦接到所述傳導(dǎo)電極的RF激勵源。
15.用于蝕刻基板的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包括 第一蝕刻腔室，該第一蝕刻腔室包括具有第一側(cè)面和與該第一側(cè)面相對的第二側(cè)面的第一主腔室體； 耦接到所述第一側(cè)面的第一電極組件； 耦接到所述第二側(cè)面的第一可動電極組件；位于所述第一腔室體內(nèi)部用于接收所述基板的第一基板定位機構(gòu)； 串聯(lián)耦接到所述第一蝕刻腔室的第二蝕刻腔室，該第二蝕刻腔室包括 具有第三側(cè)面和第四側(cè)面的第二主腔室體，該第三側(cè)面與所述第二側(cè)面相對，并且所 述第四側(cè)面與所述第一側(cè)面相對；耦接到所述第四側(cè)面的第二電極組件；耦接在所述第三側(cè)面上的第二可動電極組件；以及位于所述第二腔室體內(nèi)部用于接收基板的第二基板定位機構(gòu)。
16.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，進一步包括定位在所述第一和第二蝕刻腔室之間的隔 離閥。
17.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，進一步包括定位在所述第一和第二蝕刻腔室之間的冷卻腔室。
18.如權(quán)利要求15所述的系統(tǒng)，其中，所述第一和第二可動電極組件各自包括 可動支撐部；耦接到所述可動支撐部的運動組件；以及 具有暴露表面的傳導(dǎo)電極。
19.用于在蝕刻腔室中蝕刻基板的方法，其包括 安裝基板到承載器上；將承載器運輸?shù)角皇抑校灰苿觽鲗?dǎo)電極以采取緊鄰基板的表面而電極并未物理接觸基板的位置； 將原氣注入腔室中；以及將RF能量耦合到所述電極以使得腔室中的等離子體向著基板加速。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，進一步包括提供流體以與電極交換熱量。
21.如權(quán)利要求19所述的方法，其中，在腔室中的等離子體蝕刻基板的一個側(cè)面，所述 方法進一步包括將基板移入隨后的腔室中并蝕刻基板的相反側(cè)面。
22.如權(quán)利要求21所述的方法，進一步包括在將基板移入隨后的腔室之前將基板移入 冷卻腔室中。
23.用于在包括多個蝕刻腔室的系統(tǒng)中蝕刻基板的方法，其包括 將基板安裝到承載器上；將承載器運輸?shù)降谝晃g刻腔室中； 蝕刻基板的一個側(cè)面；以及將基板運輸?shù)诫S后的蝕刻腔室中并蝕刻基板的相反側(cè)面。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，進一步包括在將基板運輸?shù)诫S后的蝕刻腔室中之前和 在隨后的腔室中蝕刻之后的至少一個的情況下將基板運輸?shù)嚼鋮s腔室中。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于蝕刻圖案化的介質(zhì)盤片的系統(tǒng)?？蓜拥姆墙佑|電極被利用來執(zhí)行濺射蝕刻。電極移動到幾乎接觸的距離但是并未接觸基板以將RF能量耦合到盤片。待蝕刻的材料可以是金屬，例如Co、Pt、Cr或類似金屬?；遑Q直保持在承載器中并且兩個側(cè)面順次被蝕刻。也就是，一個側(cè)面在一個腔室中被蝕刻，然后在下一腔室中第二側(cè)面被蝕刻。隔離閥布置在兩個腔室之間，盤片承載器在腔室之間移動盤片。承載器可以是利用例如磁化輪和直線電機的線性驅(qū)動承載器。
文檔編號C23C14/00GK101889101SQ200880119425
公開日2010年11月17日 申請日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月6日
發(fā)明者M·S.·巴爾內(nèi)斯, T·布盧克 申請人:因特瓦克公司